JPWO2010092944A1 - 電気化学セル、携帯電子機器、及び電気化学セルの製造方法 - Google Patents

電気化学セル、携帯電子機器、及び電気化学セルの製造方法 Download PDF

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Abstract

この電気化学セルは、内部に電解液を有し、凹状容器101と封口板102を溶接して作られる。この凹状容器上部端面の金属リングと前記封口板の対応する面にニッケルめっき層を形成した。このニッケルめっき層の双方または一方にリンを含有させることにより、溶接時に凹状容器101にクラックが発生することを防止する。

Description

本発明は、非水電解質電池および電気二重層キャパシタなどの電気化学セルに関するものである。
近年、電気化学セルのニーズとして、小型化、薄型化に対する要求が強くなっている。これは、電気化学セルが搭載される電子機器が小型化しているためである。また、これら電気化学セルを実装する際にリフローハンダ付け法(ハンダクリームを塗布した電気化学セルを実装基板上に配置し、回路基板ごと加熱しハンダ付けを行う方法)が多用されており、電気化学セルにリフローハンダ付けの温度に耐え得る耐熱性が求められている。
従来の電気化学セルは、電池缶をかしめて封口するため、コイン状の形状をしていた。コイン形状をしているため、実装面積を有効に活用することができず、省スペース化を阻害する要因となっていた。また、リフローハンダ付けを行うには端子等をケースにあらかじめ溶接しておく必要があり、部品点数の増加および製造工数の増加という点でコストアップとなっていた。
この問題を解消するため、実装面積を有効に活用できる四角い形状の電気化学セルが検討されるようになった。四角い形状の電気化学セルは、コイン型と異なりケースをクリンプして封口することが出来ない。このため、凹状容器と封口板とを溶接することにより密閉した電気化学セルが開発された(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−227959号 従来の四角い形状の電気化学セルでは、凹状容器の上部端面に金属リングを設け、その上に接合材で覆い、接合材をメッキした封口板と金属リング状の接合材を溶接により接合している。
ここで、上記の従来の電気化学セルでは、凹状容器の中に有機溶媒を含む電解液を収納しているため、封口時の溶接熱による電解液の蒸発を防がなければならない。このため、封口板と凹状容器との溶接に要する時間を極力短くすることが好ましい。十分な溶接強度を得るためには、溶接温度を高くする必要がある。
しかし、溶接温度を高くするとセラミックス製の凹状容器にクラックが生じるという問題を生じた。容器の温度変化が大きく、セラミックス製の凹状容器が溶接時の熱衝撃に耐えられないためである。
本願発明は、上記問題を解決し、短時間の溶接で凹状容器にクラックが生じることなく封口可能な電気化学セルの提供を目的とする。
上記問題を解決するためには、溶接時の溶接熱を低くする必要がある。溶接パワーを小さくし溶接熱を低くすれば、凹状容器に加わる熱衝撃を軽減できクラックの発生を防止することができる。溶接パワーを小さくするためには、金属リングと封口板上に施されるニッケルめっき層の融点を下げる必要がある。ニッケルめっきの融点が下がれば、小さい溶接パワーでも早急かつ均一に溶接することが可能である。本願発明は、ニッケルめっきにリンを添加することにより、溶接パワーが小さくとも早急かつ均一に溶接を行うことができることを見出したものである。
さらに、本願発明は、封口板と金属リングとの接合層に10質量%以上リンが残存していると、Ni3Pが多く生成し、組成が不均一となり接合層の強度が低下することを見出した。このため、接合層に含まれるリンの含有量は10質量%以下となることが好ましい。
本発明に係る電気化学セルは、正極および負極からなる複数の電極と前記電極の間に位置するセパレータと電解液とを収納し、前記正極及び前記負極のどちらか一方と電気的にそれぞれ接続した一対の接続端子を外側底面に有する凹状容器と、前記凹状容器と接合する面にニッケルめっき層を有し、前記凹状容器を密閉する封口板と、前記凹状容器の上端面に設けられ、前記封口板と接合する側の面にニッケルめっき層を有する金属リングと、前記金属リングと前記封口板とを接合し、リンを含有するニッケル合金からなる接合層と、を有することを特徴とする。この構成によれば、溶接熱が低くても溶接時間を短くすることができる。このため、凹状容器に生じるクラックを防止することができる。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の双方または一方のニッケルめっき層に含まれるリンの量が、3から12質量%、好ましくは5から12質量%、さらに好ましくは5から10質量%であることを特徴とする。