JPWO2010079766A1 - プラズマ処理装置およびマイクロクリスタルシリコン成膜方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 28
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 289
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 59
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 59
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 112
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 7
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 7
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XLVKXZZJSTWDJY-UHFFFAOYSA-N [SiH4].[Si] Chemical compound [SiH4].[Si] XLVKXZZJSTWDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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-
- H01L21/205—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Description
本願は、2009年1月9日に出願された特願2009−004023号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
図6において、成膜装置101はチャンバ102を有しており、チャンバ102の下部には、チャンバ102の底面を挿通し、上下方向に昇降可能な支柱125が配置されている。チャンバ102内における支柱125の端部には、板状のベースプレート103が取り付けられている。チャンバ102の上部には、絶縁フランジ181を介して電極フランジ104が取り付けられている。
また、支持部110の表面は、ベースプレート103と同様に平坦に形成されている。支持部110の上面には、基板115が載置されている。
基板115が配置されると、基板115とシャワープレート105とは互いに近接して略平行になる。
支持部110上に基板115が配置された状態で、ガス噴出口106からプロセスガスを噴出させると、プロセスガスは基板115の表面上に供給される。
チャンバ102内を真空状態に維持された状態で、基板115が真空チャンバ102内に搬入され、支持部110上に載置される。
その後、ガス導入管107を通じてプロセスガスが供給され、ガス噴出口106から真空チャンバ102内にプロセスガスが噴出される。
成膜条件として、例えば、モノシラン(SiH4)に対して水素(H2)が比較的高い倍率で希釈された高圧プロセスが用いられることが一般的である。このような高速成膜法としては、ナローギャップによる高圧枯渇法が有効に用いられる(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。
近年、上述した太陽電池の製造においては、LCD製造におけるG5サイズ(1100mm×1300mm)程度以上の大きさを有する基板を使用して、太陽電池を生産することが多い。
実際の生産装置においては、電極フランジに1箇所又は複数箇所にガス導入口が設けられており、モノシラン及び水素の混合ガス(プロセスガス)が空間131内に供給されている。更に、シャワープレートによってプロセスガスの放出速度が均一化され、このプロセスガスが成膜空間に放出され、発生されたプラズマによってプロセスガスが分解され、基板上に膜が形成されている(例えば、特許文献3参照)。
即ち、処理空間内に存在するラジカルを含むガスを排気することによって、サセプタの周辺部、つまり、支持部の外側へ向かう流れが生じ、処理空間内の位置に応じて水素ラジカルH*の量にばらつきが生じるという問題があった。
図7は、従来のプラズマ処理装置を用いてプロセスガスを供給(放出)し、反応させた場合に、処理空間(成膜空間)に含まれる水素ラジカルの量(濃度)と、処理空間における位置(測定点)との関係を示す模式図である。
図7において、水素ガスから生じる水素ラジカルH*1の濃度が一点鎖線で示され、モノシランガスが分解して生じる水素ラジカルH*2の濃度が二点鎖線で示され、水素ラジカルH*1及びH*2が足し合わされた水素ラジカルH*の量が実線で示されている。
図7に示すように、従来構造を有するプラズマ処理装置においては、モノシランと水素とが混合されたプロセスガスが均一に成膜空間内に放出されるようにシャワープレートを調整しても、処理空間内の位置に応じて水素ラジカルH*の量にばらつきが生じてしまう。基板115の中央部(成膜空間の中央部)から周縁部までの領域において、基板115にプラズマ処理を均一に行うことが困難であった。
従って、基板115上に成膜された膜質の面内均一性を得ることが難しいという問題があった。
更に、上記特許文献3においては、基板上に堆積される堆積膜の膜厚の均一性が向上されているが、処理空間における複数の位置の各々に存在する水素ラジカルH*の量が考慮されていない。
