JPWO2011145150A1 - 水素ガスセンサー - Google Patents
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 201
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 98
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 56
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 claims description 7
- IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxotungsten Chemical compound O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.OP(O)(O)=O IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- DHRLEVQXOMLTIM-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.OP(O)(O)=O DHRLEVQXOMLTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 5
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- RKMSYLGAZSHVGJ-UHFFFAOYSA-N barium(2+) cerium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2].[Ce+3] RKMSYLGAZSHVGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150058765 BACE1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical compound OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
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- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
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- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
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- Biochemistry (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
検出電極と、基準電極と、これらの電極に接触する電解質とを備え、 基準電極および検出電極は、ニッケル、チタン、銅、タングステンなどの、標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料から成り、 少なくとも検出電極の温度を、検出電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に維持して、基準電極と検出電極との間に発生する起電力値に基づいて水素ガスを検出する、水素ガスセンサー。
Description
本発明は、水素ガスセンサーに関する。さらに詳細に、本発明は、例えば、水素燃料電池の稼働状況や燃料効率を評価するために該水素燃料電池の水素極側セルの水素濃度を検知するなどの用途に好適な水素ガスセンサーに関する。
燃料電池や水素エンジンに代表される水素エネルギー利用システムや、水素の製造、輸送、貯蔵、充填等が行われる水素ステーションなどでは、安全性を担保するために、水素ガスセンサーが採用されている。
該水素ガスセンサーとして、光学式、接触燃焼式、半導体式、起電力式(EMF型)、電流検出式(電池型)、水素吸着や水素吸蔵特性を利用した圧変化型機械式、MOS型キャパシタ式等のセンサーが知られている。
これらの中で、EMF型水素ガスセンサーは、水素検出に要する時間が短く、感度が温度や湿度などの外部環境に左右され難く、構造が単純で小型化が容易で且つ製造コストが低く、水素ガス濃度ゼロの状態においても固有の起電力値を示すことからセンサーの故障や異常を自己診断できるなどという利点を有する。このような利点から、EMF型水素ガスセンサーは水素エネルギー利用システムの安全性確保のニーズに十分に応えるものであると考えられている。
該水素ガスセンサーとして、光学式、接触燃焼式、半導体式、起電力式(EMF型)、電流検出式(電池型)、水素吸着や水素吸蔵特性を利用した圧変化型機械式、MOS型キャパシタ式等のセンサーが知られている。
これらの中で、EMF型水素ガスセンサーは、水素検出に要する時間が短く、感度が温度や湿度などの外部環境に左右され難く、構造が単純で小型化が容易で且つ製造コストが低く、水素ガス濃度ゼロの状態においても固有の起電力値を示すことからセンサーの故障や異常を自己診断できるなどという利点を有する。このような利点から、EMF型水素ガスセンサーは水素エネルギー利用システムの安全性確保のニーズに十分に応えるものであると考えられている。
該EMF型水素ガスセンサーとして、例えば、特許文献1には、第1の電極および第2の電極と、これらの電極と接触する電解質とを備え、前記第1の電極および前記第2の電極が互いに水素ガスに対する化学ポテンシャルが異なる材料からなり、前記第1の電極が相対的に前記化学ポテンシャルの高い材料を含み、前記第2の電極が相対的に前記化学ポテンシャルの低い材料を含み、これら電極間に発生する起電力値に基づいて前記水素ガスを検出することができる水素ガスセンサーが記載されている。該第1の電極は、白金、白金合金、パラジウム、パラジウム合金などの材料で製造されている。第2の電極は、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウム、アルミニウム合金などの材料や有機導電性材料で製造されている。電解質は、燐タングステン酸などの材料で製造されている。
