JPH1064863A - Substrate cleaning device - Google Patents
Substrate cleaning deviceInfo
- Publication number
- JPH1064863A JPH1064863A JP8218989A JP21898996A JPH1064863A JP H1064863 A JPH1064863 A JP H1064863A JP 8218989 A JP8218989 A JP 8218989A JP 21898996 A JP21898996 A JP 21898996A JP H1064863 A JPH1064863 A JP H1064863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid film
- cleaning apparatus
- wafer
- substrate cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光プロセ
スにおける洗浄を行う装置であり、ウエハやレチクル等
の基板表面に、或いは処理を施した基板の処理表面に付
着した異物を除去することにより表面洗浄を行う基板洗
浄装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for cleaning in a semiconductor exposure process, which removes foreign substances adhering to a surface of a substrate such as a wafer or a reticle or a processed surface of a processed substrate. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus for performing cleaning.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リソグラフィによりシリコンウエハ上に
回路パターン等の微細な加工をほどこす場合、レチクル
やシリコンウェハの表面に付着した微粒子などのゴミは
加工の大きな妨げとなり、製品の歩留まりを低下させ
る。この際に許容されるゴミの粒径は回路パターンの数
分の一以下または十分の一以下であり、そのためそれら
の洗浄は重要な技術となっている。2. Description of the Related Art When fine processing of a circuit pattern or the like is performed on a silicon wafer by lithography, dust such as a reticle or fine particles adhering to the surface of the silicon wafer greatly hinders processing and lowers product yield. The particle size of the dust allowed at this time is less than one-seventh or less than one-tenth of the circuit pattern, and therefore, cleaning them is an important technique.
【０００３】ウエハやレチクル等の基板の表面洗浄を行
う方法としては、ホコリを生じない布などで拭き取る方
法、液体に浸した状態で超音波振動を与える方法などが
あるが、現在、もっとも一般的な洗浄方法は洗浄対象物
（例えば、ウエハなど）を塩酸、硫酸、フッ酸、過酸化
水素水、水酸化アンモニウムなどの混合溶液に浸すもの
である。As a method of cleaning the surface of a substrate such as a wafer or a reticle, there are a method of wiping with a cloth that does not generate dust, and a method of applying ultrasonic vibration in a state of being immersed in a liquid. A suitable cleaning method is to immerse a cleaning object (for example, a wafer or the like) in a mixed solution of hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, aqueous hydrogen peroxide, ammonium hydroxide, or the like.
【０００４】この他、パルスレーザー光の照射を利用す
る洗浄方法として、パルスレーザー光の照射により、基
板表面に付着した微粒子に振動を誘起し、付着力を低下
させて除去する方法や、水または水蒸気を基板表面に吹
き付けて水の薄い膜を形成したところにレーザー光を照
射して、水を瞬間的に蒸発させると同時に微粒子もはぎ
取ってしまう方法も提案されている。[0004] In addition, as a cleaning method using pulsed laser light irradiation, a method of inducing vibration of fine particles adhered to the substrate surface by irradiation with the pulsed laser light to reduce the adhesive force and removing the particles, or a method of removing water or water. A method has also been proposed in which water vapor is sprayed onto a substrate surface to form a thin film of water, and a laser beam is irradiated to instantaneously evaporate the water and simultaneously strip off fine particles.
【０００５】この場合、基板表面に形成された液膜を透
過し、下地に強く吸収される波長の光が効果的であると
いわれている。それは、そのような波長のパルス光によ
って基板のごく表面が加熱され、その熱によって基板と
液膜の境界付近の液体が加熱・蒸発するため、効率よく
付着物を除去できるからである。[0005] In this case, it is said that light having a wavelength that transmits through the liquid film formed on the substrate surface and is strongly absorbed by the base is effective. This is because the very surface of the substrate is heated by the pulsed light of such a wavelength, and the heat heats and evaporates the liquid near the boundary between the substrate and the liquid film, so that the attached matter can be efficiently removed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ウエハ上に形成される
パターン最小線幅の微細化により、許容される付着ゴミ
の最大径も小さくなっている。一般に、径の小さな粒子
ほど多く存在しており、質量に対して付着力が大きくな
るので、ウエハから取り去るのが困難であり問題点とな
っている。As the minimum line width of a pattern formed on a wafer is reduced, the allowable maximum diameter of attached dust is also reduced. Generally, particles having smaller diameters are more present and have larger adhesive force with respect to mass, so that it is difficult to remove them from the wafer, which is a problem.
【０００７】また、洗浄液にウエハなどの基板を浸す場
合には、洗浄液が含む汚れの付着、一度除去された汚れ
の再付着、ウェハ表面に凹凸がある場合に洗浄されない
部分が発生することがある、などの問題点がある。ま
た、パルスレーザー光を照射して付着した微粒子を除去
する場合に、基板表面に液膜が存在している方が効果が
大きいため、水や水蒸気などをパルスレーザー光の照射
直前に吹き付けているが、基板上に形成された薄膜や微
細構造などの洗浄を行う場合には、水や水蒸気などの吹
き付けにより基板上の薄膜や微細構造が破壊される可能
性があり、また、その制御も複雑であるという問題点が
ある。In addition, when a substrate such as a wafer is immersed in a cleaning liquid, there is a case where the dirt contained in the cleaning liquid adheres, the dirt once removed is re-adhered, and a portion which is not cleaned when the wafer surface has irregularities may occur. , Etc. In addition, when removing the adhered fine particles by irradiating the pulse laser light, since the effect is larger when the liquid film is present on the substrate surface, water or water vapor is sprayed immediately before the irradiation of the pulse laser light. However, when cleaning thin films and fine structures formed on the substrate, the thin films and fine structures on the substrate may be destroyed by spraying water or water vapor, and the control is also complicated. There is a problem that is.
【０００８】また、かかるパルスレーザー光を照射して
付着した微粒子を除去する場合に、基板表面に形成され
た液膜を透過し、下地に強く吸収される波長のレ−ザ−
光が効果的であるといわれているが、この場合には基板
（例えばシリコンウェハ）表面の加熱は避けられず、こ
れによる基板の変質、歪み、または破壊が起こるおそれ
があるという問題点がある。In the case of irradiating the pulse laser beam to remove the adhered fine particles, a laser having a wavelength that transmits through a liquid film formed on the substrate surface and is strongly absorbed by the underlayer.
Although light is said to be effective, in this case, heating of the surface of the substrate (for example, a silicon wafer) is unavoidable, and there is a problem that the deterioration, distortion, or destruction of the substrate may occur. .