そのため、上記特許文献1〜3においては、処理空間内の位置に応じて水素ラジカルH*の量を均一に調整することができず、基板115の中央部から周縁部までの領域において、基板115にプラズマ処理を均一に行うことができない。
この構成においては、ガス供給部に複数の第一ガス噴出口が設けられている。また、シャワープレートに複数の第二ガス噴出口が設けられている。また、ガス供給部は、同心状に配置された環状部を含む。また、シャワープレートは、第一電極部として機能する。また、支持部は、第二電極部として機能する。第二ガス噴出口を通して基板に向けて供給されたプロセスガスは、電圧印加部によって供給された電圧によってプラズマ状態になる。
本発明のプラズマ処理装置は、エッチング装置であることが好ましい。
例えば、上述したように、プロセスガスとして、水素ガス及びモノシランガスを含む混合ガスを用いた場合には、処理面の全面に形成されたシリコン膜の厚さを均一にすることができ、膜質も均質であるシリコン膜(例えば、a−Si膜又は微結晶Si膜など)を成膜することが可能となる。
また、プロセスガスとして、基板の処理面上に成膜された膜をエッチングする混合ガスを用いた場合には、所望のエッチング速度で、処理面上の膜の全面を均一にエッチングすることができる。また、処理面上に形成された膜上に開口部を有するレジストパターンが形成されている場合には、開口部の形状に応じて処理面上に形成された膜をエッチングすることができる。
また、以下の説明に用いる各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
また、本実施形態においては、プラズマ処理装置が成膜装置である場合について説明する。
図1に示すように、プラズマCVD法による成膜装置1(p−CVD成膜装置)は、反応室αを有する処理室を備えている。処理室は、チャンバ2と、電極フランジ4と、チャンバ2及び電極フランジ4に挟まれた絶縁フランジ81とから構成されている。即ち、チャンバ2の上部には、絶縁フランジ81を介して電極フランジ4が取り付けられている。従って、電極フランジ4は、絶縁フランジ81を介してチャンバ2と電気的に絶縁されている。
RF電源33は、シャワープレート5からなる第一電極部と、支持部15からなる第二電極部との間に高周波電圧を印加する。このような高周波電圧の印加に伴って、第二ガス噴出口6を通して基板10に向けて供給された成膜ガスは、プラズマ状態になる。
また、ガス導入管7は、原料ガス供給部21A,21B,21Cに各々接続しており、原料ガス供給部21A,21B,21Cとガス導入口34A,34B,34Cとの間の途中で、各々が二つの経路に分岐された3組のガス導入管7A,7B,7Cを含む。
即ち、図2に示すように、環状部8A,8B,8Cとガス導入管7A,7B,7Cとが接続される接続点は、環状部の長手方向に交差する中心線CLに基づいて、線対称に位置されている。換言すれば、環状部の短手方向の中央部に接続点が配置されている。
一方、図3に示すように、環状部8A,8B,8Cとガス導入管7A,7B,7Cとが接続される接続点は、環状部の中心Oに基づいて、点対称に位置されている。換言すれば、環状部における互いに対向する角部に接続点が配置されている。
このように接続点を対称(線対称又は点対称)に配置することにより、接続点の位置に基づいて、混合ガスの比率或いは各ガスの濃度が不均一である成膜ガスを空間31内へ供給(放出)することができる。
また、環状部8A,8B,8Cからなるガス供給部8は、基板10上に供給されるガス濃度の分布を所望に得るために、適切に調整可能である。
例えば、後述するように、環状部8A,8B,8Cの形状及び構造を調整することにより、基板10の中央部に供給される水素の濃度よりも、基板10の周縁部に供給される水素の濃度を低くするように原料ガスを基板上に供給することが可能である。
まず、真空ポンプ27を用いてチャンバ2内を減圧する。
チャンバ2内が真空に維持した状態で、基板10はチャンバ2内に搬入され、支持部15上に載置される。
ここで、基板10を載置する前は、支持部15はチャンバ2内の下方に位置している。つまり、基板10が搬入される前においては、支持部15とシャワープレート5との間隔が広くなっているので、ロボットアーム(不図示)を用いて基板10を支持部15上に容易に載置することができる。
これにより、シャワープレート5と支持部15との間に高周波電圧が印加されて放電が生じ、電極フランジ4と基板10の処理面(表面)との間にプラズマPが発生する。そして、プラズマP内でプロセスガスが分解され、基板10の処理面で気相成長反応が生じ、基板10の処理面に薄膜が形成される。
クリーニング工程においては、フッ素ガス供給部22から供給されたフッ素ガスがラジカル源23によって分解され、フッ素ラジカルが生じ、フッ素ラジカルがチャンバ2に接続されたガス導入管24を通り、真空チャンバ2内に供給される。このようにチャンバ2内の成膜空間にフッ素ラジカルを供給することによって、化学反応が生じ、成膜空間の周囲の配置された部材又はチャンバ2の内壁面に付着された付着物が除去される。
これにより、ガス供給部から供給され、かつ、混合ガスの比率或いは各ガスの濃度が不均一であるプロセスガスを、シャワープレートを介して基板10が配置された反応空間へ均一に供給することができる。
また、高周波電圧の印加によってプラズマ状態のプロセスガスが成膜空間において得られる。プラズマ状態のプロセスガスにおいては、水素ガスから生じる水素ラジカルH*1とモノシランガスが分解して生じる水素ラジカルH*2とが足し合わされた水素ラジカルH*の総量の分布が基板10上においてばらついたり、不均一にならない。従って、基板10上において水素ラジカルH*の総量が均一な水素ラジカルを得ることができる。
