JPWO2010055855A1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010055855A1 JPWO2010055855A1 JP2010537787A JP2010537787A JPWO2010055855A1 JP WO2010055855 A1 JPWO2010055855 A1 JP WO2010055855A1 JP 2010537787 A JP2010537787 A JP 2010537787A JP 2010537787 A JP2010537787 A JP 2010537787A JP WO2010055855 A1 JPWO2010055855 A1 JP WO2010055855A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- laser irradiation
- irradiation device
- film surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0838—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction by using an endless conveyor belt
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
- B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/10—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
Abstract
基板処理装置は、基板(62)と、該基板(62)に設けられた膜面(61)とを有する被処理基板(60)のうち、該膜面(61)の縁部(61a,61b)を処理する。基板処理装置は、基板(62)が膜面(61)の上方に位置する状態で、被処理基板(60)を上方から吸着して保持する吸着保持部(10)と、レーザ光(L)を照射するレーザ照射装置(20)と、レーザ照射装置(20)を水平方向に移動させるレーザ移動部(22)と、を備えている。レーザ照射装置(20)からレーザ光(L)を照射させつつ、該レーザ照射装置(20)を移動させることによって、吸着保持部(10)によって保持された被処理基板(60)のうち膜面(61)の縁部(61a,61b)を処理する。The substrate processing apparatus includes an edge (61a, 61b) of the film surface (61) of the substrate (60) having a substrate (62) and a film surface (61) provided on the substrate (62). ). The substrate processing apparatus includes an adsorption holding unit (10) for adsorbing and holding a substrate (60) to be processed from above, and a laser beam (L) with the substrate (62) positioned above the film surface (61). And a laser moving part (22) for moving the laser irradiation device (20) in the horizontal direction. The film surface of the substrate to be processed (60) held by the suction holding unit (10) by moving the laser irradiation device (20) while irradiating the laser beam (L) from the laser irradiation device (20). The edge (61a, 61b) of (61) is processed.
Description
本願は、2008年11月13日に出願された特願2008−291064号に対して優先権を主張し、当該特願2008−291064号のすべての内容が参照されてここに組み込まれるものとする。 The present application claims priority to Japanese Patent Application No. 2008-290644 filed on Nov. 13, 2008, and the entire contents of the Japanese Patent Application No. 2008-290104 are referred to and incorporated herein. .
本発明は、基板と、当該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、膜面の縁部にレーザ光を照射して処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing processing by irradiating an edge portion of a film surface with laser light among substrates to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate.
従来から、基板と、基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、膜面にレーザ光を照射する基板処理装置であって、レーザ光を照射するレーザ照射装置と、膜面を下方に位置づけた状態で被処理基板の周縁部のみを支持するステージと、このステージに置かれた被処理基板の膜面を下方から支持して、被処理基板を平坦な状態に保持する保持機構と、を備え、保持機構が複数のピン形状の基板支持部を有しているものが知られている(特開2001−111078号公報および特開2002−280578号公報、参照)。 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus that irradiates a film surface with laser light among substrates to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate, the laser irradiation apparatus that irradiates laser light, and a film surface. A stage that supports only the peripheral edge of the substrate to be processed while positioned below, and a holding mechanism that supports the film surface of the substrate to be processed placed on this stage from below and holds the substrate to be processed in a flat state. And a holding mechanism having a plurality of pin-shaped substrate support portions (see JP-A-2001-111078 and JP-A-2002-280578).
しかしながら、従来技術のようにピン形状の基板支持部によって膜面を支持する場合には、基板支持部による押圧力によって膜面に悪影響が出る可能性がある。また、大型化する被処理基板を均一な面で保持することは困難であり、被処理基板が撓んでしまって、膜面の処理精度が悪くなってしまう。特に、膜面の縁部を加工するときには、内部の膜面のみで被加工基板を支えることとなってしまい、膜面にもたらされる悪影響がさらに大きくなってしまう。 However, when the film surface is supported by the pin-shaped substrate support portion as in the prior art, the film surface may be adversely affected by the pressing force of the substrate support portion. In addition, it is difficult to hold the substrate to be processed to be enlarged on a uniform surface, and the substrate to be processed is bent, so that the processing accuracy of the film surface is deteriorated. In particular, when processing the edge of the film surface, the substrate to be processed is supported only by the inner film surface, and the adverse effect on the film surface is further increased.