特許文献2には、固体電解質と、前記固体電解質の表面に形成された第1および第2の電極を備え、前記固体電解質がプロトンと酸化物イオンを伝導するイオン伝導体を含み、前記第1の電極が酸素のイオン化を防止する機能を有する材料からなり、前記第2の電極が水素の酸化反応に対して触媒作用を有する材料からなり、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電圧を測定することによって水素濃度を測定する水素ガスセンサーが開示されている。前記第1の電極は、アルミニウム、銅およびニッケルからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含む。前記第2の電極は、白金、金、銀、パラジウムおよびルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含む。前記固体電解質としては、バリウムセリウム系酸化物が用いられている。
また、特許文献2には、バリウムセリウム系酸化物からなる固体電解質に接触するように、白金製アノード電極と白金製カソード電極とを設置し、アノード電極またはカソード電極のいずれか一方を加熱または冷却して両極間に温度差を付けることが開示されている。ただし、このセンサーは、定電解式固定型水素センサーであり、外部回路に流れる電流の増減で水素ガス濃度の高低を検出するものである。定電解式固定型水素センサーでは、検出感度を高めるために電極の表面積を大きくする必要がある。また、電極に用いられている白金は、標準状態においてその表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離する特性を有する材料である。
従来のEMF型水素ガスセンサーでは、標準状態においてその表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離する特性を有する材料からなる検出電極が用いられている。そして、該EMF型水素ガスセンサーは、起電力値が水素ガス濃度の対数に比例して変化するので、低濃度領域では濃度変化に対する起電力値変化が大きく、高感度である。ところが、高濃度領域では濃度変化に対する起電力値変化が小さく、低感度である。
そこで、本発明は、低濃度から高濃度までの範囲で、水素ガス濃度に比例して起電力値が変化するEMF型水素ガスセンサーを提供することを課題とするものである。
そこで、本発明は、低濃度から高濃度までの範囲で、水素ガス濃度に比例して起電力値が変化するEMF型水素ガスセンサーを提供することを課題とするものである。
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、検出電極および基準電極を、ニッケル、銀、タングステンなどの、標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料で製造し、該検出電極の温度を検出電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に維持したところ、基準電極と検出電極との間に発生する起電力値が、低濃度から高濃度までの範囲で、水素ガス濃度に比例して変化することを見出した。
本発明は、この知見に基づいてさらに検討を重ねることによって完成するに至ったものである。
本発明は、この知見に基づいてさらに検討を重ねることによって完成するに至ったものである。
すなわち、本発明は、以下のものを包含する。
(1) 検出電極と、基準電極と、これらの電極に接触する電解質とを備え、 基準電極および検出電極が、標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料から成り、 少なくとも検出電極の温度を、検出電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に維持して、基準電極と検出電極との間に発生する起電力値に基づいて水素ガスを検出する、水素ガスセンサー。
(2) 検出電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度T1である材料から成り、且つ 基準電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度がT1よりも高い温度T2である材料から成る、前記(1)に記載の水素ガスセンサー。
(3) 基準電極および検出電極の温度を、T1とT2との間の温度TSに維持する、前記(2)に記載の水素ガスセンサー。
(4) 検出電極の温度が基準電極の温度よりも高くなるようにする、前記(1)または(2)に記載の水素ガスセンサー。
(5) 基準電極および検出電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度TOである材料から成り、且つ 基準電極の温度をTOよりも低い温度TRに維持し且つ検出電極の温度をTOよりも高い温度TDに維持する、前記(1)に記載の水素ガスセンサー。
(1) 検出電極と、基準電極と、これらの電極に接触する電解質とを備え、 基準電極および検出電極が、標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料から成り、 少なくとも検出電極の温度を、検出電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に維持して、基準電極と検出電極との間に発生する起電力値に基づいて水素ガスを検出する、水素ガスセンサー。
(2) 検出電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度T1である材料から成り、且つ 基準電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度がT1よりも高い温度T2である材料から成る、前記(1)に記載の水素ガスセンサー。
(3) 基準電極および検出電極の温度を、T1とT2との間の温度TSに維持する、前記(2)に記載の水素ガスセンサー。
(4) 検出電極の温度が基準電極の温度よりも高くなるようにする、前記(1)または(2)に記載の水素ガスセンサー。
