JPWO2010103967A1 - 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、製造コストが低く、性能安定性に優れる有機エレクトロニクス素子の製造方法を提供する。特に製造コストが低く、発光ムラの発生や封止のガスバリア性の低下による寿命劣化や発光効率の低下が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。この有機エレクトロニクス素子の製造方法は、可撓性の基材の上に、第１電極、少なくとも１層の有機層及び第２電極を有する有機エレクトロニクス構造体を形成した後、前記有機エレクトロニクス構造体上に可撓性の封止基材を貼合し、熱処理する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、前記熱処理の温度が前記基材のＴｇ（ガラス転移点）未満で、かつ前記封止基材のＴｇ（ガラス転移点）以上であることを特徴とする。

Description

本発明は、有機エレクトロニクス素子の製造方法及びその製造方法により製造された有機エレクトロニクス素子に関する。詳しくは、面光源やディスプレイ、太陽電池等として利用される有機エレクトロニクス素子の製造方法、特に、プラスチックフィルム等の可撓性基材上に設けられた有機エレクトロニクス素子の製造方法及び該製造方法によって製造された有機エレクトロニクス素子に関する。

従来、有機エレクトロニクス素子の有機層（有機化合物層ともいい、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及びホール輸送層等が挙げられる）の形成には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ、ＰＶＤ、溶剤を用いた塗布法等の様々な方法が使用できるが、これらの方法の中で、製造工程の簡略化、製造コストの低減、加工性の改善、バックライトや照明光源等のフレキシブルな大面積素子への応用等の観点からは塗布法等の湿式成膜法が有利であることが知られている。例えば、特開２００２−１７０６７６号公報に、枚葉のガラスフィルム上にスピンコート法により有機化合物層を形成する方法が記載されている。特開２００３−１４２２６０号公報には、枚葉のフィルム上にインクジェット方式で順次有機化合物層を形成する方法が記載されている。これらの方式はいずれもフィルムとして枚葉フィルムを使用しているため、大面積フルカラー表示素子を作製するのは装置が大きくなり、コストも高くなるという欠点を有している。このため、固体発光型の大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されている有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）について、特許文献１等に記載されているように、安価な製造方法とされているロールツーロール方式により作製する方法が検討されている。

例えば、透光性基板としてプラスチックフィルムを使用し、このプラスチックフィルム上に陰極と、有機物質からなる一つまたは複数の発光層と、陽極層を設けた有機ＥＬディスプレイを製造する方法として、有機発光層にポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子材料中に低分子の発光色素を分散または溶解させたものや、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリアルキルフルオレン誘導体等の高分子材料を使用し、適当な溶媒を用いることで塗布法により巻き取り生産をする方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。

一方、現在、有機ＥＬ材料には低分子系のものと高分子系のものが挙げられる。低分子材料は昇華精製することが可能で、精製が行いやすく、高純度な有機ＥＬ材料を用いることができ、効率、寿命という面で非常に優れているのに対し、高分子材料は高純度な精製が難しく、効率、寿命といった性能が劣化するというデメリットがあり、最近では低分子材料での湿式成膜法が検討されている。

封止済みの素子に熱処理する場合、基材のＴｇ以上の高温熱処理では、発光ムラや基材の波状の変形が発生するため、Ｔｇ未満の温度で熱処理することが知られているが（特許文献２参照）、Ｔｇ未満で温熱処理した場合でも、寿命劣化や発光面積の減少がみられる。検討した結果、低温で熱処理する場合に基材と封止基材の内部応力に起因する封止材の剥離や破壊が原因と思われる封止のガスバリア性の低下があることが分かった。

特開２００３−７７６６９号公報 国際公開第０５／０９６６７５号パンフレット

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は製造コストが低く、性能安定性に優れる有機エレクトロニクス素子の製造方法を提供することにあり、特に製造コストが低く、発光ムラの発生や封止のガスバリア性の低下による寿命劣化や発光面積の減少が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。

本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。

１．可撓性の基材の上に、第１電極、少なくとも１層の有機層及び第２電極を有する有機エレクトロニクス構造体を形成した後、前記有機エレクトロニクス構造体上に可撓性の封止基材を貼合し、熱処理する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、前記熱処理の温度が前記基材のＴｇ（ガラス転移点）未満で、かつ前記封止基材のＴｇ（ガラス転移点）以上であることを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。

２．前記封止基材にバリア膜が形成されていることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。

３．前記基材が長尺基材であることを特徴とする前記１または２に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。

４．前記有機エレクトロニクス素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。

５．前記１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロニクス素子。

本発明により、製造コストが低く、性能安定性に優れる有機エレクトロニクス素子の製造方法を提供することができる。特に製造コストが低く、発光ムラの発生や封止のガスバリア性の低下による寿命劣化や発光面積の減少が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することができる。

（ａ）は、有機ＥＬ素子の全体の基本的構成を示す模式図、（ｂ）は有機ＥＬ素子の有機ＥＬ構造体部分の構成を示す模式図である。 基材上に封止基材を熱硬化型接着剤で接着する封止工程と断裁位置を示す工程の概念図である。 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置及び製造プロセスの模式図である。 本発明に係る封止基材接着・断裁工程の一例を示す模式図である。 有機層の除去に用いられる装置の概略図である。

有機エレクトロニクス素子の一つである有機ＥＬ素子は、発光層中で励起子を形成し発光に至るまでの電気化学的なプロセスを妨害する水分・酸素等に代表される物質に対して非常に敏感である。これらの物質が外界から拡散してくると、発光の効率や駆動寿命が著しく短くなり実用的な照明や表示のための性能を得ることができなくなる。また、水・酸素等は、電極表面や内部の電気的、化学的な特性を変化させ、電子や正孔の移動を妨害する場合もあり、その結果、実用的な特性を大きく劣化させる。従って、有機ＥＬ素子は、乾燥剤を封入して、ガラスや金属缶で密閉した構造の中に収めたり、水分や酸素等のガス成分に対して、バリア性能を有する封止基材を用いて、性能を確保したりすることが検討されている。

本発明者らは、この封止基材を用いて熱硬化型接着剤により上記有機ＥＬ素子を封止する際の熱処理（加熱接着）について詳細に検討した。

その結果、可撓性の基材上に有機ＥＬ構造体を形成した後、基材のＴｇ以上の温度で熱処理すると、素子に発光ムラや寿命劣化、発光効率の低下が発生するが、Ｔｇ未満の温度で熱処理すると、これらの問題が解消される。