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、膜面に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板が撓むことを確実に防止し、ひいては、膜面の処理精度を高くすることができる基板処理装置と、このような基板処理装置を用いた基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such points, and reliably prevents the substrate to be processed from being bent without adversely affecting the film surface, thereby increasing the processing accuracy of the film surface. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can perform such a process, and a substrate processing method using such a substrate processing apparatus.
本発明による基板処理装置は、
基板と、該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、該膜面の縁部を処理する基板処理装置において、
前記膜面が前記基板の他方側に位置する状態で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する吸着保持部と、
レーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記レーザ照射装置を移動させるレーザ移動部と、を備え、
前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を移動させることによって、前記吸着保持部によって保持された前記被処理基板のうち前記膜面の縁部を処理する。A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
Among substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate, in a substrate processing apparatus for processing an edge of the film surface,
An adsorption holding unit for adsorbing and holding the substrate to be processed from one side in a state where the film surface is located on the other side of the substrate;
A laser irradiation device for irradiating laser light;
A laser moving unit for moving the laser irradiation device,
By moving the laser irradiation apparatus while irradiating the laser beam from the laser irradiation apparatus, the edge of the film surface is processed in the substrate to be processed held by the suction holding section.
本発明による基板処理装置は、
前記被処理基板を挟持して位置決めする一対の位置決め部を、さらに備え、
前記吸着保持部が、前記位置決め部によって挟持された前記被処理基板を一方側から吸着して保持し、
前記位置決め部が、前記吸着保持部によって前記被処理基板が保持された後で、該被処理基板を解放してもよい。A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
A pair of positioning portions that sandwich and position the substrate to be processed;
The suction holding part sucks and holds the substrate to be processed sandwiched by the positioning part from one side;
The positioning unit may release the substrate to be processed after the substrate to be processed is held by the suction holding unit.
本発明による基板処理装置は、
前記吸着保持部を回転させることによって前記被処理基板を回転させる回転駆動部を、さらに備え、
前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を所定の方向に沿って移動させることによって、前記被処理基板の一の縁部を処理し、その後、前記回転駆動部によって前記被処理基板を回転させた後で、前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を前記所定の方向に沿って移動させることによって、該被処理基板の他の縁部を処理してもよい。A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
A rotation drive unit that rotates the substrate to be processed by rotating the suction holding unit;
While irradiating the laser beam from the laser irradiation device, the laser irradiation device is moved along a predetermined direction to process one edge of the substrate to be processed, and then the rotation drive unit is used to process the object to be processed. After rotating the processing substrate, the other edge of the substrate to be processed is processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device. May be.
このような基板処理装置において、
前記レーザ照射装置の下端は、前記吸着保持部の端部よりも一方側に位置してもよい。In such a substrate processing apparatus,
The lower end of the laser irradiation device may be located on one side of the end of the suction holding unit.
本発明による基板処理装置において、
前記吸着保持部は、前記被処理基板に当接する当接部と、該当接部の面内に設けられた複数の吸着部と、を有し、
前記当接部は、金属プレートと、該金属プレートの下面に設けられた樹脂シートと、を有してもよい。In the substrate processing apparatus according to the present invention,
The suction holding part has a contact part that comes into contact with the substrate to be processed, and a plurality of suction parts provided in the surface of the contact part,
The abutting portion may include a metal plate and a resin sheet provided on the lower surface of the metal plate.