従って、基板10の中央部から周縁部までの全域において、基板10上の位置に依存せず、水素ラジカルを均一に基板10の処理面に曝すことができる。これによって、均質な組成を有する膜を安定して形成することができる。
例えば、上記の実施形態においては、図2及び図3に示すように、一つの環状部に2つの接続点が設けられた構成を採用したが、必要に応じて、3つ以上の接続点が環状部に設けられてもよい。また、接続点の位置は、必要に応じて適切に決定される。
この場合、エッチングに用いられるプロセスガスは、基板上に形成されたエッチングされる膜の種類に応じて適切に選択される。
このようなエッチング装置によれば、所望のエッチング速度で、処理面上の膜の全面を均一にエッチングすることができる。また、処理面上に形成された膜上に開口部を有するレジストパターンが形成されている場合には、開口部の形状に応じて処理面上に形成された膜をエッチングすることができる。
この実施例においては、上述したプラズマ処理装置1を用いて、プロセスガスに含まれる水素濃度を調整し、成膜空間における水素ラジカルの量を均一にして、基板の処理面上に膜を形成し、膜質の面内均一性を確認した。
ガス供給部8の内側に配置された第一環状部8Aにおいては、ケイ素含有ガスの流量を0.33slmに設定し、希釈ガスの流量を5.0slmに設定した。また、中間に配置された第二環状部8Bにおいては、ケイ素含有ガスの流量を0.33slmに設定し、希釈ガスの流量を4.7slmに設定した。また、外側に配置された第三環状部8Cにおいては、ケイ素含有ガスの流量を0.33slmに設定し、希釈ガスの流量を4.3slmに設定した。本実施例におけるガス供給は、図5のように模式的に示される。
図5において、横軸の中央に示された符号「O」は、基板上の中央部を示し、符号「O」から左方向及び右方向は、基板の周縁部に向う方向を示す。
図5において、水素ガスから生じる水素ラジカルH*1の濃度が一点鎖線で示されており、モノシランガスが分解して生じる水素ラジカルH*2の濃度が二点鎖線で示されている。ラジカルH*1及びH*2が足し合わせた水素ラジカルH*の量が実線で示されている。
図5に示すように、本発明に係るプラズマ処理装置1を用いた本実施例においては、ガス供給部8を用いることによって、原料ガスに含まれる水素ガスから生じる水素ラジカルH*1の濃度が基板の端部(周縁部)に向うに従って下がるように、プロセスガスが調整されている。即ち、混合ガスの比率或いは各ガスの濃度が不均一になるようにプロセスガスが調整されており、このプロセスガスが基板上に供給されている。即ち、ガス供給部8は、基板の中央部に供給される水素の濃度よりも、基板の周縁部に供給される水素の濃度を低くするように原料ガスを基板上に供給する。
また、第二環状部8Bは、500mm×650mmの大きさを有し、配管径が1/2インチであり、第一ガス噴出口9Bの開口径が1mmであり、第一ガス噴出口9Bのピッチ(間隔)が30mmであった。
更に、第三環状部8Cは、1100mm×1300mmの大きさを有し、配管径が1/2インチであり、第一ガス噴出口9Cの開口径が1mmであり、第一ガス噴出口9Cのピッチ(間隔)が30mmであった。
各測定点において、形成された薄膜をラマン分光法により評価した。具体的に、ラマン散乱スペクトルで520cm−1の結晶Siに起因するピーク強度(Ic)と、480cm−1のアモルファスSiに起因するピーク強度(Ia)とを観測し、IcをIaで除すことによって結晶化率(Ic/Ia)を求めた。各測定点において形成された薄膜の結晶化率を評価した。本実施例の評価結果を表1に示した。
比較例においては、成膜に用いられる原料ガスがガス導入管107を通じて供給され、ガス流量として、ケイ素含有ガスの流量が1slmに設定し、希釈ガスの流量15slmに設定した。比較例によって形成した薄膜をラマン分光法により上記実施例と同様に評価した。比較例の評価結果を表1に示した。
上述したように、本発明のプラズマ処理装置のように、電極フランジとシャワープレートとの間に設けた空間内に、同心状に配置された複数の環状部から構成されるガス供給部が配置されている。これによって、シャワープレートに向けて混合比率の異なるプロセスガスを独立して供給することが可能であり、シャワープレートに向けて供給(放出)されるプロセスガス(成膜ガス)に含まれる水素ラジカルの量(濃度)が調整されている。従って、上記の実施例における評価結果から明らかなように、基板の処理面の中央部から周縁部までの領域において、基板の処理面に対してプラズマ処理を均一に行うことができ、基板上に均質な組成を有する膜を形成できたことが分かる。
本願は、2009年1月9日に出願された特願2009−004023号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
成膜条件として、例えば、モノシラン(SiH4)に対して水素(H2)が比較的高い倍率で希釈された高圧プロセスが用いられることが一般的である。このような高速成膜法としては、ナローギャップによる高圧枯渇法が有効に用いられる(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。
本発明のプラズマ処理装置は、前記シャワープレートと前記支持部の距離は、15〜25mmであることが好ましい。