この理由は、Ｔｇ以上の温度で熱処理すると、張力が掛かっている基材は軟化・変形し、内部応力が増加してこれに接する有機ＥＬ構造体はダメージを受ける。その結果、素子に発光ムラや寿命劣化、発光効率の低下が発生したものと推定される。これに対して、基材のＴｇ未満の温度で熱処理すると、基材の軟化・変形は少なく、有機ＥＬ構造体はダメージを受け難く、発光ムラや寿命劣化、発光効率の低下等の問題が解消されるものと思われる。

また、可撓性の基材上に有機ＥＬ構造体を形成した後、封止基材のＴｇ未満の温度で熱処理すると、素子に寿命劣化や発光効率の低下が発生するが、封止基材のＴｇ以上の温度で熱処理すると、これらの問題が解消されることを見出した。

この理由は、封止基材をＴｇ未満の温度で熱処理すると、封止基材が硬いため、これと貼合する有機ＥＬ構造体は貼合工程での圧力によりダメージを受けるとともに、封止基材は有機ＥＬ構造体の形状に追従しないため、密着性が低下しガスバリア性が低下する。その結果、素子に寿命劣化や発光効率の低下が発生したものと推定される。これに対して、封止基材をＴｇ以上の温度で熱処理すると、封止基材は軟化し、これと貼合する有機ＥＬ構造体の形状に追従するため、有機ＥＬ構造体はダメージを受け難く、寿命劣化や発光効率の低下等の問題が解消されるものと思われる。

本発明の有機エレクトロニクス素子の製造方法は、特に、有機ＥＬ素子の製造方法として好適に用いることができる。

本発明の有機エレクトロニクス素子の製造方法により製造された有機ＥＬ素子は、ガスバリア性が向上し、半減寿命、発光効率等の性能において優れている。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態・態様について詳細に説明する。

《有機エレクトロニクス素子の製造方法の概要》
本発明の有機エレクトロニクス素子の製造方法は、可撓性の基材の上に、第１電極、少なくとも１層の有機層及び第２電極を有する有機エレクトロニクス構造体を形成した後、前記有機エレクトロニクス構造体上に可撓性の封止基材を貼合し、熱処理する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、前記熱処理の温度を前記基材のＴｇ（ガラス転移点）未満で、かつ前記封止基材のＴｇ（ガラス転移点）以上の温度とすることが特徴である。

以下、有機エレクトロニクス素子の製造方法における工程について、その一つである有機ＥＬ素子の場合について、適宜、図を参照して説明する。

〈洗浄工程〉：ロール状に巻かれた基材を繰り出して、超音波洗浄槽に浸漬させて洗浄する等の湿式洗浄とプラズマ洗浄等の乾式洗浄を組み合わせた工程により基材の洗浄を行う工程である。

〈有機ＥＬ構造体を形成する工程〉：蒸着法、スピンコート法、押し出し塗布法、インクジェット法、印刷法等の周知の技術により基材上に電極、各種有機層等からなる有機ＥＬ構造体を形成する工程である。本発明では、この工程において、可撓性の基材の上に、第１電極、少なくとも１層の有機層及び第２電極を有する有機ＥＬ構造体を形成する。

図１に、有機エレクトロニクス素子の一つである有機ＥＬ素子の基本的構成を示す。電極は図示せず。図１（ａ）は、有機ＥＬ素子の全体の構成を示す模式図である。有機ＥＬ素子１は、基材１２上の有機ＥＬ構造体２を接着剤１６Ａと封止基材（封止フィルム）１６Ｂからなる封止基材層１６で封止した構成である。図１（ｂ）は、当該有機ＥＬ素子の有機ＥＬ構造体２部分の構成を示す模式図であり、陰極２１、電子注入層２２、発光層２３、正孔輸送層２４、正孔注入層２５、陽極２６からなる。有機ＥＬ素子１を構成する各要素の詳細については後述する。

〈基材供給工程〉：前記有機ＥＬ構造体２が設けられたロール状の基材１１を繰り出し供給する工程である。

〈封止工程〉：前記有機ＥＬ構造体２を覆うように前記基材１１上に長尺の封止基材１６Ｂを熱硬化型接着剤１６Ａで接着して封止基材層１６を形成する封止工程である。封止基材１６Ｂ及び熱硬化型接着剤１６Ａの詳細については後述する。

本発明では、この工程において、有機ＥＬ構造体上に、有機ＥＬ構造体の電極引き出し部を除いた中央部のみに可撓性の封止基材を貼合し、前記基材のＴｇ未満で、かつ前記封止基材のＴｇ以上の温度で熱処理する。

〈断裁工程〉：前記封止基材１６Ｂを接着後、熱硬化型接着剤１６Ａが硬化した後、有機ＥＬ構造体２と封止基材層１６が設けられた基材１１の断裁を行い、有機ＥＬ素子を形成する断裁工程である。

図２（ａ）は、有機ＥＬ構造体が設けられた基材上に封止基材を熱硬化型接着剤で接着する封止工程と熱硬化型接着剤が硬化した後、断裁を行う断裁工程の概念図である。図２（ｂ）は断裁された１個の有機ＥＬ素子、図２（ｃ）は、図２（ｂ）の側面図である。

本発明においては、上記手段により、有機ＥＬ構造体はダメージを受け難く、発光ムラや寿命劣化、発光効率の低下等の問題が解消される。

〔有機ＥＬ素子の基本的構成〕
有機ＥＬ素子の有機ＥＬ構造体の基本的層構成の好ましい具体例を以下に示す。
（ｉ）基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
ここで、発光層は、少なくとも発光色の異なる２種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層も含まれる。

（基材）
本発明に係る基材としては、有機ＥＬ素子に可撓性（フレキシブル性）を与えることが可能な可撓性基材、例えば、樹脂フィルムを用いることを要する。ただし、目的に応じて、部分的に、金属、ガラス、石英等を基材として用いることもできる。基材としては、生産性の観点から長尺基材が好ましい。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名、ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名、三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。