【０００９】本発明は以上のような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、基板上の径の小さな粒子（ゴミまたは
異物）も除去可能であり、凹凸がある基板表面の洗浄残
りを防止することが可能であり、基板上に形成された薄
膜や微細構造を洗浄してもそれを破壊することなく、ま
た基板の変質、歪み、または破壊を引き起こすことな
く、ウエハやレチクル等の基板表面や処理を施した基板
の処理表面等の表面洗浄を行うことができる基板洗浄装
置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to remove small-diameter particles (dust or foreign matter) on a substrate, and to prevent residual cleaning of a substrate surface having irregularities. It is possible to clean a thin film or a fine structure formed on a substrate without destroying the thin film or the fine structure, and without causing the deterioration, distortion, or destruction of the substrate, the surface of a substrate such as a wafer or a reticle. An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus capable of cleaning a surface of a processed substrate such as a processed surface.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「基板表面に、或いは処理を施した基板の処理表面に
付着した異物を除去することにより表面洗浄を行う基板
洗浄装置において、前記表面に液体の膜を形成する液膜
形成機構と、前記基板の裏面側から洗浄対象の表面に向
けて前記液膜が強い吸収を示す波長のパルス光を照射す
るパルス光照射機構とを備え、前記液膜形成機構により
前記表面に液膜を形成した状態にて、該表面に前記パル
ス光照射機構によりパルス光を照射して前記液膜を蒸発
させることにより前記異物を除去することを特徴とする
基板洗浄装置（請求項１）」を提供する。Accordingly, the present invention firstly provides a substrate cleaning apparatus for cleaning a surface by removing foreign substances adhering to a substrate surface or a processed surface of a processed substrate. A liquid film forming mechanism for forming a liquid film on the surface, and a pulse light irradiation mechanism for irradiating pulse light having a wavelength at which the liquid film exhibits strong absorption from the back side of the substrate toward the surface to be cleaned, In a state where a liquid film is formed on the surface by the liquid film forming mechanism, the foreign matter is removed by irradiating the surface with pulse light by the pulse light irradiating mechanism to evaporate the liquid film. Substrate cleaning device (Claim 1). "
【００１１】また、本発明は第二に「前記液膜形成機構
は、前記表面に結露を発生させて液膜を形成することを
特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置（請求項２）」
を提供する。また、本発明は第三に「前記液膜形成機構
は、前記基板を収納する空間内に前記結露を起こさせる
ガスを導入するガス導入機構を備えていることを特徴と
する請求項２記載の基板洗浄装置（請求項３）」を提供
する。Further, the present invention provides a substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the liquid film forming mechanism forms a liquid film by generating dew on the surface (claim 2). "
I will provide a. Further, the present invention is a third aspect, wherein the liquid film forming mechanism includes a gas introduction mechanism for introducing the gas that causes the dew condensation into a space for accommodating the substrate. A substrate cleaning device (Claim 3) is provided.
【００１２】また、本発明は第四に「前記液膜形成機構
は、前記ガスの温湿度制御機構及び／または前記空間内
の温湿度制御機構を備えていることを特徴とする請求項
３記載の基板洗浄装置（請求項４）」を提供する。ま
た、本発明は第五に「前記液膜形成機構は、前記空間内
の温湿度制御機構を備えていることを特徴とする請求項
２記載の基板洗浄装置（請求項５）」を提供する。[0012] The present invention is a fourth aspect, wherein the liquid film forming mechanism includes a temperature and humidity control mechanism for the gas and / or a temperature and humidity control mechanism in the space. (Claim 4). " The present invention fifthly provides a substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein the liquid film forming mechanism includes a temperature and humidity control mechanism in the space. .
【００１３】また、本発明は第六に「前記液膜形成機構
は、前記基板の表面に隣接する空間と該基板の裏面に隣
接する空間を分離する機構と、各空間の温湿度を独立に
制御する温湿度制御機構と、を備えていることを特徴と
する請求項２〜５記載の基板洗浄装置（請求項６）」を
提供する。また、本発明は第七に「前記液膜形成機構
は、前記基板の温度制御機構及び／または該基板のホル
ダーの温度制御機構を備えていることを特徴とする請求
項２〜６記載の基板洗浄装置（請求項７）」を提供す
る。The present invention also provides a liquid film forming mechanism comprising: a mechanism for separating a space adjacent to the front surface of the substrate from a space adjacent to the back surface of the substrate; And a temperature-humidity control mechanism for controlling the substrate cleaning apparatus (Claim 6). A seventh aspect of the present invention is the substrate according to any one of claims 2 to 6, wherein the liquid film forming mechanism includes a temperature control mechanism for the substrate and / or a temperature control mechanism for a holder of the substrate. Cleaning device (Claim 7) "is provided.
【００１４】また、本発明は第八に「前記基板表面また
は処理表面は、親液性または親水性を有することを特徴
とする請求項１〜７記載の基板洗浄装置（請求項８）」
を提供する。また、本発明は第九に「前記基板がシリコ
ンウェハであり、前記液膜が水の膜であり、前記パルス
光の波長範囲が1.5 〜１０μｍであることを特徴とする
請求項１〜８記載の基板洗浄装置（請求項９）」を提供
する。An eighth aspect of the present invention is "a substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the substrate surface or the treated surface has lyophilicity or hydrophilicity."
I will provide a. Further, the present invention ninthly states that “the substrate is a silicon wafer, the liquid film is a water film, and the pulse light has a wavelength range of 1.5 to 10 μm. (Claim 9). "
【００１５】また、本発明は第十に「前記パルス光は、
照射エネルギーが１０ｍＪ／ｃｍ2〜１Ｊ／ｃｍ2 であ
り、かつパルス幅が１μｓ以下であることを特徴とする
請求項１〜９記載の基板洗浄装置（請求項１０）」を提
供する。Further, the present invention provides a tenth aspect, wherein the pulse light is
The substrate cleaning apparatus according to claims 1 to 9, wherein the irradiation energy is 10 mJ / cm 2 to 1 J / cm 2 and the pulse width is 1 μs or less.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明の基板洗浄装置にかかる基
板上の異物除去の原理を、シリコンウェハ上に付着した
微粒子（異物）を除去する例を示す図１を引用して説明
する。図１において、シリコンウエハ（基板）１０１の
表面に除去しようとする微粒子（異物）１１０が付着し
ている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The principle of removing foreign matter on a substrate according to the substrate cleaning apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. 1 showing an example of removing fine particles (foreign matter) attached to a silicon wafer. In FIG. 1, fine particles (foreign matter) 110 to be removed are attached to the surface of a silicon wafer (substrate) 101.