本発明のマイクロクリスタルシリコン成膜方法は、シャワープレートから水素ガスとシリコン含有ガスを含む原料ガスを供給して、支持部に載置された基板にプラズマCVD法によりマイクロクリスタルシリコン膜を形成するマイクロクリスタルシリコン成膜方法であって、前記支持部と前記シャワープレ−トの距離を15〜25mmとし、前記基板の中央部に供給される水素の濃度よりも、前記基板の周縁部に供給される水素の濃度を低くするように前記原料ガスを前記基板上に供給し、前記シャワープレートと前記支持部の間にプラズマを発生させ、前記基板にマイクロクリスタルシリコン膜を形成することが好ましい。
例えば、上述したように、プロセスガスとして、水素ガス及びモノシランガスを含む混合ガスを用いた場合には、処理面の全面に形成されたシリコン膜の厚さを均一にすることができ、膜質も均質であるシリコン膜(例えば、a−Si膜又は微結晶Si(マイクロクリスタルシリコン(μc−Si))膜など)を成膜することが可能となる。
また、プロセスガスとして、基板の処理面上に成膜された膜をエッチングする混合ガスを用いた場合には、所望のエッチング速度で、処理面上の膜の全面を均一にエッチングすることができる。また、処理面上に形成された膜上に開口部を有するレジストパターンが形成されている場合には、開口部の形状に応じて処理面上に形成された膜をエッチングすることができる。
ガス供給部8の内側に配置された第一環状部8Aにおいては、ケイ素含有ガスの流量を0.33slmに設定し、希釈ガスの流量を5.0slmに設定した。また、中間に配置された第二環状部8Bにおいては、ケイ素含有ガスの流量を0.33slmに設定し、希釈ガスの流量を4.7slmに設定した。また、外側に配置された第三環状部8Cにおいては、ケイ素含有ガスの流量を0.33slmに設定し、希釈ガスの流量を4.3slmに設定した。本実施例におけるガス供給は、図5のように模式的に示される。
Claims (4)
- プラズマ処理装置であって、
チャンバと、複数のガス導入口を有する電極フランジと、前記チャンバ及び前記電極フランジによって挟まれた絶縁フランジとから構成され、反応室を有する処理室と、
前記反応室内に収容され、基板が載置され、前記基板の温度を制御する支持部と、
前記反応室内に収容され、前記基板に対向するように配置され、前記基板に向けてプロセスガスを供給するシャワープレートと、
前記電極フランジと前記シャワープレートとの間の空間内に設けられ、複数の前記ガス導入口の各々に連通し、同心状かつ環状に配置され、前記シャワープレートに向けて異なる組成の前記プロセスガスを独立して供給する複数のガス供給部と、
前記シャワープレートと前記支持部との間に電圧を印加する電圧印加部と、
を含むプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、成膜装置であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、エッチング装置であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
前記ガス供給部は、前記基板の中央部に供給される水素の濃度よりも、前記基板の周縁部に供給される水素の濃度を低くするように前記プロセスガスを前記基板上に供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010545756A JP5378416B2 (ja) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009004023 | 2009-01-09 | ||
JP2009004023 | 2009-01-09 | ||
JP2010545756A JP5378416B2 (ja) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | プラズマ処理装置 |
PCT/JP2010/000093 WO2010079766A1 (ja) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010079766A1 true JPWO2010079766A1 (ja) | 2012-06-21 |
JP5378416B2 JP5378416B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=42316532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545756A Active JP5378416B2 (ja) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | プラズマ処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5378416B2 (ja) |
KR (1) | KR101349266B1 (ja) |
CN (1) | CN102272896A (ja) |
DE (1) | DE112010000869B4 (ja) |
TW (1) | TW201112886A (ja) |
WO (1) | WO2010079766A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI659674B (zh) | 2011-10-05 | 2019-05-11 | 應用材料股份有限公司 | 電漿處理設備及蓋組件 |
US10232324B2 (en) | 2012-07-12 | 2019-03-19 | Applied Materials, Inc. | Gas mixing apparatus |