基材の厚さは、一概には規定できないが、３〜４００μｍが好ましく、５０〜３００μｍがより好ましく、１００〜２００μｍがさらに好ましい。

本発明に係る基材として好ましく用いられる樹脂フィルムの種類とＴｇは以下の通りである。

ポリエチレン −２０℃
ポリプロピレン −２０℃
ポリ塩化ビニル ８０℃
ポリスチレン １００℃
ポリカーボネート １５０℃
無延伸ＰＥＴ ８０℃
無延伸ＰＥＮ １２０℃
延伸ＰＥＴ １１０℃
延伸ＰＥＮ １５５℃
樹脂フィルムとしては上記の他に、ナイロン（Ｎｙ）、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）をコートしたナイロン（ＫＮｙ）、ＰＶＤＣをコートしたポリプロピレン（ＫＯＰ）、ＰＶＤＣをコートしたセロハン（ＫＰＴ）、ポリエチレン−ビニルアルコール共重合体（エバール）を用いることが可能である。また、これら樹脂フィルムは、必要に応じて異種フィルムと共押し出しで作った多層フィルム、延伸角度を変えて張り合わせ積層した多層フィルム等も使用できる。さらに必要とする包装材料の物性を得るために使用するフィルムの密度、分子量分布を組み合わせて作ることも可能である。本発明では、多層フィルムのＴｇは、構成する樹脂の内最もＴｇが低い樹脂のＴｇと定義する。

樹脂フィルムの表面には、バリア膜が形成されていてもよく、バリア膜のガスバリア性は、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（４０℃、９０％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ・ａｔｍ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらにはＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９９２に準拠した方法で測定された酸素透過度（２０℃、１００％ＲＨ）が１０^−３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、水蒸気透過度が１０^−３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下であることが、さらに好ましい。

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

（電極）
本発明に係る有機ＥＬ素子においては、少なくとも第１電極と第２電極とを有する。通常は、一方が陽極、他方が陰極で構成される。以下に好ましい陽極、及び陰極の構成について述べる。

〈陽極〉
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性光透過性材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）等非晶質で光透過性の導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

〈陰極〉
一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、アルミニウム、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方は、光透過性となるよう構成される。

（発光層）
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。

本発明に係る発光層は、含まれる発光材料が前記要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。

本発明における発光層の膜厚の総和は１〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから５〜１００ｎｍである。

発光層の作製には、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、押し出し塗布法、インクジェット法、印刷法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。

本発明においては、各発光層には複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。また、発光層を複数の層から形成してもよい。

本発明においては、発光層の構成として、ホスト化合物、発光材料（発光ドーパント化合物ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくは燐光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

本発明に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもいい。

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移点）である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。

次に、発光材料について説明する。

本発明に係る発光材料としては、蛍光性化合物、燐光発光材料（燐光性化合物、燐光発光性化合物等ともいう）を用いる。

本発明において、燐光発光材料とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。

上記燐光量子収率は第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光材料を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

燐光発光材料の発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光材料に移動させることで燐光発光材料からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つは燐光発光材料がキャリアトラップとなり、燐光発光材料上でキャリアの再結合が起こり燐光発光材料からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、燐光発光材料の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

燐光発光材料は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

以下に燐光発光材料として用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０巻，１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。

本発明に係る有機ＥＬ素子には、蛍光発光体を用いることもできる。蛍光発光体（蛍光性ドーパント）の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

本発明においては、少なくとも一つの発光層に２種以上の発光材料を含有していてもよく、発光層における発光材料の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。

（注入層：電子注入層、正孔注入層）
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）は極薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。

（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては好ましくは３〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍである。

（正孔輸送層）
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂、ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、押し出し塗布法、インクジェット法、印刷法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き換わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、押し出し塗布法、インクジェット法、印刷法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

〔有機ＥＬ構造体の作製方法〕
本発明に係る有機ＥＬ構造体の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極からなる有機ＥＬ構造体の作製法について説明する。

まず、適当な支持基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機ＥＬ構造体材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層の有機化合物薄膜を形成させる。

この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く真空蒸着法、スピンコート法、押し出し塗布法、インクジェット法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、押し出し塗布法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。さらに層毎に異なる製膜法を適用してもよい。

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設ける。

この有機ＥＬ構造体の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。

〔有機ＥＬ素子の封止〕
本発明では、可撓性の基材の上に、第１電極、少なくとも１層の有機層及び第２電極を有する有機ＥＬ構造体を形成した後、前記有機ＥＬ構造体上に可撓性の封止基材を貼合し、前記基材のＴｇ（ガラス転移点）未満で、かつ下記封止基材のＴｇ（ガラス転移点）以上の温度で熱処理することが特徴である。基材と封止基材のＴｇの差は３０〜５０℃が好ましく、好ましい基材−封止基材の組合せは、延伸ＰＥＮ−延伸ＰＥＴ、延伸ＰＥＮ−無延伸ＰＥＴ、無延伸ＰＥＮ−無延伸ＰＥＴ、延伸ＰＥＮ−無延伸ＰＥＴである。熱処理の温度は、基材のＴｇ未満でかつ封止基材のＴｇ以上で、絶対値としては１００〜１４０℃が好ましい。

可撓性の封止基材の貼合では、不活性ガスによりパージされた環境下で、封止基材で陰極面を覆うようにして、有機ＥＬ素子を封止することができる。不活性ガスとしては、Ｎ_２の他、Ｈｅ、Ａｒ等の希ガスが好ましく用いられ、気体中に占める不活性ガスの割合は、９０〜９９．９体積％であることが好ましい。不活性ガスによりパージされた環境下で封止することにより、保存性が改良される。

（封止基材）
本発明に係る封止基材は、有機ＥＬ素子を封止し、当該素子を温度変化、湿度、酸素、衝撃等の過酷な外部環境から守るためのものである。

封止基材としては、前記基材で説明した樹脂フィルムを用いることができる。本発明で好ましく用いられる樹脂フィルムの種類とＴｇは以下の通りである。

ポリエチレン −２０℃
ポリプロピレン −２０℃
ポリ塩化ビニル ８０℃
ポリスチレン １００℃
ポリカーボネート １５０℃
無延伸ＰＥＴ ８０℃
無延伸ＰＥＮ １２０℃
延伸ＰＥＴ １１０℃
延伸ＰＥＮ １５５℃
樹脂フィルムとしては上記の他に、ナイロン（Ｎｙ）、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）をコートしたナイロン（ＫＮｙ）、ＰＶＤＣをコートしたポリプロピレン（ＫＯＰ）、ＰＶＤＣをコートしたセロハン（ＫＰＴ）、ポリエチレン−ビニルアルコール共重合体（エバール）を用いることが可能である。また、これら樹脂フィルムは、必要に応じて異種フィルムと共押し出しで作った多層フィルム、延伸角度を変えて張り合わせ積層した多層フィルム等も当然使用できる。さらに必要とする包装材料の物性を得るために使用するフィルムの密度、分子量分布を組み合わせて作ることも当然可能である。本発明では、多層フィルムの封止基材のＴｇは、構成する樹脂の内最もＴｇが低い樹脂のＴｇと定義する。

