JP4465677B2 - 水素ガス検知素子 - Google Patents

Description

本発明は、固体電解質を用いた水素ガス検知素子に関するものである。

固体電解質を用いる電気化学式ガス検知素子は、一般に、固体電解質層に検知極と対極とが一体に接合された構造からなり、その構成が全て固体からなるために、長期安定性にすぐれ、常温より高い温度で作動させる必要がある場合に特に好適である。また、このような検知素子は、その検知方式によって、電圧検知型と電流検知型とに分類される。

電圧検知型は、濃淡電池型ともいわれ、固体電解質層の片面に検知極を、他面に対極をそれぞれ固着させ、検知極に未知濃度（分圧）の検知ガスを供給し、対極に既知濃度（分圧）の基準ガスを供給するとともに、これらのガスを互いに隔離すると、濃淡電池が形成され、その起電力を測定すれば、数１（１）に示すいわゆるネルンスト式にしたがって検知ガスの濃度（分圧）を知ることができるという原理にもとづくものである。

具体例としては、酸化物イオン伝導性の安定化酸化ジルコニウムを固体電解質とし、空気を基準ガスとし、５００〜１０００℃で作動する酸素濃度検知素子がよく知られている。（特許文献１参照）

電流検知型は、定電位電解型とも限界電流型ともいわれ、検知極と対極との間に、検知ガスの濃度に応じた限界電流が流れるように、一定電圧を印加した際に、検知極と対極との間に流れる電流を検知することによって、検知極に供給されるガスの濃度を検知するものである。具体例としては、安定化酸化ジルコニウムの片面に白金からなる検知極を、他面にやはり白金からなる対極をそれぞれ接合した素子の検知極側に、未知濃度の酸素含有ガスを供給し、一定の電圧を印加した際、化１（２）（３）式に示す反応が起こり、その際流れる電流から、検知ガスの酸素濃度を検知する方法が提案されている。

適用すべき固体電解質層としては、通常は、検知ガス種に対応するイオンが伝導し得る材料を選択する必要がある。例えば、上記のように、検知ガスが酸素の場合には、酸化物イオン伝導性の電解質が用いられ、検知ガスが水素の場合には、二酸化炭素に対して不安定なセリウム酸バリウム系あるいはセリウム酸ストロンチウム系などのプロトン伝導性の電解質が選択される。

特開２００３−２７９５３１号公報

検知ガスが水素の場合には、上記のように、プロトン伝導性の固体電解質層を用いるが、検知素子を濃淡電池型にするのが必須とされていた。この場合、検知ガスと同一であって、しかも既知濃度の基準ガスを使用する必要があるが、このような装置は、実用上、極めて煩雑であり、現実的ではない。

さらには、固体電解質が一般に、高温でしか充分なイオン伝導度を示さないという理由から、検知素子に、例えば白金抵抗体を接合し、この部分に電流を流す等、温度制御が可能な加熱措置を施す必要がある。しかし、従来のように、固体電解質層の両面に検知極と対極を接合し、検知ガスと基準ガスとを固体電解質層を介して隔離させた場合には、気密性を確保するための構造が複雑になるばかりか、加熱装置の設置が困難になるという問題もあった。

以上の理由から、例えば、溶融アルミニウム中の水素検知素子の如き特殊用途を除いた、一般用途向けに適した水素ガス用固体電解質型検知素子は、未だに実用化されていない。

上記実状に鑑み本発明の目的は、検知出力の安定性が高く、より簡単な構造で、しかも基準ガスを必要としない水素ガス検知素子を提供することにある。

本発明は、(La1-xSrx)HyScO3-d(0<x<=0.2, 0<y<0.1) であり、かつ、雰囲気中の二酸化炭素に対して充分安定なプロトン伝導性固体電解質層を用いるとともに、この固体電解質層に検知極と対極を接合し、対極の全体をガラス状ガス非透過性被膜で被覆することによって、基準ガスを特に用いなくても、水素ガスの検知を可能にする水素ガス検知素子を提供するものである。さらには、このような固体電解質層−電極接合体を、アルミナの如き絶縁性セラミック基板の片面に接合するとともに、他面に加熱用金属抵抗体層を接合する構造を採用することによって、水素ガス検知装置をより小型化するものである。

本発明は、水素に適した固体電解質型検知素子について、実験検討を鋭意進めた結果得られた新知見に基づいてなされたものである。

本発明にかかる水素ガス検知素子の典型的模式構造を図１に示す。
１は、絶縁性セラミックス基板であり、その材料としては、アルミナあるいはシリカ-アルミナ等が好適である。前記セラミックス基板の片面に(La_1-xSr_x)H_yScO_3-d(0<x<=0.2, 0<y<0.1)からなるプロトン伝導性固体電解質層２が一体に接合されている。固体電解質層の接合方法としては、ペレット状もしくはシート状固体電解質層を従来公知のセラミックス系あるいはガラス系によって接着・加熱する方法あるいは固体電解質材料粉末としかるべき結合材を混合した物を塗布・加熱する方法などが有効である。