本発明による基板処理方法は、
基板と、該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、該膜面の縁部を処理する基板処理方法において、
吸着保持部によって、前記膜面が前記基板の他方側に位置する状態で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する工程と、
レーザ照射装置からレーザ光を照射する工程と、
レーザ移動部によって、前記レーザ照射装置を水平方向に移動させる工程と、を備え、
前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を移動させることによって、前記吸着保持部によって保持された前記被処理基板のうち前記膜面の縁部を処理する。The substrate processing method according to the present invention comprises:
In a substrate processing method for processing an edge portion of a film surface among substrates to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate,
A step of sucking and holding the substrate to be processed from one side in a state where the film surface is located on the other side of the substrate by the suction holding unit;
Irradiating laser light from a laser irradiation device;
A step of moving the laser irradiation device in a horizontal direction by a laser moving unit,
By moving the laser irradiation apparatus while irradiating the laser beam from the laser irradiation apparatus, the edge of the film surface is processed in the substrate to be processed held by the suction holding section.
本発明による基板処理方法において、
位置決め部によって挟持された後で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する工程が行われ、その後、該位置決め部によって、該被処理基板が解放されてもよい。In the substrate processing method according to the present invention,
After being sandwiched by the positioning unit, a step of sucking and holding the substrate to be processed from one side may be performed, and then the substrate to be processed may be released by the positioning unit.
本発明による基板処理方法において、
前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を所定の方向に沿って移動させることによって、前記被処理基板の一の縁部を処理し、その後、回転駆動部によって前記被処理基板を回転させた後で、前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を前記所定の方向に沿って移動させることによって、該被処理基板の他の縁部を処理してもよい。In the substrate processing method according to the present invention,
While irradiating the laser beam from the laser irradiation device, the laser irradiation device is moved along a predetermined direction to process one edge of the substrate to be processed, and then the processing target is processed by a rotation drive unit. After the substrate is rotated, the other edge of the substrate to be processed is processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device. Also good.
本発明によれば、基板が膜面の上方に位置する状態で、当該基板が吸着保持部によって上方から吸着されて保持され、レーザ照射装置から照射されるレーザ光によって膜面の縁部が処理されるので、膜面に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板が撓むことを確実に防止することができ、ひいては、膜面の処理精度を高くすることができる。 According to the present invention, in a state where the substrate is positioned above the film surface, the substrate is sucked and held from above by the suction holding unit, and the edge of the film surface is processed by the laser light emitted from the laser irradiation apparatus. Therefore, it is possible to reliably prevent the substrate to be processed from being bent without adversely affecting the film surface, and to increase the processing accuracy of the film surface.
