JP2000206086A - 水素ガスセンサ及びその製造方法 - Google Patents
水素ガスセンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000206086A JP2000206086A JP11005313A JP531399A JP2000206086A JP 2000206086 A JP2000206086 A JP 2000206086A JP 11005313 A JP11005313 A JP 11005313A JP 531399 A JP531399 A JP 531399A JP 2000206086 A JP2000206086 A JP 2000206086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen gas
- solid electrolyte
- sensor element
- gas sensor
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一酸化炭素ガスなど、他の種類の可燃性ガス
に影響されずに水素ガス濃度を測定することができる水
素ガスセンサを提供する。 【解決手段】 固体電解質型センサ素子を有する水素ガ
スセンサであって、ケイ素処理を行ってなる水素ガスセ
ンサ。
に影響されずに水素ガス濃度を測定することができる水
素ガスセンサを提供する。 【解決手段】 固体電解質型センサ素子を有する水素ガ
スセンサであって、ケイ素処理を行ってなる水素ガスセ
ンサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解質型水素
ガスセンサに関する。
ガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】水素ガスセンサは、水素燃料を用いるロ
ケットエンジンにおける水素ガスの漏洩検知に、あるい
は、半導体及び各種電池製造において各種制御や検査な
どの目的で広く用いられ、また、酸素／水素燃料電池装
置や各種エンジンの運転においても用いられている。こ
こで、可燃ガスの検出に広く用いられている固体電解質
型ガスセンサを水素ガスセンサとして用いることができ
る。図１にこのような固体電解質（酸素イオン伝導体）
を用いた固体電解質型可燃ガスセンサの例をモデル断面
図で示す。なお、図１において中央にはセンサの断面
図、その両側の図はセンサ電極付近の反応を解説する原
理説明図であり、可燃ガスとして一酸化炭素ガスを検出
する際の原理を示している。
ケットエンジンにおける水素ガスの漏洩検知に、あるい
は、半導体及び各種電池製造において各種制御や検査な
どの目的で広く用いられ、また、酸素／水素燃料電池装
置や各種エンジンの運転においても用いられている。こ
こで、可燃ガスの検出に広く用いられている固体電解質
型ガスセンサを水素ガスセンサとして用いることができ
る。図１にこのような固体電解質（酸素イオン伝導体）
を用いた固体電解質型可燃ガスセンサの例をモデル断面
図で示す。なお、図１において中央にはセンサの断面
図、その両側の図はセンサ電極付近の反応を解説する原
理説明図であり、可燃ガスとして一酸化炭素ガスを検出
する際の原理を示している。
【０００３】図中符号１ａ及び１ｂは多孔質白金電極、
２は可燃性ガス酸化触媒層、３は固体電解質層で酸素イ
オン導電性を有する安定化ジルコニア（以下「ＹＳＺ」
とも云う）からなる。なお、この固体電解質層３はアル
ミナ絶縁膜層４を介してヒータ５によってその導電性に
最適な温度（３００〜５００℃）に加温されている。
２は可燃性ガス酸化触媒層、３は固体電解質層で酸素イ
オン導電性を有する安定化ジルコニア（以下「ＹＳＺ」
とも云う）からなる。なお、この固体電解質層３はアル
ミナ絶縁膜層４を介してヒータ５によってその導電性に
最適な温度（３００〜５００℃）に加温されている。
【０００４】ここで、このようなセンサが可燃性ガスの
ない環境に置かれている場合、電極１ａ及び電極１ｂに
到達する酸素量の間に差がないため、両電極間に起電力
は発生しない。一酸化炭素などの可燃性ガス存在下では
酸化触媒層２が塗布された電極１ｂ上には可燃性ガスが
到達しないため、図１中（１）で示された電極反応が生
じるだけである。一方酸化触媒層を有しない電極１ａ上
では可燃性ガスが到達するため、図１中（２）で示され
た反応が生じ、このように両電極上での反応に差が生
じ、これに由来する起電力が発生し、可燃性ガス濃度と
