JP2010135550A - Substrate treatment device and substrate treatment method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板と、当該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、膜面の縁部にレーザ光を照射して処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing processing by irradiating an edge portion of a film surface with laser light among substrates to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate.
従来から、透明絶縁基板上に積層された膜面の一部にレーザ光を照射することによって、当該膜面の一部を除去してパターニングを施す工程と、透明絶縁基板上に積層された膜面の縁部にレーザ光を照射することによって、膜面の縁部を除去する工程と、を備えた薄膜太陽電池の製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, by irradiating a part of the film surface laminated on the transparent insulating substrate with a laser beam, a part of the film surface is removed and patterned, and the film laminated on the transparent insulating substrate A method of manufacturing a thin-film solar cell including a step of removing the edge of the film surface by irradiating the edge of the surface with laser light is known (see, for example, Patent Document 1).
膜面の縁部を除去するのは、被処理基板の絶縁性を担保するためであり、除去されるべき膜面の縁部の範囲は所定の大きさ以上となる必要がある。他方、電池として機能させるためには、除去された後の膜面の端部と最も外周側に位置する膜面(膜面の加工箇所の最も周縁側の位置との間に位置する膜面)も所定の大きさ以上となる必要がある。 The reason why the edge of the film surface is removed is to ensure the insulation of the substrate to be processed, and the range of the edge of the film surface to be removed needs to be a predetermined size or more. On the other hand, in order to function as a battery, the film surface located on the outermost peripheral side and the film surface after being removed (the film surface located between the position on the most peripheral side of the processed portion of the film surface) Needs to be larger than a predetermined size.
これらのことから、被処理基板自体がゆがんでいる(例えば台形状になっている)場合や、被処理基板の位置決め精度が悪い場合には、除去されるべき膜面の縁部の範囲、または、除去された後の最も外周側に位置する膜面が、所定の大きさを満たすことができず、製造したとしても不良品になってしまう。このため、このような状態の被処理基板は、処理工程から外すことが好ましい。 From these, when the substrate to be processed itself is distorted (for example, has a trapezoidal shape), or when the positioning accuracy of the substrate to be processed is poor, the range of the edge of the film surface to be removed, or The film surface located on the outermost peripheral side after being removed cannot satisfy a predetermined size, and even if manufactured, it becomes a defective product. For this reason, it is preferable to remove the substrate to be processed in such a state from the processing step.
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理基板自体がゆがんでいる(台形状になっている)場合などに、そのまま処理することを避けて無駄な被加工基板の処理を防止したり、処理してしまった被処理基板が所定の要件を満たさない場合に後工程で無駄に処理してしまうことを防止したりすることを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such points, and when the substrate to be processed itself is distorted (in a trapezoidal shape), the substrate to be processed is avoided by avoiding processing as it is. It is an object of the present invention to prevent this processing, or to prevent unnecessary processing in a subsequent process when the processed substrate does not satisfy the predetermined requirements.
本発明の第1の態様による基板処理装置は、
基板と、該基板に設けられて所定の加工箇所で加工された膜面とを有する被処理基板を処理する基板処理装置において、
前記被処理基板を保持する保持部と、
レーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記被処理基板の端部と、前記膜面の加工箇所の最も周縁側の位置を検出する検出器と、を備え、
前記検出器によって検出された前記被処理基板の端部の位置と前記膜面の加工箇所の最も周縁側の位置との位置関係が所定の条件を満たす場合にだけ、前記レーザ照射装置から照射されるレーザ光の前記膜面に対する照射位置を移動させて、前記被処理基板の前記膜面の縁部を除去する。
A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes:
In a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate and processed at a predetermined processing location,
A holding unit for holding the substrate to be processed;
A laser irradiation device for irradiating laser light;
An end portion of the substrate to be processed, and a detector that detects a position on the most peripheral side of a processing portion of the film surface,
Irradiated from the laser irradiation apparatus only when the positional relationship between the position of the edge of the substrate to be processed detected by the detector and the position of the processing surface of the film surface on the most peripheral side satisfies a predetermined condition. The irradiation position of the laser beam to the film surface is moved to remove the edge of the film surface of the substrate to be processed.