ニッケルめっき層に含まれるリンの量がこれらの範囲であれば、凹状容器に生じるクラックをより確実に防止することができる。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記接合層に含まれるリンの量が2質量%から10質量%、好ましくは3質量%から10質量%、さらに好ましくは5質量%から8質量%であることを特徴とする。接合層に含まれるリンの量がこれらの範囲であれば、凹状容器に生じるクラックをより確実に防止することができる。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の双方または一方のニッケルめっき層に含まれるリンの量が、5から12質量%であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記金属リング及び前記封口板の一方または双方の前記ニッケルめっき層が、無電解めっきまたは電解めっきにより形成されていることを特徴とする。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記凹状容器がセラミックス製であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記凹状容器がアルミナ製であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記電解液がプロピレンカーボネートもしくはスルフォランのいずれか一方を含むことを特徴とする。この構成によれば、溶接熱による電解液の変化が少ない。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記電解液が、少なくともジメチルカーボネート、プロピオン酸メチル、エチルメチルスルフォランのいずれか一種類を含むことを特徴とする。この構成によれば、溶接熱による電解液の変化が少ない。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の双方または一方のニッケルめっき層に含まれるリンが、ニッケルめっき層の表面に多く含まれることを特徴とする。この構成によれば、溶接熱が低くても溶接時間を短くすることができる。
さらに、本発明に係る電気化学セルは、請求項1から請求項15にいずれか一項に記載の電気化学セルを搭載した携帯電子機器であることを特徴とする。この構成によれば、直方体形状のキャパシタをリフロー実装可能であるために、実装密度の高い携帯電子機器を製造することができる。
さらに、本発明に係る電気化学セルはの製造方法は、正極および負極からなる一対の電極と前記電極の間に位置するセパレータと電解液とを、外側底面に前記正極及び前記負極のどちらか一方と電気的にそれぞれ接続した一対の接続端子を有する凹状容器に収納する工程と、前記凹状容器と接合する面にニッケルめっき層を有し前記凹状容器を密閉する封口板と、前記凹状容器の上端面に設けられ前記封口板と接合する側の面にニッケルめっき層を有する金属リングとを接合し、リンを含有するニッケル合金からなる接合層を生成する接合工程と、を有することを特徴とする。この構成によれば、溶接熱が低くても溶接時間を短くすることができる。このため、凹状容器に生じるクラックを防止することができる。
さらに、本発明に係る電気化学セルはの製造方法は、前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の少なくとも一方のニッケルめっき層に含まれるリンの量が、5から12質量%であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る電気化学セルはの製造方法は、前記接合層に含まれるリンの量が3質量%から10質量%であることを特徴とする。
本願発明によれば、電気化学セルの封口時の溶接温度を従来よりも下げることが可能となる。このため、溶接熱が低くても溶接時間を短くすることができ、凹状容器に生じるクラックを防止することができる。本願発明により、封口の信頼性を向上させることができ、信頼性の高い電気化学セルの提供が可能となる。
本発明の電気化学セルの断面図である。 ニッケルめっき中のリン濃度と溶接パワーの関係を示した表である。 ニッケルめっき中のリン濃度と溶接パワーの関係を示したグラフである。
本発明の代表的な構造について図1を用いて説明する。図1は、直方体である本発明の非水電解質電池または電気二重層キャパシタの断面図である。凹状容器101は、凹部を有する直方体形状である。この凹部に正極活物質106、負極活物質107、セパレータ105、電解液(図示していない)を収納する。正極活物質106と負極活物質107は、セパレータ105により分離して収納されている。正極活物質106は、集電体113に導電性接着剤A1111により固定されている。負極活物質107は、封口板102上のニッケルめっき層B1082に導電性接着剤B1112により固定されている。ここで、本発明において、単に正極という場合は、正極活物質106をいう。また、同様に単に負極という場合には、負極活物質107をいう。