実施の形態
以下、本発明に係る基板処理装置および基板処理方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図11は本発明の実施の形態に関する図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Here, FIG. 1 to FIG. 11 are diagrams relating to embodiments of the present invention.
基板処理装置は、ガラス基板(基板)62と、ガラス基板62に設けられた膜面61とを有する被処理基板60のうち、膜面61の縁部61a,61bを処理するために用いられる(図1参照)。なお、このような被処理基板60としては、例えば、薄膜太陽電池に用いられる基板を挙げることができる。
The substrate processing apparatus is used to process
図1および図3(a)(b)に示すように、基板処理装置は、ガラス基板62が膜面61の上方(一方側)に位置する状態で、被処理基板60を上方(一方側)から吸着して保持する吸着保持部10(図1参照)と、レーザ光Lを照射するレーザ照射装置20(図1参照)と、レーザ照射装置20を水平方向に移動させるレーザ移動部22(図3(a)(b)参照)と、を備えている。なお、図3(a)は本実施の形態による基板処理装置を上方から見た上方平面図であり、図3(b)は当該基板処理装置を側方から見た側方図である。
As shown in FIGS. 1 and 3 (a) and 3 (b), the substrate processing apparatus moves the
ここで、基板処理装置は、レーザ照射装置20からレーザ光Lを照射させつつ、当該レーザ照射装置20を所定の方向に沿って移動させることによって、吸着保持部10によって保持された被処理基板60の膜面61の縁部61a,61bを処理するように構成されている(図6(a)(b)および図7参照)。
Here, the substrate processing apparatus irradiates the laser beam L from the
なお、図6(a)は本実施の形態の基板処理装置によって処理される縁部61a,61bの範囲を示した上方平面図であり、図6(b)はレーザ照射装置20の動きを示した側方図である。また、図7は本実施の形態の基板処理装置によって、膜面61の縁部61a,61bを処理する態様を拡大した上方平面図である。なお、図7の符号Sは、レーザ照射装置20から膜面61の縁部61a,61bに照射されるレーザ光Lのレーザスポットを示している。
6A is an upper plan view showing the range of the
また、吸着保持部10は、位置決め部5s,5l(後述する)によって挟持された被処理基板60を上方から吸着して保持するように構成され(図4(a)(b)参照)、他方、位置決め部5s,5lは、吸着保持部10によって被処理基板60が保持された後で、当該被処理基板60を解放するように構成されている。
The
また、図1に示すように、吸着保持部10の上部には、当該吸着保持部10を回転させることによって被処理基板60を回転させる回転駆動部15が設けられている。なお、本実施の形態では、吸着保持部10の上部に回転駆動部15が設けられている態様を用いて説明するが、これに限られることなく、例えば、吸着保持部10に対して、レーザ照射装置20とレーザ移動部22が回転される態様を用いてもよい。
As shown in FIG. 1, a
また、図1および図3(b)に示すように、レーザ照射装置20の下端は、吸着保持部10の上端よりも上方(端部より一方側)に位置しており、吸着保持部10が回転駆動部15によって回転される際でも、吸着保持部10とレーザ照射装置20とが衝突することが無いように構成されている。
1 and 3B, the lower end of the
また、図2(a)に示すように、吸着保持部10は、被処理基板60に当接する当接部11と、該当接部11の面内に設けられた複数の吸着部12と、を有している。なお、本実施の形態において、当接部11は、金属プレート14と、当該金属プレート14の下面に設けられた樹脂シート13と、を有している。
Further, as shown in FIG. 2A, the
また、図3(a)(b)に示すように、レーザ照射装置20およびレーザ移動部22の上流側には、被処理基板60を搬送する一対の搬送部1が設けられている。また、搬送部1の近傍には、被処理基板60を搬送方向で挟持して位置決めする一対の位置決め部5lと、被処理基板60を搬送方向に直交する方向で挟持して位置決めする二対の位置決め部5sが設けられている。
As shown in FIGS. 3A and 3B, a pair of
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。なお、後述の説明で用いられる図8(a)−(e)においては、図面を簡略化するため、一つのレーザ照射装置20とレーザ移動部22のみを示しているが、本実施の形態では、図3(a)のように一対のレーザ照射装置20とレーザ移動部22を用いている。
Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described. 8A to 8E used in the following description, only one
まず、搬送部1によって、処理対象となる被処理基板60が搬送される(図3(a)(b)参照)。そして、被処理基板60が所定の位置まで搬送されると、搬送部1が停止され、このことによって被処理基板60の搬送が停止される。このとき、ガラス基板62が膜面61の上方に位置する状態になっており、搬送部1は、膜面61のうち後述するレーザ光Lで除去される部分に当接している。
First, the
次に、一対の位置決め部5lによって、被処理基板60が搬送方向で挟持されて位置決めされるとともに、二対の位置決め部5sによって、被処理基板60が搬送方向に直交する方向で挟持されて位置決めされる(図3(a)(b)および図4(a)参照)。
Next, the substrate to be processed 60 is sandwiched and positioned by the pair of positioning portions 5l in the transport direction, and the substrate to be processed 60 is sandwiched and positioned by the two pairs of