本発明の第2の態様による基板処理装置は、
基板と、該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板を処理する基板処理装置において、
前記被処理基板を保持する保持部と、
レーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記被処理基板の端部を検出する検出器と、を備え、
前記レーザ照射装置から照射されるレーザ光の前記膜面に対する照射位置を移動させて、前記被処理基板の前記膜面の縁部を除去し、
前記検出器が、除去されず残っている膜面の端部の位置と、前記被処理基板の端部の位置とを検出する。
The substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention comprises:
In a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate,
A holding unit for holding the substrate to be processed;
A laser irradiation device for irradiating laser light;
A detector for detecting an end of the substrate to be processed,
Move the irradiation position on the film surface of the laser light irradiated from the laser irradiation device, remove the edge of the film surface of the substrate to be processed,
The detector detects the position of the end of the film surface remaining without being removed and the position of the end of the substrate to be processed.
本発明の第1の態様による基板処理装置において、
前記検出器は、前記被処理基板の端部の少なくとも2箇所を検出して該端部の位置を検出するとともに、前記加工箇所の最も周縁側の位置の少なくとも2箇所を検出して該加工箇所の最も周縁側の位置を検出することが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention,
The detector detects at least two positions of the end portion of the substrate to be processed to detect the position of the end portion, and detects at least two positions on the most peripheral side of the processing position to detect the processing position. It is preferable to detect the position of the most peripheral side.
本発明の第2の態様による基板処理装置において、
前記検出器は、前記被処理基板の端部の少なくとも2箇所を検出して、該被処理基板の端部の位置を検出するとともに、除去されず残っている膜面の端部の少なくとも2箇所を検出して、該膜面の端部の位置を検出することが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention,
The detector detects at least two positions of the end portion of the substrate to be processed, detects the position of the end portion of the substrate to be processed, and at least two positions of the end portion of the film surface that remains without being removed. It is preferable to detect the position of the end portion of the film surface by detecting.
本発明による基板処理装置において、
前記被処理基板に対して前記検出器と反対側に反射部材が設けられ、
前記被処理基板に対して検出器側から見た場合に、前記反射部材の少なくとも一部は、前記保持部によって保持された前記被処理基板の周縁外方に位置づけられていることが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention,
A reflective member is provided on the opposite side of the detector with respect to the substrate to be processed;
When viewed from the detector side with respect to the substrate to be processed, it is preferable that at least a part of the reflecting member is positioned outside the periphery of the substrate to be processed held by the holding portion.
本発明の第1の態様による基板処理方法は、
基板と、該基板に設けられて所定の加工箇所で加工された膜面とを有する被処理基板を処理する基板処理方法において、
保持部によって前記被処理基板を保持する工程と、
検出器によって、前記被処理基板の端部と、前記膜面の加工箇所の最も周縁側の位置を検出する工程と、
前記検出器によって検出された前記被処理基板の端部の位置と前記膜面の加工箇所の最も周縁側の位置との位置関係が所定の条件を満たす場合にだけ、レーザ照射装置からレーザ光を照射させるとともに当該レーザ光の前記膜面に対する照射位置を移動させて、前記被処理基板の前記膜面の縁部を除去する工程と、
を備えている。
The substrate processing method according to the first aspect of the present invention comprises:
In a substrate processing method of processing a substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate and processed at a predetermined processing location,
Holding the substrate to be processed by a holding unit;
The step of detecting the edge of the substrate to be processed and the position on the most peripheral side of the processed portion of the film surface by a detector;
Laser light is emitted from the laser irradiation apparatus only when the positional relationship between the position of the edge of the substrate to be processed detected by the detector and the position on the most peripheral side of the processing portion of the film surface satisfies a predetermined condition. Irradiating and moving the irradiation position of the laser beam on the film surface to remove the edge of the film surface of the substrate to be processed;
It has.
本発明の第2の態様による基板処理方法は、
基板と、該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板を処理する基板処理方法において、
保持部によって前記被処理基板を保持する工程と、
レーザ照射装置からレーザ光を照射する工程と、
レーザ光の前記膜面に対する照射位置を移動させることによって、前記被処理基板の前記膜面の縁部を除去する工程と、
検出器によって、除去されず残っている膜面の端部の位置と、前記被処理基板の端部の位置とを検出する工程と、
を備えている。
The substrate processing method according to the second aspect of the present invention comprises:
In a substrate processing method for processing a substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate,
Holding the substrate to be processed by a holding unit;
Irradiating laser light from a laser irradiation device;
Removing the edge of the film surface of the substrate to be processed by moving the irradiation position of the laser beam on the film surface;
Detecting the position of the end of the film surface that is not removed by the detector and the position of the end of the substrate to be processed;
It has.