KR102558925B1 (ko) * | 2016-02-15 | 2023-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플라즈마 증착 장치 |
US11535936B2 (en) * | 2018-07-23 | 2022-12-27 | Lam Research Corporation | Dual gas feed showerhead for deposition |
JP7175162B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体のプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP2022515081A (ja) | 2018-12-20 | 2022-02-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバの処理空間に改善されたガス流を供給するための方法および装置 |
KR102409660B1 (ko) * | 2019-07-18 | 2022-06-22 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
KR20230143951A (ko) * | 2022-04-06 | 2023-10-13 | 가부시키가이샤 아루박 | 플라즈마 처리 장치 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5591269A (en) * | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
KR0139741B1 (ko) * | 1994-10-11 | 1998-07-15 | 이헌조 | 박막트랜지스터 제조방법 |
JP4454621B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2010-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2002280377A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP4176523B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2008-11-05 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP3837539B2 (ja) | 2003-03-25 | 2006-10-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | プラズマcvd装置 |
JP2006013799A (ja) | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Tokai Rika Co Ltd | 携帯機 |
US8123902B2 (en) * | 2007-03-21 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Gas flow diffuser |
JP4667425B2 (ja) | 2007-06-21 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 磁気記録再生システム |
-
2010
- 2010-01-08 TW TW099100398A patent/TW201112886A/zh unknown
- 2010-01-08 WO PCT/JP2010/000093 patent/WO2010079766A1/ja active Application Filing
- 2010-01-08 DE DE112010000869T patent/DE112010000869B4/de active Active
- 2010-01-08 KR KR1020117015570A patent/KR101349266B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-08 JP JP2010545756A patent/JP5378416B2/ja active Active
- 2010-01-08 CN CN2010800041393A patent/CN102272896A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102272896A (zh) | 2011-12-07 |
DE112010000869T5 (de) | 2012-11-15 |
WO2010079766A1 (ja) | 2010-07-15 |
DE112010000869T8 (de) | 2013-01-17 |
DE112010000869B4 (de) | 2013-10-17 |
KR101349266B1 (ko) | 2014-01-10 |
TW201112886A (en) | 2011-04-01 |
JP5378416B2 (ja) | 2013-12-25 |
KR20110094115A (ko) | 2011-08-19 |
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