(5) 基準電極および検出電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度TOである材料から成り、且つ 基準電極の温度をTOよりも低い温度TRに維持し且つ検出電極の温度をTOよりも高い温度TDに維持する、前記(1)に記載の水素ガスセンサー。
(6) 基準電極および検出電極が、H2(−)|50mol/m3 H2SO4|材料(+) で構成したセルでの標準状態における起電力が0.8V未満の値を示す材料から成る、前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(7) 基準電極および検出電極が、タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀またはアルミニウムの単体金属; タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀および/またはアルミニウムを含む合金; タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀および/またはアルミニウムを含む金属水素化物; および有機導電性材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料から成る、前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(8) 基準電極が、金属水素化物から成る、前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(9) 電解質が、固体電解質である、前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(10) 電解質が、燐タングステン酸または燐モリブデン酸から成る、前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(11) 基準電極および検出電極の各温度を調整するための手段をさらに備える、前記(1)〜(10)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(12) 温度補償手段をさらに備える、前記(1)〜(11)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(12) 前記(1)〜(12)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサーを備えた水素エネルギー利用システム。
(7) 基準電極および検出電極が、タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀またはアルミニウムの単体金属; タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀および/またはアルミニウムを含む合金; タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀および/またはアルミニウムを含む金属水素化物; および有機導電性材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料から成る、前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(8) 基準電極が、金属水素化物から成る、前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(9) 電解質が、固体電解質である、前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(10) 電解質が、燐タングステン酸または燐モリブデン酸から成る、前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(11) 基準電極および検出電極の各温度を調整するための手段をさらに備える、前記(1)〜(10)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(12) 温度補償手段をさらに備える、前記(1)〜(11)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
(12) 前記(1)〜(12)のいずれか一項に記載の水素ガスセンサーを備えた水素エネルギー利用システム。
以下、本発明が、上記課題を解決するために採用した解決手段を説明する。
本発明に係る水素ガスセンサーは、検出電極と、基準電極と、電解質とを備えるものである。検出電極と基準電極とは、相互に離間しており、電解質に接触している。
本発明に係る水素ガスセンサーは、検出電極と、基準電極と、電解質とを備えるものである。検出電極と基準電極とは、相互に離間しており、電解質に接触している。
本発明に係る水素ガスセンサーでは、検出電極および基準電極が、標準状態においてこれら電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料で製造されている。検出電極および基準電極に用いられる材料は、標準状態においてこれら電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料であれば、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
なお、「標準状態」というのは、常温常圧の状態を意味し、具体的には25℃(298.15K)、1気圧(101.325kPa)の状態を意味する。
従来のEMF型水素ガスセンサーでは、基準電極にニッケルなどの標準状態において基準電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料を用い、検出電極に白金などの標準状態において検出電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離する特性を有する材料を用い、標準状態において水素ガスが検出電極に触れたときに検出電極の起電力が変化するような構成としているので、本発明に係る水素ガスセンサーの構成が従来のものに比べて特異なものであることが理解できる。
なお、「標準状態」というのは、常温常圧の状態を意味し、具体的には25℃(298.15K)、1気圧(101.325kPa)の状態を意味する。