封止基材の厚さは、一概には規定できないが、３〜４００μｍが好ましく、５〜２００μｍがより好ましく、１０〜１００μｍがさらに好ましい。

前記封止基材にはバリア膜が形成されていることが好ましい。バリア膜としては、金属蒸着膜、金属箔、無機蒸着膜が挙げられる。貼合時にバリア膜が封止基材の形状に追従しやすい金属箔が好ましい。バリア膜の厚さは材質によるが数μｍ〜５０μｍが好ましい。

金属蒸着膜や金属箔に用いられる金属としては、金属の種類に特に限定はなく、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、黄銅、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、銅合金、ステンレス、スズ（Ｓｎ）、高ニッケル合金等が挙げられる。これらの中で特に好ましいのは、バリア性（透湿度、酸素透過率）及びコストの観点から、アルミニウムが挙げられる。

無機膜としては、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

封止基材のガスバリア性は、酸素透過度１０^−３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、水蒸気透過度１０^−３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下のものであることが好ましい。また、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下であることがさらに好ましい。

（接着剤）
封止基材を接着するための接着剤としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する熱硬化型接着剤等を挙げることができる。市販品としては、スリーボンド１１５２、１１５３等を使用することができる。

なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、封止基材のＴｇ以上でかつ、前記基材のＴｇ未満の温度で１時間以内に硬化する熱硬化型接着剤が好ましい。例えば、基材として延伸ポリエチレンナフタレート（Ｔｇ、１５５℃）、封止基材として延伸ポリエチレンテレフタレート（Ｔｇ、１１０℃）を用いる場合は、硬化条件が１２０℃、１時間で硬化するエポキシ系熱硬化接着剤が挙げられる。

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に、封止基材で封止する前に当該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、当該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造をもたせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

〔有機ＥＬ構造体の製造装置〕
本発明に係る有機ＥＬ構造体の製造装置及びそれを用いた製造方法（プロセス）の一例について、図３を参照して説明する。

図３は、基材を使用し多層構造を有する有機ＥＬ構造体を作製する製造装置及び製造プロセスの模式図である。なお、本図で示す製造装置の説明は、有機ＥＬ素子の一例として、可撓性の基材上にガスバリア層、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、第２電極、封止層の順番に形成されている有機ＥＬ素子の場合について行う。本図では、可撓性の基材上にガスバリア層、第１電極が既に形成されたものを使用するため、第１電極形成工程は省略してある。

当該製造プロセスは、基材の供給工程３′と、正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程４′と、発光層を形成する発光層形成工程５′と、第１回収工程６′と、電子注入層を形成する電子注入層形成工程７′と、第２電極を形成する第２電極形成工程８′と、封止層を形成する封止層形成工程９′と、第２回収工程１０′とを有している。本図で示される製造プロセスは、供給工程３′〜発光層形成工程５′迄を連続して大気圧条件下で行い、大気圧条件下で一旦巻き取った後、電子注入層形成工程７′〜封止層形成工程９′迄を連続して減圧条件下で行う場合を示している。第２回収工程１０′は大気圧条件下または減圧条件下のいずれに配設しても構わない。

供給工程３′は、繰り出し工程３０１′と表面処理工程３０２′とを有している。繰り出し工程３０１′では、少なくとも一つの有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるガスバリア膜と第１電極を含む少なくとも一つ陽極層とがこの順番で既に形成された基材３０１′ｂ（基材Ａとする）が巻き芯に巻き取られロール状態で供給されるようになっている。３０１′ａは基材３０１′ｂの元巻きロールを示す。表面処理工程３０２′は洗浄表面改質処理装置３０２′ａと、第１帯電防止手段３０２′ｂを有している。洗浄表面改質処理装置３０２′ａは、正孔輸送層形成用塗布液を塗布する前に繰り出し工程３０１′から送られてきた基材Ａの第１電極（不図示）表面を洗浄改質するため、例えば、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置等を使用することが好ましい。低圧水銀ランプによる洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを、照射強度５〜２０ｍＷ／ｃｍ^２で、距離５〜１５ｍｍで照射し洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。プラズマ洗浄装置による洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、大気圧プラズマが好適に使用される。洗浄条件としてはアルゴンガスに酸素１〜５体積％含有ガスを用い、周波数１００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚ、電圧１０Ｖ〜１０ｋＶ、照射距離５〜２０ｍｍで洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。

第１帯電防止手段３０２′ｂは、非接触式除電防止装置３０２′ｂ１と接触式除電防止装置３０２′ｂ２とを有している。非接触式除電防止装置３０２′ｂ１としては例えば、非接触式のイオナイザーが挙げられイオナイザーの種類については特に制限はなく、イオン発生方式はＡＣ方式、ＤＣ方式どちらでも構わない。ＡＣタイプ、ダブルＤＣタイプ、パルスＡＣタイプ、軟Ｘ線タイプが用いることができるが、特に精密除電の観点から、ＡＣタイプが好ましい。ＡＣタイプの使用の際に必要となる噴射気体については、空気かＮ_２が用いられるが、十分に純度が高められたＮ_２で行うことが好ましい。また、インラインで行う観点より、ブロワータイプもしくはガンタイプより選ばれる。

接触式除電防止装置３０２′ｂ２としては、除電ロールまたはアース接続した導電性ブラシを用いて行われる。除電器としての除電ロールは、接地されており、除電された表面に回転自在に接触して表面電荷を除去する。このような除電ロールとしては、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属製ロールの他に、カーボンブラック、金属粉、金属繊維等の導電性材料を混合した弾性のあるプラスチックやゴム製のロールが使用される。特に、帯状可撓性連続シートとの接触をよくするため、弾性のあるものが好ましい。アース接続した導電性ブラシとは、一般には、線状に配列した導電性繊維からなるブラシ部材や線状金属製のブラシを有する除電バーまたは除電糸構造のものを挙げることができる。除電バーについては、特に限定はないが、コロナ放電式のものが好ましく用いられ、例えば、キーエンス社製のＳＪ−Ｂが用いられる。除電糸についても、特に限定はないが、通常フレキシブルな糸状のものが好ましく用いることができる。