次に、吸着保持部10によって、位置決め部5s,5lによって挟持された被処理基板60が上方から吸着して保持される(図4(a)(b)参照)。そして、吸着保持部10によって被処理基板60が保持された後で、位置決め部5s,5lによる位置決めから被処理基板60が解放される。このため、被処理基板60を吸着保持部10によって吸着して保持する際に、被処理基板60が吸着保持部10に対してずれることを防止することができる。
Next, the substrate to be processed 60 held between the
より具体的には、まず、位置決め部5s,5lによって被処理基板60の位置決めが行われ(図5(a)参照)、その後、被処理基板60が解放された後で(図5(b)参照)、被処理基板60が上方から吸着して保持される(図5(c)参照)態様を用いると、被処理基板60を吸着保持部10によって吸着して保持する際に、被処理基板60が吸着保持部10に対してずれる可能性がある。
More specifically, first, the
この点、本実施の形態によれば、吸着保持部10によって被処理基板60が保持された後で、位置決め部5s,5lによる位置決めから被処理基板60が解放されるので(図4(a)(b)参照)、被処理基板60を吸着保持部10によって吸着して保持する際に、被処理基板60が吸着保持部10に対してずれることを防止することができ、ひいては、吸着保持部10に対して被処理基板60を正確な位置に位置決めすることができる。
In this regard, according to the present embodiment, the
上述のようにして吸着保持部10によって被処理基板60が保持されると、吸着保持部10によって、被処理基板60が、レーザ加工位置まで搬送される(図3(b)参照)。
When the
次に、レーザ移動部22によって、レーザ照射装置20が水平方向に移動される(図6(a)(b)および図8(a)(b)参照)。そして、このとき、レーザ照射装置20からレーザ光Lが照射されることとなる。このように、レーザ照射装置20からレーザ光Lを照射させつつ、当該レーザ照射装置20をX方向(所定の方向)に沿って移動させることによって、被処理基板60の膜面61の一の縁部61aが処理される。
Next, the
このときのレーザ照射装置20の動きは、本実施の形態では、X方向に沿って移動した後、Y方向の正方向(X方向に直交する方向であって被処理基板60の内方)に移動し、その後、X方向に沿った方向であって先程とは逆方向に移動するようになっている(図7および図8(a)(b)参照)。なお、このような動きを適宜繰り返すことによって、被処理基板60の一の縁部61aを所望の範囲で処理することができる。
In this embodiment, the
上述のようにして、被処理基板60の一の縁部61aが処理されると、回転駆動部15によって被処理基板60が回転され(図8(c)参照)、その後、再び、レーザ照射装置20からレーザ光Lが照射されつつ、レーザ照射装置20がX方向に沿って移動し、被処理基板60の他の縁部61bが処理される(図8(d)(e)参照)。このため、レーザ照射装置20の移動距離を極力短くすることができ、処理効率を向上させることができる。
As described above, when one
より具体的には、回転駆動部15によって被処理基板60が回転されないものを用いた場合には、図9の矢印A1〜A8で示すように、レーザ照射装置20を移動させなければならず、レーザ照射装置20の移動距離が長くなってしまい、処理効率が悪くなってしまう。More specifically, when a substrate whose
これに対して、本実施の形態によれば、回転駆動部15によって被処理基板60が回転させるので、レーザ照射装置20の移動距離を極力短くすることができ、処理効率を向上させることができる(図8(a)―(e)参照)。
On the other hand, according to the present embodiment, since the
また、本実施の形態によれば、吸着保持部10によって、ガラス基板62が膜面61の上方に位置する状態で、被処理基板60のガラス基板62が上方から吸着して保持されるので、下方に位置する膜面61が、(従来技術のように)ピン形状の基板支持部によって押圧されることがない。さらに、本実施の形態によれば、ガラス基板62のうちレーザ光Lが透過される部分以外の広い範囲を吸着保持部10によって保持することができるので、被処理基板60が撓むことを確実に防止することができる。
Further, according to the present embodiment, since the
これらのことより、本実施の形態によれば、膜面61に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板60が撓むことを確実に防止することができ、ひいては、膜面61の処理精度を高くすることができる。
From these things, according to this Embodiment, it can prevent reliably that the to-
すなわち、従来技術によれば、(大型化する)被処理基板60が撓むことを防止するには、多数のピン形状の基板支持部によって膜面61を支持する必要があるので、膜面61に悪影響が出てしまう可能性が高くなる。他方、膜面61に悪影響が出るのを防止するために、膜面61のうちレーザ光Lで除去される部分(狭い範囲)だけを支持した場合には、被処理基板60が大きく撓んでしまうこととなる。
That is, according to the prior art, in order to prevent the
これに対して、本実施の形態によれば、ガラス基板62が膜面61の上方に位置する状態で、被処理基板60のガラス基板62が上方から吸着して保持され、かつ、ガラス基板62のうちレーザ光Lが透過される部分以外を吸着保持部10によって保持することができるので(図8(b)(e)参照)、膜面61に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板60が撓むことを確実に防止することができる。
On the other hand, according to the present embodiment, the