固体電解質層２の上には、検知極４及び対極（基準極）３が相互に隔離されるように、一体に接合されている。両電極とも、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、金などの貴金属もしくは、これらの貴金属の合金によって構成される。両電極ともスパッタリング法、ペースト法等当該分野で公知とされる方法によって接合される。対極（基準極）３は、ガス非透過性被覆層５によって被覆されている。このガス非透過性被覆層５の材料は、一般に市販されている、加熱によって溶融するガラス系材料が好適である。絶縁性セラミック基板１の固体電解質層２とは反対の面には、本検知素子の作動温度を維持するためのたとえば白金からなる加熱用金属抵抗体層６が、当該分野において公知のスパッタリング法、ペースト法等によって接合されている。加熱用金属抵抗体層６は、シート状とし、セラミック接着材により接着してもよい。

なお、上記のような各部材の接合構成あるいは接合順序については、さらに、さまざまな選択肢がある。まず、作動温度を高温にするために、外部加熱機構が別途に用意できる場合には、加熱用金属抵抗体層６を検知素子に一体接合しなくてもすむ。また、この場合には、絶縁性セラミック基板１を用いなくて、固体電解質層２に検知極４及び対極（基準極）３を接合するとともに、対極（基準極）３にガス非透過性被膜５を被覆した接合体を製作し、この接合体を検知素子として、そのまま、使用することも可能である。さらには、この接合体を絶縁性セラミック基板１に接合することも効果的である。一方、この接合体の製作にあたっては、固体電解質層２の同一面に検知極４及び基準極３を接合する（図１参照）のみならず、固体電解質層２の片面に検知極４を、他面に対極（基準極）３を接合する（図２参照）ことも有効な場合がある。なお、この接合体を絶縁性セラミック基板に接合する際、固体電解質層２の同一面に検知極４及び対極（基準極）３の双方を接合した型の場合には、固体電解質層２面と絶縁性セラミック基板１とが隣り合うように接合するのに対し、固体電解質層２の片面に検知極４を、他面に対極（基準極）３を接合した型の場合には、検知極４、固体電解質層２及び対極（基準極）３のすべてが、絶縁性セラミック基板１に隣り合う向きにして接合しなければならない。
また、これら接合体を絶縁性セラミック基板１に接合する際には、固体電解質層２−検知極４−対極（基準極）３の接合体を絶縁性セラミック基板１に接合した後に、ガス非透過性被膜５を対極（基準極）３に被覆するという工程を選択した方が、対極（基準極）３への検知ガスの接触を完全に防止するという観点からは有利なことが多い。

上記の構造からなる水素ガス検知素子は、その全体が検知ガス雰囲気中におかれ、外部電源から、加熱用金属抵抗体層６に電流を通すか、外部加熱機構によって、しかるべき作動温度（通常は４００〜６００℃）になるように加熱した上で、検知極４と対極（基準極）３との間の電圧を測定すると、その電圧と還元性検知ガス濃度の対数との間に直線性がみられる。換言すると、検知極４―対極（基準極）３間電圧を測定することによって、水素ガスを検知可能である。

本発明による検知素子の系は、従来の厳密な意味での濃淡電池系ではないので、前記（１）式のネルンスト式をそのまま適用することはできないために、その反応メカニズム及び検知メカニズムには不分明なところはある。
ひとつの推測としては、検知極４及び対極（基準極）３として白金を用いた際には、検知極が化２（４）式の平衡反応に基づく水素濃度に応じた平衡電位を示し、対極（基準極）３の表面において、白金上の物理吸着酸素または多孔質の構造をもつ対極内部に存在する気相中の酸素ガスとの反応において対極（基準極）３が化２（５）式の平衡反応による平衡電位を示し、両極３，４の平衡電位の差が電圧として検知されることが考えられる。
一方において、前述の多孔質の構造をもつ対極（基準極）３内部のわずかな気孔が、既知の水素濃度を持つ基準ガスとなり、化３（７）式に平衡反応に基づく平衡電位を示し、両極３，４平衡電位の差が電圧として検知されていることが考えられる。
いずれにせよ、プロトン伝導性を示す固体電解質層２を電解質材料とすることとともに、対極（基準極）３を非ガス透過性被覆材５で被覆することで化２または化３、あるいは化２と化３が同時に発現するものである。

