JPWO2010084802A1

JPWO2010084802A1 - アダマンタン化合物

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Publication number: JPWO2010084802A1
Application number: JP2010547462A
Authority: JP
Inventors: 克樹伊藤; 義崇上野山; 大野　英俊; 英俊大野; 直弥河野
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2009-01-21
Filing date: 2010-01-12
Publication date: 2012-07-19
Anticipated expiration: 2030-01-12
Also published as: TW201038523A; JP5641943B2; WO2010084802A1

Abstract

特定のアダマンタン骨格、重合性基、およびこれらを結合する特定構造を有する結合基を含有し、酸無水物への溶解性が高いアダマンタン化合物であって、透明性、耐光性などの光学特性や、長期耐熱性、誘電率などの電気特性に優れ、さらに、吸水性の低い硬化物を与えるアダマンタン化合物、その製造方法、当該化合物を含む組成物、および当該化合物を使用する硬化物を提供する。

Description

本発明は、新規なアダマンタン化合物、その製造方法、当該化合物を含む組成物、および当該化合物を使用する硬化物に関し、さらに詳しくは、半導体用フォトレジスト、光半導体用封止剤、光学電子部材（光導波路、光通信用レンズ及び光学フィルムなど）及びこれらの接着剤として好適な、透明性、耐光性などの光学特性、長期耐熱性、誘電率など電気特性に優れた硬化物を与えるアダマンタン化合物、その製造方法、当該化合物を含む組成物、および当該化合物を使用する硬化物に関するものである。

アダマンタンは、シクロヘキサン環が４個、カゴ形に縮合した構造を有し、対称性が高く、安定な化合物であり、その誘導体は、特異な機能を示すことから、医薬品原料や高機能性工業材料の原料などとして有用であることが知られている。例えば光学特性や耐熱性に優れることから、アダマンタンを光ディスク基板、光ファイバーあるいはレンズ等に用いることが試みられている（特許文献１及び２参照）。また、アダマンタンエステル類を、その酸感応性、ドライエッチング耐性、紫外線透過性等を利用して、フォトレジスト用樹脂原料として、使用することが試みられている（特許文献３参照）。

ところで、近年、電子・光学材料分野においては、液晶や有機ＥＬなどを用いたフラットパネルディスプレイの高精細化、高視野角化および高画質化、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光半導体を用いた光源の高輝度、短波長化および白色化、さらに電子回路の高周波数化や光を用いた回路・通信などの開発等、光学・電子部品の高性能化・改良検討が進められている。

従来、光学部材用の樹脂には透明性や耐光性に優れるアクリル系樹脂が一般に多用されてきた。一方、光・電子機器分野に利用される光学部材用の樹脂には、電子基板等への実装プロセスや高温動作下での耐熱性や機械特性が求められ、エポキシ系樹脂がよく用いられていた。また、近年これらの樹脂の性能向上を目的として多数の技術が知られている。例えば、アクリル系樹脂の耐熱性の向上として、多官アクリレートモノマーを用いた架橋アクリル樹脂が検討され、特に脂環式アクリレートの硬化物は、ガラス転移温度が高く硬化収縮率及び吸湿率が小さいことから、脂環式アクリレートを含むアクリレート共重合体に関する技術開発が行われている（例えば、特許文献４参照）。また、光学接着剤等を用途とする、エステル部に炭素数５〜２２の脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステルとアルキレンオキサイドを有する多官能（メタ）アクリレートによる組成物が開示されている（例えば、特許文献５参照）。しかし、当該組成物は接着剤としての実装時の耐熱性を満足させるものではあるが、構造体としての耐熱性や機械特性については不十分である。

このように、近年の光学・電子部品の高性能化に対応するためには、さらなる材料開発が必要な状況にあり、アダマンタンの利用が期待されている。例えば、特許文献６は、グリシジルオキシ基含有アダマンタン化合物やアダマンチル基含有エポキシ変性アクリレートを開示する。しかしながら、該グリシジルオキシ基含有アダマンタン化合物は、酸無水物への溶解性が低いため加工性に劣るという問題がある。また、上記アダマンチル基含有エポキシ変性アクリレートは水酸基を有する化合物であり、その硬化物は吸水性があるため用途が限られるという問題がある。

特開平６−３０５０４４号公報特開平９−３０２０７７号公報特開平４−３９６６５号公報特開２００６−１９３６６０号公報特開平１１−６１０８１号公報特開２００８−１３３２４６号公報

本発明は上記事情に鑑みなされたもので、半導体用フォトレジスト、光半導体用封止剤、光学電子部材（光導波路、光通信用レンズ及び光学フィルムなど）及びこれらの接着剤として好適なアダマンタン化合物、すなわち、酸無水物への溶解性が高いアダマンタン化合物であって、透明性、耐光性などの光学特性や、長期耐熱性、誘電率などの電気特性に優れ、さらに、吸水性の低い硬化物を与えるアダマンタン化合物、その製造方法、当該化合物を含む組成物、および当該化合物を使用する硬化物を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特定構造のアダマンタン化合物が、上記課題を解決し得ることを見出した。本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち本発明は、
１．一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物、

〔式中、Ｘ¹は以下の一般式（Ｖ）で表される基であり、ａは１〜４の整数であり、ａが２以上の場合、複数のＸ¹はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｘは重合性基、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜５の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
２．一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物、

〔式中、Ｘ²は以下の一般式（Ｘ）で表される基であり、ｂは１〜４の整数であり、ｂが２以上の場合、複数のＸ²はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
３．一般式（Ｘ）において、ｒが０〜５の整数である上記２に記載のアダマンタン化合物、
４．一般式（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物、

〔式中、Ｘ³は以下の一般式（ＸＶ）で表される基であり、ｃは１〜４の整数であり、ｃが２以上の場合、複数のＸ³はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ⁶は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
５．一般式（ＸＶ）において、ｒが０〜５の整数である上記４に記載のアダマンタン化合物、
６．一般式（ＸＶＩ）〜（ＸＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物、

〔式中、Ｘ⁴は以下の一般式（ＸＸ）で表される基であり、ｄは１〜４の整数であり、ｄが２以上の場合、複数のＸ⁴はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ⁷は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
７．一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物、

〔式中、Ｘ⁵は以下の一般式（ＸＸＶ）で表される基であり、ｅは１〜４の整数であり、ｅが２以上の場合、複数のＸ⁵はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
８．一般式（ＸＸＶ）において、ｒが０〜５の整数である上記７に記載のアダマンタン化合物、
９．一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とエピハロヒドリン化合物を反応させる工程を含む、上記２または３に記載のアダマンタン化合物の製造方法、

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
１０．一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とアクリル酸、アクリル酸誘導体、置換アクリル酸および置換アクリル酸誘導体から選ばれる化合物を反応させる工程を含む、上記４または５に記載のアダマンタン化合物の製造方法、

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
１１．一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物と下記一般式（ＸＸＶＩ）で表されるスルホニル基含有オキセタン誘導体を反応させる工程を含む、上記６に記載のアダマンタン化合物の製造方法、

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ⁷は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒはスルホニル基を含有する基を表す。〕
１２．一般式（ＸＸＶＩＩ）〜（ＸＸＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物と環状炭酸エステル化合物を反応させる工程を含む、上記７または８に記載のアダマンタン化合物の製造方法、

〔式中、ＯＨは水酸基を表し、ｆは１〜４の整数である。〕
１３．一般式（ＸＸＶＩＩ）〜（ＸＸＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とエチレンオキサイド類を反応させる工程を含む、上記７または８に記載のアダマンタン化合物の製造方法、

〔式中、ＯＨは水酸基を表し、ｆは１〜４の整数である。〕
１４．一般式（ＸＸＸＩ）〜（ＸＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物、

〔式中、Ｘ⁶は以下の一般式（ＸＸＸＶ）で表される基であり、ｇは１〜４の整数であり、ｇが２以上の場合、複数のＸ⁶はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵、Ｒ⁸およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ¹⁰は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数、ｓは０〜６の整数、ｔは０〜６の整数を表す。ｐ〜ｔがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁸およびＲ⁹はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
１５．一般式（ＸＸＸＶ）において、ｒが０〜５の整数である上記１４に記載のアダマンタン化合物、
１６．一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とアクリル酸、アクリル酸誘導体、置換アクリル酸および置換アクリル酸誘導体から選ばれる化合物を反応させる工程を含む、上記１４または１５に記載のアダマンタン化合物の製造方法、

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
１７．上記１４または１５に記載のアダマンタン化合物と多価カルボン酸および／又は多価カルボン酸無水物を反応させることを特徴とするアダマンタン化合物の製造方法、
１８．上記１７に記載の製造方法で得られるアダマンタン化合物、
１９．上記１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上および重合開始剤を含有する組成物、
２０．上記１９に記載の組成物を加熱又は光照射により硬化させてなる硬化物、
２１．上記１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いた光学接着剤、
２２．上記１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いたシール剤、
２３．上記１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いたディスプレイ用カラーレジスト材料、
２４．上記１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いたプリント回路基板形成用レジスト材料、
２５．上記１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いたソルダーレジスト材料、
２６．上記１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いた半導体用下地膜材料、並びに
２７．上記１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いた光記録材料
に関するものである。

本発明によれば、光回路（光導波路）、光学部品、光学ディスク、ピックアップレンズなどに用いられる光学接着剤、シール剤、カラーレジスト材料、プリント回路基板形成用レジスト材料、ソルダーレジスト材料、半導体用レジスト材料、半導体用下地膜、光記録材料などとして好適に用いることができるアダマンタン化合物が提供される。

〔アダマンタン化合物〕
本発明のアダマンタン化合物は、特定のアダマンタン骨格、重合性基、およびこれらを結合する特定構造を有する結合基を含有するアダマンタン化合物である。すなわち、以下の一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表されるアダマンタン化合物である。

一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）において、Ｘ¹は以下の一般式（Ｖ）で表される基であり、ａは１〜４の整数であり、ａが２以上の場合、複数のＸ¹はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（Ｖ）において、Ｘは重合性基、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜５の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。
ここで、重合性基とは、ラジカル重合反応またはイオン重合反応が可能な部位を有する官能基をいい、重合性基の具体例としては、例えば以下の式で表される基が挙げられる。なお、本明細書においては基であることを明確にするために、波線を使用して表現することがある。