して測定される。
ない環境に置かれている場合、電極１ａ及び電極１ｂに
到達する酸素量の間に差がないため、両電極間に起電力
は発生しない。一酸化炭素などの可燃性ガス存在下では
酸化触媒層２が塗布された電極１ｂ上には可燃性ガスが
到達しないため、図１中（１）で示された電極反応が生
じるだけである。一方酸化触媒層を有しない電極１ａ上
では可燃性ガスが到達するため、図１中（２）で示され
た反応が生じ、このように両電極上での反応に差が生
じ、これに由来する起電力が発生し、可燃性ガス濃度と
して測定される。
【０００５】このような固体電解質型ガスセンサは、検
出下限が低くて精度が高く、寿命が長くて頻繁な保守・
点検が不要、さらに製造が容易で、価格が安いなどの多
くの利点を有するものの、水素ガス以外の可燃性ガス、
例えば、一酸化炭素に対しても感度を有するため、水性
ガスなどの一酸化炭素を含むような雰囲気での水素ガス
濃度測定に用いることには困難があった。
出下限が低くて精度が高く、寿命が長くて頻繁な保守・
点検が不要、さらに製造が容易で、価格が安いなどの多
くの利点を有するものの、水素ガス以外の可燃性ガス、
例えば、一酸化炭素に対しても感度を有するため、水性
ガスなどの一酸化炭素を含むような雰囲気での水素ガス
濃度測定に用いることには困難があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、一酸化炭素
ガスなど、他の種類の可燃性ガスに影響されずに水素ガ
ス濃度を測定することができる。水素ガスセンサを提供
することを目的とする。
ガスなど、他の種類の可燃性ガスに影響されずに水素ガ
ス濃度を測定することができる。水素ガスセンサを提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の水素ガスセンサ
は、上記課題を解決するため、請求項１に記載のよう
に、固体電解質型センサ素子を有する水素ガスセンサで
あって、ケイ素処理を行ってなる水素ガスセンサであ
る。また、本発明の水素ガスセンサの製造方法は、請求
項２に記載のように、固体電解質型センサ素子にケイ素
処理を行うことを構成として有する。
は、上記課題を解決するため、請求項１に記載のよう
に、固体電解質型センサ素子を有する水素ガスセンサで
あって、ケイ素処理を行ってなる水素ガスセンサであ
る。また、本発明の水素ガスセンサの製造方法は、請求
項２に記載のように、固体電解質型センサ素子にケイ素
処理を行うことを構成として有する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明において、ケイ素処理と
は、含ケイ素化合物で処理することを云い、具体的に
は、シリコーン雰囲気すなわち含ケイ素化合物雰囲気に
暴露する、あるいは、含ケイ素有機物あるいは含ケイ素
化合物を含む溶液・混合液に浸漬、噴霧、塗布などの手
段により接触させることを云う。
は、含ケイ素化合物で処理することを云い、具体的に
は、シリコーン雰囲気すなわち含ケイ素化合物雰囲気に
暴露する、あるいは、含ケイ素有機物あるいは含ケイ素
化合物を含む溶液・混合液に浸漬、噴霧、塗布などの手
段により接触させることを云う。
【０００９】なお、上記ケイ素処理は、熱処理を伴って
もよく、加熱雰囲気下で行っても、あるいは、後処理と
して加熱処理を行ってもよく、これらを含めてケイ素処
理という。また、同様に、ケイ素とその他の化合物とを
用いて含ケイ素化合物が形成される雰囲気に暴露するこ
とにより上記ケイ素処理と同様の効果が得られる場合を
も含めて本発明におけるケイ素処理という。なお、含ケ
イ素化合物のうち、有機物、すなわち、含ケイ素有機物
であると取り扱い及びケイ素処理が容易であるため好ま
しい。
もよく、加熱雰囲気下で行っても、あるいは、後処理と
して加熱処理を行ってもよく、これらを含めてケイ素処
理という。また、同様に、ケイ素とその他の化合物とを
用いて含ケイ素化合物が形成される雰囲気に暴露するこ
とにより上記ケイ素処理と同様の効果が得られる場合を
も含めて本発明におけるケイ素処理という。なお、含ケ
イ素化合物のうち、有機物、すなわち、含ケイ素有機物
であると取り扱い及びケイ素処理が容易であるため好ま
しい。
【００１０】含ケイ素有機物は一般に、有機シランとも
云われ、シロキサン類などが挙げられる。シロキサン
は、モノマー、オリゴマー及びポリマー（シリコーン
（オルガノポリシロキサン））が知られており、本発明
では入手の容易さ、取扱性、処理時間などを勘案してこ