【００１７】微粒子１１０が付着した面には液膜形成機
構により水の膜（液膜の一例）111が形成されており、
この状態でパルス光照射機構により波長2.94μｍのパル
スレーザー光１２０（パルス幅１０ｎｓ）を微粒子１１
０が付着した表面とは反対の裏面側から照射する。波長
2.94μｍの光に対するシリコンの吸収は小さく、厚さ２
００μｍ程度のウエハであればその大部分は透過する。
わずかに吸収された光のエネルギーもウエハの厚さ方向
全体で吸収されるため、シリコンウエハ（基板）におい
て局部的に温度が上昇することはなく、歪みなども生じ
ない。A water film (an example of a liquid film) 111 is formed on the surface to which the fine particles 110 adhere by a liquid film forming mechanism.
In this state, a pulse laser beam 120 (pulse width: 10 ns) having a wavelength of 2.94 μm is applied to the fine particles 11 by a pulse beam irradiation mechanism.
Irradiation is performed from the back side opposite to the front side to which 0 is attached. wavelength
The absorption of silicon to light of 2.94 μm is small, and the thickness is 2
For a wafer of about 00 μm, most of the light is transmitted.
Since the energy of the slightly absorbed light is also absorbed in the entire thickness direction of the wafer, the temperature does not locally increase in the silicon wafer (substrate), and no distortion occurs.
【００１８】一方、水は波長2.94μｍの光に対して強い
吸収を示し、シリコンウエハ１０１を透過したパルスレ
ーザー光１２０はウエハ表面に形成された水膜１１１に
よって強く吸収される。特に、ウエハと水膜の境界付近
の領域１１２の水がその大部分を吸収し、それによって
加熱・蒸発する。この蒸発は付着している微粒子１１０
とウエハ１０１の境界付近で起こるため、微粒子１１０
を効率的に除去することができる。On the other hand, water shows strong absorption for light having a wavelength of 2.94 μm, and the pulse laser beam 120 transmitted through the silicon wafer 101 is strongly absorbed by the water film 111 formed on the wafer surface. In particular, water in the area 112 near the boundary between the wafer and the water film absorbs most of it, thereby heating and evaporating. This evaporation is caused by the attached fine particles 110.
Occur near the boundary between the wafer 110 and the
Can be efficiently removed.
【００１９】このように、本発明の基板洗浄装置によれ
ば、液膜形成機構により洗浄対象の表面（基板表面また
は処理を施した基板の処理表面）に液体（例えば、水や
アルコ─ル）の膜を形成し、パルス光照射機構により前
記基板の裏面側から洗浄対象の表面に向けて前記液膜が
強い吸収を示す波長のパルス光を照射して前記液膜を蒸
発させることにより、前記異物を除去することができ
る。As described above, according to the substrate cleaning apparatus of the present invention, the liquid (eg, water or alcohol) is applied to the surface to be cleaned (the substrate surface or the processed surface of the processed substrate) by the liquid film forming mechanism. By forming a film of, the liquid film is irradiated with pulsed light having a wavelength at which the liquid film shows strong absorption from the back side of the substrate toward the surface to be cleaned by a pulsed light irradiation mechanism to evaporate the liquid film, Foreign matter can be removed.
【００２０】そのため、本発明の基板洗浄装置によれ
ば、基板上の径の小さな粒子（ゴミ）も除去することが
できる。なお、除去された微粒子が再付着しにくいよう
に、洗浄対象の基板を垂直に立てた状態や微粒子を除去
する基板の洗浄面を下に向けた状態でパルスレーザー光
を照射することが好ましい。Therefore, according to the substrate cleaning apparatus of the present invention, particles (dust) having a small diameter on the substrate can be removed. Note that it is preferable to irradiate the pulsed laser beam with the substrate to be cleaned upright or with the cleaning surface of the substrate from which the particles are removed facing downward so that the removed fine particles are less likely to reattach.
【００２１】本発明にかかる異物（微粒子）除去による
基板洗浄においては、基板（例えばシリコンウエハ）は
レーザー光を透過するだけなので、基板がレーザー照射
による加熱、変形、損傷を受けるおそれがない。即ち、
本発明の基板洗浄装置によれば、基板の変質、歪み、ま
たは破壊を引き起こすことなく、ウエハやレチクル等の
基板表面や処理を施した基板の処理表面等の表面洗浄を
行うことができる。In the cleaning of a substrate by removing foreign matter (fine particles) according to the present invention, the substrate (for example, a silicon wafer) only transmits laser light, so that the substrate is not likely to be heated, deformed, or damaged by laser irradiation. That is,
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the board | substrate washing | cleaning apparatus of this invention, the surface washing | cleaning of the board | substrate surface, such as a wafer and a reticle, or the processed surface of the board | substrate which performed the process, can be performed, without causing deterioration, distortion, or destruction of a board | substrate.
【００２２】また、基板を加熱することにより基板との
境界付近の液膜を加熱するのとは違い、蒸発する液（例
えば水やアルコール）が直接加熱されるので効率的であ
る。なお、液を透過し、基板に吸収される波長のレーザ
ー光を基板の表側から照射する従来の方法では、異物
（微粒子）の除去に最も効果的であると思われる微粒子
と基板の間の液膜が微粒子の陰に入るため、その部分の
液膜の加熱（蒸発）に対して不利であると考えられる
（洗浄残りの原因となる）。Further, unlike the case where the liquid film near the boundary with the substrate is heated by heating the substrate, the evaporating liquid (eg, water or alcohol) is directly heated, which is efficient. In the conventional method of irradiating a laser beam having a wavelength that is transmitted through the liquid and absorbed by the substrate from the front side of the substrate, the liquid between the fine particles and the substrate, which is considered to be the most effective for removing foreign substances (fine particles), is considered. Since the film enters the shadow of the fine particles, it is considered to be disadvantageous to heating (evaporation) of the liquid film at that portion (causing the washing to remain).
【００２３】これに対して、本発明にかかる基板洗浄に
おいては、レーザー光を基板の裏側から照射するので、
微粒子と基板の間の液膜の加熱を直接、もれなく効率的
におこなうことができる。そのため、本発明の基板洗浄
装置によれば、洗浄残りが発生しにくく、凹凸がある基
板表面であっても洗浄残りを防止することが可能であ
る。On the other hand, in the substrate cleaning according to the present invention, since the laser beam is irradiated from the back side of the substrate,
The liquid film between the fine particles and the substrate can be heated directly and efficiently without any leakage. Therefore, according to the substrate cleaning apparatus of the present invention, it is possible to prevent the uncleaned portion from being generated, and to prevent the uncleaned portion even on a substrate surface having irregularities.