凹状容器101の上部端面には、金属リング109が形成されている。この金属リング109の上面はニッケルめっき層A1081で覆われている。この凹状容器101を封口する封口板102は、接合側の面にニッケルめっき層B1081を有する。この凹状容器101のニッケルめっき層B1082と封口板102のニッケルめっき層B1082を溶接することにより、ニッケルめっき層A1081接続層とニッケルめっき層B1082の間に接合層112が生成される。ここで、図1では封口板102の外周は、凹状容器101の上面端部内周より大きく、外周より小さい。この場合、接合部112は溶接時に封口板102の外周縁に溶け出す。
この凹状容器101は、セラミックス製である。凹状容器101は、グリーンシートを積層した後、タングステンを凹状容器にプリントし焼成している。タングステンをプリントしたグリーンシートの積層体を焼成することにより、接続端子A103、接続端子B104を形成する。次に、コバール製の金属リング109を凹状容器101の上部端面にロウ付けする。ここで、以下に説明する本実施例のコバールは、Co:17質量%、Ni:29質量%、Fe:残部、からなる合金である。さらに、接続端子A103、接続端子B104の表面は、ニッケルめっき、金めっきを有する。また、金属リング109の上部にはリンを含有したニッケルめっきを施し、ニッケルめっき層1081を形成する。酸化防止のため、ニッケルめっき層1081の表面に金めっきを施しても良い。
また、凹状容器101上部端面縁部には、金属リングを配した。この金属リングは、コバールなどの合金により形成されている。この金属リングの凹状容器101と反対面は、ニッケルめっき層A1081で覆われている。
金属リング109とニッケルめっき層A1081を合わせた金属層の厚さは、負極活物質107とセパレータ105の合計の厚さより薄い。金属層の厚さが負極活物質107とセパレータ105の合計の厚さより厚い場合には、この金属層と正極活物質106が接触し、非水電解質電池または電気二重層キャパシタとして機能しなくなってしまう可能性がある。
接続端子A103は、凹状容器101の内側の凹部底面から側部壁面を貫通し、凹状容器外側の側部から底部に形成されている。接続端子A103は、凹状容器101の内側底部に固着されている。集電体113は、凹状容器101の内側底部表面と接続端子A103を覆うように凹状容器101の内側底部に固着されている。集電体113と正極活物質106は、導電性接着剤A1111により固定されている。
接続端子B104は、凹状容器101の外側底面から金属リング109まで延設されており、接続端子B104と金属リング109とは電気的に接続されている。接続端子Aと接続端子Bは凹状容器の外側の底面に達しているが、容器側面部で止まっていても、ハンダとの濡れにより、基板とのハンダ付けが可能である。
凹状容器の内側底面には、タングステンからなる集電体が設けられている。この集電体は、凹状容器壁面を貫通している接続端子A103に電気的に接続されている。この集電体は、グリーンシートにタングステンをプリントすることにより形成されている。凹状容器101の内側に位置する集電体は、腐食防止のため、アルミニウムなどの弁金作用金属で被覆されることが好ましい。集電体と正極活物質106は炭素を含有する導電性接着剤1111で接着されている。集電体と正極活物質106はかならずしも接着する必要はなく、正極活物質106を集電体の上に載せるだけでもよい。
封口板102の凹状容器101側の面にはリンを含むニッケルめっきを施し、ニッケルめっき層B1082を形成する。封口板102と負極活物質107は、あらかじめ炭素を含有する導電性接着剤B1112で接着される。
凹状容器101の内部に、正極活物質106、負極活物質107、セパレータ105、電解液(図示しない)を収納し、封口板102で蓋をした後、溶接を行う。この方法により信頼性の高い封口が得られる。金属リング上のニッケルめっき層A1081と封口板のニッケルめっき層1082とが溶融して、接合層を形成する。この接合層はリンを含んだニッケル合金から形成される。この接合層は、封口板と凹状容器とが接合されたものである。
溶接時の熱衝撃によるクラックの発生を防止するためには、溶接温度を下げることが重要である。溶接温度を下げるためには、金属リング109および封口板102の接合される面のどちらか一方、または双方に、ロウ材としてリンを含むニッケルめっき層を設けることが効果的である。