非接触式帯電防止装置３０２′ｂ１は可撓性の基材Ａの第１電極面側に使用し、接触式帯電防止装置３０２′ｂ２は可撓性の基材Ａの裏面側に使用することが好ましい。第１帯電防止手段により基材の帯電除去が図られ、ゴミの付着や絶縁破壊が防止されるため、素子の歩留まりの向上が図られる。

正孔輸送層形成工程４′は基材Ａを保持するバックアップロール４０１′と、バックアップロール４０１′に保持された基材Ａに正孔輸送層形成用塗布液を外部取り出し電極となる一部を除いて塗布する湿式塗布機４０２′と、基材Ａ上の第１電極（不図示）上に形成された正孔輸送層形成用塗膜ａ′の溶媒を除去し正孔輸送層ｂ′を形成する乾燥風の供給口４０３′ａ、排気口４０３′ｂと、搬送用ロール４０３′ｃとを有する乾燥装置４０３′とを有している。なお、乾燥装置４０３は加熱処理を可能とする部分を内部に有している。

４０４′は、形成された正孔輸送層ｂ′の除電を行う第２除電処理手段を示す。第２除電処理手段４０４′は第１除電処理手段３０２′ｂと同じ非接触式除電防止装置４０４′ａと接触式除電防止装置４０４′ｂ２とを有している。

発光層形成工程５′は、第１塗布工程５′ａと第１乾燥工程５′ｂと、第２塗布工程５′ｃと第２乾燥工程５′ｄと、第３塗布工程５′ｅと第３乾燥工程５′ｆとを有している。第１塗布工程５′ａは第１液滴吐出手段として静電ノズル吐出装置５′ａ１と保持台５ａ２と、第１アキュームレータ部５′ａ３とを有している。第１塗布工程５′ａで静電ノズル吐出装置５′ａ１による塗布は、静電ノズル吐出装置５′ａ１より吐出された液滴が一定間隔で正孔輸送層上に着弾し不連続状発光層形成用塗膜ｃ′（不連続状第２有機機能層形成用塗膜）を形成する。ここでは、塗布手段として静電ノズル吐出装置を用いたが、他の既存の塗布装置（例えば、押し出し塗布装置での連続塗布と拭き取り装置による塗布膜の一部拭き取り除去による不連続塗膜の形成）でもかまわない。

第１アキュームレータ部５′ａ３は、ロール５′ａ３１が上下方向（図中の矢印方向）に移動することで、正孔輸送層形成工程４′と、第１塗布工程５′ａとの搬送速度の差を調整するために配設されており、速度差に応じてロール５′ａ３１の増設が可能となっている。

第１乾燥工程５′ｂは、乾燥風の供給口５′ｂ１１、排気口５′ｂ１２と、搬送用ロール５′ｂ１３とを有する乾燥装置５′ｂ１と、形成された不連続状発光層形成用塗膜ｃ′の除電を行う第３除電処理手段５′ｂ２とを有している。第３除電処理手段５′ｂ２は第１除電処理手段３０２′ｂと同じ非接触式除電防止装置５′ｂ２１と接触式除電防止装置５′ｂ２２とを有している。なお、乾燥装置５′ｂ１は加熱処理を可能とする部分を内部に有している。不連続状発光層形成用塗膜ｃ′（不連続状第２有機機能層形成用塗膜）は乾燥装置５′ｂ１で溶媒が除去され不連続状発光層ｄ′（不連続状第２有機機能層）を形成する。

第２塗布工程５′ｃは第２液滴吐出手段として静電ノズル吐出装置５′ｃ１と載置台５′ｃ２と第２アキュームレータ部５′ｃ３を有している。第２塗布工程５′ｃで静電ノズル吐出装置５′ｃ１による塗布は、静電ノズル吐出装置５′ｃ１より吐出された液滴が、第１塗布工程５′ａで形成された不連続状発光層ｄ′（不連続状第２有機機能層）の未塗布部分に着弾し、連続状発光層形成用塗膜ｅ′（連続状第２有機機能層形成用塗膜）を形成する。ここでは、塗布手段として静電ノズル吐出装置を用いたが、他の既存の塗布装置（例えば、押し出し塗布装置での連続塗布と拭き取り装置による塗布膜の一部拭き取り除去による不連続塗膜の形成）でもかまわない。

第２アキュームレータ部５′ｃ３は、ロール５′ｃ３１が上下方向（図中の矢印方向）に移動することで、第１塗布工程５′ａと、第２塗布工程５′ｃとの搬送速度の差を調整するために配設されており、速度差に応じてロール５′ｃ３１の増設が可能となっている。第２乾燥工程５′ｄは、乾燥風の供給口５′ｄ１１、排気口５′ｄ１２と、搬送用ロール５′ｄ１３とを有する乾燥装置５′ｄ１と、形成された連続状発光層ｆ′の除電を行う第４除電処理手段５′ｄ２とを有している。第４除電処理手段５′ｄ２は第１除電処理手段３０２′ｂと同じ非接触式除電防止装置５′ｄ２１と接触式除電防止装置５′ｄ２２とを有している。なお、乾燥装置５′ｄ１は加熱処理を可能とする部分を内部に有している。

第３塗布工程５′ｅは第３液滴吐出手段として静電ノズル吐出装置５′ｅ１と、載置台５′ｅ２と、第３アキュームレータ部５′ｅ３とを有している。第３アキュームレータ部５′ｅ３は、ロール５′ｅ３１が上下方向（図中の矢印方向）に移動することで、第２塗布工程５′ｃと、第３塗布工程５′ｅとの搬送速度の差を調整するために配設されており、速度差に応じてロール５′ｅ３１の増設が可能となっている。第３塗布工程５′ｅで静電ノズル吐出装置５′ｅ１による塗布は、発光層形成用塗布液と同じ溶媒を使用し静電ノズル吐出装置５′ｅ１より吐出された液滴が、形成された連続状発光層ｆ′の上に着弾し、溶媒塗膜ｇ′を形成する。なお、静電ノズル吐出装置５′ａ１、静電ノズル吐出装置５′ｃ１及び静電ノズル吐出装置５′ｅ１は基材の幅方向への移動が可能となるように装置のフレーム（不図示）に配設することが好ましい。ここでは、塗布手段として静電ノズル吐出装置を用いたが、他の既存の塗布装置（例えば、押し出し塗布装置での連続塗布と拭き取り装置による塗布膜の一部拭き取り除去による不連続塗膜の形成）でもかまわない。