れらを適宜選択して、あるいは併用して用いることがで
きる。
云われ、シロキサン類などが挙げられる。シロキサン
は、モノマー、オリゴマー及びポリマー（シリコーン
（オルガノポリシロキサン））が知られており、本発明
では入手の容易さ、取扱性、処理時間などを勘案してこ
れらを適宜選択して、あるいは併用して用いることがで
きる。
【００１１】ケイ素処理を行うセンサ素子は安定化ジル
コニア（通常５〜８ｍｏｌ％の酸化イットリウムＹ2Ｏ3
を含む）を固体電解質として用いる固体電解質型センサ
素子であることが好ましい。このようなセンサ素子を用
いることにより、水素ガスに対する高選択性と同時に、
精度が高く、寿命が長くて頻繁な保守・点検が不要、さ
らに製造が容易で、価格が安いなどの多くの利点を有す
る水素ガスセンサが得られる。
コニア（通常５〜８ｍｏｌ％の酸化イットリウムＹ2Ｏ3
を含む）を固体電解質として用いる固体電解質型センサ
素子であることが好ましい。このようなセンサ素子を用
いることにより、水素ガスに対する高選択性と同時に、
精度が高く、寿命が長くて頻繁な保守・点検が不要、さ
らに製造が容易で、価格が安いなどの多くの利点を有す
る水素ガスセンサが得られる。
【００１２】なお、本発明でケイ素処理を行う固体電解
質型センサ素子は特別な設計を必要とせず、そのため一
酸化炭素ガス用として広く製造されているものをそのま
ま用いることができ、その結果、安定し、特に低濃度域
でも良好な感度を有する水素ガスセンサを、低コストか
つ容易に得ることができる。
質型センサ素子は特別な設計を必要とせず、そのため一
酸化炭素ガス用として広く製造されているものをそのま
ま用いることができ、その結果、安定し、特に低濃度域
でも良好な感度を有する水素ガスセンサを、低コストか
つ容易に得ることができる。
【００１３】なお、詳細は不明であるが、ケイ素処理さ
れたセンサ素子の表面分析を行った結果、ケイ素の存在
を示すピークが検出されたことから、上記のようにケイ
素処理を行うことにより含ケイ素化合物が電極表面を覆
い、一種の分子ふるいとなり、水素に対する感度が上昇
するものと考えられる。
れたセンサ素子の表面分析を行った結果、ケイ素の存在
を示すピークが検出されたことから、上記のようにケイ
素処理を行うことにより含ケイ素化合物が電極表面を覆
い、一種の分子ふるいとなり、水素に対する感度が上昇
するものと考えられる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。図
２に本発明で用いた固体電解質型センサ素子Ａを示す。
図２（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のααでの断面図
を示す。
２に本発明で用いた固体電解質型センサ素子Ａを示す。
図２（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のααでの断面図
を示す。
【００１５】図中１ａ及び１ｂを付して示されているの
は共に多孔質白金電極である。電極１ｂは可燃性ガス酸
化触媒層（本例ではアルミナに白金を担持させて作製し
たもの）により覆われていて、外気には直接接触しない
ようになっている。
は共に多孔質白金電極である。電極１ｂは可燃性ガス酸
化触媒層（本例ではアルミナに白金を担持させて作製し
たもの）により覆われていて、外気には直接接触しない
ようになっている。
【００１６】これら電極１ａ及び１ｂは、８ｍｏｌ％の
酸化イットリウムＹ2Ｏ3を含む安定化ジルコニアからな
る固体電解質層３の片面に設けられている。固体電解質
層３の他方の面には絶縁のためアルミナ絶縁膜が配さ
れ、さらにその上に白金からなるヒータ５が設けられ、
固体電解質３をそのイオン伝導に適した温度に加熱する
ことができる。なお、固体電解質層３上には接続用端子
部６が設けられ電極１ａ及び１ｂとリード線７によって
接続されている。
酸化イットリウムＹ2Ｏ3を含む安定化ジルコニアからな
る固体電解質層３の片面に設けられている。固体電解質
層３の他方の面には絶縁のためアルミナ絶縁膜が配さ
れ、さらにその上に白金からなるヒータ５が設けられ、
固体電解質３をそのイオン伝導に適した温度に加熱する
ことができる。なお、固体電解質層３上には接続用端子
部６が設けられ電極１ａ及び１ｂとリード線７によって
接続されている。
【００１７】この固体電解質型センサ素子Ａは一般に一
酸化炭素ガスセンサとして作製されるものと全く同じも
のであり、通常、図３に示すようにベースユニットに電
