KR101571585B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR101571585B1
KR101571585B1 KR1020117013388A KR20117013388A KR101571585B1 KR 101571585 B1 KR101571585 B1 KR 101571585B1 KR 1020117013388 A KR1020117013388 A KR 1020117013388A KR 20117013388 A KR20117013388 A KR 20117013388A KR 101571585 B1 KR101571585 B1 KR 101571585B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processed
film surface
irradiation device
laser irradiation
Prior art date
Application number
KR1020117013388A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110095318A (en
Inventor
히로히사 간베
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Publication of KR20110095318A publication Critical patent/KR20110095318A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101571585B1 publication Critical patent/KR101571585B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0838Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction by using an endless conveyor belt
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/10Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702Auxiliary equipment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32After-treatment

Abstract

기판 처리 장치는 기판(62)과, 그 기판(62)에 형성된 막면(61)을 갖는 피처리 기판(60) 중, 그 막면(61)의 가장자리부(61a, 61b)를 처리한다. 기판 처리 장치는 기판(62)이 막면(61)의 상방에 위치하는 상태로, 피처리 기판(60)을 상방에서 흡착하여 유지하는 흡착 유지부(10)와, 레이저광(L)을 조사하는 레이저 조사 장치(20)와, 레이저 조사 장치(20)를 수평 방향으로 이동시키는 레이저 이동부(22)를 구비한다. 레이저 조사 장치(20)로부터 레이저광(L)을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치(20)를 이동시킴으로써, 흡착 유지부(10)에 의해 유지된 피처리 기판(60) 중, 막면(61)의 가장자리부(61a, 61b)를 처리한다.The substrate processing apparatus processes the edge portions 61a and 61b of the film surface 61 of the substrate 62 and the target substrate 60 having the film surface 61 formed on the substrate 62. [ The substrate processing apparatus includes a suction holding section 10 for holding the substrate 60 to be adsorbed from above in a state in which the substrate 62 is positioned above the film surface 61, A laser irradiation device 20 and a laser movement part 22 for moving the laser irradiation device 20 in the horizontal direction. By moving the laser irradiation device 20 while irradiating the laser light L from the laser irradiation device 20 to the surface of the film surface 61 of the target substrate 60 held by the attraction and holding part 10, The edge portions 61a and 61b are processed.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

<관련 출원의 상호 참조><Cross reference of related application>

본원은 2008년 11월 13일에 출원된 일본 특허 출원 제2008-291064호에 대하여 우선권을 주장하며, 이 일본 특허 출원 제2008-291064호의 모든 내용이 참조되어 여기에 편입되는 것으로 한다.The present application claims priority to Japanese Patent Application No. 2008-291064, filed on November 13, 2008, the contents of which are incorporated herein by reference in its entirety.

본 발명은 기판과, 그 기판에 형성된 막면을 갖는 피처리 기판 중, 막면의 가장자리부에 레이저광을 조사하여 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for irradiating laser light onto edge portions of a film surface of a target substrate having a film surface formed on the substrate.

종래부터, 기판과, 기판에 형성된 막면을 갖는 피처리 기판 중, 막면에 레이저광을 조사하는 기판 처리 장치로서, 레이저광을 조사하는 레이저 조사 장치와, 막면을 하방으로 위치 부여한 상태로 피처리 기판의 둘레 가장자리부만을 지지하는 스테이지와, 이 스테이지에 배치된 피처리 기판의 막면을 하방에서 지지하여, 피처리 기판을 평탄한 상태로 유지하는 유지 기구를 구비하고, 유지 기구가 복수의 핀 형상의 기판 지지부를 갖고 있는 것이 알려져 있다(일본 특허 공개 제2001-111078호 공보 및 일본 특허 공개 제2002-280578호 공보 참조).2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus for irradiating laser light onto a film surface of a substrate and a target substrate having a film surface formed on the substrate includes a laser irradiation device for irradiating a laser beam, And a holding mechanism for holding the target substrate in a flat state by supporting the film surface of the target substrate disposed on the stage from below, wherein the holding mechanism includes a plurality of pin-shaped substrates (Refer to Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2001-111078 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-280578).

그러나, 종래 기술과 같이 핀 형상의 기판 지지부로 막면을 지지하는 경우에는, 기판 지지부에 의한 압박력에 의해 막면에 악영향이 나타날 가능성이 있다. 또한, 대형화되는 피처리 기판을 균일한 면으로 유지하는 것은 곤란하며, 피처리 기판이 휘어져 버려, 막면의 처리 정밀도가 나빠져 버린다. 특히, 막면의 가장자리부를 가공할 때에는, 내부의 막면만으로 피처리 기판을 지지하는 것이 되어 버려, 막면에 야기되는 악영향이 더욱 커져 버린다.However, when the film surface is supported by the fin-shaped substrate supporting portion as in the prior art, there is a possibility that the film surface is adversely affected by the pressing force by the substrate supporting portion. In addition, it is difficult to maintain the substrate to be enlarged in a uniform plane, and the substrate to be processed is bent, and the processing accuracy of the film surface is deteriorated. Particularly, when the edge portion of the film surface is machined, the substrate to be processed is supported only by the inner film surface, and the adverse effect caused on the film surface is further increased.