ニッケルの融点は1453℃であるが、ニッケルにリンを添加することにより融点を低下させることができる。また、溶接面に金を存在させることでも溶接温度を下げることができる。リンを含むニッケルめっき層は、金属リング109および封口板102の両方に配置されていれば、溶接温度を下げる信頼性の高い溶接が可能となる。
リンを含有するニッケルめっき層を形成する方法は、電解めっき、無電解めっきを用いることができる。無電解めっきにおいては還元剤としている用いる次亜リン酸ナトリウムからリンを含有させることができる。電解めっきにおいては、亜リン酸、リン酸を含むニッケルめっき浴からリンを含有するニッケルめっき層が成膜可能である。
本実施例では、ニッケルめっき層A1081とニッケルめっき層B1082は無電解めっきにより形成されている。なお、本発明では、リンを含むニッケルめっき層の生成方法は、特に限定されないが、無電解めっきにより形成することが好ましい。無電解めっきでは、メッキ層の容易にリンを含ませられるからである。
無電解めっきで形成したニッケルめっき層A1081及びニッケルめっき層1082をSEM(Scaning Electron Microscoope:走査型電子顕微鏡)のEDX(Energy Dippersive X−ray Spectroscopy:エネルギー分散型蛍光X線分析装置)により観察した結果、ニッケルめっき層表面にリンが多く分布することが観察された。リンが多量に含まれる層は、めっき初期に生じ、析出反応が進行してもこの層は常にめっき表面の上部に位置するためと考えられる。すなわち、表面に多くリンを含有するため、ニッケルめっき層の表面の融点を、内部より低くすることができる。これにより、金属リング109および封口板102に施されたニッケルめっき中のリン濃度が異なっても双方容易に融解し、信頼性の高い溶接が可能となる。この点において、電気めっきを用いてリンを含むニッケルめっきを施すより、リンを含む無電解めっきを施す方がより好ましい。
リンを含むニッケル化合物Ni3Pの融点は、約965℃である。めっき終了後の膜は、X線回折によるとアモルファスに近い微結晶であることがわかる。このことより、リンは粒界近傍に偏析していることが考えられる。そのため、リンを含むニッケルめっき膜の融点は、965℃以下であると考えられる。
ニッケルめっき層A1081及びニッケルめっき層B1082に含まれるリンは、5〜12質量%が好ましい。ニッケル中に含まれるリンが多いほど溶接温度を下げることができる。ニッケルの融点を低下させるためには、ニッケルめっき層に5%以上のリンを含有することが好ましい。リンの含有量は、3〜12質量%でも、溶接温度を下げて、溶接することは可能である。ニッケルめっき層のリンの含有量が3%以下では、クラックを防止できるほどは十分に融点を下げることはできない。
一方、ニッケル中に含まれるリンの量が多すぎると、溶接によって、接合層中にNi3Pが多く生成される。接合層に10質量%以上のリンが残るとNi3Pが多く生成し、接合層の組成が不均一となる。これにより接合層部の強度が低下する。このため、接合層のリンの含有量は10質量%以下となることが好ましい。また、ニッケルめっき層に5%のリンを有する場合には、接合層のリンの含有量は約3質量%となる。接合層のリンの含有量が2%でも、クラックを生じることなく接合することは可能であるが、より確実に接合するためには、接合層のリンの含有量が3%以上であることが好ましい。さらに接合層のリンの含有量が5%以上であればより確実に接合できる。
溶接時の熱で昇華することによりリンが減少することを考慮すると、ニッケルめっき層A1081及び、ニッケルめっき層B1082に含まれるリンの含有量は、12質量%以下であることが好ましい。ニッケルめっき層に含まれるリンの含有量が12質量%であれば、溶接熱によりリンが昇華するため、接合層に含まれるリンの含有量は10質量%以下となる。ニッケルめっき層に含まれるリンの含有量が10質量%であればより好ましい。接合層に含まれるリンは8質量%であってもよい。
リンを含有するニッケルを形成する方法は、電解めっき、無電解めっきを用いることができる。無電解めっきにおいては還元剤としている用いる次亜リン酸ナトリウムからPを含有させることができる。電解めっきにおいては、亜リン酸、リン酸を含むニッケルめっき浴からリンを含有するニッケルめっきが成膜可能である。
本実施例に用いられる凹状容器101は、セラミック製である。特に、コストおよび成形性を考慮するとアルミナ製が良好である。アルミナ製の凹状容器101は、アルミナのグリーンシートと導体印刷により積層し、焼成して製造することができる。