気的に接続されて用いられるものである。
酸化炭素ガスセンサとして作製されるものと全く同じも
のであり、通常、図３に示すようにベースユニットに電
気的に接続されて用いられるものである。
【００１８】図４は、様々な濃度の水素ガスを含む空
気、あるいは、様々な濃度の一酸化炭素ガスを含む空気
での、通常の一酸化炭素ガス検出用固体電解質型センサ
素子Ａによる出力（ＥＭＦ）の変化を示したグラフであ
る。
気、あるいは、様々な濃度の一酸化炭素ガスを含む空気
での、通常の一酸化炭素ガス検出用固体電解質型センサ
素子Ａによる出力（ＥＭＦ）の変化を示したグラフであ
る。
【００１９】このセンサは水素ガスに対して感度を有す
るものの、一酸化炭素ガスに対しても大きな感度を有す
るため、一酸化炭素ガス共存下では正確な濃度検出が困
難であることが理解される。
るものの、一酸化炭素ガスに対しても大きな感度を有す
るため、一酸化炭素ガス共存下では正確な濃度検出が困
難であることが理解される。
【００２０】（実施例１）センサ素子Ａと同じセンサ素
子を、東レダウコーニングシリコーン社製有機シリコン
ソース（ＳＨ７８０）を空気中５０℃に加熱して作製し
たシリコーン雰囲気に暴露して２４時間ケイ素処理を行
い、本発明に係るセンサ素子Ｂを得た。このセンサ素子
Ｂの水素ガス及び一酸化炭素ガスに対する感度をセンサ
素子Ａ同様に調べた。結果をケイ素処理前での感度と共
に図５に示す。
子を、東レダウコーニングシリコーン社製有機シリコン
ソース（ＳＨ７８０）を空気中５０℃に加熱して作製し
たシリコーン雰囲気に暴露して２４時間ケイ素処理を行
い、本発明に係るセンサ素子Ｂを得た。このセンサ素子
Ｂの水素ガス及び一酸化炭素ガスに対する感度をセンサ
素子Ａ同様に調べた。結果をケイ素処理前での感度と共
に図５に示す。
【００２１】図５により、本発明に係るセンサ素子であ
るセンサ素子Ａでは水素ガスに対する感度が著しく高く
なっていることがわかる。このことより、このようなセ
ンサ素子Ａを用いる水素ガスセンサは極めて高い水素ガ
ス選択性を有する優れたものとなることが確認された。
るセンサ素子Ａでは水素ガスに対する感度が著しく高く
なっていることがわかる。このことより、このようなセ
ンサ素子Ａを用いる水素ガスセンサは極めて高い水素ガ
ス選択性を有する優れたものとなることが確認された。
【００２２】（実施例２）センサ素子Ａと同じセンサ素
子をオルガノポリシロキサン（信越化学工業製、ＫＦ−
９６）の７重量％ベンゼン溶液中に１時間浸漬した後室
温で乾燥し、４００℃空気中で焼成してセンサ素子Ｃを
得た。このセンサ素子Ｃについて、水素ガス及び一酸化
炭素ガスに対する感度を調べたところ、水素ガスに対し
てセンサＢと同様に極めて高い選択性及び感度を有して
いることが確認された。
子をオルガノポリシロキサン（信越化学工業製、ＫＦ−
９６）の７重量％ベンゼン溶液中に１時間浸漬した後室
温で乾燥し、４００℃空気中で焼成してセンサ素子Ｃを
得た。このセンサ素子Ｃについて、水素ガス及び一酸化
炭素ガスに対する感度を調べたところ、水素ガスに対し
てセンサＢと同様に極めて高い選択性及び感度を有して
いることが確認された。
【００２３】（実施例３）センサ素子Ａと同じセンサ素
子を時フェニルジクロロシランの１０重量％ベンゼン溶
液に浸漬し、１時間室温で乾燥してセンサ素子Ｄを得
た。このセンサ素子Ｄについて、水素ガス及び一酸化炭
素ガスに対する感度を調べたところ、水素ガスに対して
センサＢと同様に極めて高い選択性及び感度を有してい
ることが確認された。
子を時フェニルジクロロシランの１０重量％ベンゼン溶
液に浸漬し、１時間室温で乾燥してセンサ素子Ｄを得
た。このセンサ素子Ｄについて、水素ガス及び一酸化炭
素ガスに対する感度を調べたところ、水素ガスに対して
センサＢと同様に極めて高い選択性及び感度を有してい
ることが確認された。
【００２４】
【発明の効果】本発明の水素ガスセンサは水素ガスに対
して極めて選択性が高く、一酸化炭素がすなどの他の燃
焼性ガス共存下でも、正確な測定が可能である。特に低
濃度域での感度が高い優れたセンサであり、また、製造
に当たっては従来の一酸化炭素ガスセンサ製造技術をほ
とんど改変するないまま応用可能であり、ケイ素処理自
体も極めて容易で短時間で、さらに一般的な容易な手段
で行うことができるため、低コストで安定した品質のセ
ンサが得られる。
して極めて選択性が高く、一酸化炭素がすなどの他の燃
焼性ガス共存下でも、正確な測定が可能である。特に低
濃度域での感度が高い優れたセンサであり、また、製造