本発明によれば、検出器によって検出された被処理基板の端部の位置と膜面の加工箇所の最も周縁側の位置との位置関係が所定の条件を満たす場合にだけ、被処理基板の膜面の縁部を除去するので、被処理基板自体がゆがんでいる(台形状になっている)場合などに、そのまま処理することを避けることができ、無駄な被加工基板の処理を防止することができる。 According to the present invention, only when the positional relationship between the position of the end portion of the substrate to be processed detected by the detector and the position on the most peripheral side of the processing portion of the film surface satisfies a predetermined condition, Since the edge of the film surface is removed, when the substrate to be processed itself is distorted (in a trapezoidal shape), it is possible to avoid processing as it is and to prevent unnecessary processing of the substrate to be processed. be able to.
また、被処理基板の膜面の縁部を除去し、その後、検出器が、除去されず残っている膜面の端部の位置と被処理基板の端部の位置とを検出するので、処理してしまった被処理基板が所定の要件を満たさない場合に後工程で無駄に処理してしまうことを防止することができる。さらに、除去すべき膜面が除去されきっていない場合には、再度、膜面の縁部を処理することができ、最も外周側に位置する膜面をより正確な範囲で除去することができる。 Also, the edge of the film surface of the substrate to be processed is removed, and then the detector detects the position of the end of the film surface that remains without being removed and the position of the edge of the substrate to be processed. When the substrate to be processed that has been processed does not satisfy the predetermined requirement, it can be prevented that the substrate is processed in a later step. Furthermore, when the film surface to be removed is not completely removed, the edge of the film surface can be processed again, and the film surface located on the outermost periphery side can be removed in a more accurate range. .
第1の実施の形態
以下、本発明に係る基板処理装置および基板処理方法の第1の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図6は本発明の第1の実施の形態に関する図である。
First Embodiment Hereinafter, a first embodiment of a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 1 to FIG. 6 are diagrams relating to the first embodiment of the present invention.
基板処理装置は、ガラス基板(基板)62と、ガラス基板62に設けられて(前工程において)所定の加工箇所61a(図4参照)で加工された膜面61とを有する被処理基板60のうち、膜面61の縁部61p,61qを処理するために用いられる(図2および図3(b)(e)参照)。なお、このような被処理基板60としては、例えば、薄膜太陽電池に用いられる基板を挙げることができるが、これに限られることはない。
The substrate processing apparatus includes a glass substrate (substrate) 62 and a substrate to be processed 60 that is provided on the glass substrate 62 (in the previous step) and processed at a
図1(a)(b)に示すように、基板処理装置は、ガラス基板62が膜面61の上方(一方側)に位置する状態で、被処理基板60を上方(一方側)から吸着して保持する吸着保持部(保持部)10と、レーザ光L(図2参照)を照射するレーザ照射装置20と、レーザ照射装置20を水平方向に移動させるレーザ移動部22と、被処理基板60の端部と、膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61al(図4参照)を検出する検出器50と、を備えている。ここで、検出器50は検出器駆動部(図示せず)によって、水平方向に移動自在となっている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the substrate processing apparatus adsorbs the
なお、図1(a)は本実施の形態による基板処理装置を上方から見た上方平面図であり(吸着保持部10は示していない)、図1(b)は当該基板処理装置を側方から見た側方図である。
1A is an upper plan view of the substrate processing apparatus according to the present embodiment as viewed from above (the