以下、本発明の特長を述べる。
本発明は、検知極４と対極（基準極）３とを固体電解質層２に接合するとともに、対極（基準極）３をガス非透過性被膜５により被覆し、検知ガスと対極（基準極）３との接触を防止する。そのため、特に基準ガスを用いることなく、検知ガスを検知素子全体に接触させても、検知ガスの検知を可能になった。従って、検知素子の構造をより簡単にするとともに、検知方法の簡易化をもたらす。さらには、加熱用金属抵抗体層６を検知素子に一体に接合した場合には、加熱機構を含めた検知装置の小型化を図ることが可能になる。

図２に示すように、まず、直径15mm、厚さ１mmの(La_1-xSr_x)H_yScO_3-d(0<x<=0.2, 0<y<0.1)からなるプロトン伝導性固体電解質層２の両面にスパッタリング法により薄膜（１μｍ厚）の白金を固着させた。次に、この固体電解質層２―白金接合体を、レーザー加工機で切断し、１×１×0.5mmの寸法からなる複数の小片に切り出した。この小片において、白金の片方が検知極４、他方が対極（基準極）３となる。次に1.5×1×0.4mmの絶縁性アルミナ基板１の片面に、検知極４―固体電解質層２―対極（基準極）３の接合体小片を、セラミックス接着剤により接着した。次に白金からなる検知極４および対極（基準極）３の双方に白金リード線をいわゆる白金ペーストで接続した。次に、対極（基準極）３のみをガラス系被覆材により被覆した。このガラス系被覆材がガス非透過性被覆層５となる。次に上記絶縁性アルミナ基板の検知極４―固体電解質層２―対極（基準極）３接合面と反対の面に、加熱用白金抵抗体層６をスパッタリング法により接合するとともに、その両端に白金リード線を取り付けた。かくして、水素ガス検知素子が得られる。尚、スパッタリング法により得られた検知極４および対極（基準極）３は、多孔質で反応性が高いものとなっている。

この水素ガス検知素子を、加熱用抵抗体層６に外部電源から電流を流して、600℃に保持するとともに、種々の水素ガス濃度の雰囲気中に設置し、検知極４と対極（基準極）３との電圧（電位差）を測定したところ、図３に示す特性が得られた。すなわち、水素ガスに対してその濃度（ppm）との対数と検知極―対極（基準極）間電圧との間に、ほぼ直線的な関係が示された。

以上詳述するように、本発明は、より簡単な構造で、より簡便な方法による水素ガスの検知を可能にするガス検知素子及びガス検知装置を提供するものであり、その工業的価値、極めて大である。

本発明のガス検知装置の概略図 本発明のガス検知装置の概略図 本発明のガス検知素子の出力特性を示すグラフ

符号の説明

１ 絶縁基板
２ 固体電解質層
３ 基準極
４ 検知極
５ ガス非透過性被膜
６ 加熱用抵抗体層

Claims (8)

1. (La1-xSrx)HyScO3-d(0<x<=0.2, 0<y<0.1) であるプロトン伝導性固体電解質層に、検知極及び基準極をそれぞれ接合するとともに、前記基準極の全体をガス非透過性被膜で被覆してなる接合体から構成される水素ガス検知素子。
2. (La1-xSrx)HyScO3-d(0<x<=0.2, 0<y<0.1) であるプロトン伝導性固体電解質層に、検知極及び基準極をそれぞれ接合するとともに、前記基準極の全体をガス非透過性被膜で被覆してなる接合体を、絶縁性セラミック基板の片面に接合してなる水素ガス検知素子。
3. (La1-xSrx)HyScO3-d(0<x<=0.2, 0<y<0.1) であるプロトン伝導性固体電解質層に、検知極及び基準極をそれぞれ接合するとともに、前記基準極の全体をガス非透過性被膜で被覆してなる接合体を、絶縁性セラミック基板の片面に接合するとともに、前記絶縁性セラミック基板の他面に、加熱用金属抵抗体層を接合してなる水素ガス検知素子。
4. 前記接合体が、前記プロトン伝導性固体電解質層の同一面上に、前記検知極及び前記基準極を接合してなる請求項１〜３のいずれか一項に記載の水素ガス検知素子。
5. 前記接合体が、前記プロトン伝導性固体電解質層の片面に前記検知極を、他面に前記基準極をそれぞれ接合してなる請求項１〜３のいずれか一項に記載の水素ガス検知素子。
6. 前記基準極が多孔質構造である請求項１〜５のいずれか一項に記載の水素ガス検知素子。
7. 前記検知極及び前記基準極が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、金の群から選ばれた貴金属もしくはこれら貴金属の少なくとも一種以上を含む合金からなる請求項１〜６のいずれか一項に記載の水素ガス検知素子。
8. 前記ガス非透過性被膜がガラス状材料からなる請求項１〜７のいずれか一項に記載の水素ガス検知素子。

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