金属リング109の材質は、その熱膨張係数が凹状容器101の熱膨張係数と近いものが好ましい。たとえば、凹状容器101が熱膨張係数6.8×10-6/℃のアルミナを用いる場合、金属リングは熱膨張係数5.2×10-6/℃のコバールを用いることが好ましい。また、封口板102も溶接後の信頼性を高めるため、金属リングと同じコバールを用いることが望ましい。リフローハンダ付けにより電気化学セルが加熱されても、金属リングと封口板とが剥離することを防ぐためである。
また、凹状容器101の内側底面に形成される集電体113は、タングステンが好ましい。それ以外にも、集電体113にパラジウム、銀、白金または金を用いることができる。また、集電体113をアルミニウム、チタンなどの弁作用金属や炭素などで被覆することが好ましい。これにより、耐電圧の高い弁作用金属で被覆することにより、プラス側の電位がかかったときに集電体が溶解しないようできる。
集電体113としてアルミニウムを用いる場合は、蒸着、溶射や常温溶融塩からのめっき(ブチルピジウムクロリド浴、イミダゾリウムクロリド浴)によっても集電体を形成することができる。さらに、電極と集電体113との導通をよくするため、導電性接着剤A1111には炭素を含有するものを用いることが有効である。
接続端子A103、接続端子B104の実装基板と接する部分については、ハンダ付け性を向上させるため、ニッケル、金、スズ、ハンダの層を表面に設けることが好ましい。
接合層の溶接は、抵抗溶接法を利用したシーム溶接が利用できる。封口板102の辺に沿って電極を押し付け、電流を流すことで、ニッケルめっき層が融け、抵抗溶接の原理により溶接できる。
本実施例のセパレータ105は耐熱性のある不織布を用いた。耐熱性のある樹脂またはガラス繊維を用いたセパレータを用いても、本発明の電気化学セルを構成することができる。
図1に示した収納容器を用いて実施例1を作製した。凹状容器101はアルミナ製で、サイズは3.2×2.5×0.9mmの大きさである。凹状部のへこみは深さが0.4mm、大きさは2.4×1.7mmとした。接続端子A、接続端子B、集電体はタングステン層の表面に金めっきを施して形成した。封口板102は、厚さ0.1mmのコバール板にリンを3質量%含有したニッケルめっき層を約5μmの厚さで形成したものを用いた。凹状容器101の金属リング109には、リンを3質量%含有したニッケルめっき層を約5μmの厚さで形成したものを用いた。
活物質には活性炭(比表面積2260m2/g)に導電剤としてカーボンブラックを加え、テフロン(登録商標)バインダーを結着剤としてシート化したものを用いた。このシートを切断し、正極活物質106、負極活物質107とした。電解液としては、(CH3)(C253NBF4をプロピレンカーボネートに1mol/L溶かした溶液を用いた。セパレータ105はテフロン(登録商標)製のものを用いた。
凹状容器101の底面に導電性接着剤A1111で正極活物質106を接着した。封口板102にも負極活物質107を導電性接着剤1112で接着した。その後、正極活物質106及び負極活物質107を250℃で乾燥させた。同様に乾燥させたセパレータ105を凹状容器101内の正極活物質106の上に設置し、凹状容器101に電解液を滴下した。その後、凹状容器101の開口部に封口板102を乗せ、凹状容器の上端に設けられた金属リング109と封口板102とを抵抗溶接した。
金属リング109および封口板102の両方に配置されるニッケルめっき層のリンの含有量を5質量%として実施例2を作製した。その他の製造条件は、実施例1と同様である。
金属リング109および封口板102の両方に配置されるニッケルめっき層のリンの含有量を8質量%として実施例3を作製した。その他の製造条件は、実施例1と同様である。
金属リング109および封口板102の両方に配置されるニッケルめっき層のリンの含有量を10質量%として実施例4を作製した。その他の製造条件は、実施例1と同様である。
金属リング109および封口板102の両方に配置されるニッケルめっき層のリンの含有量を12質量%として実施例5を作製した。その他の製造条件は、実施例1と同様である。
金属リング109および封口板102の両方に配置されるニッケルめっき層のリンの含有量を15質量%として実施例6を作製した。その他の製造条件は、実施例1と同様である。
封口板102のニッケルめっき層B1082は、リンを含まずに約5μmの厚さで形成した。金属リング109には、リンを10質量%含有したニッケルめっき層A1081を約5μmの厚さで形成した。その他の構成および、封止方法は、実施例1と同様である。
封口板102のニッケルめっき層B1082は、リンを10質量%含有し、約5μmの厚さで形成した。金属リング109には、リンを含まないニッケルめっき層A1081を約5μmの厚さで形成した。その他の構成および、封止方法は、実施例1と同様である。
(比較例1)
金属リング109および封口板102の両方に、リンを含まないニッケルめっきを施し比較例1を作製した。
実施例1から6と比較例1における溶接パワーを測定した。ここで溶接パワーは、印加する電圧、電流、時間で決まり、凹状容器101にクラックを生じない、未溶接部がなくなる値である。ニッケルめっき層A1081およびニッケルめっき層B1082の両方にリンが含まれない場合の未溶接部がなくなる最も低い溶接パワーを100%とし、各実施例における溶接パワーを図2に示した。
図2は、ニッケルめっき層中のリンの含有量と溶接パワーとの関係を示す表である。図3は、図2の結果をグラフ化したものである。図3のグラフは、横軸がニッケルめっき中に含まれるリンの質量%を示しており、縦軸が相対的な溶接パワーを示している。
実施例1の実験結果より、ニッケルめっき中にリンを3質量%含有するだけでも、溶接パワーが2%程度低下する。また、ニッケルめっき中のリン含有量が増加するに従って、溶接パワーは低下する。ニッケルめっき中のリンの含有量が最も多い実施例6の溶接パワーは、82%程度である。これらの実験結果より、ニッケルめっき中にリンが含まれると、溶接パワーが低下するということがいえる。
リンの含有量が5質量%以上でも効果はある。特に、リンの含有量が5質量%以上であると、溶接パワーが95%以下になり好ましい。溶接パワーが95%より大きいと、セラミックス製の凹状容器101に0.2〜2.3%の確率でクラックを生じる。このため、溶接パワーを95%以下に低減する事で、凹状容器に生じるクラックを効率的に防止することができる。
一方で、ニッケルめっき層A1081およびニッケルめっき層B1082が溶融して形成される接合層112のリンの含有量は、10質量%以下であることが好ましい。接合層112にリンが10質量%より多く残存していると、Ni3Pを多く生成し組成が不均一になる。このため、接合層の機械的強度が低下する。溶接時に昇華して失われるリンの量を考慮すると、溶接前にニッケルめっき中に存在するリンの含有量は、12質量%以下であることが好ましい。ニッケルめっき中に含まれるリンの量が12質量%程度であれば、溶接後にはリンの含有量が10質量%以下となり好ましいからである。
また、ニッケルめっき層A1081とニッケルめっき層B1082のリンの含有量が異なっていても良い。溶接後の電気化学セルの断面を観察すると、金属リング上のニッケルめっき層が大きく溶融していることが分かった。このことから、金属リング上に形成されるニッケルめっき層にのみリンを含有させても良い。溶接熱の加わり易い金属リング上のニッケルめっき層にリンを含有していれば、溶接パワーを低減させることが可能だからである。
実施例7では、ニッケルめっき層B1082にリンを含まず、ニッケルめっき層A1081のリンの含有量は10質量%である。この実施例であっても、溶接パワーをリンがない場合に比べて90%程度に下げることができた。
実施例7の溶接箇所を切断し、1000倍の光学顕微鏡により断面観察を行なったところ、リンを10質量%含有したニッケルめっき層1081は溶解していたが、リンを含まないニッケルめっき層1082は溶解していなかった。
実施例8では、ニッケルめっき層B1082のリンの含有量を10質量%、ニッケルめっき層A1081にはリンを含まない。この実施例でも、実施例7と同様に、溶接パワーをリンがない場合に比べて90%程度に下げることができた。
電解液の構成要素として用いる溶媒としては、プロピレンカーボネートもしくはスルフォランが良好であった。また、沸点の低い副溶媒であるジメチルカーボネート、プロピオン酸メチル、エチルメチルスルフォランのいずれかを含む電解液を用いた場合も金属リング109および封口板102の両方に配置されるニッケルめっき中のリンの含有量を5〜12質量%とすることにより、良好に封止することができた。沸点の低い有機溶媒が電解液に含まれる場合には、溶接時に電解液中の有機溶媒が蒸発することにより、電気化学セルに加えられた熱が急激に低下する。このため、凹状容器に加えられる熱衝撃をできるだけ小さくするため、リンの含有量を5〜12質量%とすることが好ましい。
また、本発明に係る電気化学セルは一次電池、二次電池、及びキャパシタとして使用できる。さらに、本発明に係る電気化学セルは、コイン型の電気化学セルに比べて実装面積が小さいために、携帯電子機器の電気化学セルとして用いられる。特にキャパシタとして携帯電子機器に用いることは有用である。
101 凹状容器
102 封口板
103 接続端子A
104 接続端子B
105 セパレータ
106 正極活物質
107 負極活物質
1081 ニッケルめっき層A
1082 ニッケルめっき層B
109 金属リング
1111 導電性接着剤A
1112 導電性接着剤B
112 接合層
113 集電体

Claims (18)

  1. 正極および負極からなる複数の電極と前記電極の間に位置するセパレータと電解液とを収納し、前記正極及び前記負極のどちらか一方と電気的にそれぞれ接続した一対の接続端子を外側底面に有する凹状容器と、
    前記凹状容器と接合する面にニッケルめっき層を有し、前記凹状容器を密閉する封口板と、
    前記凹状容器の上端面に設けられ、前記封口板と接合する側の面にニッケルめっき層を有する金属リングと、
    前記金属リングと前記封口板とを接合し、リンを含有するニッケル合金からなる接合層と、
    を有する電気化学セル。
  2. 前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の双方または一方のニッケルめっき層に含まれるリンの量が、3から12質量%である請求項1に記載の電気化学セル。
  3. 前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の双方または一方のニッケルめっき層に含まれるリンの量が、5から12質量%である請求項1に記載の電気化学セル。
  4. 前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の双方または一方のニッケルめっき層に含まれるリンの量が、5から10質量%である請求項1に記載の電気化学セル。
  5. 前記接合層に含まれるリンの量が2質量%から10質量%である請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  6. 前記接合層に含まれるリンの量が3質量%から10質量%である請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  7. 前記接合層に含まれるリンの量が5質量%から8質量%である請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  8. 前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の双方または一方のニッケルめっき層に含まれるリンの量が、5から12質量%である請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  9. 前記金属リング及び前記封口板の一方または双方の前記ニッケルめっき層が、無電解めっきまたは電解めっきにより形成されている請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  10. 前記凹状容器がセラミックス製である請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  11. 前記凹状容器がアルミナ製である請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  12. 前記電解液がプロピレンカーボネートもしくはスルフォランのいずれか一方を含む請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  13. 前記電解液が、少なくともジメチルカーボネート、プロピオン酸メチル、エチルメチルスルフォランのいずれか一種類を含む請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  14. 前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の双方または一方のニッケルめっき層に含まれるリンが、ニッケルめっき層の表面に多く含まれることを特徴とする請求項1から請求項13にいずれか一項に記載の電気化学セル。
  15. 請求項1から請求項14にいずれか一項に記載の電気化学セルを搭載した携帯電子機器。
  16. 正極および負極からなる一対の電極と前記電極の間に位置するセパレータと電解液とを、外側底面に前記正極及び前記負極のどちらか一方と電気的にそれぞれ接続した一対の接続端子を有する凹状容器に収納する工程と、
    前記凹状容器と接合する面にニッケルめっき層を有し前記凹状容器を密閉する封口板と、前記凹状容器の上端面に設けられ前記封口板と接合する側の面にニッケルめっき層を有する金属リングとを接合し、リンを含有するニッケル合金からなる接合層を生成する接合工程と、
    を有する電気化学セルの製造方法。
  17. 前記金属リングに設けられたニッケルめっき層と前記封口板とに設けられたニッケルめっき層の少なくとも一方のニッケルめっき層に含まれるリンの量が、5から12質量%である請求項16に記載の電気化学セルの製造方法。
  18. 前記接合層に含まれるリンの量が3質量%から10質量%である請求項16または請求項17に記載の電気化学セルの製造方法。
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