【００２４】また、照射するレーザー光はパルス光であ
るため、加熱がおこなわれるのは短時間であり、伝導に
よる熱の拡散は殆ど起こらないという点でも効率的な加
熱が行われる。そのため、本発明の基板洗浄装置によれ
ば、基板上に形成された薄膜や微細構造を破壊すること
なく、また基板の変質、歪み、または破壊を引き起こす
ことなく、ウエハやレチクル等の基板表面や処理を施し
た基板の処理表面等の表面洗浄を行うことができる。Further, since the laser light to be irradiated is pulsed light, the heating is performed in a short time, and the heat is also efficiently heated in that heat is hardly diffused by conduction. Therefore, according to the substrate cleaning apparatus of the present invention, without destroying the thin film or microstructure formed on the substrate, and without causing the deterioration, distortion, or destruction of the substrate, the surface of the substrate such as a wafer or a reticle can be removed. Surface cleaning of the processed surface of the processed substrate can be performed.
【００２５】このように、本発明の基板洗浄装置によれ
ば、基板上の径の小さな粒子（ゴミまたは異物）も除去
可能であり、凹凸がある基板表面の洗浄残りを防止する
ことが可能であり、基板上に形成された薄膜や微細構造
を洗浄してもこれを破壊することなく、また基板の変
質、歪み、または破壊を引き起こすことなく、ウエハや
レチクル等の基板表面や処理を施した基板の処理表面等
の表面洗浄を行うことができる。As described above, according to the substrate cleaning apparatus of the present invention, small-diameter particles (dust or foreign matter) on the substrate can also be removed, and it is possible to prevent residual cleaning of the substrate surface having irregularities. Yes, the thin film and microstructure formed on the substrate were cleaned and the substrate surface such as a wafer or reticle was treated or processed without destroying the substrate or causing the substrate to be altered, distorted, or destroyed. Surface cleaning such as a processed surface of the substrate can be performed.
【００２６】本発明にかかる液膜形成機構は、洗浄対象
の表面に結露を発生させて液膜を形成することが好まし
い（請求項２）。かかる構成にすることにより、洗浄対
象面に凹凸（微細構造の凹凸）がある場合にも液膜を表
面全体にもれなく形成して異物の除去効果を増大させる
ことができる。また、基板上に形成された薄膜や微細構
造を破壊することなく該薄膜や微細構造上に液膜を形成
して、効果的に洗浄を行うことができる。It is preferable that the liquid film forming mechanism according to the present invention forms a liquid film by causing dew condensation on the surface to be cleaned. With this configuration, even when the surface to be cleaned has irregularities (irregularities of the fine structure), the liquid film can be formed on the entire surface without leaking, and the effect of removing foreign substances can be increased. Further, a liquid film can be formed on the thin film or the fine structure without destroying the thin film or the fine structure formed on the substrate, and the cleaning can be performed effectively.
【００２７】本発明にかかる液膜形成機構としては、例
えば、洗浄対象の基板を収納する空間内に前記結露を起
こさせるガスを導入するガス導入機構を備えたもの（請
求項３）、ガスの温湿度制御機構及び／または前記空間
内の温湿度制御機構を備えた請求項３記載のもの（請求
項４）、前記空間内の温湿度制御機構を備えた請求項２
記載のもの（請求項５）、前記基板の表面に隣接する空
間と該基板の裏面に隣接する空間を分離する機構と、各
空間の温湿度を独立に制御する温湿度制御機構と、を備
えた請求項２〜５記載のもの（請求項６）、或いは前記
基板の温度制御機構及び／または該基板のホルダーの温
度制御機構を備えた請求項２〜６記載のもの（請求項
７）が好ましい。As the liquid film forming mechanism according to the present invention, for example, a liquid film forming mechanism provided with a gas introducing mechanism for introducing the gas causing dew condensation into a space for accommodating the substrate to be cleaned, is provided. 4. The apparatus according to claim 3, further comprising a temperature / humidity control mechanism and / or a temperature / humidity control mechanism in said space, and a temperature / humidity control mechanism in said space.
And a mechanism for separating a space adjacent to the front surface of the substrate and a space adjacent to the back surface of the substrate, and a temperature and humidity control mechanism for independently controlling the temperature and humidity of each space. (2) or (3) having a temperature control mechanism for the substrate and / or a temperature control mechanism for the holder of the substrate. preferable.
【００２８】本発明の基板洗浄装置による洗浄の対象物
表面（前記基板表面または処理表面）は、液膜が形成さ
れやすくなるように親液性または親水性を有することが
好ましい（請求項８）。また、本発明の基板洗浄装置に
より、シリコンウェハを洗浄する場合に、前記液膜を水
の膜とし、パルス光の波長範囲を1.5 〜１０μｍとする
と、ウェハ表面上の微粒子（異物）、ウェハ上に形成さ
れた薄膜層や微細構造の上にある微粒子（異物）を効果
的に除去することができるので好ましい（請求項９）。The surface of the object to be cleaned by the substrate cleaning apparatus of the present invention (the surface of the substrate or the surface to be treated) preferably has lyophilicity or hydrophilicity so that a liquid film is easily formed (claim 8). . Further, when cleaning the silicon wafer by the substrate cleaning apparatus of the present invention, if the liquid film is a water film and the wavelength range of the pulsed light is 1.5 to 10 μm, fine particles (foreign matter) on the wafer surface, This is preferable because fine particles (foreign matter) on the thin film layer and the fine structure formed on the substrate can be effectively removed (claim 9).
【００２９】また、本発明にかかるパルス光は、照射エ
ネルギーが１０ｍＪ／ｃｍ2 〜１Ｊ／ｃｍ2 であり、か
つパルス幅が１μｓ以下であることが好ましい（請求項
10）。以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。The pulse light according to the present invention preferably has an irradiation energy of 10 mJ / cm 2 to 1 J / cm 2 and a pulse width of 1 μs or less.
Ten). Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples.
The present invention is not limited to these examples.
【００３０】[0030]
【実施例１】図２は、本実施例の基板洗浄装置の概略構
成図である。温湿度コントローラー （温湿度制御機構の一例）
２４１により温度と湿度が制御された容器２４０内に、
除去すべき微粒子（異物）２１０が付着したシリコンウ
エハ（洗浄対象物である基板）２０１が配置されてい
る。Embodiment 1 FIG. 2 is a schematic structural view of a substrate cleaning apparatus of the present embodiment. Temperature / humidity controller (example of temperature / humidity control mechanism)
In a container 240 whose temperature and humidity are controlled by 241,
A silicon wafer (substrate to be cleaned) 201 to which fine particles (foreign matter) 210 to be removed are attached is arranged.