본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것이며, 막면에 악영향을 미치는 일없이, 피처리 기판이 휘는 것을 확실하게 방지하고, 나아가서는, 막면의 처리 정밀도를 높게 할 수 있는 기판 처리 장치와, 이러한 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of reliably preventing the substrate from being warped without adversely affecting the film surface, And a substrate processing method using the apparatus.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는,In the substrate processing apparatus according to the present invention,

기판과, 그 기판에 형성된 막면을 갖는 피처리 기판 중, 그 막면의 가장자리부를 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,1. A substrate processing apparatus for processing an edge portion of a film surface of a substrate and a substrate to be processed having a film surface formed on the substrate,

상기 막면이 상기 기판의 타방측에 위치하는 상태로, 상기 피처리 기판을 일방측에서 흡착하여 유지하는 흡착 유지부와,A suction holding section for holding and holding the target substrate on one side in a state that the film surface is located on the other side of the substrate;

레이저광을 조사하는 레이저 조사 장치와,A laser irradiation device for irradiating a laser beam,

상기 레이저 조사 장치를 이동시키는 레이저 이동부를 구비하고,And a laser moving part for moving the laser irradiation device,

상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 이동시킴으로써, 상기 흡착 유지부에 의해 유지된 상기 피처리 기판 중, 상기 막면의 가장자리부를 처리한다.The edge of the film surface of the target substrate held by the attraction holding section is processed by moving the laser irradiation device while irradiating the laser beam from the laser irradiation device.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는,In the substrate processing apparatus according to the present invention,

상기 피처리 기판을 협지하여 위치 결정하는 한쌍의 위치 결정부를 더 구비하고,Further comprising a pair of positioning portions for positioning and positioning the substrate to be processed,

상기 흡착 유지부는 상기 위치 결정부에 의해 협지된 상기 피처리 기판을 일방측에서 흡착하여 유지하며,Wherein the suction holding unit holds and holds the target substrate sandwiched by the positioning unit on one side,

상기 위치 결정부는 상기 흡착 유지부에 의해 상기 피처리 기판이 유지된 후에, 상기 피처리 기판을 해방시킬 수도 있다.The positioning unit may release the substrate to be processed after the substrate to be processed is held by the suction holding unit.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는,In the substrate processing apparatus according to the present invention,

상기 흡착 유지부를 회전시킴으로써 상기 피처리 기판을 회전시키는 회전 구동부를 더 구비하고,Further comprising a rotation driving unit for rotating the substrate to be processed by rotating the suction holding unit,

상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 그 피처리 기판의 한쪽 가장자리부를 처리하며, 그 후, 상기 회전 구동부에 의해 상기 피처리 기판을 회전시킨 후에, 상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 상기 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 그 피처리 기판의 다른쪽 가장자리부를 처리할 수도 있다.Processing the one edge portion of the substrate to be processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device and then rotating the substrate to be processed by the rotation driving portion , The other edge portion of the substrate to be processed can be processed by irradiating the laser irradiation device with the laser beam and moving the laser irradiation device along the predetermined direction.

이러한 기판 처리 장치에 있어서,In such a substrate processing apparatus,

상기 레이저 조사 장치의 하단은 상기 흡착 유지부의 단부보다도 일방측에 위치할 수도 있다.The lower end of the laser irradiation device may be located on one side of the end of the suction holding portion.

본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus according to the present invention,

상기 흡착 유지부는 상기 피처리 기판에 접촉하는 접촉부와, 그 접촉부의 면내에 설치된 복수의 흡착부를 가지고,Wherein the suction holding section has a contact section which is in contact with the substrate to be processed and a plurality of suction sections provided in the surface of the contact section,

상기 접촉부는 금속 플레이트와, 그 금속 플레이트의 하면에 마련된 수지시트를 가질 수도 있다.The contact portion may have a metal plate and a resin sheet provided on a lower surface of the metal plate.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은,In the substrate processing method according to the present invention,

기판과, 그 기판에 형성된 막면을 갖는 피처리 기판 중, 그 막면의 가장자리부를 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,1. A substrate processing method for processing an edge portion of a film surface of a substrate and a substrate to be processed having a film surface formed on the substrate,

흡착 유지부에 의해, 상기 막면이 상기 기판의 타방측에 위치하는 상태로, 상기 피처리 기판을 일방측에서 흡착하여 유지하는 공정과,A step of adsorbing and holding the substrate to be processed on one side in a state in which the film surface is located on the other side of the substrate by the suction holding section,

레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사하는 공정과,A step of irradiating a laser beam from a laser irradiation device,

레이저 이동부에 의해, 상기 레이저 조사 장치를 수평 방향으로 이동시키는 공정을 포함하고,And moving the laser irradiation device in a horizontal direction by a laser moving unit,

상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 이동시킴으로써, 상기 흡착 유지부에 의해 유지된 상기 피처리 기판 중, 상기 막면의 가장자리부를 처리한다.The edge of the film surface of the target substrate held by the attraction holding section is processed by moving the laser irradiation device while irradiating the laser beam from the laser irradiation device.