また、図2に示すように、検出器50、レーザ照射装置20、レーザ移動部22、回転駆動部15(後述)および通知部59(後述)には制御装置55が接続されている。そして、この制御装置55は、検出器50によって検出された被処理基板60の端部の位置と膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alとの位置関係が所定の条件を満たすか判断する(図4参照)。より具体的には、制御装置55は、被処理基板60の端部と膜面61の加工箇所61aの最も周縁側位置61alとの間の距離や、被処理基板60の端部に対する膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの傾きが、所定の条件を満たすか判断し、所定の条件を満たす場合には、レーザ照射装置20からレーザ光Lを照射させつつ、レーザ照射装置20を移動させることによって、被処理基板60の膜面61の縁部61p,61qを除去させる。他方、所定の条件を満たさない場合には、その旨を、表示画面や音声装置などからなる通知部59で知らせたりする。
Further, as shown in FIG. 2, a
なお、本実施の形態による検出器50は、被処理基板60の端部の少なくとも2箇所(例えば、図4の60e1,60e2)を検出して当該端部の位置を検出するとともに、加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの少なくとも2箇所(例えば、図4の61al1,61al2)を検出して当該加工箇所61aの最も周縁側の位置61alを検出するように構成されている。より具体的には、制御装置55は画像処理機能を有しており、当該画像処理機能によって、検出された被処理基板60の端部の位置の各々(60e1,60e2)を直線で結ぶとともに、検出された加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの各々(61al1,61al2)を直線で結ぶことによって、被処理基板60の端部と膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alとの間の距離と、被処理基板60の端部に対する膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの傾きを決定するように構成されている。
Note that the
また、図1(b)および図2に示すように、吸着保持部10の上部には、当該吸着保持部10を回転させることによって被処理基板60を回転させる回転駆動部15が設けられている。なお、本実施の形態では、吸着保持部10の上部に回転駆動部15が設けられている態様を用いて説明するが、これに限られることなく、例えば、吸着保持部10に対して、レーザ照射装置20とレーザ移動部22が回転される態様を用いてもよい。
Further, as shown in FIGS. 1B and 2, a
また、図1(b)に示すように、レーザ照射装置20の下端は、吸着保持部10の上端よりも上方(端部より一方側)に位置しており、吸着保持部10が回転駆動部15によって回転される際でも、吸着保持部10とレーザ照射装置20とが衝突することが無いように構成されている。
Further, as shown in FIG. 1B, the lower end of the
また、図1(a)(b)に示すように、レーザ照射装置20およびレーザ移動部22の上流側には、被処理基板60を搬送する一対の搬送部1が設けられている。また、搬送部1の近傍には、被処理基板60を搬送方向で挟持して位置決めする一対の位置決め部5lと、被処理基板60を搬送方向に直交する方向で挟持して位置決めする二対の位置決め部5sが設けられている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, a pair of
なお、本実施の形態では、搬送部1と、レーザ照射装置20、レーザ移動部22および検出器50とが別々の場所に配置されている態様を用いて説明したが、これに限られることはない。例えば、搬送部1の上方に、レーザ照射装置20、レーザ移動部22および検出器50が設けられてもよく、この場合には、吸着保持部10によって、被処理基板60を水平方向に移動させる必要が無くなり、作業効率を向上させることができる。
In the present embodiment, the
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。なお、後述の説明で用いられる図3(a)−(e)においては、図面を簡略化するため、一つのレーザ照射装置20とレーザ移動部22のみを示しているが、本実施の形態では、図1(a)のように一対のレーザ照射装置20とレーザ移動部22を用いている。また、図3(a)−(e)では、図面を簡略化するため、検出器50も図示していない。
Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described. 3A to 3E used in the following description, only one
まず、搬送部1によって、処理対象となる被処理基板60が搬送される(図1(a)(b)参照)。そして、被処理基板60が所定の位置まで搬送されると、搬送部1が停止され、このことによって被処理基板60の搬送が停止される。このとき、ガラス基板62が膜面61の上方に位置する状態になっており、搬送部1は、膜面61のうち後述するレーザ光Lで除去される部分に当接している。
First, the substrate to be processed 60 to be processed is transferred by the transfer unit 1 (see FIGS. 1A and 1B). Then, when the
次に、一対の位置決め部5lによって、被処理基板60が搬送方向で挟持されて位置決めされるとともに、二対の位置決め部5sによって、被処理基板60が搬送方向に直交する方向で挟持されて位置決めされる(図1(a)(b)参照)。
Next, the substrate to be processed 60 is sandwiched and positioned by the pair of positioning portions 5l in the transport direction, and the substrate to be processed 60 is sandwiched and positioned by the two pairs of
次に、吸着保持部10によって、位置決め部5s,5lによって挟持された被処理基板60が上方から吸着して保持される。そして、吸着保持部10によって、被処理基板60が、レーザ加工位置まで搬送される(図1(b)参照)。
Next, the substrate to be processed 60 held between the