【００３１】ウエハ２０１は、ウエハ取り入れ口２０４
から容器２４０の内部に入れられてウェハホルダー２０
２により保持されている。ホルダー２０２は、ウエハ２
０１とは周辺部のみ接し、付着微粒子を除去すべき中央
部分には両面側とも孔の開いた形状を有している。ま
た、ウェハホルダー及びウェハの温度は、温度コントローラー
（温度制御機構の一例）により制御することができる。The wafer 201 has a wafer inlet 204
From the wafer holder 20
2. Holder 202 holds wafer 2
01 has a shape in which only the peripheral portion is in contact, and a central portion from which the attached fine particles are to be removed has holes on both sides. The temperature of the wafer holder and wafer is controlled by a temperature controller.
(An example of a temperature control mechanism).
【００３２】パルス光照射機構は、Ｅｒ：ＹＡＧレーザ
ー源から発振したパルスレーザー光２２０（波長2.94μ
ｍ、パルス幅１０ｎｓ、0.1 Ｊ／ｃｍ2 ）をウエハの洗
浄面（微粒子を除去しようとする面）とは反対側（裏
側）のウェハ面から照射することができる。ここで、ウ
エハホルダー２０２はＸ−Ｙステージ（パルス光照射機
構の構成要素例）２０３に載っており、ステージ２０３
を駆動させることにより、レーザー光２２０をウェハ２
０１の裏面側から前記洗浄面全体に照射することができ
る。The pulse light irradiation mechanism includes a pulse laser light 220 (wavelength 2.94 μm) oscillated from an Er: YAG laser source.
m, pulse width 10 ns, 0.1 J / cm 2 ) can be irradiated from the wafer surface on the opposite side (back side) to the cleaning surface (the surface from which fine particles are to be removed) of the wafer. Here, the wafer holder 202 is mounted on an XY stage (a component example of a pulse light irradiation mechanism) 203,
By driving the laser beam 220 to the wafer 2
01 can be applied to the entire cleaning surface.
【００３３】微粒子を除去しようとするウェハの洗浄面
の近くには、ガス導入口２０５が設けられ、レーザー光
２２０照射時には、容器内雰囲気よりも温度・湿度とも
にやや高い空気がガス導入口２０５から導入される（ガ
ス導入機構及びガスの温湿度制御機構）。この空気はウ
エハに触れて冷却され、ウエハ表面（洗浄面）には結露
が生じ、表面（洗浄面）に薄い水の膜（液膜の一例）が
形成される。ガス導入口２０５からの空気の導入（吹き
出し）圧力はウエハに形成された微細な構造を破壊する
恐れがない程度である。A gas inlet 205 is provided near the cleaning surface of the wafer from which fine particles are to be removed. When the laser light 220 is irradiated, air slightly higher in temperature and humidity than the atmosphere in the container is supplied from the gas inlet 205. Introduced (gas introduction mechanism and gas temperature / humidity control mechanism). This air contacts the wafer and is cooled, dew condensation occurs on the wafer surface (cleaning surface), and a thin water film (an example of a liquid film) is formed on the surface (cleaning surface). The pressure for introducing (blowing) the air from the gas inlet 205 is such that there is no risk of destroying the fine structure formed on the wafer.
【００３４】本実施例では、ガス導入機構、各温湿度制
御機構、温度制御機構及び下記の厚さ検出器が液膜形成
機構を構成している。かかる液膜形成機構により形成さ
れる水膜の厚さは検出器２３０で計測されており、１〜
１０μｍになるようにウエハの温度、気体の流量などが
制御されている。In this embodiment, the gas introduction mechanism, each temperature / humidity control mechanism, the temperature control mechanism, and the following thickness detector constitute a liquid film forming mechanism. The thickness of the water film formed by the liquid film forming mechanism is measured by the detector 230,
The temperature of the wafer, the flow rate of the gas, and the like are controlled so as to be 10 μm.
【００３５】この状態でレーザー光２２０がウェハ２０
１の裏面側から照射されると、レーザー光２２０はその
大部分がウエハ２０１を透過し、付着微粒子を除去しよ
うとする洗浄面に形成された水膜によって吸収される。
吸収は水膜とウエハの境界付近で強く起こるため、付着
した微粒子２１０とウエハ２０１との間の水膜も効率よ
く熱せられ、水が瞬間的に蒸発することにより粒子が除
去される。In this state, the laser beam 220 is
When the laser light 220 is irradiated from the back surface side, most of the laser light 220 passes through the wafer 201 and is absorbed by the water film formed on the cleaning surface from which the attached fine particles are to be removed.
Since the absorption occurs strongly near the boundary between the water film and the wafer, the water film between the attached fine particles 210 and the wafer 201 is also efficiently heated, and the particles are removed by instantaneous evaporation of water.
【００３６】レーザー光をウェハの同じ位置に複数回照
射する際には、レーザー光の照射によって水膜が取り除
かれた後、再び水膜が結露により形成されるだけの時間
間隔をおいて照射をおこなう。本実施例の基板洗浄装置
によれば、ウェハ上の径の小さな粒子（ゴミ）も除去可
能であり、一度除去された汚れの再付着や凹凸がある基
板表面の洗浄残りを防止することが可能であり、ウェハ
上に形成された薄膜や微細構造を洗浄してもこれを破壊
することなく、またウェハの変質、歪み、または破壊を
引き起こすことなく、ウエハの表面や処理を施したウェ
ハ処理表面等の表面洗浄を行うことができる。When irradiating the same position on the wafer a plurality of times with the laser beam, the water film is removed by irradiating the laser beam, and then the laser beam is irradiated again at a time interval such that the water film is formed by dew condensation. Do it. According to the substrate cleaning apparatus of the present embodiment, small-diameter particles (dust) on the wafer can also be removed, and it is possible to prevent the re-adhesion of the once-removed dirt and the cleaning residue on the uneven substrate surface. Therefore, even if the thin film or microstructure formed on the wafer is cleaned, it is not destroyed, nor does it cause deterioration, distortion, or destruction of the wafer. And other surface cleaning.
【００３７】また、本実施例の液膜形成機構は、洗浄対
象のウェハ表面に結露を発生させて水膜を形成するの
で、洗浄対象面に凹凸（微細構造の凹凸）がある場合に
も水膜を表面全体にもれなく形成して異物の除去効果を
増大させることができる。さらに、ウェハ上に形成され
た薄膜や微細構造を破壊することなく該薄膜や微細構造
上に水膜を形成して、効果的に洗浄を行うことができ
る。Further, the liquid film forming mechanism of the present embodiment forms a water film by forming dew on the surface of a wafer to be cleaned. The film can be formed on the entire surface without leakage, and the effect of removing foreign substances can be increased. Furthermore, a water film can be formed on the thin film or the fine structure without destroying the thin film or the fine structure formed on the wafer, and the cleaning can be performed effectively.