従来のEMF型水素ガスセンサーでは、基準電極にニッケルなどの標準状態において基準電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料を用い、検出電極に白金などの標準状態において検出電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離する特性を有する材料を用い、標準状態において水素ガスが検出電極に触れたときに検出電極の起電力が変化するような構成としているので、本発明に係る水素ガスセンサーの構成が従来のものに比べて特異なものであることが理解できる。
そして、本発明に係る水素ガスセンサーでは、水素ガスの検出をするときには、少なくとも検出電極の温度を、検出電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に維持する。そして、該温度状態において水素ガスが検出電極に触れると水素が原子状水素に解離し、それに伴って検出電極の起電力が変化する。なお、検出電極の材料と基準電極の材料とが同じ場合には、検出電極の温度は基準電極の温度よりも高くすることが好ましい。検出電極の材料と基準電極の材料とが異なる場合には、検出電極の温度は基準電極の温度と同じであってもよいし、基準電極の温度と異なっていてもよい。
本発明に係る水素ガスセンサーでは、上記のような構成とすることによって、低濃度から高濃度までの範囲で、水素ガス濃度に比例した起電力変化を生じさせることができる。
本発明に係る水素ガスセンサーでは、上記のような構成とすることによって、低濃度から高濃度までの範囲で、水素ガス濃度に比例した起電力変化を生じさせることができる。
一方、基準電極の温度は、特に限定されない。例えば、基準電極の温度を、基準電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度未満に維持している場合には、基準電極では水素ガスの解離が生じないので、検出電極で水素ガスが解離したときに生じる検出電極の起電力変化のみが両電極間の電位差の変化として検出される。
基準電極の温度を、基準電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に維持している場合には、基準電極でも水素ガスの解離が生じるので、基準電極における起電力変化と検出電極における起電力変化とを合わせたものが両電極間の電位差の変化として検出される。
また、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度は、電極に使用する材料の種類に応じて異なるので、水素濃度と起電力との関係は、電極材料の種類や電極温度の設定を適宜に選択することによって、任意に調整することができる。
基準電極の温度を、基準電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に維持している場合には、基準電極でも水素ガスの解離が生じるので、基準電極における起電力変化と検出電極における起電力変化とを合わせたものが両電極間の電位差の変化として検出される。
また、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度は、電極に使用する材料の種類に応じて異なるので、水素濃度と起電力との関係は、電極材料の種類や電極温度の設定を適宜に選択することによって、任意に調整することができる。
検出電極および基準電極の温度の調整手段は、特に限定されない。例えば、加熱器や冷却器を電極の近傍に配置してもよいし、電極をメッシュ状等の加熱器や冷却器で覆ってもよい。また、電極の温度を温度センサーで計測し、その測定値に基づいて加熱器等に供給する電力を可変抵抗器などで調整して、電極が所望の温度に維持されるようにすることができる。検出電極および基準電極における起電力値は温度によって変化することがあるので、温度はできる限り一定になるように調整することが好ましい。
また、本発明に係る水素ガスセンサーは、温度補償手段を備えることが好ましい。例えば、本発明に係る水素ガスセンサーa,bを2つ用意し、それらを同じ温度環境下に置き、一方の水素ガスセンサーbは不活性ガスに接触させ、他方の水素ガスセンサーaは水素を含む試料ガスに接触させ、両水素ガスセンサーのEMF値を測定し、そして、水素ガスセンサーaのEMF値から水素ガスセンサーbのEMF値を差し引き水素ガスの接触に起因するEMF値の変化量だけを算出するようにして温度補償をすることができる。
また、本発明に係る水素ガスセンサーは、温度補償手段を備えることが好ましい。例えば、本発明に係る水素ガスセンサーa,bを2つ用意し、それらを同じ温度環境下に置き、一方の水素ガスセンサーbは不活性ガスに接触させ、他方の水素ガスセンサーaは水素を含む試料ガスに接触させ、両水素ガスセンサーのEMF値を測定し、そして、水素ガスセンサーaのEMF値から水素ガスセンサーbのEMF値を差し引き水素ガスの接触に起因するEMF値の変化量だけを算出するようにして温度補償をすることができる。
本発明に係る好ましい水素ガスセンサーの一例は、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度T1である材料から成る検出電極と、 電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度がT1よりも高い温度T2である材料から成る基準電極とを備えるものが挙げられる。このような構成の水素ガスセンサーでは、基準電極および検出電極の温度を、T1とT2との間の温度TSに維持することが好ましい。温度Tsに維持した状態にすると、基準電極では水素ガスの解離が生じないので、検出電極における水素ガスの解離によって生じる起電力変化のみが両電極間の電位差の変化として検出される。
本発明に係る好ましい水素ガスセンサーの別の例は、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度TOである材料から成る基準電極と検出電極とを備えるものが挙げられる。このような構成の水素ガスセンサーでは、基準電極の温度をTOよりも低い温度TRに維持し、且つ検出電極の温度をTOよりも高い温度TDに維持することが好ましい。このような温度に維持した状態にすると、基準電極では水素ガスの解離が生じないので、検出電極における水素ガスの解離によって生じる起電力変化のみが両電極間の電位差の変化として検出される。