次に、検出器50によって、被処理基板60の端部の少なくとも2箇所(例えば、図4の60e1,60e2)が検出されて当該端部の位置が検出されるとともに、加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの少なくとも2箇所(例えば、図4の61al1,61al2)が検出されて当該加工箇所61aの最も周縁側の位置61alが検出される。
Next, the
次に、制御装置55内の画像処理機能によって、検出された被処理基板60の端部の位置の各々(60e1,60e2)が直線で結ばれるとともに、検出された加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの各々(61al1,61al2)が直線で結ばれ、このことによって、被処理基板60の端部と膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alとの間の距離と、被処理基板60の端部に対する膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの傾きが決定される。
Next, each of the detected positions (60e 1 , 60e 2 ) of the end portion of the
次に、制御装置55によって、被処理基板60の端部と膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alとの間の距離や、被処理基板60の端部に対する膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの傾きが所定の条件を満たすか判断される。そして、所定の条件を満たす場合には、制御装置55からの信号に基づいて、レーザ照射装置20からレーザ光Lが照射され、かつ、レーザ移動部22によってレーザ照射装置20が被処理基板60の端部(略X方向)に沿って移動されることによって、被処理基板60の膜面61の一の縁部61pが処理される(図3(a)(b)参照)。他方、制御装置55によって、所定の条件を満たさないと判断された場合には、その旨が、表示画面や音声装置などからなる通知部59で知らされる(図2参照)。
Next, by the
なお、レーザ照射装置20の動きは、本実施の形態では、被処理基板60の端部(略X方向)に沿って移動した後、Y方向の正方向(X方向に直交する方向であって被処理基板60の内方)に移動し、その後、被処理基板60の端部(略X方向)に沿った方向であって先程とは逆方向に移動するようになっている(図3(a)(b)の矢印、参照)。そして、このような動きを適宜繰り返すことによって、被処理基板60の一の縁部61pを所望の範囲で処理することができる。なお、図4の斜線部は、レーザ光Lによって除去される膜面61の範囲を示している。
In the present embodiment, the
上述のようにして、被処理基板60の一の縁部61pが処理されると、回転駆動部15によって被処理基板60が回転され(図3(c)参照)、その後、検出器50によって、他の縁部61qについて、被処理基板60の端部の少なくとも2箇所が検出されて当該端部の位置が検出されるとともに、加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの少なくとも2箇所が検出されて当該加工箇所61aの最も周縁側の位置61alが検出される(図4参照)。
As described above, when one
そして、制御装置55によって、被処理基板60の端部と膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alとの間の距離や、被処理基板60の端部に対する膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alの傾きが所定の条件を満たすか判断されて、所定の条件を満たす場合には、制御装置55からの信号に基づいて、レーザ照射装置20からレーザ光Lが照射され、かつ、レーザ移動部22によってレーザ照射装置20が被処理基板60の端部に沿って移動されることによって、被処理基板60の膜面61の一の縁部61pが処理される。他方、所定の条件を満たさないと判断された場合には、その旨が、表示画面や音声装置などからなる通知部59で知らされる。
Then, the
このように、本実施の形態によれば、被処理基板60自体がゆがんでいる(台形状になっている)場合などで、そのまま被処理基板60を処理しても不良品を製造してしまう場合に、そのような被処理基板60を処理することを避けることができ、無駄な被処理基板60の処理を防止することができる。
As described above, according to the present embodiment, in the case where the
なお、他の縁部61qが処理されるときのレーザ照射装置20の動きも、やはり、レーザ照射装置20が被処理基板60の端部(略X方向)に沿って移動する(図3(d)(e)参照)。このため、レーザ照射装置20の移動距離を極力短くすることができ、処理効率を向上させることができる。
The movement of the
また、本実施の形態によれば、吸着保持部10によって、ガラス基板62が膜面61の上方に位置する状態で、被処理基板60のガラス基板62が上方から吸着して保持されるので(図1(b)および図2参照)、下方に位置する膜面61が、ピン形状の基板支持部(図示せず)によって押圧されることがない。さらに、本実施の形態によれば、ガラス基板62のうちレーザ光Lが透過される部分以外を広範囲で吸着保持部10によって保持することができるので、被処理基板60が撓むことを確実に防止することができる。
Moreover, according to this Embodiment, since the
これらのことより、本実施の形態によれば、膜面61に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板60が撓むことを確実に防止することができ、ひいては、膜面61の処理精度を高くすることができる。
From these things, according to this Embodiment, it can prevent reliably that the to-
なお、本実施の形態では、レーザ照射装置20の下端が、吸着保持部10の上端よりも上方に位置しており(図1(b)参照)、吸着保持部10が回転駆動部15によって回転される際でも、吸着保持部10とレーザ照射装置20とが衝突することが無いように構成されているので、吸着保持部10の水平方向の大きさを極力大きくすることができ、被処理基板60が撓むことをより確実に防止することができる。
In the present embodiment, the lower end of the