【００３８】[0038]
【実施例２】図３は、本実施例の基板洗浄装置の概略構
成図である。シリコンウエハ３０１がウエハ取入れ口３
０４から容器３４０の内部に入れられて、ホルダー３０
２により保持されている。ウエハ３０１がホルダー３０
２に保持されることにより容器３４０内部は二つの空間
に分離されており、それぞれの空間は温湿度制御機構３
４１、３４１’により温度と湿度が独立に制御されてい
る。Embodiment 2 FIG. 3 is a schematic structural view of a substrate cleaning apparatus of the present embodiment. The silicon wafer 301 is in the wafer inlet 3
04 into the container 340 from the holder 30
2. The wafer 301 is in the holder 30
The inside of the container 340 is separated into two spaces by being held in the temperature and humidity control mechanism 3.
The temperature and humidity are independently controlled by 41 and 341 '.
【００３９】この二つの空間の温湿度を適切に制御する
ことにより、微粒子３１０が付着したウェハ面（洗浄
面）側だけに結露により水膜を形成することができる。
この水膜の厚さは検出器３３０により測定されており、
その厚さが１〜１０μｍになるように前記２空間の温湿
度が制御される。本実施例では、温湿度制御機構３４
１、３４１’と厚さ検出器３３０が液膜形成機構を構成
している。By appropriately controlling the temperature and humidity of the two spaces, a water film can be formed only on the wafer surface (cleaning surface) to which the fine particles 310 have adhered by dew condensation.
The thickness of this water film is measured by the detector 330,
The temperature and humidity of the two spaces are controlled so that the thickness is 1 to 10 μm. In this embodiment, the temperature and humidity control mechanism 34
1, 341 'and the thickness detector 330 constitute a liquid film forming mechanism.
【００４０】結露による水膜の形成では力学的な力を必
要としないので、ウェハ表面に微細構造が形成されてい
る場合にも、その構造を破壊することなく表面に水膜を
形成することができる。水膜がウェハの洗浄面に形成さ
れた状態で、パルス光照射機構はＥｒ：ＹＡＧレーザー
源から発振したパルスレーザー光３２０（波長2.94μ
ｍ、パルス幅１０ｎｓ、0.1 Ｊ／ｃｍ2 ）を入射窓３２
１から容器３４０内に配置されたウエハの洗浄面（微粒
子３１０を除去しようとする面）とは反対側（裏側）の
ウェハ面から照射する。Since formation of a water film by condensation does not require a mechanical force, even when a fine structure is formed on the wafer surface, it is possible to form a water film on the surface without destroying the structure. it can. With the water film formed on the cleaning surface of the wafer, the pulsed light irradiation mechanism operates the pulsed laser light 320 (wavelength 2.94 μm) oscillated from the Er: YAG laser source.
m, pulse width 10 ns, 0.1 J / cm 2 )
Irradiation is performed from the wafer surface on the opposite side (back side) to the cleaning surface (the surface on which the fine particles 310 are to be removed) of the wafer placed in the container 340 from 1.
【００４１】パルスレーザー光３２０は走査用反射鏡３
３１で反射してウエハに照射されるため、走査用反射鏡
３３１を制御することにより、ウエハ３０１の広い範囲
にパルスレーザー光３２０を照射することができる。こ
の状態でレーザー光３２０が照射されると、レーザー光
３２０はその大部分がシリコンウエハ３０１を透過し、
付着微粒子を除去しようとする洗浄面に形成された水膜
により吸収される。The pulse laser beam 320 is transmitted to the scanning reflecting mirror 3.
Since the light is reflected on the wafer 31 and irradiated onto the wafer, the pulse laser beam 320 can be irradiated on a wide area of the wafer 301 by controlling the scanning reflecting mirror 331. When the laser light 320 is irradiated in this state, most of the laser light 320 passes through the silicon wafer 301,
It is absorbed by the water film formed on the cleaning surface from which the attached fine particles are to be removed.
【００４２】吸収は水膜とウエハの境界付近で強く起こ
るため、付着した微粒子３１０とウエハ３０１との間の
水膜も効率よく熱せられ、水が瞬間的に蒸発することに
より微粒子が除去される。レーザー光をウェハの同じ位
置に複数回照射する際には、レーザー光の照射により水
膜が取り除かれた後、再び結露により水膜が形成される
だけの時間間隔をおいて照射をおこなう。Since the absorption strongly occurs near the boundary between the water film and the wafer, the water film between the attached fine particles 310 and the wafer 301 is also efficiently heated, and the fine particles are removed by instantaneous evaporation of water. . When the same position on the wafer is irradiated with the laser light a plurality of times, the water film is removed by the irradiation of the laser light, and then the irradiation is performed again at a time interval such that the water film is formed again by dew condensation.
【００４３】本実施例の基板洗浄装置によれば、ウェハ
上の径の小さな粒子（ゴミ）も除去可能であり、一度除
去された汚れの再付着や凹凸がある基板表面の洗浄残り
を防止することが可能であり、ウェハ上に形成された薄
膜や微細構造を洗浄してもこれを破壊することなく、ま
たウェハの変質、歪み、または破壊を引き起こすことな
く、ウエハの表面や処理を施したウェハ処理表面等の表
面洗浄を行うことができる。According to the substrate cleaning apparatus of this embodiment, particles (dust) having a small diameter on the wafer can be removed, and re-adhesion of the once-removed dirt and residual cleaning of the substrate surface having irregularities can be prevented. It is possible to clean the thin film or microstructure formed on the wafer without destroying it, and without causing the deterioration, distortion, or destruction of the wafer, the surface or processing of the wafer was performed. Surface cleaning such as a wafer processing surface can be performed.
【００４４】また、本実施例の液膜形成機構は、洗浄対
象のウェハ表面に結露を発生させて水膜を形成するの
で、洗浄対象面に凹凸（微細構造の凹凸）がある場合に
も水膜を表面全体にもれなく形成して異物の除去効果を
増大させることができる。さらに、ウェハ上に形成され
た薄膜や微細構造を破壊することなく該薄膜や微細構造
上に水膜を形成して、効果的に洗浄を行うことができ
る。Further, the liquid film forming mechanism of the present embodiment forms a water film by forming dew on the surface of the wafer to be cleaned. The film can be formed on the entire surface without leakage, and the effect of removing foreign substances can be increased. Furthermore, a water film can be formed on the thin film or the fine structure without destroying the thin film or the fine structure formed on the wafer, and the cleaning can be performed effectively.