検出電極および基準電極に用いられる材料は、標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料である。該材料は、電解質と反応しないものが好ましい。検出電極および基準電極に用いられる好ましい材料は、H2(−)|50mol/m3 H2SO4|材料(+) で構成したセルでの標準状態における起電力が、好ましくは0.8V未満の値を示す材料、より好ましくは0V以上0.8V未満の値を示す材料である。具体的には、銅、銀、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、コバルト、ニッケル、タンタル、チタン、ニオブ、アルミニウムまたはヴァナジウムの単体金属; これらのいずれか1種または2種以上を含む合金や金属化合物; および有機導電性材料; ならびにこれらの複合材料を挙げることができる。これらのうち、タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀またはアルミニウムの単体金属; タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀および/またはアルミニウムを含む合金; タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀および/またはアルミニウムを含む金属水素化物; および/または有機導電性材料; 並びにこれらの複合材料がより好ましい。基準電極には、金属水素化物から成るものを用いることが好ましい。金属水素化物を用いると、水素濃度の変動に対して安定な基準電極を得ることができる。
なお、上記の材料には、標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を保持するかぎり、白金、金、パラジウムなどの、標準状態においてその表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離する特性を有する材料が、含まれていてもよい。
なお、上記の材料には、標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を保持するかぎり、白金、金、パラジウムなどの、標準状態においてその表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離する特性を有する材料が、含まれていてもよい。
本発明に係る水素ガスセンサーに用いられる電解質は、液体のものであってもよいし、ゲル状のものであってもよいし、固体のものであってもよいが、安定性や取り扱い易さの観点から固体電解質が好ましい。固体電解質としては、燐タングステン酸や燐モリブデン酸; BaCe0.9Y0.1O3-α、SrZr0.9Y0.1O3-α等のペロブスカイト型酸化物; パーフルオロスルホン酸樹脂(例えばDoPont社製、商品名Nafion(R)等)に代表される高分子固体電解質などが挙げられる。これらのうち、低コストの観点から燐タングステン酸や燐モリブデン酸が好ましく、多湿環境に比較的に強いという観点から高分子固体電解質が好ましい。燐タングステン酸や燐モリブデン酸は、通常、粉末で供給されるので、WO2005/80957号に記載されているような圧縮成型する方法や溶解固化する方法などによって固体電解質を調製することができる。また、電解質にグラスウールなどの構造補強材を含ませて、電解質層の強度および電極との密着性を増大させることができる。
本発明の水素ガスセンサーは、低濃度から高濃度までの広い範囲で、水素ガス濃度に比例して起電力値が変化するので、水素ガス濃度を高精度で測定することができる。さらに本発明の水素ガスセンサーは、水素検出に要する時間が短く、構造が単純で小型化が容易で且つ製造コストが低く、水素ガス濃度ゼロの状態においても固有の起電力値を示すことからセンサーの故障や異常を自己診断できるなどという利点を有する。
本発明の水素ガスセンサーは、燃料電池や水素エンジンに代表される水素エネルギー利用システムや、水素の製造、輸送、貯蔵、充填等が行われる水素ステーションなどにおいて、好適に利用することができる。
本発明の水素ガスセンサーは、燃料電池や水素エンジンに代表される水素エネルギー利用システムや、水素の製造、輸送、貯蔵、充填等が行われる水素ステーションなどにおいて、好適に利用することができる。
以下、図面を参照して、本発明に係る水素ガスセンサーの実施の形態を説明する。なお、これら実施形態は説明のための単なる例示であって、本発明はこれら実施形態に何等制限されるものではない。
(実施形態1)
図1は、本発明に係る水素ガスセンサーの実施形態1の構成を示す図である。図1中の(a)は該水素ガスセンサーの上面図であり、(b)は該水素ガスセンサーの正面図である。
図1は、本発明に係る水素ガスセンサーの実施形態1の構成を示す図である。図1中の(a)は該水素ガスセンサーの上面図であり、(b)は該水素ガスセンサーの正面図である。
実施形態1の水素ガスセンサーは、絶縁性基板110上に、膜状の固体電解質112を形成し、その上に検出電極114および基準電極116を相互に離間して設けている。検出電極114および基準電極116は、導電線を介して起電力計Vに接続されている。さらに、それらを覆うヒーター120と、その電源と、ヒーターに供給する電力を調整するための可変抵抗器と、検出電極114の温度を測定し可変抵抗器の抵抗値を制御する温度制御器TCとが設けられている。このヒーター120は、例えば、メッシュ状に構成され、通気性と保温性とを兼ね備えている。なお、検出電極および基準電極を絶縁性基板上に相互に離間して配置し、この上に膜状の固体電解質を形成するようにしてもよいし; 基準電極を絶縁性基板上に配置し、この上に膜状の固体電解質を形成し、その上に検出電極を設けてもよい。
検出電極114および基準電極116は、標準状態において水素分子がこれら電極の表面で自発的に原子状水素に解離しない材料からなる。 実施形態1の水素ガスセンサーは、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度T1である材料から成る検出電極と、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度がT1よりも高い温度T2である材料から成る基準電極とを備えるものである。