ところで、図5に示すように、被処理基板60に対して検出器50と反対側(下方)に反射部材70を設けてもよく、当該反射部材70の一部は、被処理基板60に対して検出器50側から見た場合に、保持部によって保持された被処理基板60の周縁外方に位置づけられているようになっている。このような反射部材70を設けることによって、検出器50によって被処理基板60の端部を検出する際に、より正確に、当該端部を検出することができる。
Incidentally, as shown in FIG. 5, a
すなわち、検出器50から見た場合に、被処理基板60の端部は丸みを帯びているので、光の乱反射によって暗く見えることとなるが、反射部材70を設けることによって、被処理基板60の端部の外側の位置では光を鏡面反射させることができる(図5参照)。このため、ガラス基板の端部と当該端部の外側とで、コントラストを大きくすることができ、被処理基板60の端部をより正確に検出することができる。
That is, when viewed from the
また、上記では、保持部として、被処理基板60を上方から吸着して保持する吸着保持部10を用いて説明したが、これに限られることなく、図6に示すように、被処理基板60を下方から支持して保持する下方保持部16を用いてもよい。このように下方保持部16を用いる場合には、膜面61への接触面積を減らすため、膜面61を支持する下方保持部16の基板支持部(図示せず)はピン形状になっていることが好ましい。
In the above description, the
第2の実施の形態
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図1乃至図6で示した第1の実施の形態は、検出器50によって検出された被処理基板60の端部の位置と膜面61の加工箇所61aの最も周縁側の位置61alとの位置関係が所定の条件を満たす場合に、レーザ照射装置20からレーザ光Lを照射させつつ、レーザ照射装置20を移動させることによって、被処理基板60の膜面61の縁部61p,61qを除去するものであったが、図7に示す第2の実施の形態は、その代わりに、レーザ照射装置20からレーザ光Lを照射させつつ、レーザ照射装置20を移動させることによって被処理基板60の膜面61の縁部61p,61qを除去し、その後、検出器50が、残っている膜面61の端部の位置と、被処理基板60の端部の位置とを検出するものであり、その他の構成は図1乃至図6に示す第1の実施の形態と略同一である。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described. The first preferred embodiment shown in FIGS. 1 through 6 embodiment, the
図7に示す第2の実施の形態において、図1乃至図6に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。 In the second embodiment shown in FIG. 7, the same parts as those in the first embodiment shown in FIGS.
以下、本実施の形態による基板処理装置の作用効果について説明する。 Hereinafter, functions and effects of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described.
まず、搬送部1によって、処理対象となる被処理基板60が搬送される(図1(a)(b)参照)。そして、被処理基板60が所定の位置まで搬送されると、搬送部1が停止され、このことによって被処理基板60の搬送が停止される。
First, the substrate to be processed 60 to be processed is transferred by the transfer unit 1 (see FIGS. 1A and 1B). Then, when the
次に、一対の位置決め部5lによって、被処理基板60が搬送方向で挟持されて位置決めされるとともに、二対の位置決め部5sによって、被処理基板60が搬送方向に直交する方向で挟持されて位置決めされる(図1(a)(b)参照)。
Next, the substrate to be processed 60 is sandwiched and positioned by the pair of positioning portions 5l in the transport direction, and the substrate to be processed 60 is sandwiched and positioned by the two pairs of
次に、吸着保持部10によって、位置決め部5s,5lによって挟持された被処理基板60が上方から吸着して保持される。そして、吸着保持部10によって、被処理基板60が、レーザ加工位置まで搬送される(図1(b)参照)。
Next, the substrate to be processed 60 held between the
次に、レーザ照射装置20からレーザ光Lが照射され、かつ、レーザ移動部22によってレーザ照射装置20が被処理基板60の端部(略X方向)に沿って移動されることによって、被処理基板60の膜面61の一の縁部61pが処理される(図3(b)参照)。このとき、レーザ照射装置20によるレーザ照射の開始位置は、被処理基板60の角部を基準としている。
Next, the
次に、検出器50によって、一の縁部61pについて、残っている膜面61の端部の位置と、被処理基板60の端部の位置とが検出される。より具体的には、検出器50によって、被処理基板60の端部の少なくとも2箇所(例えば、図7(a)の60e1,60e2)が検出されて当該被処理基板60の端部の位置が検出されるとともに、除去されず残っている膜面61の端部の少なくとも2箇所(例えば、図7(a)の61e1,61e2)が検出されて当該膜面61の端部の位置が検出される。なお、図7(a)−(c)の斜線部は、レーザ光Lによって除去された膜面61の範囲を示している。
Next, the
次に、制御装置55内の画像処理機能によって、検出された被処理基板60の端部の位置の各々(60e1,60e2)が直線で結ばれるとともに、除去されず残っている膜面61の端部の位置の各々(61e1,61e2)が直線で結ばれ、このことによって、被処理基板60の端部と除去されず残っている膜面61の端部との間の距離と、被処理基板60の端部に対する除去されず残っている膜面61の端部の傾きが決定される。
Next, each of the detected positions (60e 1 , 60e 2 ) of the end portion of the