【００４５】実施例１、２では、除去された微粒子が再
付着しにくいように、ウエハを垂直に立てた状態や微粒
子を除去する面を下に向けた状態でパルスレーザー光を
照射しているが、再付着を阻止する手段を構じた場合は
これに限るものではない。実施例１では、ガス導入機
構、各温湿度制御機構、温度制御機構及び厚さ検出器が
液膜形成機構を構成し、実施例２では、温湿度制御機構
３４１、３４１’と厚さ検出器３３０が液膜形成機構を
構成しているが、通常、ある程度以上の湿度を有する空
間であれば、シリコン表面と付着した微粒子との間には
吸着水が存在している。In the first and second embodiments, the pulsed laser beam is irradiated in a state in which the wafer is set upright or a state in which the fine particles are removed face down so that the removed fine particles are hard to adhere again. However, the present invention is not limited to the case where a means for preventing re-adhesion is provided. In the first embodiment, the gas introduction mechanism, each temperature / humidity control mechanism, the temperature control mechanism, and the thickness detector constitute a liquid film forming mechanism. In the second embodiment, the temperature / humidity control mechanisms 341 and 341 ′ and the thickness detector Although 330 constitutes a liquid film forming mechanism, usually in a space having a certain degree of humidity or more, adsorbed water exists between the silicon surface and the attached fine particles.
【００４６】そのため、このある程度以上の湿度を有す
る空間を液膜形成機構として利用することもできる。即
ち、本発明にかかる基板洗浄においては、レーザー光を
基板の裏側から入射させるので、この吸着水を加熱・蒸
発させることが可能であり、吸着水の蒸発により十分な
異物除去効果が得られる条件（付着粒子の種類、大き
さ、雰囲気湿度）であれば、実施例のような液膜形成機
構を特に設ける必要はない。Therefore, the space having a certain degree of humidity or more can be used as a liquid film forming mechanism. That is, in the cleaning of the substrate according to the present invention, since the laser light is incident from the back side of the substrate, it is possible to heat and evaporate the adsorbed water, and the conditions under which the sufficient foreign matter removing effect can be obtained by the evaporation of the adsorbed water. It is not necessary to provide a liquid film forming mechanism as in the embodiment as long as (the type, size, and atmospheric humidity of the adhered particles).
【００４７】実施例２では、ウエハの両面に接する空間
を分離し、片面にだけ結露を生じさせるように制御して
いるが、必ずしも空間の分離が必要なわけではない。分
離を行わない場合には、ウエハの両面に水膜が生じる
が、レーザー光を１回または数回照射することにより裏
面の水膜を除去し、裏面に再び水膜が形成されるだけの
時間間隔をあけずにレーザー光を照射すればよい。In the second embodiment, the space in contact with both surfaces of the wafer is separated so as to control the dew condensation on only one surface. However, it is not always necessary to separate the space. When separation is not performed, a water film is formed on both surfaces of the wafer, but the laser film is irradiated once or several times to remove the water film on the back surface, and the time is enough for the water film to be formed again on the back surface. Irradiation with a laser beam may be performed without an interval.
【００４８】また、通常、シリコンウエハは疎水性であ
るため、小量の水が付着する場合は薄い膜を形成せず、
微小な水滴の成長が見られる程度であるが、アッシング
処理などの親水化処理を施すと、水膜が表面に形成され
やすくなるので好ましい。また、容器内の圧力は大気圧
に限定されるものではなく、液膜が形成される条件であ
れば、加圧または減圧されていてもよい。In general, since a silicon wafer is hydrophobic, a thin film is not formed when a small amount of water adheres.
Although the growth of minute water droplets can be seen, it is preferable to perform a hydrophilic treatment such as an ashing treatment since a water film is easily formed on the surface. The pressure in the container is not limited to the atmospheric pressure, and may be pressurized or reduced as long as a liquid film is formed.
【００４９】また、実施例１、２では波長2.94μｍのＥ
ｒ：ＹＡＧレーザーを使用したが、シリコンに対して透
過率が高く、かつ、ウエハ表面に形成した水の薄膜によ
って強く吸収される領域の波長であれば、他のパルスレ
ーザー光やパラメトリック発振等によって得られたパル
ス光でもよい。In the first and second embodiments, the wavelength of 2.94 μm E
An r: YAG laser was used, but if it has a high transmittance to silicon and a wavelength in a region that is strongly absorbed by a thin film of water formed on the wafer surface, other pulsed laser light, parametric oscillation, etc. The obtained pulse light may be used.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の基板洗
浄装置によれば、基板上の径の小さな粒子（ゴミ）も除
去可能であり、凹凸がある基板表面の洗浄残りを防止す
ることが可能であり、基板上に形成された薄膜や微細構
造を洗浄してもそれを破壊することなく、また基板の変
質、歪み、または破壊を引き起こすことなく、ウエハや
レチクル等の基板表面や処理を施した基板の処理表面等
の表面洗浄を行うことができる。As described above, according to the substrate cleaning apparatus of the present invention, particles (dust) having a small diameter on the substrate can be removed, and the residual surface of the substrate having irregularities can be prevented from being cleaned. It is possible to clean the thin film and microstructure formed on the substrate without destroying it, and without causing the deterioration, distortion or destruction of the substrate, and the surface or processing of the substrate such as a wafer or reticle. Cleaning of the processed surface of the substrate subjected to the treatment can be performed.
【図１】は、本発明の基板洗浄装置にかかる基板上の異
物除去の原理を説明する概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating the principle of removing foreign substances on a substrate according to the substrate cleaning apparatus of the present invention.
【図２】は、実施例１の基板洗浄装置の概略構成図であ
る。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a substrate cleaning apparatus according to the first embodiment.
【図３】は、実施例２の基板洗浄装置の概略構成図であ
る。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment.