そして、実施形態1の水素ガスセンサーでは、基準電極および検出電極の温度を、T1とT2との間の温度TSに維持する。温度TSに維持された上記水素ガスセンサーに、水素ガスを含む試料ガスを導入すると、水素分子が検出電極114の表面のみで自発的に原子状水素に解離する。基準電極116の表面では水素分子は自発的に原子状水素に解離しない。その結果、検出電極と基準電極との間に水素ガス濃度に応じた起電力が生じる。この起電力の値を、起電力計で測定することによって、水素ガス濃度を決定することができる。
標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離する特性を有する材料から成る検出電極を用いている従来のEMF型水素ガスセンサーでは、起電力値は水素ガス濃度の対数に比例して変化するので、高濃度領域での感度が低くなる。これに対して、本発明に係る水素ガスセンサーでは、起電力値は水素ガス濃度に比例して変化するので、低濃度から高濃度までの広い範囲で、水素を同じ感度で検出することができる。
標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離する特性を有する材料から成る検出電極を用いている従来のEMF型水素ガスセンサーでは、起電力値は水素ガス濃度の対数に比例して変化するので、高濃度領域での感度が低くなる。これに対して、本発明に係る水素ガスセンサーでは、起電力値は水素ガス濃度に比例して変化するので、低濃度から高濃度までの広い範囲で、水素を同じ感度で検出することができる。
(実施形態2)
図2は、本発明に係る水素ガスセンサーの実施形態2の構成を示す図である。図2中の(a)は該水素ガスセンサーの上面図であり、(b)は該水素ガスセンサーの正面図である。
この水素ガスセンサーは、検出電極214と基準電極216とが同じ材料で製造されている点、および検出電極用ヒーター222と基準電極用ヒーター221とを独立に制御して検出電極214の温度と基準電極216の温度とを別個に維持することができるようになっている点以外は、実施形態1の水素ガスセンサーと同じ構造のものである。
図2は、本発明に係る水素ガスセンサーの実施形態2の構成を示す図である。図2中の(a)は該水素ガスセンサーの上面図であり、(b)は該水素ガスセンサーの正面図である。
この水素ガスセンサーは、検出電極214と基準電極216とが同じ材料で製造されている点、および検出電極用ヒーター222と基準電極用ヒーター221とを独立に制御して検出電極214の温度と基準電極216の温度とを別個に維持することができるようになっている点以外は、実施形態1の水素ガスセンサーと同じ構造のものである。
すなわち、実施形態2の水素ガスセンサーは、絶縁性基板210上に、膜状の固体電解質212を形成し、その上に検出電極214および基準電極216を互いに離間して設けている。検出電極214および基準電極216は、導電線を介して起電力計Vに接続されている。さらに、検出電極214を覆うヒーター222と、基準電極216を覆うヒーター221と、検出電極214の温度および基準電極216の温度を個別に制御するための温度制御器TCとが設けられている。
検出電極214および基準電極216は、標準状態において水素分子がこれら電極の表面で自発的に原子状水素に解離しない同じ材料からなる。すなわち、実施形態2の水素ガスセンサーは、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度TOである材料から成る検出電極および基準電極を備えるものである。
そして、基準電極の温度をTOよりも低い温度TRに維持し、且つ検出電極の温度をTOよりも高い温度TDに維持する。このような温度状態に維持された上記水素ガスセンサーに、水素ガスを含む試料ガスを導入すると、検出電極214表面でのみ水素分子が自発的に原子状水素に解離する。基準電極216表面では水素分子が自発的に原子状水素に解離しない。その結果、検出電極と基準電極との間に水素ガス濃度に応じた起電力変化が生じる。この起電力の値を、起電力計で測定することによって、水素ガス濃度を決定することができる。
(実施形態3)
図3は、本発明に係る水素ガスセンサーの実施形態3の構成を示す図である。
実施形態3の水素ガスセンサーでは、電解質に液体電解質312を使用している。この液体電解質312を二つの有底容器30a、30bに入れ、これらを連結管34によって繋いでいる。検出電極314を容器30aに挿入し液体電解質312に接触させている。検出電極314および基準電極316は、標準状態において水素分子がこれら電極の表面で自発的に原子状水素に解離しない同じ材料からなる。基準電極316を容器30bに挿入し液体電解質312に接触させている。検出電極314および基準電極316は、導電線を介して起電力計Vに接続されている。容器30aを加熱炉36内に配置し、検出電極314の温度を電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に調整している。容器30bを空冷し、基準電極316の温度を電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度未満に調整している。検出電極314の周囲を栓付の管38で覆い、管38中の空間を水素を含有する試料ガスで置換し、水素ガス濃度に応じた起電力値を測定することができるようになっている。
図3は、本発明に係る水素ガスセンサーの実施形態3の構成を示す図である。
実施形態3の水素ガスセンサーでは、電解質に液体電解質312を使用している。この液体電解質312を二つの有底容器30a、30bに入れ、これらを連結管34によって繋いでいる。検出電極314を容器30aに挿入し液体電解質312に接触させている。検出電極314および基準電極316は、標準状態において水素分子がこれら電極の表面で自発的に原子状水素に解離しない同じ材料からなる。基準電極316を容器30bに挿入し液体電解質312に接触させている。検出電極314および基準電極316は、導電線を介して起電力計Vに接続されている。容器30aを加熱炉36内に配置し、検出電極314の温度を電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に調整している。容器30bを空冷し、基準電極316の温度を電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度未満に調整している。検出電極314の周囲を栓付の管38で覆い、管38中の空間を水素を含有する試料ガスで置換し、水素ガス濃度に応じた起電力値を測定することができるようになっている。