次に、制御装置55によって、被処理基板60の端部と除去されず残っている膜面61の端部との間の距離や、被処理基板60の端部に対する除去されず残っている膜面61の端部の傾きが所定の条件を満たすか判断される。そして、所定の条件を満たす場合には、制御装置55からの信号に基づいて、回転駆動部15が駆動されて被処理基板60が回転される(図3(c)参照)。他方、制御装置55によって、所定の条件を満たさないと判断された場合には、その旨が、表示画面や音声装置などからなる通知部59で知らされる(図2参照)。
Next, the
このように、本実施の形態によれば、被処理基板60自体がゆがんでいる(台形状になっている)場合や被処理基板60の位置決め精度が悪い場合などで、処理された被処理基板60が所定の要件を満たさない場合(例えば、除去されて残されるべき最も外周側に位置する膜面60の幅D0より、除去されて残されている最も外周側に位置する膜面60の幅D1が小さくなってしまっている場合:図7(a)(b)においてD1<D0となっている)であって、そのまま後工程で被処理基板60を処理しても不良品を製造してしまう場合に、無駄な後工程を行うことを防止することができる。
Thus, according to the present embodiment, the processed
なお、本実施の形態によれば、除去すべき膜面61が除去されきっていない場合(除去されて残されるべき最も外周側に位置する膜面60の幅D0より、除去されて残されている最も外周側に位置する膜面60の幅が大きい場合:図7(a)(c)においてD2>D0となっている)には、所定の条件を満たさない旨が通知部59で知らされる代わりに、制御装置55からの信号に基づいて、レーザ移動部22およびレーザ照射装置20が駆動され、再度、一の縁部61pを処理することができる。このため、縁部61p,61qに位置する膜面61をより正確な範囲で除去することができる。
According to the present embodiment, when the
ところで、図7(b)(c)において、レーザ照射装置20によるレーザ照射の開始位置として、被処理基板60の右下側の角部を基準とした場合には、図7(b)に示すような態様となり、他方、被処理基板60の右上側の角部を基準とした場合には、図7(c)に示すような態様となる。
Incidentally, in FIGS. 7B and 7C, when the laser irradiation start position by the
上述のように、回転駆動部15によって被処理基板60が回転されると、レーザ照射装置20からレーザ光Lが照射されつつ、レーザ照射装置20が被処理基板60の端部(略X方向)に沿って移動し、被処理基板60の他の縁部61qが処理される(図3(d)(e)参照)。
As described above, when the substrate to be processed 60 is rotated by the
そして、制御装置55によって、他の縁部61qについて、被処理基板60の端部と除去されず残っている膜面61の端部との間の距離や、被処理基板60の端部に対する除去されず残っている膜面61の端部の傾きが所定の条件を満たすか判断される。そして、所定の条件を満たす場合には、後工程が行われるが、他方、制御装置55によって、所定の条件を満たさないと判断された場合には、その旨が、表示画面や音声装置などからなる通知部59で知らされる。
Then, the
なお、他の縁部61qについてもやはり、除去すべき膜面61が除去されきっていない場合(には、所定の条件を満たさない旨が通知部59で知らされる代わりに、制御装置55からの信号に基づいて、レーザ移動部22およびレーザ照射装置20が駆動され、再度、他の縁部61qが処理されることとなる。
In addition, as for the
1 搬送部
5s,5l 位置決め部
10 吸着保持部
15 回転駆動部
16 下方保持部
20 レーザ照射装置
22 レーザ移動部
50 検出器
55 制御装置
59 通知部
60 被処理基板
61 膜面
61p 一の縁部
61q 他の縁部
62 ガラス基板(基板)
70 反射部材
L レーザ光
DESCRIPTION OF
70 Reflective member L Laser light
Claims (7)
前記被処理基板を保持する保持部と、
レーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記被処理基板の端部と、前記膜面の加工箇所の最も周縁側の位置を検出する検出器と、を備え、
前記検出器によって検出された前記被処理基板の端部の位置と前記膜面の加工箇所の最も周縁側の位置との位置関係が所定の条件を満たす場合にだけ、前記レーザ照射装置から照射されるレーザ光の前記膜面に対する照射位置を移動させて、前記被処理基板の前記膜面の縁部を除去することを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate and processed at a predetermined processing location,
A holding unit for holding the substrate to be processed;
A laser irradiation device for irradiating laser light;
An end portion of the substrate to be processed, and a detector that detects a position on the most peripheral side of a processing portion of the film surface,
Irradiated from the laser irradiation apparatus only when the positional relationship between the position of the edge of the substrate to be processed detected by the detector and the position of the processing surface of the film surface on the most peripheral side satisfies a predetermined condition. A substrate processing apparatus, wherein an irradiation position of the laser beam to the film surface is moved to remove an edge of the film surface of the substrate to be processed.