１０１，２０１，３０１ シリコンウエハ（基板の一
例） ２０２，３０２ ウエハホルダー（基板ホルダーの一
例） ２０３ Ｘ−Ｙステージ ２０４，３０４ ウエハ挿入口 ２０５ ガス導入口 １１０，２１０，３１０ 付着した微粒子（異物） １１１ 液膜 １１２ レーザー光が吸収される領域 １２０，２２０，３２０ レーザー光 ２２１，３２１ レーザー光導入窓 ２３０，３３０ 液膜厚検出器 ３３１ 走査用反射鏡 ２４０，３４０ 容器（基板を収納する空間を形成する
容器） ２４１，３４１，３４１’ 温度・湿度コントローラー （温湿
度制御機構の一例） 以上101, 201, 301 Silicon wafer (an example of a substrate) 202, 302 Wafer holder (an example of a substrate holder) 203 XY stage 204, 304 Wafer insertion port 205 Gas introduction port 110, 210, 310 Adhered fine particles (foreign matter) 111 Liquid film 112 Region where laser light is absorbed 120, 220, 320 Laser light 221, 321 Laser light introduction window 230, 330 Liquid film thickness detector 331 Scanning mirror 240, 340 Container (forms a space for accommodating a substrate) Container) 241,341,341 'Temperature / humidity controller (one example of temperature / humidity control mechanism)
Claims (10)
処理表面に付着した異物を除去することにより表面洗浄
を行う基板洗浄装置において、 前記表面に液体の膜を形成する液膜形成機構と、前記基
板の裏面側から洗浄対象の表面に向けて前記液膜が強い
吸収を示す波長のパルス光を照射するパルス光照射機構
とを備え、前記液膜形成機構により前記表面に液膜を形
成した状態にて、該表面に前記パルス光照射機構により
パルス光を照射して前記液膜を蒸発させることにより前
記異物を除去することを特徴とする基板洗浄装置。1. A substrate cleaning apparatus for cleaning a surface by removing foreign substances adhering to a substrate surface or a processed surface of a processed substrate, comprising: a liquid film forming mechanism for forming a liquid film on the surface; A pulse light irradiation mechanism for irradiating a pulse light having a wavelength at which the liquid film exhibits strong absorption from the back side of the substrate toward the surface to be cleaned, and forming a liquid film on the surface by the liquid film forming mechanism. A substrate cleaning device, wherein the foreign matter is removed by irradiating the surface with pulsed light by the pulsed light irradiation mechanism to evaporate the liquid film.
発生させて液膜を形成することを特徴とする請求項１記
載の基板洗浄装置。2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the liquid film forming mechanism forms a liquid film by generating dew on the surface.
る空間内に前記結露を起こさせるガスを導入するガス導
入機構を備えていることを特徴とする請求項２記載の基
板洗浄装置。3. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein the liquid film forming mechanism includes a gas introduction mechanism for introducing the dew-condensing gas into a space accommodating the substrate.
制御機構及び／または前記空間内の温湿度制御機構を備
えていることを特徴とする請求項３記載の基板洗浄装
置。4. The substrate cleaning apparatus according to claim 3, wherein the liquid film forming mechanism includes a temperature and humidity control mechanism for the gas and / or a temperature and humidity control mechanism in the space.
る空間内の温湿度制御機構を備えていることを特徴とす
る請求項２記載の基板洗浄装置。5. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein the liquid film forming mechanism includes a temperature and humidity control mechanism in a space for accommodating the substrate.
隣接する空間と該基板の裏面に隣接する空間を分離する
機構と、各空間の温湿度を独立に制御する温湿度制御機
構と、を備えていることを特徴とする請求項２〜５記載
の基板洗浄装置。6. A liquid film forming mechanism comprising: a mechanism for separating a space adjacent to a front surface of the substrate and a space adjacent to a back surface of the substrate; and a temperature and humidity control mechanism for independently controlling the temperature and humidity of each space. The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 2 to 5, further comprising:
御機構及び／または該基板のホルダーの温度制御機構を
備えていることを特徴とする請求項２〜６記載の基板洗
浄装置。7. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein the liquid film forming mechanism includes a temperature control mechanism of the substrate and / or a temperature control mechanism of a holder of the substrate.
または親水性を有することを特徴とする請求項１〜７記
載の基板洗浄装置。8. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface or the treated surface has lyophilicity or hydrophilicity.
液膜が水の薄膜であり、前記パルス光の波長範囲が1.5
〜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜８記載の
基板洗浄装置。9. The method according to claim 1, wherein the substrate is a silicon wafer, the liquid film is a thin film of water, and the wavelength range of the pulse light is 1.5.
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the substrate cleaning apparatus has a thickness of 10 μm to 10 μm.
０ｍＪ／ｃｍ2 〜１Ｊ／ｃｍ2 であり、かつパルス幅が
１μｓ以下であることを特徴とする請求項１〜９記載の
基板洗浄装置。10. The pulsed light has an irradiation energy of 1
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the substrate cleaning apparatus has a pulse width of 0 μJ / cm 2 to 1 J / cm 2 and a pulse width of 1 μs or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218989A JPH1064863A (en) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Substrate cleaning device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218989A JPH1064863A (en) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Substrate cleaning device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064863A true JPH1064863A (en) | 1998-03-06 |
Family
ID=16728533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8218989A Pending JPH1064863A (en) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Substrate cleaning device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064863A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023689A (en) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method of cleaning support plate |
| JPWO2010055855A1 (en) * | 2008-11-13 | 2012-04-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2014209595A (en) * | 2013-03-28 | 2014-11-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP8218989A patent/JPH1064863A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010055855A1 (en) * | 2008-11-13 | 2012-04-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP5480159B2 (en) * | 2008-11-13 | 2014-04-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2011023689A (en) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method of cleaning support plate |
| JP2014209595A (en) * | 2013-03-28 | 2014-11-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8206510B2 (en) | Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool | |
| US6799584B2 (en) | Condensation-based enhancement of particle removal by suction | |
| US5967156A (en) | Processing a surface | |
| US6407385B1 (en) | Methods and apparatus for removing particulate foreign matter from the surface of a sample | |
| US20040140298A1 (en) | Iced film substrate cleaning | |
| JP3001986B2 (en) | Method and apparatus for drying a substrate | |
| US20110083696A1 (en) | Laser Induced Shockwave Surface Cleaning | |
| US20120279519A1 (en) | Integrated Substrate Cleaning System and Method | |
| JPH0819766A (en) | Cleaning device using light impulse wave | |
| JP2010045283A (en) | Contamination removal device, contamination removal method and pattern substrate manufacturing method | |
| JPH1064863A (en) | Substrate cleaning device | |
| US20040224508A1 (en) | Apparatus and method for cleaning a substrate using a homogenized and non-polarized radiation beam | |
| JP2000202385A (en) | Cleaning of smooth surface by laser beam | |
| JP2000061414A (en) | Washing device and method | |
| JPH05182945A (en) | Treating device | |
| JPH1064864A (en) | Cleaning device | |
| TW201201249A (en) | Substrate rear surface flattening method | |
| JP3998974B2 (en) | Circuit board patterning method | |
| JP2002343761A (en) | Laser cleaning apparatus and method therefor | |
| JPH1126409A (en) | Cleaning device | |
| JP2001269636A (en) | Method and device for laser cleaning | |
| JPH1126410A (en) | Cleaning apparatus | |
| JP2003303800A (en) | Surface-cleaning equipment and surface-cleaning method | |
| JPH10209097A (en) | Substrate cleaning method and apparatus | |
| JP3106040B2 (en) | Dry cleaning system for substrate surface |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050906 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060530 |