実施例1
図3に示す構造の水素ガスセンサーを組み立てた。液体電解質312として85%リン酸を用いた。検出電極314および基準電極316としてタングステン製の電極を用いた。
検出電極314の温度を85℃に維持し、基準電極316の温度を25℃に維持した。所定モル分率の水素とアルゴンとの混合ガスを管38の中に入れ、そのときの起電力(EMF)値を測定した。その結果を図4に示す。
図4に示すように、本発明に係る水素ガスセンサーは、水素ガス濃度に比例して起電力が変化する。このことから、低濃度から高濃度までの範囲で、ほぼ同じ感度で水素ガスを検出できることがわかる。
図3に示す構造の水素ガスセンサーを組み立てた。液体電解質312として85%リン酸を用いた。検出電極314および基準電極316としてタングステン製の電極を用いた。
検出電極314の温度を85℃に維持し、基準電極316の温度を25℃に維持した。所定モル分率の水素とアルゴンとの混合ガスを管38の中に入れ、そのときの起電力(EMF)値を測定した。その結果を図4に示す。
図4に示すように、本発明に係る水素ガスセンサーは、水素ガス濃度に比例して起電力が変化する。このことから、低濃度から高濃度までの範囲で、ほぼ同じ感度で水素ガスを検出できることがわかる。
実施例2
図1に示す構造の水素ガスセンサー1a、1bを二個組み立てた。固体電解質112として燐タングステン酸を用いた。検出電極114としてタングステン製の電極を用い、基準電極116として銀製の電極を用いた。
図5に示す実験装置を用いて該水素ガスセンサーの特性を測定した。管3a、3bの中に前記水素ガスセンサーを一個づつ取り付けた。管3bにアルゴンガスを封入した。管3aに所定モル分率の水素とアルゴンとの混合ガスを封入した。
容器2に純水を入れ、管3a、3bの中の湿度が一定になるようにした。ヒーター20で加熱し、水素ガスセンサー1a、1bを85℃に維持した。そのときに発生した起電力(EMF)値を測定した。なお、アルゴンガスを封入した管3bにおける測定は起電力値の温度補償のためである。その結果を図6に示す。
図6に示すように、本発明に係る水素ガスセンサーは、水素ガス濃度に比例して起電力値が変化する。このことから、低濃度から高濃度までの範囲で、ほぼ同じ感度で水素ガスを検出できることがわかる。
図1に示す構造の水素ガスセンサー1a、1bを二個組み立てた。固体電解質112として燐タングステン酸を用いた。検出電極114としてタングステン製の電極を用い、基準電極116として銀製の電極を用いた。
図5に示す実験装置を用いて該水素ガスセンサーの特性を測定した。管3a、3bの中に前記水素ガスセンサーを一個づつ取り付けた。管3bにアルゴンガスを封入した。管3aに所定モル分率の水素とアルゴンとの混合ガスを封入した。
容器2に純水を入れ、管3a、3bの中の湿度が一定になるようにした。ヒーター20で加熱し、水素ガスセンサー1a、1bを85℃に維持した。そのときに発生した起電力(EMF)値を測定した。なお、アルゴンガスを封入した管3bにおける測定は起電力値の温度補償のためである。その結果を図6に示す。
図6に示すように、本発明に係る水素ガスセンサーは、水素ガス濃度に比例して起電力値が変化する。このことから、低濃度から高濃度までの範囲で、ほぼ同じ感度で水素ガスを検出できることがわかる。
112、212、312:電解質
114、214、314:検出電極
116、216、316:基準電極
120、221、222:ヒーター
114、214、314:検出電極
116、216、316:基準電極
120、221、222:ヒーター
Claims (13)
- 検出電極と、基準電極と、これらの電極に接触する電解質とを備え、
基準電極および検出電極が、標準状態において電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離しない特性を有する材料から成り、
少なくとも検出電極の温度を、検出電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度以上に維持して、基準電極と検出電極との間に発生する起電力値に基づいて水素ガスを検出する、水素ガスセンサー。 - 検出電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度T1である材料から成り、且つ
基準電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度がT1よりも高い温度T2である材料から成る、請求項1に記載の水素ガスセンサー。 - 基準電極および検出電極の温度を、T1とT2との間の温度TSに維持する、請求項2に記載の水素ガスセンサー。
- 検出電極の温度が基準電極の温度よりも高くなるようにする、請求項1または2に記載の水素ガスセンサー。
- 基準電極および検出電極が、電極表面で水素分子が自発的に原子状水素に解離するようになる温度が標準状態よりも高い温度TOである材料から成り、且つ
基準電極の温度をTOよりも低い温度TRに維持し且つ検出電極の温度をTOよりも高い温度TDに維持する、請求項1に記載の水素ガスセンサー。 - 基準電極および検出電極が、H2(−)|50mol/m3 H2SO4|材料(+) で構成したセルでの標準状態における起電力が0.8V未満の値を示す材料から成る、請求項1〜5のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
- 基準電極および検出電極が、タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀またはアルミニウムの単体金属; タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀および/またはアルミニウムを含む合金; タングステン、ニッケル、チタン、銅、銀および/またはアルミニウムを含む金属水素化物; および有機導電性材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料から成る、請求項1〜5のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
- 基準電極が、金属水素化物から成る、請求項1〜5のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
- 電解質が、固体電解質である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
- 電解質が、燐タングステン酸または燐モリブデン酸から成る、請求項1〜8のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
- 基準電極および検出電極の各温度を調整するための手段をさらに備える、請求項1〜10のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
- 温度補償手段をさらに備える、請求項1〜11のいずれか一項に記載の水素ガスセンサー。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の水素ガスセンサーを備えた水素エネルギー利用システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/003445 WO2011145150A1 (ja) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | 水素ガスセンサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011145150A1 true JPWO2011145150A1 (ja) | 2013-07-22 |
Family
ID=44991277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011543743A Pending JPWO2011145150A1 (ja) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | 水素ガスセンサー |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120125770A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2011145150A1 (ja) |
WO (1) | WO2011145150A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9977006B2 (en) * | 2013-09-12 | 2018-05-22 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Hydrogen sensor element for measuring concentration of hydrogen gas dissolved in liquid and method for measuring concentration of hydrogen gas using same |
WO2022259883A1 (ja) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | 株式会社新潟Tlo | 水素ガス濃度センサ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2913866A1 (de) * | 1979-04-06 | 1980-10-23 | Bosch Gmbh Robert | Messfuehler fuer die bestimmung von bestandteilen in stroemenden gasen |
IT1215930B (it) * | 1988-02-22 | 1990-02-22 | Eniricerche Spa | Sensore a stato solido per determinare la concentrazione di gas con un elettrodo di riferimento solido. |
JPH03287061A (ja) * | 1990-04-04 | 1991-12-17 | Tokuyama Soda Co Ltd | 水素ガスセンサ素子 |
US6103080A (en) * | 1998-02-11 | 2000-08-15 | The Regents Of The University Of California | Hydrocarbon sensors and materials therefor |
JP2000206086A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Tokyo Gas Co Ltd | 水素ガスセンサ及びその製造方法 |
JP2002310978A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 水素センサ |
JP4035848B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2008-01-23 | 株式会社新潟Tlo | 水素ガス漏洩警報システム |
JP4538640B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2010-09-08 | 国立大学法人 新潟大学 | 水素量センサー |
-
2010
- 2010-05-21 US US13/388,343 patent/US20120125770A1/en not_active Abandoned
- 2010-05-21 WO PCT/JP2010/003445 patent/WO2011145150A1/ja active Application Filing
- 2010-05-21 JP JP2011543743A patent/JPWO2011145150A1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120125770A1 (en) | 2012-05-24 |
WO2011145150A1 (ja) | 2011-11-24 |
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