なお、本実施の形態では、レーザ照射装置20の下端が、吸着保持部10の上端よりも上方に位置しており(図1および図3(b)参照)、吸着保持部10が回転駆動部15によって回転される際でも、吸着保持部10とレーザ照射装置20とが衝突することが無いように構成されているので、吸着保持部10の水平方向の大きさを極力大きくすることができ、被処理基板60が撓むことをより確実に防止することができる。
In the present embodiment, the lower end of the
また、当接部11が、金属プレート14と、当該金属プレート14の下面に設けられた樹脂シート13と、を有しているので(図2(a)参照)、剛性の高い金属プレート14によって吸着保持部10自体が撓むことを防止することができ、かつ、樹脂シート13によって被処理基板60にキズが付いたり、回転時に被処理基板60がずれたりすることを防止することができる。
Moreover, since the
より具体的には、図2(b)に示すように、当接部11が、金属プレート14を有さず、樹脂部材13’のみからなる場合には、樹脂シート13によって被処理基板60にキズが付いたり、回転時に被処理基板60がずれたりすることを防止することはできるものの、吸着保持部10自体が撓んでしまう可能性がある。
More specifically, as shown in FIG. 2B, when the
これに対して、本実施の形態では、図2(a)に示すように、当接部11が、金属プレート14を有するとともに、当該金属プレート14の下面に設けられた樹脂シート13も有しているので、剛性の高い金属プレート14によって吸着保持部10自体が撓むことを防止することができ、かつ、樹脂シート13によって被処理基板60にキズが付いたり、回転時に被処理基板60がずれたりすることを防止することができるのである。
In contrast, in the present embodiment, as shown in FIG. 2A, the
以上のように、本実施の形態によれば、膜面61に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板60が撓むことを確実に防止することができ、ひいては、膜面61の処理精度を高くすることができ、さらには上述したような様々な効果を得ることができる。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to reliably prevent the substrate to be processed 60 from being bent without adversely affecting the
ところで、本実施の形態では、ガラス基板62のうちレーザ光Lが透過される部分以外を吸着保持部10によって保持する態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、吸着保持部10の少なくとも膜面61の縁部に対応する部分がレーザ光Lを透過する部材からなり、吸着保持部10がガラス基板62の全面を保持するようにしてもよい。この場合には、被加工基板60が撓むことをより確実に防止することができる。
By the way, in this Embodiment, although demonstrated using the aspect hold | maintained by the suction holding |
また、上記では、ガラス基板62が上方側に位置し、吸着保持部10によって当該ガラス基板62を上方側から吸着保持する態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、図10(a)(b)に示すように、ガラス基板62が膜面61の下方側に位置し、吸着保持部10によって当該ガラス基板62を下方側から吸着保持してもよい。
In the above description, the
このような構成によると、配線などの関係で被加工基板60を搬送することが困難なため、例えば、レーザ照射装置20が一対の搬送部1の間に配置され、当該レーザ照射装置20が一対の搬送部1の間で移動可能となることで、膜面61の縁部を処理することができるようにしてもよい(図10(a)(b)および図11参照)。そして、この場合には、搬送部1から被加工基板60が上方に持ち上げられ、上方に持ち上げられた被加工基板60が回転駆動部15によって適宜回転されることとなる。
According to such a configuration, since it is difficult to transfer the
Claims (8)
前記膜面が前記基板の他方側に位置する状態で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する吸着保持部と、
レーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記レーザ照射装置を移動させるレーザ移動部と、を備え、
前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を移動させることによって、前記吸着保持部によって保持された前記被処理基板のうち前記膜面の縁部を処理することを特徴とする基板処理装置。Among substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate, in a substrate processing apparatus for processing an edge of the film surface,
An adsorption holding unit for adsorbing and holding the substrate to be processed from one side in a state where the film surface is located on the other side of the substrate;
A laser irradiation device for irradiating laser light;
A laser moving unit for moving the laser irradiation device,
The edge of the film surface of the substrate to be processed held by the suction holding unit is processed by moving the laser irradiation device while irradiating the laser beam from the laser irradiation device. Substrate processing equipment.
