JPWO2013046650A1 - セラミックグロープラグ - Google Patents
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Abstract
Description
絶縁性セラミックからなり軸方向に柱状をなす基体と、
導電性セラミックからなり前記基体の先端部に埋設され通電によって抵抗発熱する発熱素子と、当該発熱素子の両端部に接続され前記軸方向の後方へ向けて延設される導電部と、当該導電部の少なくとも一方から径方向へ向けて延設され前記基体の外周面へ露出する電極取出部とを備えてなる抵抗体と、
からなるセラミックヒータを備え、
自身の内部に前記セラミックヒータが保持され、前記電極取出部の露出面と接触して導通する金属製の筒状部材とを備えたセラミックグロープラグであって、
前記電極取出部の露出面の前記軸方向寸法及び前記周方向寸法が共に1.0〜1.8mmであることを特徴とする。
前記基体のうち前記電極取出部の露出面の先端から0.3mm、及び当該露出面の後端から0.3mmの特定領域における圧縮残留応力の、前記基体のうち前記特定領域外における圧縮残留応力に対する比が50%以上であることを特徴とする。
前記電極取出部の露出面の前記軸方向寸法が前記周方向寸法に対して小さく形成されていることを特徴とする。
前記電極取出部の露出面の形状は、角部を持たないことを特徴とする。
前記セラミックヒータは、前記筒状部材の内部に圧入嵌合されることを特徴とする。
前述の外筒へセラミックヒータを圧入し、潤滑剤を加熱除去した。室温まで冷却した後にヒータに折損が生じているか否かを確認し、その本数をカウントして折損不良の発生率を算出した。この結果を表1に示す。なお、潤滑剤の除去は、大気雰囲気の加熱炉を用いてで300℃に加熱し、その後室温まで自然冷却する方法を用いた。
[落下による抵抗不良の発生率]
上記折損不良の試験と同様の手順によりセラミックヒータを外筒へ圧入し、折損が生じていないものを用いて前述の手順によりグロープラグの完成品を製造する。完成したセラミックグロープラグを50cmの高さからコンクリート床へ落下させた後、セラミックグロープラグへ通電して抵抗値を測定し、落下前、すなわち設計抵抗値から20%以上の抵抗値の上昇が生じた試験品の本数をカウントして抵抗不良の発生率を算出した。この結果を表2に示す。なお、両試験とも符号「○」は不良の発生率が0.1%以下、「△」は0.1%以上1%未満、「×」は1%以上であることを示している。また、評価本数はいずれも300本であった。したがって、本評価試験においては符号「○」は不良が1本も発生していないことを意味し、符号「△」は不良の発生が1本又は2本であり、符号「×」は3本以上の不良が発生したことを意味している。
上述の評価試験におけるヒータの外径に対する依存性について確認した。評価方法は上述の折損不良の発生率を確認した試験と同様であり、電極取出部の露出面の形状を軸方向に1.7mm、周方向に1.0mmとした実施例1〜3と、軸方向に2.0mm、周方向に2.0mmとした比較例1〜3のそれぞれにつき、ヒータの外径をφ3.1mm、φ3.3mm、φ3.5mmとした計6パターンの試験品を準備して評価試験を行った。結果を表3に示す。
次いで、電極取出部の露出面における軸方向寸法と周方向寸法との関係を確認した試験について説明する。評価方法は上述の折損不良の発生率を確認した試験と同様である。ヒータの負荷に対する耐性を確認すべく潤滑剤の除去温度を350℃と過剰に上げてヒータの折損不良の発生率を確認した。結果を表4に示す。なお、露出面における軸方向寸法と周方向寸法との関係性を評価するために実施例4〜6の露出面の面積は同一となるよう、それぞれの寸法を設定した。
本発明のセラミックヒータは、導電部が基体に比較して多量の金属元素を含有するため、熱膨張係数も導電部の方が基体に比較して大きく構成されている。このため、ヒータの製造過程における焼成後の冷却段階では導電部の収縮量は基体のそれよりも多く、基体には引張り応力が生じる。ヒータ(基体)の表面では当該応力は圧縮応力として作用する。圧縮応力が作用しているので、当該部位、すなわち内部に導電部が埋設されている基体部位における強度は見かけ上では向上する。一方、導電部が露出された電極取出部(露出面)では、露出した部位の導電部(露出面)がその周囲の基体を引っ張るように収縮するため上述した圧縮応力を相殺してしまう。すなわち、露出面における基体との境界では上述の圧縮応力による強度の向上効果を期待することが難しい。
評価試験に用いたサンプルは前述の実施例1と比較例1であった。それぞれのヒータについてヒータ単体の表面残留応力を測定した。測定方法はX線残留応力測定法を用い、2θ−sin2ψ線法を用いた。応力測定には、高角度側でピーク強度が高いβ-Si3N4(212)の131.55°を使用した。コリメーターはφ0.5mm、2θサンプリング幅は0.1°、計数時間は1000秒であった。X線管球にはCr−Kαを用いた。本方法では、複数の入射角でX線を照射し、回折角を得た。入射角に対する回折角から作成した、2θ−sin2ψ線図の傾きから残留応力を算出した。また残留応力の測定は、電極取出部における露出面と基体との境界を基点(図5におけるST1,ST2位置参照)とし、当該基点から軸方向に所定距離それぞれ離れた4点にて行った。
2 主体金具
21 基体
22 抵抗体
23,24 導電部
25 連結部
26 発熱部
3 中軸
4 セラミックヒータ
5 外筒
Claims (5)
- 絶縁性セラミックからなり軸方向に柱状をなす基体と、
導電性セラミックからなり前記基体の先端部に埋設され通電によって抵抗発熱する発熱素子と、当該発熱素子の両端部に接続され前記軸方向の後方へ向けて延設される導電部と、当該導電部の少なくとも一方から径方向へ向けて延設され前記基体の外周面へ露出する電極取出部とを備えてなる抵抗体と、
からなるセラミックヒータを備え、
自身の内部に前記セラミックヒータが保持され、前記電極取出部の露出面と接触して導通する金属製の筒状部材とを備えたセラミックグロープラグであって、
前記電極取出部の露出面の前記軸方向寸法及び前記周方向寸法が共に1.0〜1.8mmであることを特徴とするセラミックグロープラグ。 - 前記基体のうち前記電極取出部の露出面の先端から0.3mm、及び当該露出面の後端から0.3mmの特定領域における圧縮残留応力の、前記基体のうち前記特定領域外における圧縮残留応力に対する比が50%以上であることを特徴とする請求項1に記載のセラミックグロープラグ。
- 前記電極取出部の露出面の前記軸方向寸法が前記周方向寸法に対して小さく形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミックグロープラグ。
- 前記電極取出部の露出面の形状は、角部を持たないことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のセラミックグロープラグ。
- 前記セラミックヒータは、前記筒状部材の内部に圧入嵌合されることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のセラミックグロープラグ。
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