第３乾燥工程５′ｆは、乾燥風の供給口５′ｆ１１、排気口５′ｆ１２と、搬送用ロール５′ｆ１３とを有する乾燥装置５′ｆ１と、形成された連続状発光層ｈ′の除電を行う第４除電処理手段５′ｆ２とを有している。第４除電処理手段５′ｆ２は第１除電処理手段３０２′ｂと同じ非接触式除電防止装置５′ｆ２１と接触式除電防止装置５′ｆ２２とを有している。乾燥装置５′ｆ１は加熱処理を可能とする部分を内部に有している。

溶媒塗膜ｇ′は発光層形成用塗布液に使用した溶媒と同じ溶媒であるため、乾燥装置５′ｆ１で除去されるまでに、連続状発光層ｆ′（連続状第２有機機能層）を溶解することで連続状発光層ｆ′（連続状第２有機機能層）の均一化及び表面のレベリングが行われ均一の連続状発光層ｈ′が形成される。なお、第３塗布工程５′ｅと、第３乾燥工程５′ｆとは、連続状発光層のさらなる均一化のためには配設することは好ましく、必要に応じて適宜配設することが可能となっている。

第１回収工程６′は第４アキュームレータ部６′ａと、巻き取り装置（不図示）とを有している。連続状発光層ｈ′が形成された基材（基材Ｂとする）は巻き芯に巻かれロール状基材Ｂ６０１′で回収される。第４アキュームレータ部６′ａ、ロール６′ａ１が上下方向（図中の矢印方向）に移動することで、第３塗布工程５′ｅの搬送速度と、第１回収工程６′の巻き取り速度との差を調整するために配設されており、速度差に応じてロール６′ａ１の増設が可能となっている。

電子注入層形成工程７′は、供給部７０１′と、電子注入層形成部７０２′とを有している。供給部７０１′では、前工程で作製されたロール状基材Ｂ６０１′が繰り出され電子注入層形成部７０２′へ供給される。電子注入層形成部７０２′では、連続状発光層ｈ′上に電子注入層ｉ′が形成される。７０２′ａは蒸着装置を示し、７０２′ｂは蒸発源容器を示す。電子注入層ｉ′が形成された可撓性の基材は、引き続き、第２電極形成工程８′へ送られる。

第２電極形成工程８′は、第２電極形成部８０１′で電子注入層形成部７０２′で形成された電子注入層ｉ′上に第２電極ｊ′が形成される。８０１′ａは蒸着装置を示し、８０１′ｂは蒸発源容器を示す。

第２電極ｊ′が形成された可撓性の基材は、引き続き、保護層形成工程９′に送られる。保護層形成工程９′は、第５アキュームレータ部９０１′と、保護層形成装置９０２′と、第５帯電防止手段９０３′とを有している。第５帯電防止手段９０３′は第１除電処理手段３０２′ｂと同じ非接触式除電防止装置９０３′ａと接触式除電防止装置９０３′ｂとを有している。第２電極形成工程８で形成された第２電極ｊ′の端部を除いて第２電極ｊ′上に保護層形成装置９０２′により保護層ｋ′が形成されることで基材上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子が作製される。

回収工程１０′は、巻き取り装置（不図示）を有している。回収工程１０では少なくとも一つの有機ＥＬ素子が形成された可撓性の基材（可撓性の基材Ｃとする）が巻き取り装置（不図示）により、保護層ｋ′側を内側にして巻き取られ回収される。１０′ａは可撓性の基材Ｃが巻き芯に巻き取られロール状として回収されたロール状基材を示し、性能維持等を考慮し、酸素濃度１〜１００ｐｐｍ、水分濃度１〜１００ｐｐｍの環境下に保管することが好ましい。

封止前に有機ＥＬ構造体上に保護層を形成した例を示したが、必ずしも形成するは必要ない。

本図に示される第１塗布工程５′ａで静電ノズル吐出装置５′ａ１による塗布、第２塗布工程５′ｃで静電ノズル吐出装置５′ｃ１による塗布及び第３塗布工程５′ｅで静電ノズル吐出装置５′ｅ１による塗布は、静電ノズル吐出装置５ａ１、静電ノズル吐出装置５ｃ１及び静電ノズル吐出装置５ｅ１を基材の搬送速度に合わせ基材の幅方向に移動する方法が挙げられる。

本図では、電子注入層形成工程７′、第２電極形成工程８′、が蒸着装置の場合を示したが、電子注入層及び第２電極の形成方法については、蒸着法によらない電子注入層及び第２電極の形成方法も使用可能である。また、本図に示す封止層の代わりに、封止フィルムを貼着する方式であっても構わない。

図５に示される製造プロセスで使用する正孔輸送層形成用塗布液、及び発光層形成用塗布液は、少なくとも１種の有機化合物材料と少なくとも１種の溶媒とを有し、塗布時のハジキ、塗布ムラ等を考慮し、表面張力が１５×１０^−３〜５５×１０^−３Ｎ／ｍであることが好ましい。

図５に示される有機ＥＬ素子の構成層である正孔輸送層及び発光層を形成する工程は、正孔輸送層及び発光層の性能維持、異物付着に伴う故障欠陥の防止等を考慮し、露点温度−２０℃以下、かつＪＩＳＢ ９９２０に準拠し、測定した清浄度がクラス３〜クラス５で、かつ、乾燥部を除き１０〜４５℃の大気圧条件下で形成されることが好ましい。

〈封止基材接着工程と断裁工程〉
図４は、封止基材層形成工程１４０及び断裁工程１５０の１例を示す模式図である。

封止基材層形成工程１４０は、貼合工程１４２、硬化工程１４３を有する。

貼合工程１４２では、接着剤層１６Ａを有する封止基材１６Ｂを基材１１にローラにより圧着して有機ＥＬ構造体上に封止部材１６Ｂからなる封止基材層１６が形成される。

この工程で、封止基材層で覆われない、電極引き出し部の一部（図２のＥ１、Ｅ２）が形成される。

接着剤層に用いられる接着剤としては、エポキシ系、アクリル系、アクリルウレタン系等の加熱手段による加熱により硬化する熱硬化型接着剤、紫外線照射手段の紫外線照射により硬化する紫外線硬化型接着剤を用いることができるが、熱硬化型接着剤が好ましく用いられる。