前記吸着保持部は、前記位置決め部によって挟持された前記被処理基板を一方側から吸着して保持し、
前記位置決め部は、前記吸着保持部によって前記被処理基板が保持された後で、該被処理基板を解放することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。A pair of positioning portions that sandwich and position the substrate to be processed;
The suction holding unit sucks and holds the substrate to be processed sandwiched by the positioning unit from one side,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the positioning unit releases the substrate to be processed after the substrate to be processed is held by the suction holding unit.
前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を所定の方向に沿って移動させることによって、前記被処理基板の一の縁部を処理し、その後、前記回転駆動部によって前記被処理基板を回転させた後で、前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を前記所定の方向に沿って移動させることによって、該被処理基板の他の縁部を処理することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。A rotation drive unit that rotates the substrate to be processed by rotating the suction holding unit;
While irradiating the laser beam from the laser irradiation device, the laser irradiation device is moved along a predetermined direction to process one edge of the substrate to be processed, and then the rotation drive unit is used to process the object to be processed. After the processing substrate is rotated, the other edge portion of the substrate to be processed is processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device. The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記当接部は、金属プレートと、該金属プレートの下面に設けられた樹脂シートと、を有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。The suction holding part has a contact part that comes into contact with the substrate to be processed, and a plurality of suction parts provided in the surface of the contact part,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the contact portion includes a metal plate and a resin sheet provided on a lower surface of the metal plate.
吸着保持部によって、前記膜面が前記基板の他方側に位置する状態で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する工程と、
レーザ照射装置からレーザ光を照射する工程と、
レーザ移動部によって、前記レーザ照射装置を水平方向に移動させる工程と、を備え、 前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を移動させることによって、前記吸着保持部によって保持された前記被処理基板のうち前記膜面の縁部を処理することを特徴とする基板処理方法。In a substrate processing method for processing an edge portion of a film surface among substrates to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate,
A step of sucking and holding the substrate to be processed from one side in a state where the film surface is located on the other side of the substrate by the suction holding unit;
Irradiating laser light from a laser irradiation device;
Moving the laser irradiation device in a horizontal direction by a laser moving unit, and holding the laser irradiation device by moving the laser irradiation device while irradiating the laser beam from the laser irradiation device. A substrate processing method characterized by processing an edge of the film surface of the substrate to be processed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010537787A JP5480159B2 (en) | 2008-11-13 | 2009-11-11 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008291064 | 2008-11-13 | ||
JP2008291064 | 2008-11-13 | ||
JP2010537787A JP5480159B2 (en) | 2008-11-13 | 2009-11-11 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
PCT/JP2009/069202 WO2010055855A1 (en) | 2008-11-13 | 2009-11-11 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010055855A1 true JPWO2010055855A1 (en) | 2012-04-12 |
JP5480159B2 JP5480159B2 (en) | 2014-04-23 |
Family
ID=42169987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010537787A Active JP5480159B2 (en) | 2008-11-13 | 2009-11-11 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5480159B2 (en) |
KR (1) | KR101571585B1 (en) |
CN (1) | CN102197463B (en) |
TW (1) | TWI469840B (en) |
WO (1) | WO2010055855A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5843292B2 (en) * | 2013-03-21 | 2016-01-13 | 株式会社日本製鋼所 | Annealing semiconductor substrate manufacturing method, scanning apparatus, and laser processing apparatus |
JP6632846B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-01-22 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1064863A (en) * | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Nikon Corp | Substrate cleaning device |
JPH10189515A (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Seiko Epson Corp | Method and apparatus for removal of inessential object in peripheral edge of substrate |
JP2002200586A (en) * | 2000-10-31 | 2002-07-16 | Ebara Corp | Holding device, treating device, and holding method for substrate |