に当たっては従来の一酸化炭素ガスセンサ製造技術をほ
とんど改変するないまま応用可能であり、ケイ素処理自
体も極めて容易で短時間で、さらに一般的な容易な手段
で行うことができるため、低コストで安定した品質のセ
ンサが得られる。
【図１】固体電解質型センサ素子の断面図及びその原理
説明図である。
説明図である。
【図２】固体電解質型センサ素子Ａの説明図である。 （ａ）上面図である。 （ｂ）断面図である。
【図３】固体電解質型センサ素子のベースユニットへの
固定例を示す図である。
固定例を示す図である。
【図４】固体電解質型センサ素子Ａの水素ガス、及び、
一酸化炭素ガスに対する感度を示す図である。
一酸化炭素ガスに対する感度を示す図である。
【図５】固体電解質型センサ素子Ｂの水素ガス、及び、
一酸化炭素ガスに対する感度を示す図である。
一酸化炭素ガスに対する感度を示す図である。
Ａ 固体電解質型センサ １ａ、１ｂ 多孔質白金電極 ２ 可燃性ガス酸化触媒層 ３ 固体電解質層 ４ アルミナ絶縁膜層 ５ ヒータ ６ 接続用端子部 ７ リード線 ８ ベースユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 望月 計 静岡県天竜市二俣町南鹿島23 矢崎計器株 式会社内 (72)発明者 高島 裕正 静岡県天竜市二俣町南鹿島23 矢崎計器株 式会社内 Ｆターム(参考） 2G004 BB04 BF02 BF05 BM04 BM07
Claims (5)
- 【請求項１】 固体電解質型センサ素子を有する水素ガ
スセンサであって、ケイ素処理を行ってなることを特徴
とする水素ガスセンサ。 - 【請求項２】 固体電解質型センサ素子にケイ素処理を
行うことを特徴とする水素ガスセンサの製造方法。 - 【請求項３】 上記ケイ素処理がシリコーン雰囲気に暴
露して行ったことを特徴とする請求項２に記載の水素ガ
スセンサの製造方法。 - 【請求項４】 上記ケイ素処理が含ケイ素化合物を含む
溶液に浸漬して行ったことを特徴とする請求項２に記載
の水素ガスセンサの製造方法。 - 【請求項５】 上記固体電解質型センサ素子が安定化ジ
ルコニアを固体電解質とするものであることを特徴とす
る請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の水素ガス
センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005313A JP2000206086A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 水素ガスセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005313A JP2000206086A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 水素ガスセンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000206086A true JP2000206086A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11607789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11005313A Withdrawn JP2000206086A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 水素ガスセンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000206086A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004111628A1 (ja) * | 2003-06-12 | 2006-07-20 | 理研計器株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ、及びその製造方法 |
| WO2007020731A1 (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Niigata Tlo Corporation | 水素ガスセンサー |
| WO2011145150A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 国立大学法人新潟大学 | 水素ガスセンサー |
-
1999
- 1999-01-12 JP JP11005313A patent/JP2000206086A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004111628A1 (ja) * | 2003-06-12 | 2006-07-20 | 理研計器株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ、及びその製造方法 |
| JP4627037B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2011-02-09 | 理研計器株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ |
| WO2007020731A1 (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Niigata Tlo Corporation | 水素ガスセンサー |
| WO2011145150A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 国立大学法人新潟大学 | 水素ガスセンサー |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3871497B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP2636883B2 (ja) | ＮＯｘ濃度測定装置 | |
| US3905889A (en) | Miniature multifunctional electrochemical sensor for simultaneous carbon dioxide-pH measurements | |
| EP0167297B1 (en) | Electrochemical element | |
| US3915830A (en) | Solid electrolyte electrochemical cell with self contained reference | |
| US4441981A (en) | Gas sensor | |
| US3900382A (en) | Miniature probe containing multifunctional electrochemical electrodes | |
| US4723439A (en) | Humidity detector | |
| JPWO2004111628A1 (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ、及びその製造方法 | |
| JPH11153571A (ja) | 酸素センサ素子 | |
| JP4109555B2 (ja) | 酸素濃度検出装置 | |
| US6889536B2 (en) | Air/fuel-ratio detecting apparatus | |
| JP2003518619A (ja) | ガス成分を測定するためのガスセンサーのセンサー素子 | |
| JP2000206086A (ja) | 水素ガスセンサ及びその製造方法 | |
| US8828206B2 (en) | Gas sensor element and gas sensor employing the gas sensor element | |
| JP3589384B2 (ja) | 一酸化炭素センサおよびそのエージング方法 | |
| JPS6133132B2 (ja) | ||
| JP3696494B2 (ja) | 窒素酸化物センサ | |
| JP2003222605A (ja) | ガスセンサ | |
| JP3326899B2 (ja) | 薄膜積層空燃比センサ | |
| JP2004239688A (ja) | 空燃比検出装置 | |
| JPH09264872A (ja) | ガスセンサ | |
| JP2000111519A (ja) | ガスセンサ | |
| JPH0735726A (ja) | 気体成分検出素子 | |
| JPH116816A (ja) | 一酸化炭素ガス検出駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060404 |