硬化工程１４３では、加熱手段１４３Ａでの加熱により接着剤層１６Ａが硬化し、封止層１６は有機ＥＬ構造体の上面に固着される。なお、接着剤が紫外線硬化を利用したタイプの時には、ＵＶ光を照射して硬化させる。

硬化工程１４３は、断裁工程の前にあってもよいし、断裁工程の後にあってもよいが、製造の効率性等の面から断裁工程の後にあることが、好ましい態様である。

断裁工程１５０は、封止基材層１６が形成された基材を所定の位置で切断し、各々の有機ＥＬ素子を得る工程である。

断裁工程１５０は断裁手段１５１Ａを有し、有機ＥＬ構造体及び封止基材層が形成された長尺基板１１は切断工程１５０にて断裁手段１５１Ａより断裁され有機ＥＬ素子が得られる。得られた有機ＥＬ素子は、基材上に第一電極、正孔輸送層、有機発光層、第二電極層、電子注入層、封止基材層を有している。

断裁手段１５１Ａは、上下動するギロチンカッターでもよいし、振動を抑えた円形の回転カッターを利用してもよい。

断裁する位置は、図２に示す巾手方向に断裁する断裁線Ａに沿って行われる。この場合、断裁線Ａと第一電極及び第二電極の引き出し部との距離は、１ｍｍ以上であることが接着層のガスバリア性や電極のショート防止の面から好ましい。断裁線に沿って断裁されたものが、個々の有機ＥＬ素子である。

以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。

〈有機ＥＬ素子１の作製〉
（第一電極の形成）
厚さ１００μｍ、幅２００ｍｍ、長さ５００ｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人・デュポン社製フィルム、以下、ＰＥＮと略記する）に、バリア膜を形成した基材（特開２００７−８３６４４号の実施例１に記載の方法で形成した）を準備した。なお、基材には、予め第一電極を形成する位置を示すためにアライメントマークを設け、５×１０^−１Ｐａの真空環境条件で厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）をスパッタリング法により、マスクパターン成膜を行い、引き出し部を基材の巾手方向の両端側に有する１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの第一電極を一定間隔に１２列を連続的に形成し巻き取った。

（第一正孔輸送層形成）
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製 Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ ＡＩ ４０８３）を純水で６５％、メタノール５質量％で希釈した溶液を第一正孔輸送層形成用塗布液として、基材上全面（但し、両端の１０ｍｍは除く）に、押し出し塗布機を使用し乾燥後の厚みが３０ｎｍになるように塗布した。塗布後、乾燥・加熱処理を行い、第一正孔輸送層を形成した。

塗布条件
第一正孔輸送層形成用塗布液の塗布条件は、温度は２５℃、露点温度−２０℃以下のＮ_２ガス環境の大気圧下で、且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ Ｂ ９９２０）で行った。

（第一正孔輸送層のパターン化：除去工程１）
第一正孔輸送層が形成された基材に、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を照射して第一電極を熱パターンとしてその位置を検出して、これを位置決めマークとして用い、第一電極の取り出し電極部分の上及び第一電極の周囲の不要の部分に、正孔輸送層に対してこれを膨潤させる良溶媒であるメチルエチルケトンを供給して、図５の拭き取り装置により、装置内温度１０℃で１．９６×１０^５Ｐａ程度の押圧でワイピングヘッド（押圧ロール及びテープ状部材）の基材との相対速度が５ｃｍ／秒となるよう擦って、有機エレクトロニクス構造体の間を連続的に拭き取り除去した。なお、温度は５℃、メチルエチルケトンの蒸気圧は５℃において４１７３Ｐａである。また、マイクロ波照射機は四国計測工業（株）製 μ−ｒｅａｃｔｏｒを用いた。

第一正孔輸送層を除去後、基材を乾燥し一旦巻き取った。なお、溶剤の供給量は１０ｍｌ／ｍｉｎ、温度１０℃で行った。

次いで、以下の通り、第二正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を順次、押し出し塗布機を使用し塗布、乾燥、巻き取りを繰り返すことで形成した。搬送速度は、３ｍ／ｍｉｎとした。

（第二正孔輸送層）
窒素雰囲気下で、５０ｍｇの正孔輸送材料１（下記）を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を押し出し塗布法により製膜した。乾燥後、窒素雰囲気下、１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約２０ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。

（有機発光層）
第二正孔輸送層上に、ＰＶＫ、ドーパント４をそれぞれ１質量％、０．１質量％含むトルエン溶液を押し出し塗布法により製膜した。１２０℃で乾燥し、膜厚約５０ｎｍの発光層とした。

（電子輸送層）
発光層上に、０．５質量％の電子輸送材料１を含有する１−ブタノール溶液を同様に押し出し塗布法により製膜した。６０℃で乾燥し、膜厚約１５ｎｍの電子輸送層とした。

塗布条件は、同様に、いずれも温度は２５℃、露点温度−２０℃以下のＮ_２ガス環境、大気圧下で、且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ Ｂ ９９２０）で行った。

（有機層のパターン化：除去工程２）
巻き取った前記、第一正孔輸送層が形成された基材を供給して、基材上に形成された第一電極パターンを位置決めマークとして、マイクロ波センサを用いて、位置決めを行い、第一電極の取り出し電極部分の上及び第一電極の周囲の不要の部分を、図７の拭き取り装置により、第二正孔輸送層、発光層に対し親和性が高い溶剤であるｏ−キシレン、電子輸送層に対して良溶媒である１−ブタノールをそれぞれ２：１の混合比で混合した溶剤を供給して、温度１５℃、前記同様、押圧ロール（テープ状部材）の基材との相対速度が５ｃｍ／秒となるよう擦って連続的に拭き取り除去した。なお、ワイピングヘッドの押圧は１．９６×１０^５Ｐａとした。拭き取り温度は、拭き取り装置内を１５℃まで冷却して溶剤のトータルの供給量は２０ｍｌ／ｍｉｎで行った。

因みに、１−ブタノールの１５℃における蒸気圧は３６８Ｐａ、また、ｏ−キシレンの１５℃における蒸気圧は４７５Ｐａである。

これにより膨潤また溶解された３つの有機層を一度に擦って除去パターニングを行った。パターニング後、乾燥装置で乾燥し、一旦巻き取り１時間保管した。

次いで、以下に示す条件で前記有機層の上に順次陰極バッファー層（電子注入層）、第二電極、封止層を形成し、断裁しさらに熱処理を行い、有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．１とした。