JP2003197570A (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus and method for treating periphery of substrate |
JP2006073909A (en) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment device |
JP2006287169A (en) * | 2004-07-09 | 2006-10-19 | Sekisui Chem Co Ltd | Substrate processing apparatus and method therefor |
JP2006344718A (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sony Corp | Method of removing contamination |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345252A (en) * | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Hyper Photon Systens Inc | Laser cutter |
JP4554901B2 (en) * | 2003-08-12 | 2010-09-29 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP4546227B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-09-15 | Necエンジニアリング株式会社 | Film thickness resistance measuring device |
JP4734101B2 (en) * | 2005-11-30 | 2011-07-27 | 株式会社ディスコ | Laser processing equipment |
-
2009
- 2009-11-11 JP JP2010537787A patent/JP5480159B2/en active Active
- 2009-11-11 WO PCT/JP2009/069202 patent/WO2010055855A1/en active Application Filing
- 2009-11-11 KR KR1020117013388A patent/KR101571585B1/en active IP Right Grant
- 2009-11-11 CN CN200980142808.0A patent/CN102197463B/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-13 TW TW98138676A patent/TWI469840B/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1064863A (en) * | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Nikon Corp | Substrate cleaning device |
JPH10189515A (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Seiko Epson Corp | Method and apparatus for removal of inessential object in peripheral edge of substrate |
JP2002200586A (en) * | 2000-10-31 | 2002-07-16 | Ebara Corp | Holding device, treating device, and holding method for substrate |
JP2003197570A (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus and method for treating periphery of substrate |
JP2006287169A (en) * | 2004-07-09 | 2006-10-19 | Sekisui Chem Co Ltd | Substrate processing apparatus and method therefor |
JP2006073909A (en) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment device |
JP2006344718A (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sony Corp | Method of removing contamination |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201029785A (en) | 2010-08-16 |
KR20110095318A (en) | 2011-08-24 |
KR101571585B1 (en) | 2015-11-24 |
WO2010055855A1 (en) | 2010-05-20 |
CN102197463A (en) | 2011-09-21 |
JP5480159B2 (en) | 2014-04-23 |
CN102197463B (en) | 2015-09-30 |
TWI469840B (en) | 2015-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102222005B1 (en) | Exposure apparatus and exposure method using the same | |
WO2013015157A1 (en) | Device and method for producing substrate | |
WO2007020809A1 (en) | Work transfer apparatus, image forming apparatus provided with such work transfer apparatus, and work transfer method | |
KR20220045084A (en) | Bonding apparatus, bonding system, bonding method, and computer recording medium | |
CN111566782A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5480159B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2021141115A (en) | Joining device, joining system, joining method, and storage medium | |
JP5424803B2 (en) | Exposure equipment | |
JP2008085275A (en) | Method and device for alignment | |
JP5983810B1 (en) | Light irradiation device | |
CN102263049A (en) | Assembling Device For Display Panel Unit | |
JP4860966B2 (en) | Exposure pattern transfer method and exposure apparatus | |
JP2008210965A (en) | Substrate holder and laser annealing apparatus | |
JP6047392B2 (en) | Dividing device and dividing method | |
JP2007220987A (en) | Retainer of plane board | |
JP6617416B2 (en) | Metal mask sheet handling jig and metal mask sheet transfer device | |
JP6916718B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP4616812B2 (en) | Positioning device, stage and inspection or processing device | |
JP6525845B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP5405173B2 (en) | Positioning device and positioning method | |
JP2008300389A (en) | Substrate carrier | |
JP2007324169A (en) | Carrying arm, substrate carrier, and substrate inspection apparatus | |
JP2010135550A (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
JP6773435B2 (en) | Exposure device | |
JP2023074021A (en) | Laser cutting device, laser cutting method, and display manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120918 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130712 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5480159 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |