JP5201593B2 - 高濃度水素ガスセンサー - Google Patents
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Description
図1はこの発明の実施の形態の高濃度水素ガスセンサーを示すもので、絶縁性基板10上に、膜状の固体電解質12を形成し、その上に検出電極14及び基準電極16を互いに離間して設けている。検出電極14及び基準電極16は、配線を介して起電力計18に接続されている。さらに、これらを覆うヒータ20とその電源22、検出電極14の温度を測定する温度センサー24、及びこの温度センサー24の出力に基づいてヒータ20への給電を制御する制御装置26が設けられている。このヒータ20は、例えばメッシュ状に構成され、水素ガスに対する通気性と保温性とを兼ね備えている。ここで、検出電極14及び基準電極16を絶縁性基板10に配置し、その後、膜状の固体電解質12を形成するようにしてもよい。
14 検出電極
16 基準電極
20 ヒータ
Claims (6)
- 検出電極及び基準電極と、これらの電極と接触する電解質とを備え、
前記検出電極及び前記基準電極として、標準状態において水素分子がこれら電極の表面で自発的に原子状水素に解離しないような素材を用い、
前記検出電極として、標準状態より高い温度に維持することにより表面で水素分子を活性化して解離させるような素材を用い、
前記電極間に発生する起電力値に基づいて水素ガスを検出するために前記起電力を測定する起電力計を備えていることを特徴とする高濃度水素ガスセンサー。 - 記検出電極及び前記基準電極として、H2(−)|50mol/m3H2SO4|物質試料(+)で構成したセルでの標準起電力値が0.8V未満の値を示す素材を用いることを特徴とする請求項1に記載の高濃度水素ガスセンサー。
- 前記検出電極の表面で水素分子が原子状水素に解離するようになる温度が、前記基準電極の表面で水素分子が原子状水素に解離するようになる温度より低いものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の高濃度水素ガスセンサー。
- 前記検出電極の温度が前記基準電極の温度より高くなるようにすることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の高濃度水素ガスセンサー。
- 絶縁性基板上に、前記電解質として、膜状の固体電解質が形成され、当該固体電解質上に前記検出電極及び前記基準電極が互いに離間して設けられ、これら検出電極及び基準電極は、配線を介して前記起電力計に接続されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の高濃度水素ガスセンサー。
- 前記電解質として固体電解質を用いることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の高濃度水素ガスセンサー。
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