前記被処理基板を保持する保持部と、
レーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記被処理基板の端部を検出する検出器と、を備え、
前記レーザ照射装置から照射されるレーザ光の前記膜面に対する照射位置を移動させて、前記被処理基板の前記膜面の縁部を除去し、
前記検出器は、除去されず残っている膜面の端部の位置と、前記被処理基板の端部の位置とを検出することを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate,
A holding unit for holding the substrate to be processed;
A laser irradiation device for irradiating laser light;
A detector for detecting an end of the substrate to be processed,
Move the irradiation position on the film surface of the laser light irradiated from the laser irradiation device, remove the edge of the film surface of the substrate to be processed,
The said detector detects the position of the edge part of the film surface which remains without being removed, and the position of the edge part of the said to-be-processed substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記被処理基板に対して検出器側から見た場合に、前記反射部材の少なくとも一部は、前記保持部によって保持された前記被処理基板の周縁外方に位置づけられていることを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の基板処理装置。 A reflective member is provided on the opposite side of the detector with respect to the substrate to be processed;
When viewed from the detector side with respect to the substrate to be processed, at least a part of the reflecting member is positioned outside the periphery of the substrate to be processed held by the holding unit. The substrate processing apparatus according to claim 1.
保持部によって前記被処理基板を保持する工程と、
検出器によって、前記被処理基板の端部と、前記膜面の加工箇所の最も周縁側の位置を検出する工程と、
前記検出器によって検出された前記被処理基板の端部の位置と前記膜面の加工箇所の最も周縁側の位置との位置関係が所定の条件を満たす場合にだけ、レーザ照射装置からレーザ光を照射させるとともに当該レーザ光の前記膜面に対する照射位置を移動させて、前記被処理基板の前記膜面の縁部を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 In a substrate processing method of processing a substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate and processed at a predetermined processing location,
Holding the substrate to be processed by a holding unit;
The step of detecting the edge of the substrate to be processed and the position on the most peripheral side of the processed portion of the film surface by a detector;
Laser light is emitted from the laser irradiation apparatus only when the positional relationship between the position of the edge of the substrate to be processed detected by the detector and the position on the most peripheral side of the processing portion of the film surface satisfies a predetermined condition. Irradiating and moving the irradiation position of the laser beam on the film surface to remove the edge of the film surface of the substrate to be processed;
A substrate processing method comprising:
保持部によって前記被処理基板を保持する工程と、
レーザ照射装置からレーザ光を照射する工程と、
レーザ光の前記膜面に対する照射位置を移動させることによって、前記被処理基板の前記膜面の縁部を除去する工程と、
検出器によって、除去されず残っている膜面の端部の位置と、前記被処理基板の端部の位置とを検出する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 In a substrate processing method for processing a substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate,
Holding the substrate to be processed by a holding unit;
Irradiating laser light from a laser irradiation device;
Removing the edge of the film surface of the substrate to be processed by moving the irradiation position of the laser beam on the film surface;
Detecting the position of the end of the film surface that is not removed by the detector and the position of the end of the substrate to be processed;
A substrate processing method comprising:
Priority Applications (1)
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JP2008309705A JP2010135550A (en) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | Substrate treatment device and substrate treatment method |
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