（陰極バッファー層（電子注入層）の形成）
パターン化された有機層が形成されたロール状の基材に付けられた陽極の位置に従って電子輸送層の上及び第一電極の引き出し部を除いた部分に蒸着装置で５×１０^−４Ｐａの真空環境条件にてＬｉＦを用い、マスクパターン蒸着成膜して、厚さ０．５ｎｍの陰極バッファー層（電子注入層）を積層した。

（第二電極の形成）
引き続き、同様に陰極バッファー層（電子注入層）上に第一電極の大きさに合わせ、第一電極の引き出し部と反対側に第二電極の引き出し部が配置されるように、５×１０^−４Ｐａの真空下にてアルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン成膜し、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層からなる第二電極を積層し有機ＥＬ構造体を形成した。

（封止部材の貼合）
次いで、有機ＥＬ構造体を有する基材に付けられたアライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って第一電極及び第二電極の引き出し部の一部を除いて、接着剤層を有する長尺の封止基材を貼合した。

長尺の封止部材の貼合には、図４に示す装置を用い、封止部材としてＰＥＴ５０μｍに、バリア膜としてアルミ箔３０μｍをラミネートしたフィルムを用いた。

また、接着剤層の接着剤には、メルティングポイント１２０℃の熱硬化型接着剤を用い、層厚は３０μｍとした。

（熱硬化）
封止基材貼合後に、１００℃で１時間熱硬化を行った。

（断裁）
次いで、作製した複数の有機ＥＬ構造体を有する基材を個別の有機ＥＬ素子の大きさに、アライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って断裁し、有機ＥＬ素子１を得た。

《有機ＥＬ素子２〜１５の作製》
有機ＥＬ素子１の作製において、基材の樹脂、封止基材の樹脂、及び貼合後の熱処理温度を表１のように変更した以外は同様にして有機ＥＬ素子２〜１５を作製した。

《有機ＥＬ素子の評価》
上記の方法により作製した有機ＥＬ素子について、発光ムラ及び発光割合を測定し評価した。

（発光ムラ）
ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し２００ｃｄ／ｃｍ^２で発光させた。５０倍の顕微鏡で発光ムラを観察し、下記基準で評価した。

◎：発光ムラはない
○：実技上問題とならない僅かな発光ムラがある
×：均一発光部分が７割未満である実技上問題となる発光ムラがある
（発光面積（バリア性））
温度２５℃にて減圧環境３３３３０Ｐａに２４時間保存後、加速劣化条件下（６０℃９０％ＲＨ、２５０時間）で保存後のダークスポット等の未発光部を除く発光部の面積を測定した。初期発光面積との比率を下記基準で評価した。

◎：１００〜９５％以上
○：９５％未満〜９０％以上
△：９０％未満〜８５％以上
×：８５％未満
評価の結果を表１に示す。

表１より明らかなように、本発明に係る有機ＥＬ素子は、発光ムラが少なく、かつ発光割合が高いことが分かる。比較例の有機ＥＬ素子の発光割合が低いのは、内部応力の影響で封止性能が低下して、端部から発光しなくなる及びダークスポット（未発光点）の増加や成長があり、発光面積の縮小となったと考えられる。

実施例２
実施例１の有機ＥＬ素子２の作製において、正孔注入層を形成した後、下記発電層塗布液を塗布し、１２０℃で乾燥し、乾燥後の厚さが１５０ｎｍの原反ウェブを作製した以外は、有機ＥＬ素子２の作製と同様にして、乾燥剤を素子内に有する有機光電変換素子を作製した。

（発電層塗布液）
クロロベンゼン６ｍｌに、数平均分子量４５０００のレジオレギュラーＰ３ＨＴ（ポリ−３−ヘキシルチオフェン）と、フラーレン誘導体ＰＣＢＭ（６，６−フェニル−Ｃ６１−ブチル酸メチルエステル）を質量比が１：１で、３質量％となるように溶解した溶液を用いた。製膜後、１４０℃の乾燥ゾーンをゆっくり搬送しながら、窒素気流下で乾燥し、乾燥膜厚１５０ｎｍの発電層を形成した。

得られた乾燥剤を素子内に有した有機光電変換素子について、ソーラシミュレーター（ＡＭ１．５Ｇ）の光を１００ｍＷ／ｃｍ^２の強度で照射し続けたときの短絡電流密度Ｊｓｃを評価したところ、長時間に渡って高い安定性を示し、十分な耐光性を有することが明らかになった。また、有機ＥＬ素子と同様に、有機光電変換素子においても、量産レベルの工程において、製品の歩留まり、すなわち製造コストを低廉にすることができることが明らかになった。

１ 有機ＥＬ素子
２ 有機ＥＬ構造体
３′ 供給工程
３０１′ 基材
４′ 正孔輸送層形成工程
５′ 発光層形成工程
５′ａ 第１塗布工程
５′ａ１ 静電ノズル吐出装置
５′ｂ 第１乾燥工程
５′ｃ 第２塗布工程
５′ｃ１ 静電ノズル吐出装置
５′ｄ 第２乾燥工程
５′ｅ 第３塗布工程
５′ｅ１ 静電ノズル吐出装置
５′ｆ 第３乾燥工程
７′ 電子注入層形成工程
８′ 第２電極形成工程
９′ 保護層形成工程
１０ 回収工程
１１、１２ 基材
１６ 封止基材層
１６Ａ 接着剤
１６Ｂ 封止基材（封止フィルム）
１１１ 拭き取り装置の基台
１１２ 拭き取りユニット
１１５ テープ状部材
１１６ 送り出しロール
１１７ 巻き取りロール
１１８ 溶剤保持タンク
１１９ 供給パイプ
１２１ 押圧ロール
１２２ シリンダ
１４０ 封止基材層形成工程
１５０ 断裁工程
１５１Ａ 断裁刃

Claims (5)

1. 可撓性の基材の上に、第１電極、少なくとも１層の有機層及び第２電極を有する有機エレクトロニクス構造体を形成した後、前記有機エレクトロニクス構造体上に可撓性の封止基材を貼合し、熱処理する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、前記熱処理の温度が前記基材のＴｇ（ガラス転移点）未満で、かつ前記封止基材のＴｇ（ガラス転移点）以上であることを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。
2. 前記封止基材にバリア膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
3. 前記基材が長尺基材であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
4. 前記有機エレクトロニクス素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロニクス素子。