上記式において、Ｒ⁵は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｒ⁶およびＲ⁷はそれぞれ水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。好ましい重合性基としては、エポキシ含有基、オキセタン含有基、（メタ）アクリロイル基が挙げられる。

下記一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、重合性基がエポキシ含有基のアダマンタン化合物である。

一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）において、Ｘ²は以下の一般式（Ｘ）で表される基であり、ｂは１〜４の整数であり、ｂが２以上の場合、複数のＸ²はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（Ｘ）において、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表し、好ましくは、ｒは０〜５の整数である。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。

下記一般式（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、重合性基がアクリロイル基または置換アクリロイル基のアダマンタン化合物である。

一般式（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）において、Ｘ³は以下の一般式（ＸＶ）で表される基であり、ｃは１〜４の整数であり、ｃが２以上の場合、複数のＸ³はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（ＸＶ）において、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ⁶は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表し、好ましくは、ｒは０〜５の整数である。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。

下記一般式（ＸＸＸＩ）〜（ＸＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物もまた、重合性基がアクリロイル基または置換アクリロイル基のアダマンタン化合物である。

一般式（ＸＸＸＩ）〜（ＸＸＸＩＶ）において、Ｘ⁶は以下の一般式（ＸＸＸＶ）で表される基であり、ｇは１〜４の整数であり、ｇが２以上の場合、複数のＸ⁶はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（ＸＸＸＶ）において、Ｒ¹〜Ｒ⁵、Ｒ⁸およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ¹⁰は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数、好ましくは、ｒは０〜５の整数、ｓは０〜６の整数、ｔは０〜６の整数を表す。ｐ〜ｔがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁸およびＲ⁹はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。

下記一般式（ＸＶＩ）〜（ＸＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、重合性基がオキセタン含有基のアダマンタン化合物である。

一般式（ＸＶＩ）〜（ＸＩＸ）において、Ｘ⁴は以下の一般式（ＸＸ）で表される基であり、ｄは１〜４の整数であり、ｄが２以上の場合、複数のＸ⁴はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（ＸＸ）において、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ⁷は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表し、好ましくは、ｒは０〜５の整数である。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。

〔アダマンタン化合物の製造方法〕
上記のアダマンタン化合物は、以下の一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物を使用することで製造することができる。

一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）において、Ｘ⁵は以下の一般式（ＸＸＶ）で表される基であり、ｅは１〜４の整数であり、ｅが２以上の場合、複数のＸ⁵はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（ＸＸＶ）において、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表し、好ましくは、ｒは０〜５の整数である。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。

なお、一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、以下の一般式（ＸＸＶＩＩ）〜（ＸＸＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物と環状炭酸エステル化合物を反応させることで製造することができる。

一般式（ＸＸＶＩＩ）〜（ＸＸＸ）において、ＯＨは水酸基を表し、ｆは１〜４の整数である。
一般式（ＸＸＶＩＩ）〜（ＸＸＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物の具体例としては、４−（１−アダマンチル）−１，３−ジヒドロキシベンゼン、４−（１−アダマンチル）−１，２−ジヒドロキシベンゼン、３−（１−アダマンチル）−１，２−ジヒドロキシベンゼン、２−（１−アダマンチル）−１，４−ジヒドロキシベンゼン、２−（１−アダマンチル）−１，３−ジヒドロキシベンゼン、４−（１−アダマンチル）−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−（１−アダマンチル）−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、２−（１−アダマンチル）−１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、３−（１−アダマンチル）−１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、５−（１−アダマンチル）−１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、６−（１−アダマンチル）−１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、

１，３−ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（２，５−ジヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（２，６−ジヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（２，４，５−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（２，５，６−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（３，４，５−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、

２，２−ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（２，５−ジヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（２，６−ジヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（２，４，５−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（２，５，６−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，４，５−トリヒドロキシフェニル）アダマンタン、

２，３−ビス（１−アダマンチル）フェノール、２，４−ビス（１−アダマンチル）フェノール、２，５−ビス（１−アダマンチル）フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）フェノール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−フェノール、４，５−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−フェノール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−フェノール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−フェノール、２，４−ビス（１−アダマンチル）−３−メチル−フェノール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−３−メチル−フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−３−メチル−フェノール、４，５−ビス（１−アダマンチル）−３−メチル−フェノール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−３−メチル−フェノール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−３−メチル−フェノール、２，３−ビス（１−アダマンチル）−４−メチル−フェノール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−４−メチル−フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−４−メチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−４−メチル−フェノール、２，３−ビス（１−アダマンチル）−４−エチル−フェノール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−４−エチル−フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−４−エチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−４−エチル−フェノール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−２，６−ジメチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２，６−ジメチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２，４−ジメチル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２，４−ジメチル−フェノール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−２，４−ジメチル−フェノール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−２，５−ジメチル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２，５−ジメチル−フェノール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−２，５−ジメチル−フェノール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−３，４−ジメチル−フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−３，４−ジメチル−フェノール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−３，４−ジメチル−フェノール、２，４−ビス（１−アダマンチル）−３，５−ジメチル−フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−３，５−ジメチル−フェノール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−２−イソプロピル−フェノール、

３，５−ビス（１−アダマンチル）−２−イソプロピル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２−イソプロピル−フェノール、４，５−ビス（１−アダマンチル）−２−イソプロピル−フェノール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−２−イソプロピル−フェノール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−２−イソプロピル−フェノール、２，３−ビス（１−アダマンチル）−４−イソプロピル−フェノール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−４−イソプロピル−フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−４−イソプロピル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−４−イソプロピル−フェノール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチル−フェノール、４，５−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチル−フェノール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチル−フェノール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチル−フェノール、２，３−ビス（１−アダマンチル）−４−ｔ−ブチル−フェノール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−４−ｔ−ブチル−フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−４−ｔ−ブチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−４−ｔ−ブチル−フェノール、２，３−ビス（１−アダマンチル）−４−（１，１，３，３，−テトラメチルブチル）−フェノール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−４−（１，１，３，３，−テトラメチルブチル）−フェノール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−４−（１，１，３，３，−テトラメチルブチル）−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−４−（１，１，３，３，−テトラメチルブチル）−フェノール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−２，６−ジ−ｔ−ブチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２，６−ｔ−ブチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２，４−ジ−ｔ−ブチル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２，４−ジ−ｔ−ブチル−フェノール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−２，４−ジ−ｔ−ブチル−フェノール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−５−イソプロピル−２−メチル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−５−イソプロピル−２−メチル−フェノール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−５−イソプロピル−２−メチル−フェノール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−５−メチル−２−イソプロピル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−５−メチル−２−イソプロピル−フェノール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−５−メチル−２−イソプロピル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル−フェノール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチルー４−メチル−フェノール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチルー４−メチル−フェノール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチルー４−メチル−フェノール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−２，３，５−トリメチル−フェノール

２，４−ビス（１−アダマンチル）−１，３−ベンゼンジオール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−１，３−ベンゼンジオール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−１，３−ベンゼンジオール、４，５−ビス（１−アダマンチル）−１，３−ベンゼンジオール、３，４−ビス（１−アダマンチル）−１，２−ベンゼンジオール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−１，２−ベンゼンジオール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−１，２−ベンゼンジオール、４，５−ビス（１−アダマンチル）−１，２−ベンゼンジオール、２，３−ビス（１−アダマンチル）−１，４−ベンゼンジオール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−１，４−ベンゼンジオール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−１，４−ベンゼンジオール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−４−ヘキシル−１，３−ベンゼンジオール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−４−ヘキシル−１，３−ベンゼンジオール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−４−ヘキシル−１，３−ベンゼンジオール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−２，５−ジメチル−１，３−ベンゼンジオール、４，５−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−１，３−ベンゼンジオール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−１，３−ベンゼンジオール、２，４−ビス（１−アダマンチル）−５−メチル−１，３−ベンゼンジオール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−５−メチル−１，３−ベンゼンジオール、２，４，−ビス（１−アダマンチル）−５−メチル−１，３−ベンゼンジオール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−３，５−ジ−ｔ−ブチル−１，２−ベンゼンジオール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−４−メチル−１，２−ベンゼンジオール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−４−メチル−１，２−ベンゼンジオール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−４−メチル−１，２−ベンゼンジオール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−４−ｔ−ブチル−１，２−ベンゼンジオール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−４−ｔ−ブチル−１，２−ベンゼンジオール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−４−ｔ−ブチル−１，２−ベンゼンジオール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−１，４−ベンゼンジオール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２−メチル−１，４−ベンゼンジオール、３，５−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチル−１，４−ベンゼンジオール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２−ｔ−ブチル−１，４−ベンゼンジオール、３，６−ビス（１−アダマンチル）−２，５−ｔ−ブチル−１，４−ベンゼンジオール、４，５−ビス（１−アダマンチル）−１，２，３−ベンゼントリオール、４，６−ビス（１−アダマンチル）−１，２，３−ベンゼントリオール、２，５−ビス（１−アダマンチル）−１，３，４−ベンゼントリオール、２，６−ビス（１−アダマンチル）−１，３，４−ベンゼントリオール、５，６−ビス（１−アダマンチル）−１，３，４−ベンゼントリオール、

１，３−ビス（４−ヒドロキベンゼン）アダマンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシベンゼン）アダマンタン、１，３−ビス（２，３−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、１，３−ビス（２，４−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、１，３−ビス（２，５−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、１，３−ビス（２，６−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、１，３−ビス（３，４−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、２，２−ビス（２，３−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、２，２−ビス（２，４−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、２，２−ビス（２，５−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、２，２−ビス（２，６−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタン、２，２−ビス（３，４−ジヒドロキシベンゼン）アダマンタンなどが挙げられる。

上記アダマンタン化合物と反応させる環状炭酸エステル化合物としては、エチレンカーボネート、炭酸プロピレン、炭酸１、２−ブチレンなどが挙げられ、特にエチレンカーボネートが好ましい。アダマンタン化合物に対する環状炭酸エステル化合物の使用量は、通常２〜１０倍（モル）であり、好ましくは２〜４倍である。一般式（ＸＶ）におけるｐ、ｑおよびｒは、環状炭酸エステル化合物の種類、使用量、反応時間によって調整することができ、目的に合わせて適宜決定すればよい。
この反応においては、触媒として塩基を使用することが好ましく、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩などの有機アミンや水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、燐酸カリウム、ブトキシカリウムなどの無機塩基を使用することができる。アダマンタン化合物に対する塩基の使用量は、通常０．５〜５倍（モル）であり、好ましくは１〜３倍である。

使用する溶媒は、一般的な有機溶剤を使用することができ、例えば、炭化水素類、芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ＴＨＦ、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングチコールジメチルエーテルなどのエーテル系溶剤、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、ＨＭＰＡ（ヘキサメチルリン酸トリアミド）、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホラン等が挙げられる。反応温度は、通常、０〜２００℃であり、好ましくは８０〜１４０℃である。反応圧力は特に限定されるものではないが、装置の簡便さから常圧で行うことが望ましい。反応時間は、通常、１分〜４８時間であり、好ましくは１時間〜２４時間である。
得られた化合物は、必要に応じて精製を行うことができる。精製方法としては、蒸留、晶析、カラムクロマトグラフィーなど一般的なの精製方法の中から、製造スケール、必要な純度を考慮して選択することができる。

また、一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、前記一般式（ＸＸＶＩＩ）〜（ＸＸＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とエチレンオキサイド類を反応させる方法によっても製造することができる。
ここで、エチレンオキサイド類とは、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、イソブチレンオキサイドおよび２，３-ブチレンオキサイド等の環状エーテル化合物のことをいう。

この反応は、好ましくは、耐圧反応容器を用いて、原料となるアダマンタン化合物を有機溶媒へ溶解させ、塩基触媒の存在下で加熱しながら、エチレンオキサイド類を加圧下で反応させることによって行なわれる。
前記塩基触媒としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩などの有機アミンや水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、燐酸カリウム、ブトキシカリウムなどの無機塩基が挙げられる。原料アダマンタン化合物に対する塩基触媒の使用量は、通常０．０１〜５倍（モル）であり、好ましくは０．０５〜１倍である。

以下において、上記特定のアダマンタン骨格、重合性基、およびこれらを結合する特定構造を有する結合基を含有するアダマンタン化合物の製造方法について説明する。
１．一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）で表されるアダマンタン化合物の製造方法
上記の一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、上記一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とエピハロヒドリン化合物を反応させることで製造することができる。

上記エピハロヒドリン化合物としては、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリンなどが挙げられ、特にエピクロロヒドリンが好ましい。エピハロヒドリンとの反応において、アダマンタン化合物は、一種を単独で用いてもよく二種以上を混合して用いてもよい。
アダマンタン化合物とエピハロヒドリン化合物との反応は、通常、塩基性触媒の存在下で行う。塩基性触媒としては、ナトリウムアミド，トリエチルアミン，トリブチルアミン，トリオクチルアミン，ピリジン，Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン，１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５（ＤＢＮ），１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ），水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，水素化ナトリウム，燐酸ナトリウム，燐酸カリウム，炭酸ナトリウム，炭酸カリウム，酸化銀，ナトリウムメトキシド及びカリウムｔ−ブトキシドなどが挙げられる。塩基性触媒の使用割合は、塩基性触媒／原料の活性水素（モル比）が、２〜２０程度となる量であり、好ましくは４〜１２となる量である。
上記反応の際には、テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムクロリド及びテトラエチルアンモニウムブロミドなどの４級アンモニウム塩を相間移動触媒として添加してもよい。この４級アンモニウム塩の使用割合は、アダマンタン化合物に対して通常０．０１〜２０モル％程度であり、好ましくは０．１〜１０モル％である。

反応は、無溶媒又は溶媒の存在下で行う。溶媒としては、アダマンタン化合物の溶解度が０．５質量％以上、望ましくは５質量％以上の溶媒を用いるのが有利である。溶媒の使用量はアダマンタン化合物の濃度が０．５質量％以上、望ましくは５質量％以上となる量である。このとき、アダマンタン化合物は懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。溶媒として具体的には、ヘキサン，ヘプタン、トルエン、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、アセトン、メチルエチルケトン、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）及びなどが挙げられる。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。

アダマンタン化合物とエピハロヒドリン化合物との反応は、通常０〜２００℃程度、好ましくは４０〜１５０℃の温度において行う。反応温度が０℃以上であると、反応速度が低下せず適度のものとなるため、反応時間が短縮される。また、反応温度が２００℃以下であると、生成物の着色が抑制される。反応の際の圧力は、絶対圧力で通常０．０１〜１０ＭＰａ程度、望ましくは常圧〜１ＭＰａである。圧力が１０ＭＰａ以下であると、安全性が確保されるので特別な装置が不要となり、産業上有用である。反応時間は、通常１分〜２４時間程度、望ましくは１〜１０時間である。

通常、エポキシ環を持つ基を含有する化合物には２量体以上のオリゴマー成分が含まれ、上記の反応においても２量体以上のグリシジルオキシ基を含有するアダマンタン化合物オリゴマーが生成する。これらオリゴマーが混在していても何ら問題はないが、必要に応じて、蒸留、晶析、カラム分離などにより精製することができ、精製方法は、反応生成物の性状と不純物の種類により選択することができる。

上記反応において、グリシジルオキシ基含有アダマンタン化合物におけるグリシジルオキシ基の生成が不十分な場合、塩基触媒を用いた閉環反応により、グリシジルオキシ基含有量を改善することができる。この閉環反応は、通常２０〜２００℃程度、望ましくは３０〜１５０℃の温度において行う。反応の際の圧力は、絶対圧力で通常０．０１〜１０ＭＰａ程度、望ましくは常圧〜１ＭＰａである。圧力が１０ＭＰａ以下であると、安全性が確保されるので特別な装置が不要となり、産業上有用である。反応時間は、通常１分〜２４時間程度、望ましくは３０分〜１０時間である。

塩基触媒としては、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，燐酸ナトリウム，燐酸カリウム，炭酸ナトリウム，炭酸カリウム，水酸化カルシウム及び水酸化マグネシウムなどが挙げられる。塩基触媒の使用量は、グリシジルオキシ基含有アダマンタン化合物基準で通常０．１〜２０質量％程度、好ましくは１〜１０質量％である。塩基触媒の使用量が０．１質量％以上であると、反応速度が低下せず適度のものとなるため、反応時間が短縮される。また、塩基触媒の使用量が２０質量％以下であると、得られる効果と経済性のバランスが良好となる。
反応は、無溶媒又は溶媒の存在下で行うことができる。溶媒としては、グリシジルオキシ基含有アダマンタン化合物の溶解度が０．５質量％以上、望ましくは５質量％以上の溶媒を用いるのが有利である。溶媒の使用量は、グリシジルオキシ基含有アダマンタン化合物の濃度が０．５質量％以上、望ましくは５質量％以上となる量である。このとき、グリシジルオキシ基含有アダマンタン化合物は懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。溶媒として具体的には、ヘキサン，ヘプタン、トルエン、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）及びＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）などが挙げられる。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
反応生成物は、蒸留、晶析、カラム分離などにより精製することができ、精製方法は、反応生成物の性状と不純物の種類により選択することができる。

２．一般式（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）で表されるアダマンタン化合物の製造方法
上記の一般式（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、上記一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とアクリル酸、アクリル酸誘導体、置換アクリル酸および置換アクリル酸誘導体から選ばれる化合物を反応させることで製造することができる。

上記アクリル酸誘導体としては、アクリル酸クロライド、アクリル酸ブロマイド、アクリル酸無水物等が挙げられ、置換アクリル酸としては、メタクリル酸、α−トリフルオロメチルアクリル酸等が挙げられ、置換アクリル酸誘導体としては、メタクリル酸クロライド、α−トリフルオロメチルアクリル酸クロライド、メタクリル酸ブロマイド、α−トリフルオロメチルアクリル酸ブロマイド、メタクリル酸無水物、α−トリフルオロメチルメアクリル酸無水物等が挙げられる。これらの中で、特にアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライド、アクリル酸ブロマイド、メタクリル酸ブロマイドが好ましい。

以下において、上記の化合物を原料として、共沸脱水法、酸クロリド法、酸無水物法、及び縮合法でそれぞれ合成する場合の詳細について説明する。
＜共沸脱水法の場合＞
原料としては、通常、アクリル酸や置換アクリル酸が使用され、共沸脱水剤の存在下で反応を行う。反応温度は５０〜２００℃程度、望ましくは１００〜１８０℃である。５０℃以上とすることにより、反応速度が低下して反応時間が長くなるのを防止し、２００℃以下とすることにより、温度が高すぎて副反応が生じたり、着色が激しくなるのを防止することができる。圧力は、絶対圧力で、通常、０．０１〜１０ＭＰａ程度、望ましくは常圧〜１ＭＰａである。１０ＭＰａ以下とすることにより、安全上の問題を緩和するための特別な装置を必要とせず、産業上有用である。反応時間は、通常１分〜２４時間、望ましくは１時間〜１０時間である。

用いられる触媒としては、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒が挙げられ、その使用量は原料であるアダマンタン化合物に対して通常０．０１モル％〜２０モル％程度、好ましくは０．０５〜１０モル％である。
用いられる共沸脱水剤（溶媒）としては、アダマンタン化合物の溶解度が０．５質量％以上、望ましくは５質量％以上の溶媒が挙げられる。この時、アダマンタン化合物は懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。具体的には、ヘプタン、ノナン、デカン、ウンデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）及びこれらの混合溶媒などが挙げられる。
必要に応じて用いられる重合禁止剤としては、ヒドロキノン、メトキノン、フェノチアジン、メトキシフェノチアジンなどが挙げられる。重合禁止剤の使用量はアダマンタン化合物に対して、通常１０〜１００００質量ｐｐｍ程度、好ましくは５０〜５０００質量ｐｐｍである。

＜酸ハライド法の場合＞
原料としては、通常、アクリル酸ハライド、置換アクリル酸ハライドが用いられる。反応温度は、通常−５０〜１００℃程度、望ましくは０〜５０℃である。−５０℃以上とすることにより、特別な装置を必要とせず、産業上有用である。１００℃以下とすることにより、副反応が生じたり、着色が激しくなるのを防止することができる。圧力は、絶対圧力で通常０．０１〜１０ＭＰａ程度、望ましくは常圧〜１ＭＰａである。１０ＭＰａ以下とすることにより、安全上の問題を緩和するための特別な装置を必要とせず、産業上有用である。反応時間は、通常、１分〜２４時間程度、望ましくは１時間〜１０時間である。

酸ハライドの使用量はアダマンタン化合物１モルに対して、通常、２〜１０モル程度、好ましくは２〜４モルである。酸ハライドの使用量を２モル以上とすることにより、反応の進行が早くなり、１０モル以下とすることにより、後処理の中和工程が容易となるので好ましい。酸ハライド法の場合、反応により発生する酸の捕捉剤として、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどの有機アミンや水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、燐酸カリウムなどの無機塩基を使用することが好ましい。アダマンタン化合物に対する塩基の使用割合は、塩基／アダマンタン化合物（モル比）が０．５〜５程度となる量であり、好ましくは１〜３となる量である。
溶媒は、ヘプタン、ノナン、デカン、ウンデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、酢酸エチル、ジオキサン、ＰＧＭＥＡ（酢酸プロピレングリコールメチルエーテル）、１，３−ジメトキシエタン、ＤＭＦ、ＮＭＰ、ＤＭＡｃ、ＤＭＳＯなどを選択することができる。
必要に応じて用いられる重合禁止剤としては、ヒドロキノン、メトキノン、フェノチアジン、メトキシフェノチアジンなどが挙げられる。重合禁止剤の使用量はアダマンタン化合物に対して、通常１０〜１００００質量ｐｐｍ程度、好ましくは５０〜５０００質量ｐｐｍである。

＜酸無水物法の場合＞
原料としては、通常、アクリル酸無水物、置換アクリル酸無水物が用いられる。反応温度は、通常５０〜１００℃、望ましくは０〜５０℃である。５０℃以上とすることにより、特別な装置を必要とせず、産業上有用である。１００℃以下とすることにより、温度が高すぎて副反応が生じたり、着色が激しくなるのを防止することができる。圧力は、絶対圧力で通常０．０１〜１０ＭＰａ、望ましくは常圧〜１ＭＰａである。１０ＭＰａ以下とすることにより、安全上の問題を緩和するための特別な装置を必要とせず、産業上有用である。反応時間は、通常、１分〜２４時間程度、望ましくは１時間〜１０時間である。

酸無水物の使用量はアダマンタン化合物１モルに対して、通常、２〜１０モル程度、好ましくは２〜５モルである。触媒として塩基を用いることができ、塩基としては、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどの有機アミンや水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、燐酸カリウムなどの無機塩基が挙げられる。塩基の使用割合は、塩基／アダマンタン化合物（モル比）が通常０．５〜８程度となる量であり、好ましくは２〜４となる量である。
溶媒、重合禁止剤については、上記酸ハライド法で挙げたものを使用することができる。精製方法としては、蒸留、晶析、カラム分離などが可能であり、生成物の性状と不純物の種類により精製方法を選択することができる。

＜縮合法の場合＞
原料としては、通常、アクリル酸、置換アクリル酸が用いられる。反応温度は、通常−２０〜２００℃程度、望ましくは０〜１００℃である。−２０℃以上とすることにより、反応速度が低下して反応時間が長くなるのを防止することができる。２００℃以下とすることにより、温度が高すぎて副反応が生じたり、着色が激しくなるのを防止することができる。圧力は絶対圧力で通常、０．０１〜１０ＭＰａ程度、望ましくは常圧〜１ＭＰａである。１０ＭＰａ以下とすることにより、安全上の問題を緩和するための特別な装置を必要とせず、産業上有用である。反応時間は、通常１分〜２４時間程度、望ましくは１時間〜１０時間である。

縮合法の場合、ジシクロヘキシルカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミドのような縮合剤が用いられる。使用量は、アダマンタン化合物１モルに対して、縮合剤が２〜８モル程度となる量であり、好ましくは２〜５モルとなる量である。反応が遅い場合には、塩基を加えてもよい。塩基としては、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどの有機アミンや水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、燐酸カリウムなどの無機塩基を使用することができる。アダマンタン化合物に対する塩基の使用割合は、塩基／アダマンタン化合物（モル比）が通常０．５〜５程度となる量であり、好ましくは２〜３となる量である。溶媒としては、アダマンタン化合物の溶解度が０．５質量％以上、望ましくは５質量％以上の溶媒が挙げられる。この時、アダマンタン化合物は懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。具体的には、ノナン、デカン、ウンデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、エーテル、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ジオキサン、ＤＭＦ、ＮＭＰ、ＤＭＡｃ、ＤＭＳＯ及びこれらの混合溶媒などが挙げられる。必要により、ヒドロキノン、メトキノン、フェノチアジン、メトキシフェノチアジン等の重合禁止剤をアダマンタン化合物に対して、１０〜１００００質量ｐｐｍ、好ましくは５０〜５０００質量ｐｐｍ添加しても良い。

３．一般式（ＸＶＩ）〜（ＸＩＸ）で表されるアダマンタン化合物の製造方法
上記の一般式（ＸＶＩ）〜（ＸＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、上記一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とスルホニル基含有オキセタン誘導体を反応させることで製造することができる。スルホニル基含有オキセタン誘導体としては、下記一般式（ＸＸＶＩ）で表される化合物が挙げられる。

一般式（ＸＸＶＩ）において、Ｒ⁷は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表し、Ｒはスルホニル基を含有する基を表す。Ｒで表されるスルホニル基を含有する基としては、脱離性スルホニル基として従来公知の基を挙げることができ、例えばメシルオキシ基やトシルオキシ基が挙げられ、反応性の観点からトシルオキシ基が好ましい。

前記スルホニル基含有オキセタン誘導体の具体例としては、（３−メチルオキセタン−３−イル）メチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−プロピルオキセタン−３−イル）メチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−ブチルオキセタン−３−イル）メチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−メチルオキセタン−３−イル）エチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−エチルオキセタン−３−イル）エチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−プロピルオキセタン−３−イル）エチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−ブチルオキセタン−３−イル）エチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−メチルオキセタン−３−イル）プロピル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−エチルオキセタン−３−イル）プロピル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−プロピルオキセタン−３−イル）プロピル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−ブチルオキセタン−３−イル）プロピル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−メチルオキセタン−３−イル）ブチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−エチルオキセタン−３−イル）ブチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−プロピルオキセタン−３−イル）ブチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−ブチルオキセタン−３−イル）ブチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−メチルオキセタン−３−イル）ペンチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−エチルオキセタン−３−イル）ペンチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−プロピルオキセタン−３−イル）ペンチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−ブチルオキセタン−３−イル）ペンチル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−メチルオキセタン−３−イル）ヘキシル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−エチルオキセタン−３−イル）ヘキシル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−プロピルオキセタン−３−イル）ヘキシル４−メチルベンゼンスルホネート、（３−ブチルオキセタン−３−イル）ヘキシル４−メチルベンゼンスルホネートなどが挙げられる。

前記アダマンタン化合物の合成の際の反応温度は、通常０〜２００℃程度、好ましくは２０〜１００℃である。反応温度が０℃以上であると反応速度が低下せず、反応時間が短縮される、また、反応温度が２００℃以下であると、目的物であるアダマンタン化合物の着色が少なくなる。反応の際の圧力は、絶対圧力で０．０１〜１０ＭＰａ程度、好ましくは常圧〜１ＭＰａである。圧力が０．０１〜１０ＭＰａであると、安全性が確保されるので、特別な装置が不要となり、経済性が向上する。反応時間は、通常１分〜２４時間程度、望ましくは１時間〜１０時間である。

前記アダマンタン化合物の合成の際には、通常塩基性触媒が用いられる。この塩基性触媒の具体例としては、ナトリウムアミド，トリエチルアミン，トリブチルアミン，トリオクチルアミン，ピリジン，Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン，１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５（ＤＢＮ），１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ），テトラメチルアンモニウムクロリド，テトラエチルアンモニウムクロリド，ナトリウム、カリウム、セシウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，水素化ナトリウム，燐酸ナトリウム，燐酸カリウム，炭酸ナトリウム，炭酸カリウム，炭酸セシウム、酸化銀，ナトリウムメトキシド，カリウムｔ−ブトキシドなどが挙げられる。反応性の観点から、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，水素化ナトリウム，燐酸ナトリウム，燐酸カリウム，炭酸ナトリウム，炭酸カリウム，炭酸セシウム、カリウムｔ−ブトキシドが好ましい。

反応は、無溶媒でも溶媒を使用してもよい。溶媒としては、フェノール性水酸基含有アダマンタン誘導体の溶解度が、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは５質量％以上の溶媒を用いる。溶媒量は原料アダマンタン化合物〔一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物〕の濃度が、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは５質量％以上となる量である。この時、当該アダマンタン化合物が懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。溶媒の具体例としては、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどが挙げられ、これらは単独又は二種以上を組み合わせて使用することができる。前記原料アダマンタン化合物の溶解性の観点から、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）が好ましい。
反応生成物は、必要に応じて、蒸留、晶析、カラム分離などにより精製することができ、精製方法は、反応生成物の性状と不純物の種類により選択すればよい。

４．一般式（ＸＸＸＩ）〜（ＸＸＸＩＶ）で表されるアダマンタン化合物の製造方法
上記の一般式（ＸＸＸＩ）〜（ＸＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物は、上記一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とアクリル酸、アクリル酸誘導体、置換アクリル酸および置換アクリル酸誘導体から選ばれる化合物を反応させることで製造することができる。

上記アクリル酸誘導体としては、ヒドロキシルエチルアクリル酸、ヒドロキシルプロピルアクリル酸、アクリル酸２−ヒドロキシルエチルが挙げられ、置換アクリル酸としては、メタクリル酸、トリフルオロアクリル酸が挙げられ、置換アクリル酸誘導体としては、ヒドロキシルエチルメタクリル酸、ヒドロキシルエチルα-トリフルオロメチルアクリル酸、ヒドロキシルプロピルメタクリル酸、ヒドロキシルプロピルα-トリフルオロメチルアクリル酸、メタクリル酸２−ヒドロキシルエチル、α−トリフルオロメチルアクリル酸２−ヒドロキシルエチルなどが挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、トリフルオロアクリル酸、アクリル酸２−ヒドロキシルエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシルエチルがよい。

反応に用いる触媒は、塩基もしくは酸のどちらかを選択できる。塩基としては、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩などの有機アミンや水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、燐酸カリウムなどの無機塩基を使用することができる。塩基の使用割合は、塩基／エポキシ当量が通常０．５〜１０程度となる量であり、好ましくは２〜６となる量である。酸としては、ｐ−トルエンスルホン酸、硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フッ化ホウ素等を使用することができる。酸の使用割合は、酸／エポキシ当量が通常０．１〜５程度となる量であり、好ましくは０．５〜３となる量である。

反応温度は、通常０〜２００℃、好ましくは８０〜１４０℃である。反応圧力は特に限定されるものではないが、装置の簡便さから常圧で行うことが望ましい。必要によりヒドロキノン、メトキノン、フェノチアジン、メトキシフェノチアジンなどを重合禁止剤として添加しても良く、通常は原料アダマンタン化合物に対して、１０〜１００００質量ｐｐｍ、好ましくは５０〜５０００質量ｐｐｍ用いられる。反応時間は、通常１分〜４８時間であり、望ましくは１時間〜２４時間である。
得られた化合物は、必要に応じて、精製を行うことができる。精製方法としては、蒸留、晶析、カラムクロマトグラフィーなど一般的なの精製方法の中から、製造スケール、必要な純度を考慮して、選択することができる。

さらに、一般式（ＸＸＸＩ）〜（ＸＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物と多価カルボン酸および／又は多価カルボン酸無水物の反応により、アダマンタン含有アルカリ可溶型重合性不飽和樹脂を調製することができる。
上記多価カルボン酸は、ジカルボン酸、テトラカルボン酸などの複数のカルボキシル基を有するカルボン酸であり、このような多価カルボン酸、あるいはその無水物としては、マレイン酸、コハク酸、イタコン酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸、クロレンド酸、メチルテトラヒドロフタル酸、グルタル酸などのジカルボン酸およびそれらの無水物；トリメリット酸またはその無水物、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、４-（１，２−ジカルボキシエチル）-１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−１，２−ジカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ビフェニルエーテルテトラカルボン酸などのテトラカルボン酸およびそれらの酸二無水物などが挙げられる。

〔組成物〕
本発明の組成物は、上記の特定のアダマンタン骨格、重合性基、およびこれらを結合する特定構造を有する結合基を含有するアダマンタン化合物および硬化に必要な重合開始剤を含有する硬化性の組成物である。重合開始剤としては、熱重合開始剤及び光重合開始剤が挙げられる。
上記熱重合開始剤の具体例としては、ベンゾイルパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイト、メチルイソブチルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイドなどの有機過酸化物やアゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ系開始剤が挙げられる。
上記光重合開始剤の具体例としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンジル類、ベンゾインエーテル類、ベンジルジケタール類、チオキサントン類、アシルホスフィンオキサイド類、アシルホスフィン酸エステル類、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族ヨードシル塩、芳香族スルホキソニウム塩、メタロセン化合物などが挙げられる。
重合開始剤の添加量は、組成物の全量に対して通常０．０１〜１０質量％、好ましくは０．０５〜５質量％であり、これらを単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

本発明の組成物は、耐熱性や機械物性等に悪影響を与えない限りにおいて他の重合性モノマーを含んでもよい。そのような重合性モノマーの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、アダマンタン−１，３−ジオールジ（メタ）アクリレート、アダマンタン−１，３−ジメタノールジ（メタ）アクリレート、アダマンタン−１，３−ジエタノールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどが挙げられる。

本発明の組成物は、さらにバインダーポリマーを含んでいても良い。バインダーポリマーとしては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。アルカリ現像性の見地からは、アクリル系樹脂が好ましい。これらは単独又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
バインダーポリマーは、例えば、重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。上記重合性単量体としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン等の重合可能なスチレン誘導体、アクリルアミド、アクリロニトリル、ビニル−ｎ−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエステル類、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、α−ブロモ（メタ）アクリル酸、α−クロル（メタ）アクリル酸、β−フリル（メタ）アクリル酸、β−スチリル（メタ）アクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸などが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、これらの構造異性体等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

本発明の組成物には、さらに必要に応じて、従来から用いられている、例えば、硬化促進剤、劣化防止剤、変性剤、シランカップリング剤、脱泡剤、無機粉末、溶剤、レベリング剤、離型剤、染料、及び顔料など公知の各種添加剤を添加してもよい。
上記硬化促進剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ［５.４.０］ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリス（２，４，６−ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン類、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート等のリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類、及びこれらの誘導体等が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、あるいは、併用してもよい。これら硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類及びリン化合物を用いることが好ましい。
硬化促進剤の含有率は、上記アダマンタン誘導体１００質量部に対して、０．０１〜８．０質量部であることが好ましく、より好ましくは０．１〜３．０質量部である。硬化促進剤の含有率を上記範囲とすることにより、充分な硬化促進効果を得られ、また、得られる硬化物に変色が見られない。

劣化防止剤としては、例えば、フェノール系化合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物及びリン系化合物などの、従来から公知の劣化防止剤が挙げられる。劣化防止剤を添加すると、本発明の組成物における耐熱性や透明性等の特性を保持することができる。
フェノール系化合物としては、イルガノクス１０１０（Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、登録商標）、イルガノクス１０７６（Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、登録商標）、イルガノクス１３３０（Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、登録商標）、イルガノクス３１１４（Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、登録商標）、イルガノクス３１２５（Ｉｒｇａｎｏｘ３１２５、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、登録商標）、イルガノクス３７９０（Ｉｒｇａｎｏｘ３７９０、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、登録商標）、ＢＨＴ、シアノクス１７９０（Ｃｙａｎｏｘ１７９０、サイアナミド社製、登録商標）及びスミライザーＧＡ−８０（ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＡ−８０、住友化学社製、登録商標）などの市販品を挙げることができる。

アミン系化合物としては、イルガスタブＦＳ０４２（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、登録商標）、ＧＥＮＯＸＥＰ（クロンプトン社製、登録商標、化合物名；ジアルキル−Ｎ−メチルアミンオキサイド）など、さらにはヒンダードアミン系である旭電化社製のＡＤＫＳＴＡＢＬＡ−５２、ＬＡ−５７、ＬＡ−６２、ＬＡ−６３、ＬＡ−６７、ＬＡ−６８、ＬＡ−７７、ＬＡ−８２、ＬＡ−８７、ＬＡ−９４、ＣＳＣ社製のＴｉｎｕｖｉｎ１２３、１４４、４４０、６６２、Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ２０２０、１１９、９４４、Ｈｏｅｃｈｓｔ社製のＨｏｓｔａｖｉｎＮ３０、Ｃｙｔｅｃ社製のＣｙａｓｏｒｂＵＶ−３３４６、ＵＶ−３５２６、ＧＬＣ社製のＵｖａｌ２９９及びＣｌａｒｉａｎｔ社製のＳａｎｄｕｖｏｒＰＲ−３１等を挙げることができる。
有機硫黄系化合物としては、ＤＳＴＰ（ヨシトミ）（吉富社製、登録商標）、ＤＬＴＰ（ヨシトミ）（吉富社製、登録商標）、ＤＬＴＯＩＢ（吉富社製、登録商標）、ＤＭＴＰ（ヨシトミ）（吉富社製、登録商標）、Ｓｅｅｎｏｘ４１２Ｓ（シプロ化成社製、登録商標）及びＣｙａｎｏｘ１２１２（サイアナミド社、登録商標）などの市販品を挙げることができる。

変性剤としては、例えば、グリコール類、シリコーン類、アルコール類などの、従来から公知の変性剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、シラン系、チタネート系などの、従来から公知のシランカップリング剤が挙げられる。脱泡剤としては、例えば、シリコーン系などの、従来から公知の脱泡剤が挙げられる。無機粉末としては、用途に応じて粒径が数ｎｍ〜１０μｍのものが使用でき、例えば、ガラス粉末、シリカ粉末、チタニア、酸化亜鉛及びアルミナなどの公知の無機粉末が挙げられる。溶剤としては、樹脂成分が粉末の場合や、コーティングの希釈溶剤として、トルエンやキシレンなどの芳香族系溶剤やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤などを使用することができる。
本発明の組成物は、成型する金型への注入後に、あるいはコーティングにより所望の形状にした後に、加熱硬化あるいはＵＶ照射等で光硬化することができる。

〔アダマンタン化合物の硬化物〕
本発明の硬化物は、上記組成物を熱硬化または光硬化することにより得ることができる。
熱硬化温度は３０〜２００℃程度、好ましくは５０〜１５０℃である。３０℃以上とすることにより硬化不良となることがなく、２００℃以下とすることにより着色などを生じることがなくなる。硬化時間は使用するアダマンタン化合物や重合開始剤などによって異なるが、０．５〜６時間程度が好ましい。
光硬化においては、例えば紫外線の照射により硬化物を得ることができる。紫外線の照射光量はアダマンタン化合物や重合開始剤の種類、硬化物の膜厚などの諸条件により異なるが、通常、１００〜５０００ｍＪ／ｃｍ²程度、好ましくは５００〜４０００ｍＪ／ｃｍ²である。紫外線照射後に後加熱を行ってもよく、７０〜２００℃程度で０．５〜１２時間程度行うことが好ましい。

本発明の組成物から得られる硬化物は、透明性、（長期）耐光性などの光学特性、耐熱性に優れており、良好な機械物性を有し、線膨張係数や硬化収縮率が低い。また、本発明の組成物が含有するアダマンタン化合物はアダマンタン骨格を有し、耐熱性、接着性に優れており且つエッチング耐性も備えている。
このように本発明のアダマンタン化合物および組成物は、優れた特性を有するので、これらから選択される１種以上を、光回路（光導波路）、光学部品、光学ディスク、ピックアップレンズなどに用いられる光学接着剤、シール剤、カラーレジスト材料、プリント回路基板形成用レジスト材料、ソルダーレジスト材料、半導体用レジスト材料、半導体用下地膜、光記録材料などとして好適に用いることができる。

その他、本発明の組成物は、光半導体（ＬＥＤなど）、フラットパネルディスプレイ（有機ＥＬ素子など）、電子回路、光回路（光導波路）用の封止剤、光通信用レンズ、光学用フィルムなどの光学電子部材、半導体素子／集積回路（ＩＣ他），個別半導体（ダイオード、トランジスタ、サーミスタなど）、ＬＥＤ（ＬＥＤランプ、チップＬＥＤ、受光素子、光半導体用レンズ），センサー（温度センサー、光センサー、磁気センサー）、受動部品（高周波デバイス、抵抗器、コンデンサなど）、機構部品（コネクター、スイッチ、リレーなど）、自動車部品（回路系、制御系、センサー類、ランプシールなど）、光学用フィルムの表面コーティング、半導体用封止剤、半導体用反射防止膜などの半導体形成材料としても有用である。

光半導体（ＬＥＤなど）用封止剤としての構成は、砲弾型あるいはサーフェスマウント（ＳＭＴ）型などの素子に適用でき、金属やポリアミド上に形成されたＧａＮなどの半導体と良好に密着し、さらにＹＡＧなどの蛍光色素を分散しても使用できる。さらに、砲弾型ＬＥＤの表面コート剤、ＳＭＴ型ＬＥＤのレンズなどにも使用可能である。
有機ＥＬ用に適用する際の構成は、一般的なガラスや透明樹脂などの透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子に適用可能である。有機ＥＬ素子の封止材として、金属缶や金属シートあるいはＳｉＮなどのコーティングされた樹脂フィルムをＥＬ素子にカバーする際の接着剤、あるいは本発明の組成物にガスバリアー性を付与するために無機フィラーなどを分散させることで、直接、ＥＬ素子を封止することも可能である。表示方式として、現在、主流のボトムエミッション型にも適用可能であるが、今後、光の取出し効率などの点で期待されるトップエミッション型に適用することで、本発明の組成物の透明性や耐熱性の効果を活かせる。
光回路に使用する際の構成は、シングルモードやマルチモード用の熱光学スイッチやアレイ導波路型格子、合分波器、波長可変フィルター、あるいは光ファイバーのコア材料やクラッド材料にも適用できる。また、導波路に光を集光するマイクロレンズアレイやＭＥＭＳ型光スイッチのミラーにも適用できる。また、光電変換素子の色素バインダーなどにも適用可能である。
光学用フィルムとして用いる際の構成は、液晶用のフィルム基板、有機ＥＬ用フィルム基板などのディスプレイ用として、あるいは光拡散フィルム、反射防止フィルム、蛍光色素などを分散することによる色変換フィルムなどに適用可能である。
回路形成用基板に用いる場合であっても、該基板に対する密着性と剥離特性との双方を高水準で維持することができ、配線を形成する際に、配線の断線及びショートの発生を充分に防止することが可能となる。

次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。

実施例１
アダマンタン化合物１（（２，２−［（４、６−ジアダマンチル−１、３−フェニレン）ビス（オキシ）］ジエタノール）の合成
還流冷却器、温度指示計、三方コックを取付けた１０００ｍｌの４ツ口フラスコに、２，４−ビスアダマンチル−１，５−ジヒドロキシベンゼン［６０ｇ、１５９ｍｍｏｌ］、エチレンカーボネート［３０．８ｇ、３４９ｍｍｏｌ］、炭酸カリウム［４８．２ｇ、３４９ｍｍｏｌ］、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下にて１２０℃に加熱した。反応開始から５時間後にＴＬＣ分析をおこない、原料のピークの消失を確認後、反応溶媒を室温まで冷却した。反応溶媒に対して２倍量の水を用意し、その中に反応液を流し込み、撹拌した。析出した固体をろ過し、乾燥した。（収量７１．８ｇ，収率９７％，融点２２１℃）

スペクトルデータ
核磁気共鳴スペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ₃）日本電子株式会社製ＪＮＭ−ＥＣＡ５００
¹Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：１．６５（ｈ，１２Ｈ）、１．８４−１．８６（ｊ，１２Ｈ）、２．２（ｉ，６Ｈ）、４．０（ａ，４Ｈ）、４．１（ｂ，４Ｈ）、７．１０（ｄ，１Ｈ），７．２５（ｆ，１Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ）：２１．５（ｇ）、２９．１（ｉ）、３７．１（ｊ）、４３．２（ｈ）、６０．９（ａ）、７２．１（ｂ）、１００（ｄ）、１２８．１（ｅ）、１２８．９（ｆ）、１４５（ｃ）

実施例２
アダマンタン化合物２（ジアクリレート変性体の合成）
滴下ロート、温度指示計、三方コックを取付けた１０００ｍｌの４ツ口フラスコに、２，２−［（４、６−ジアダマンチル−１、３−フェニレン）ビス（オキシ）］ジエタノール［３０ｇ、６４．３ｍｍｏｌ］、トリエチルアミン［３５．９ｍｌ、２５７ｍｍｏｌ］、ＴＨＦ４５０ｍｌ仕込み、攪拌しながら０℃になるまで冷却した。その後、アクリル酸クロライド［１６．８ｍｌ、１９３ｍｍｏｌ］を滴下し、ＴＬＣより、原料のピークが消失するまで反応を続けた。反応液に酢酸エチル３００ｍｌを加え、有機相を水１５０ｍｌ、飽和食塩水１５０ｍｌ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌで洗浄した。その後、溶媒を留去後、目的物を得た。（収量３２ｇ，収率８２％，融点１５６℃）

スペクトルデータ
核磁気共鳴スペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ₃）日本電子株式会社製ＪＮＭ−ＥＣＡ５００
¹Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：１．６５（ｈ，１２Ｈ）、１．８４−１．８６（ｊ，１２Ｈ）、２．２（ｉ，６Ｈ）、４．２（ｂ，４Ｈ）、４．６（ａ，４Ｈ）、５．８（ｍ１，２Ｈ）、６．１（ｌ，２Ｈ）、６．４（ｍ２，２Ｈ）、７．１０（ｄ，１Ｈ），７．２５（ｆ，１Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ）：２１．５（ｇ）、２９．１（ｉ）、３７．１（ｊ）、４３．２（ｈ）、６８．９（ａ）、７２．１（ｂ）、１００（ｄ）、１２８．１（ｅ）、１２８．３（ｌ）、１２８．９（ｆ）、１３０（ｍ）、１４５（ｃ）、１６６．５（ｋ）

実施例３
ジアクリレート変性体硬化物の合成
実施例２で得られたアダマンタン化合物２（ジアクリレート変性体）５ｇと重合開始剤であるベンゾイソブチルエーテル１質量％、ＭＥＫ（メチルエーテルケトン）１０ｇを加え、撥水処理をしたガラス基板へ塗布してから、７０度で乾燥をおこない、ＵＶ照射により硬化させた。
物性評価は、次のように行い、その評価結果を第１表に示した。
（１）ガラス転移温度（℃）：Ｔｇ
硬化した試料をアルミ容器に５ｍｇ入れ、示差走査型熱量計（パーキネルマー社製、ＤＳＣ−７）を用い、０℃から１０℃／分にて昇温して、得られた熱流束曲線に観測される不連続点より求めた。
（２）熱分解温度（℃）：Ｔｄ（５％）
硬化した試料をアルミ容器に５ｍｇ入れ、示差熱熱質量同時測定装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、ＴＧ／ＤＡＴ６０００）を用い、窒素雰囲気下、２５℃から６００℃まで、５℃／分で昇温させることにより得られた質量変化曲線にて質量が５％減少した時の温度を求めた。ガラス転移温度及び熱分解温度が高いと耐熱性に優れたものとなる。
（３）硬化率の評価
薄膜状に硬化させた薄膜をフーリエ変換型赤外分光装置（パーキネルマー社製、ＳＰ−１）にて、測定をおこない、下記の式から硬化率を算出した。測定波長は、二重結合の面外変角である約８１０ｃｍ^-1のピーク強度から算出した。
（硬化率％）＝（１−（硬化物のピーク強度）／（反応前のサンプルのピーク強度））＊１００

比較例１
実施例３と同様に、アダマンチル基含有エポキシ変性アクリレート（１，３−ビス（１−アダマンチル）−４，６−ビス（３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）ベンゼン）５ｇと開始剤ベンゾイソブチルエーテルを加え、ＭＥＫ１０ｇを加え、撥水処理をしたガラス基板へ塗布してから、７０度で乾燥をおこない、ＵＶ照射により硬化させた。硬化物の物性を第１表に示した。

実施例４
アダマンタン化合物３（エポキシ変性体）の合成
還流冷却器、温度指示計、三方コックを取付けた１０００ｍｌの４ツ口フラスコに、２，２−［（４、６−ジアダマンチル−１、３−フェニレン）ビス（オキシ）］ジエタノール［７１．８ｇ、１５４ｍｍｏｌ］、エピクロロヒドリン［９６．６ｍｌ、１．２３ｍｏｌ］、トルエン２０１ｍｌ、ジメチルスルホキシド１０１ｍｌを仕込み、攪拌しながら８０℃になるまで加熱した。その後、水酸化ナトリウムを１２．３ｇずつ３０分ごとに３回に分けて添加した。ＴＬＣ分析をおこない、原料のピークの消失を確認後、室温まで冷却した。反応液にトルエン５００ｍｌ、水５００ｍｌを加え、トルエン相を抽出し、０．５ｍｏｌ／ｌ塩酸５００ｍｌ、５００ｍｌの水、飽和食塩水で洗浄した。反応液を濃縮し、再結晶をかけ、目的物を得た。（収量７６ｇ，収率８５％，エポキシ当量２９８，融点１１２℃）

スペクトルデータ
核磁気共鳴スペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ₃）日本電子株式会社製ＪＮＭ−ＥＣＡ５００
¹Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：１．６５（ｈ，１２Ｈ）、１．８４−１．８６（ｊ，１２Ｈ）、２．２（ｉ，６Ｈ）、２．４−２．６（ｐ，４Ｈ）、２．９（ｏ，２Ｈ）、３．４−３．６（ｎ，４Ｈ）、３．８（ａ，４Ｈ）、４．１（ｂ，４Ｈ）、７．１０（ｄ，１Ｈ），７．２５（ｆ，１Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ）：２１．５（ｇ）、２９．１（ｉ）、３７．１（ｊ）、４３．２（ｈ）、４４．２（ｐ）、５０．３（ｏ）、６９．７（ａ）、６９．９（ｂ）、７３．８（ｎ）、１００（ｄ）、１２８．１（ｅ）、１２８．９（ｆ）、１４５（ｃ）、１６６．５（ｋ）

実施例５
エポキシ変性体硬化物の合成
実施例４で得られたアダマンタン誘導体５ｇ及び酸無水物としてメチルヘキサヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製、ＭＨ７００）２．７９ｇ、硬化促進剤として１，８−ジアザビシクルロ［５．４．０］ウンデセン−７のオクチル酸塩（サンアプロ社製、ＳＡ１０２）０．１ｇを混合し、脱泡後、１１０℃で２時間、その後１５０℃で３時間加熱し、硬化樹脂（膜厚３ｍｍシート）を製造した。
物性評価は、次のように行い、その評価結果を第２表に示した。
（１）溶解性試験
実施例５の組成液を作り、酸無水物に溶解した温度により、溶解性を評価した。溶解性が良好であれば、低温で溶解し、溶解性が悪ければ、溶解する温度が高くなる。溶解性が良好であれば、ハンドリングが容易となる。
（２）吸水率試験
４時間、１００℃の沸騰水に硬化物を浸し、浸す前後の硬化物重量から吸水率を算出した。

比較例２
実施例５と同様に、４，６−ビス（１−アダマンチル）−１，３−ジグリシジルオキシベンゼン５ｇ及び酸無水物としてメチルヘキサヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製、ＭＨ７００）３．０６ｇ、硬化促進剤として１，８−ジアザビシクルロ［５．４．０］ウンデセン−７のオクチル酸塩（サンアプロ社製、ＳＡ１０２）０．１ｇを室温で混合し、脱泡後、１１０℃で２時間、その後１７０℃で４時間加熱し、硬化樹脂（膜厚３ｍｍシート）を製造した。得られた樹脂硬化物の評価結果を第２表に示した。

実施例６
内容積１Ｌの耐圧反応容器に２，４−ビスアダマンチル−１，５−ジヒドロキシベンゼン３７８ｇ、トルエン１５０ｇ、トリエチルアミン２．５ｇを仕込み、反応釜内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス圧を０．２ｋｇ／ｃｍ²として、攪拌しながら昇温し、約８０℃に達した時点からエチレンオキサイド２１０ｇを約２ｋｇ／ｃｍ²の圧力に保つように遂次導入しながら、温度を約１５０℃まで昇温した。この間の所要時間は約２時間であった。
この後、約１５０℃で１時間保持して、反応を進行させた。反応終了後、反応混合物を冷却し、次いで、得られた反応混合物を水洗し、洗浄した。その後、溶媒を留去し、反応生成物５５０ｇを得た。ＨＰＬＣ分析より、この反応生成物には、２，４−ビスアダマンチル−１，５−ジヒドロキシベンゼンの２つの水酸基にエチレンオキサイド４分子が付加した化合物（以下の式においてｍ、ｎがともに２）８５％、およびエチレンオキサイド５分子が付加した化合物９．４％が含まれることが分かった。

実施例７
内容積２Ｌの耐圧反応容器に２，４−ビスアダマンチル−１，５−ジヒドロキシベンゼン３７８ｇ、トルエン１５０ｇ、トリエチルアミン２．５ｇを仕込み、反応釜内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス圧を０．２ｋｇ／ｃｍ²として、攪拌しながら昇温し、約８０℃に達した時点からエチレンオキサイド７００ｇを約２ｋｇ／ｃｍ²の圧力に保つように遂次導入しながら、温度を約１５０℃まで昇温した。この間の所要時間は約２時間であった。
この後、約１５０℃で１時間保持して、反応を進行させた。反応終了後、反応混合物を冷却し、次いで、得られた反応混合物を水洗し、洗浄した。その後、溶媒を留去し、反応生成物９８０ｇを得た。ＨＰＬＣ分析より、この反応生成物には、２，４−ビスアダマンチル−１，５−ジヒドロキシベンゼンの２つの水酸基にエチレンオキサイド１４分子付加物（前記式においてｍ、ｎがともに７）８０％、およびエチレンオキサイド１５分子が付加した化合物３％が含まれることが分かった。

実施例８
内容量１Ｌの４つ口フラスコに実施例６で得られた２価アルコール５５ｇ、アクリル酸２２ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸０．９ｇ、ヒドロキノン０．５５ｇ及びトルエン５５０ｍＬを仕込み、攪拌装置、温度計、ディーンシュタークを取り付け、トルエン還流下、８時間反応を行なった。反応終了後、得られた反応混合物を室温まで冷却し、容量２Ｌの分液漏斗に移して、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で１回、次いで、イオン交換水で５回洗浄した。有機層を分取し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、トルエンを減圧下に留去して、目的とする２官能アクリル酸エステル組成物６０ｇ（回収率８５％）を得た。ＨＰＬＣにて分析したところ、ジアクリレート体の純度は９７％であった。

実施例９
内容量１Ｌの４つ口フラスコに実施例６で得られた２価アルコール５５ｇ、エピクロロヒドリン７４ｇ、トルエン２０１ｍｌ、ジメチルスルホキシド１０１ｍｌを仕込み、攪拌しながら８０℃になるまで加熱した。その後、水酸化ナトリウムを１３ｇずつ３０分ごとに３回に分けて添加した。ＴＬＣ分析をおこない、原料のピークの消失を確認後、室温まで冷却した。反応液にトルエン５００ｍｌ、水５００ｍｌを加え、トルエン相を抽出し、０．５ｍｏｌ／ｌ塩酸５００ｍｌ、５００ｍｌの水、飽和食塩水で洗浄した。反応液を濃縮し、目的物６５ｇを得た。（回収率９３％，ＬＣ純度９０％、エポキシ当量３９７）

実施例１０
内容量１Ｌの４つ口フラスコに実施例７で得られた２価アルコール５５ｇ、アクリル酸９．２ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸０．４８ｇ、ヒドロキノン０．５５ｇ及びトルエン５５０ｍＬを仕込み、攪拌装置、温度計、ディーンシュタークを取り付け、トルエン還流下、８時間反応を行なった。反応終了後、得られた反応混合物を室温まで冷却し、容量２Ｌの分液漏斗に移して、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で１回、次いで、イオン交換水で５回洗浄した。有機層を分取し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、トルエンを減圧下に留去して、目的とする２官能アクリル酸エステル組成物５８ｇ（回収率９６％）を得た。ＨＰＬＣにて分析したところ、ジアクリレート体の純度は９６％であった。

実施例１１
内容量１Ｌの４つ口フラスコに実施例７で得られた２価アルコール５５ｇ、エピクロロヒドリン３７ｇ、トルエン２０１ｍｌ、ジメチルスルホキシド１０１ｍｌを仕込み、攪拌しながら８０℃になるまで加熱した。その後、水酸化ナトリウムを７ｇずつ３０分ごとに３回に分けて添加した。ＴＬＣ分析をおこない、原料のピークの消失を確認後、室温まで冷却した。反応液にトルエン５００ｍｌ、水５００ｍｌを加え、トルエン相を抽出し、０．５ｍｏｌ／ｌ塩酸５００ｍｌ、５００ｍｌの水、飽和食塩水で洗浄した。反応液を濃縮し、目的物５８ｇを得た。（回収率９６％，ＬＣ純度８９％、エポキシ当量６２０）

実施例１２
滴下ロート、温度指示計、三方コックを取付けた２００ｍｌの４ツ口フラスコに、実施例４で得られたアダマンタン化合物3（エポキシ体）１０ｇ、アクリル酸３．８ｇ、テトラエチルアンモニウムブロミド０．３６ｇ、メトキノン０．０１ｇおよびトルエンを仕込み１００℃、１２時間加熱攪拌した。
その後、反応液を冷却し、水50ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlの順にトルエン相を洗浄した。トルエン相に、フタル酸無水物５．３７ｇ、テトラエチルアンモニウムブロミド０．３６gを仕込み、攪拌しながら１００℃に昇温し、１２時間攪拌した。その後、反応液に酢酸エチル５００ｍｌを加え、有機相を水１５０ｍｌ、飽和食塩水１５０ｍｌで洗浄した。その後、溶媒を留去後、目的物で表される酸無水物変性体を得た。（収量１６ｇ、酸価１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）
なお、酸価は、０．１モル／ＬＫＯＨエタノ−ル（５０％）水溶液で滴定して求めた。

実施例１３
滴下ロート、温度指示計、三方コックを取付けた１０００ｍｌの４つ口フラスコに、２，２’−［（４、６−ジアダマンチル−１、３−フェニレン）ビス（オキシ）］ジエタノール２０ｇ（０．０４３ｍｏｌ）とジメチルホルムアミド１８０ｍｌを入れ、窒素雰囲気下で完全に溶けるまで撹拌した。溶解後、水素化ナトリウム４．６ｇ（０．１９ｍｏｌ）を加え、３０分間撹拌した。そこに、２−（３−オキセタニル）ブチルトシレート２９．１ｇ（０．１０８ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下１００℃で８時間撹拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却したのち、水を加え析出した固体をろ別した。ろ別した固体をアセトン、メタノールを加え晶析をおこない、固体の化合物１８ｇ（回収率６３％）を得た。
この化合物について、核磁気共鳴スペクトル（¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ）を測定したところ、下記式に示す化合物であることが判明した。核磁気共鳴スペクトルは、溶媒としてＣＤＣｌ₃を用いて、日本電子株式会社製のＪＮＭ−ＥＣＡ５００により測定した。なお、下記において、数字は炭素原子及び炭素原子に結合した水素原子の位置を示した。
¹Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：０．９７（ａ，６Ｈ），１．６５（ｎ，１２Ｈ），１．８４−１．８６（ｌａｎｄｂ，１６Ｈ），２．２（ｍ，１２Ｈ），３．３（ｅ，４Ｈ），４．０（ｐ，４Ｈ），４．１（ｏ，４Ｈ），４．１８（ｄｏｒｄ’，４Ｈ），４．５１−４．６０（ｄｏｒｄ’，ｄｄ，４Ｈ），７．１０（ｇ，１Ｈ），７．２５（ｈ，１Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ）：８．２２（ａ），２７．０（ｊ），２７．２（ｂ），２９．２（ｍ），３７．１（ｌ）、４３．２（ｎ），４３．５（ｃ），６９．７（ｐ）、６９．９（ｏ）、７１（ｅ），７８．７（ｄ，ｄ’），９６．９（ｇ），１２５．３（ｉ），１２９．５（ｈ），１５６（ｆ）

この化合物についてＬＣ−ＭＳを測定したところ、上記式で表される化合物に一致した。ＬＣ−ＭＳの条件を以下に示す。
カラム：ＴＳＫ−ＧＥＬ８０Ｔｓ４．６ｍｍＩＤ×２５ｃｍ
溶離液：アセトニトリル
カラム温度：４０℃
イオン化法：測定イオンＡＰＣＩ
ＬＣ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）６６３．５

実施例１４
温度計、冷却管及び撹拌装置を備えた２００ｍｌの三つ口フラスコに、２，２’−［４−アダマンチル−１，３−フェニレン］ビス（オキシ）］ジエタノール２０ｇ（０．０６ｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド１８０ｍｌを入れ、窒素雰囲気下で完全に溶けるまで撹拌した。溶解後、水素化ナトリウム６．３５ｇ（０．２７ｍｏｌ）を加え、３０分間撹拌した。そこに、２−（３−オキセタニル）ブチルトシレート４０．７ｇ（０．１５ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下１００℃で８時間撹拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却したのち、トルエン、水を加えトルエン相を抽出した。抽出したトルエン相を水洗し、溶媒を減圧留去して、薄い黄色粘状物２９ｇ（回収率９１％）を得た。
この化合物を、実施例１と同様にして、核磁気共鳴スペクトル（¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ）を測定したところ、下記式に示す化合物であることが判明した。
¹Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：０．９７（ａ，６Ｈ），１．６４（ｎ，６Ｈ）、１．８４−１．８６（ｌａｎｄｂ，１０Ｈ）、２．２（ｍ，６Ｈ）、３．３（ｅ，４Ｈ），４．０（ｐ，４Ｈ）、４．１（ｏ，４Ｈ）、４．１８（ｄｏｒｄ’，４Ｈ）４．５１−４．６０（ｄｏｒｄ’，ｄｄ，４Ｈ），７．１０（ｇ，１Ｈ），７．２５（ｈ，１Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ）：８．２、８．２７（ａｏｒａ’），２７．０（ｊ），２７．２、２７．３（ｂｏｒｂ’），２９．２（ｍ），３７．１（ｌ）、４３．２（ｎ），４３．５（ｃ、ｃ’），６９．７（ｐ、ｐ’）、６９．９（ｏ、ｏ’）、７１（ｅ），７８．３（ｄｏｒｄ’ ｏｒｄ’’ ｏｒｄ’’’）、７８．７（ｄｏｒｄ’ ｏｒｄ’’ ｏｒｄ’’’），９６．９（ｇ），１２５．３（ｉ），１２９．５（ｈ），１５６（ｆ）

この化合物についてＬＣ−ＭＳを測定したところ、上記式で表される化合物に一致した。ＬＣ−ＭＳの条件を以下に示す。
カラム：ＴＳＫ−ＧＥＬ８０Ｔｓ４．６ｍｍＩＤ×２５ｃｍ
溶離液：アセトニトリル、
カラム温度：４０℃
イオン化法：測定イオンＡＰＣＩ
ＬＣ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）５２９．３

実施例１５
硬化物の製造
実施例１３で得られた化合物５０質量部と脂環式エポキシ化合物である３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（ダイセル化学工業社製、セロキサイド２０２１Ｐ）３０質量部、３−エチル−３−｛［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル｝オキセタン２０質量部、硬化剤ＳＩ−１００Ｌ（三新化学工業製）１質量部を加え、７０℃で４時間、１５０℃３時間硬化させた。得られた硬化物の物性を第３表に示す。

実施例１６
硬化物の製造
実施例１４で得られた化合物５０質量部と脂環式エポキシ化合物である３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（ダイセル化学工業社製、セロキサイド２０２１Ｐ）３０質量部、３−エチル−３−｛［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル｝オキセタン２０質量部、硬化剤ＳＩ−１００Ｌ（三新化学工業製）１質量部を加え、７０℃で４時間、１５０℃３時間硬化させた。得られた硬化物の物性を第３表に示す。

比較例３
硬化物の製造
実施例１５と同様に、ビス１，３−（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ−４，６−ジアダマンチルベンゼン（下記式で表される化合物）を５０質量部と脂環式エポキシ化合物である３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（ダイセル化学工業社製、セロキサイド２０２１Ｐ）３０質量部、３−エチル−３−｛［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル｝オキセタン、２０質量部、開始剤ＳＩ−１００Ｌ（三新化学工業製）１質量部を加え、７０℃で４時間、１５０℃で３時間硬化させた。得られた硬化物の物性を第３表に示す。

物性評価は、次のようにおこなった。
（１）相溶性試験
実施例１５、１６及び比較例３に記載の配合量で硬化前の組成液を調製し、その際の温度を測定し相溶性を評価した。相溶性が良好であれば低温で均一溶液が得られ、相溶性が悪ければ相溶化する際の温度が高くなる。相溶性が良好であれば、ハンドリングが容易となる。
（２）吸水率試験
実施例１５、１６及び比較例３で得られた硬化物を、３時間、１００℃の沸騰水に浸し、浸す前後の硬化物重量から吸水率を算出した。
（３）曲げ試験
ＪＩＳＫ７０１７のＡ法に準拠して曲げ強度を測定した。

本発明のアダマンタン化合物は、酸無水物への溶解性が高いアダマンタン化合物であって、透明性、耐光性などの光学特性や、長期耐熱性、誘電率などの電気特性に優れ、さらに、吸水性の低い硬化物を与えるアダマンタン化合物であり、光回路（光導波路）、光学部品、光学ディスク、ピックアップレンズなどに用いられる光学接着剤、シール剤、カラーレジスト材料、プリント回路基板形成用レジスト材料、ソルダーレジスト材料、半導体用レジスト材料、半導体用下地膜、光記録材料などとして有用である。

Claims

一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物。

〔式中、Ｘ¹は以下の一般式（Ｖ）で表される基であり、ａは１〜４の整数であり、ａが２以上の場合、複数のＸ¹はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｘは重合性基、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜５の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物。

〔式中、Ｘ²は以下の一般式（Ｘ）で表される基であり、ｂは１〜４の整数であり、ｂが２以上の場合、複数のＸ²はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
一般式（Ｘ）において、ｒが０〜５の整数である請求項２に記載のアダマンタン化合物。
一般式（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物。

〔式中、Ｘ³は以下の一般式（ＸＶ）で表される基であり、ｃは１〜４の整数であり、ｃが２以上の場合、複数のＸ³はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ⁶は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
一般式（ＸＶ）において、ｒが０〜５の整数である請求項４に記載のアダマンタン化合物。
一般式（ＸＶＩ）〜（ＸＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物。

〔式中、Ｘ⁴は以下の一般式（ＸＸ）で表される基であり、ｄは１〜４の整数であり、ｄが２以上の場合、複数のＸ⁴はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ⁷は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物。

〔式中、Ｘ⁵は以下の一般式（ＸＸＶ）で表される基であり、ｅは１〜４の整数であり、ｅが２以上の場合、複数のＸ⁵はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
一般式（ＸＸＶ）において、ｒが０〜５の整数である請求項７に記載のアダマンタン化合物。
一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とエピハロヒドリン化合物を反応させる工程を含む、請求項２または３に記載のアダマンタン化合物の製造方法。

〔式中、Ｘ⁵は以下の一般式（ＸＸＶ）で表される基であり、ｅは１〜４の整数であり、ｅが２以上の場合、複数のＸ⁵はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とアクリル酸、アクリル酸誘導体、置換アクリル酸および置換アクリル酸誘導体から選ばれる化合物を反応させる工程を含む、請求項４または５に記載のアダマンタン化合物の製造方法。

〔式中、Ｘ⁵は以下の一般式（ＸＸＶ）で表される基であり、ｅは１〜４の整数であり、ｅが２以上の場合、複数のＸ⁵はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
一般式（ＸＸＩ）〜（ＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物と下記一般式（ＸＸＶＩ）で表されるスルホニル基含有オキセタン誘導体を反応させる工程を含む、請求項６に記載のアダマンタン化合物の製造方法。

〔式中、Ｘ⁵は以下の一般式（ＸＸＶ）で表される基であり、ｅは１〜４の整数であり、ｅが２以上の場合、複数のＸ⁵はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ⁷は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒはスルホニル基を含有する基を表す。〕
一般式（ＸＸＶＩＩ）〜（ＸＸＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物と環状炭酸エステル化合物を反応させる工程を含む、請求項７または８に記載のアダマンタン化合物の製造方法。

〔式中、ＯＨは水酸基を表し、ｆは１〜４の整数である。〕
一般式（ＸＸＶＩＩ）〜（ＸＸＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とエチレンオキサイド類を反応させる工程を含む、請求項７または８に記載のアダマンタン化合物の製造方法。

〔式中、ＯＨは水酸基を表し、ｆは１〜４の整数である。〕
一般式（ＸＸＸＩ）〜（ＸＸＸＩＶ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物。

〔式中、Ｘ⁶は以下の一般式（ＸＸＸＶ）で表される基であり、ｇは１〜４の整数であり、ｇが２以上の場合、複数のＸ⁶はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵、Ｒ⁸およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ¹⁰は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数、ｓは０〜６の整数、ｔは０〜６の整数を表す。ｐ〜ｔがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁸およびＲ⁹はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
一般式（ＸＸＸＶ）において、ｒが０〜５の整数である請求項１４に記載のアダマンタン化合物。
一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表されるアダマンタン化合物とアクリル酸、アクリル酸誘導体、置換アクリル酸および置換アクリル酸誘導体から選ばれる化合物を反応させる工程を含む、請求項１４または１５に記載のアダマンタン化合物の製造方法。

〔式中、Ｘ²は以下の一般式（Ｘ）で表される基であり、ｂは１〜４の整数であり、ｂが２以上の場合、複数のＸ²はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を表す。ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜１０の整数を表す。ｐ〜ｒがそれぞれ２以上の場合、複数のＲ¹〜Ｒ⁴はそれぞれにおいて同一であっても異なっていてもよい。〕
請求項１４または１５に記載のアダマンタン化合物と多価カルボン酸および／又は多価カルボン酸無水物を反応させることを特徴とするアダマンタン化合物の製造方法。
請求項１７に記載の製造方法で得られるアダマンタン化合物。
請求項１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上および重合開始剤を含有する組成物。
請求項１９に記載の組成物を加熱又は光照射により硬化させてなる硬化物。
請求項１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いた光学接着剤。
請求項１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いたシール剤。
請求項１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いたディスプレイ用カラーレジスト材料。
請求項１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いたプリント回路基板形成用レジスト材料。
請求項１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いたソルダーレジスト材料。
請求項１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いた半導体用下地膜材料。
請求項１〜６、１４、１５、および１８に記載のアダマンタン化合物から選択される一種以上を用いた光記録材料。