본 발명에 따른 기판 처리 방법에 있어서,In the substrate processing method according to the present invention,

위치 결정부에 의해 협지된 후에, 상기 피처리 기판을 일방측에서 흡착하여 유지하는 공정이 실시되고, 그 후, 그 위치 결정부에 의해, 그 피처리 기판이 해방될 수도 있다.After the substrate is sandwiched by the positioning portion, a process of sucking and holding the substrate to be processed on one side is performed, and thereafter, the substrate to be processed may be released by the positioning portion.

본 발명에 따른 기판 처리 방법에 있어서,In the substrate processing method according to the present invention,

상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 그 피처리 기판의 한쪽 가장자리부를 처리하고, 그 후, 회전 구동부에 의해 상기 피처리 기판을 회전시킨 후에, 상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 상기 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 그 피처리 기판의 다른쪽 가장자리부를 처리할 수도 있다.Processing the one edge portion of the substrate to be processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device and then rotating the substrate to be processed by the rotation driving portion, The other edge portion of the substrate to be processed can be treated by irradiating the laser irradiation device with laser light and moving the laser irradiation device along the predetermined direction.

본 발명에 따르면, 기판이 막면의 상방에 위치하는 상태로, 상기 기판이 흡착 유지부에 의해 상방에서 흡착되어 유지되고, 레이저 조사 장치로부터 조사되는 레이저광에 의해 막면의 가장자리부가 처리되기 때문에, 막면에 악영향을 미치는 일없이, 피처리 기판이 휘는 것을 확실하게 방지할 수 있으며, 나아가서는, 막면의 처리 정밀도를 높게 할 수 있다.According to the present invention, since the substrate is adsorbed and held on the upper side by the adsorption holding portion in a state in which the substrate is positioned above the film surface, and the edge portion of the film surface is treated by the laser beam irradiated from the laser irradiation device, It is possible to reliably prevent the substrate from being warped without adversely affecting the film surface, and further, the processing precision of the film surface can be enhanced.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 흡착 유지부, 회전 구동부 및 레이저 조사 장치를 나타내는 측방도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 흡착 유지부 및 회전 구동부를 나타낸 측방 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 상방에서 본 상방 평면도와, 측방에서 본 측방도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 위치 결정부에 의해 피처리 기판을 위치 결정하는 타이밍과, 흡착 유지부에 의해 흡착하여 유지하는 타이밍을 나타낸 측방도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태의 다른 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 위치 결정부에 의해 피처리 기판을 위치 결정하는 타이밍과, 흡착 유지부에 의해 흡착하여 유지하는 타이밍을 나타낸 측방도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치에 의해 처리되는 피처리 기판의 막면의 가장자리부의 범위를 나타낸 상방 평면도와, 레이저 조사 장치의 움직임을 나타낸 측방도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치에 의해, 피처리 기판의 막면의 가장자리부를 처리하는 양태를 확대한 상방 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치에 의해, 피처리 기판의 막면의 가장자리부를 순차 처리하는 양태를 나타낸 상방 평면도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태의 다른 예에 따른 기판 처리 장치에 의해, 피처리 기판의 막면의 가장자리부를 순차 처리하는 양태를 나타낸 상방 평면도이다.
도 10은 본 발명의 실시형태의 또 다른 예에 따른 기판 처리 장치를 측방에서 본 측방도이다.
도 11은 본 발명의 실시형태의 또 다른 예에 따른 기판 처리 장치를 상방에서 본 상방 평면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a side view showing a suction holding section, a rotation driving section, and a laser irradiation device of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a side sectional view showing a suction holding unit and a rotation driving unit of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
3 is an upper plan view and a side view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, as viewed from above.
4 is a side view showing the timing of positioning the substrate to be processed by the positioning unit and the timing of being held by the suction holding unit in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
5 is a side view showing timing at which the substrate to be processed is positioned by the positioning unit and timing at which the substrate is held by the suction holding unit in the substrate processing apparatus according to another example of the embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a top plan view showing the range of the edge of the film surface of the target substrate to be processed by the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, and a side view showing the movement of the laser irradiation apparatus. Fig.
7 is an upper plan view in which an edge portion of the film surface of the substrate to be processed is processed by the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
8 is a top plan view showing an embodiment in which the edge portions of the film surface of the substrate to be processed are sequentially processed by the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
9 is a top plan view showing an embodiment of sequentially processing the edge portions of the film surface of the substrate to be processed by the substrate processing apparatus according to another example of the embodiment of the present invention.
10 is a side view of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention viewed from the side.
11 is a top plan view of the substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention, viewed from above.

실시형태Embodiment

이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 여기서, 도 1 내지 도 11은 본 발명의 실시형태에 관한 도면이다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described with reference to the drawings. Here, Figs. 1 to 11 are diagrams according to an embodiment of the present invention.

기판 처리 장치는 유리 기판(기판)(62)과, 유리 기판(62)에 형성된 막면(61)을 갖는 피처리 기판(60) 중, 막면(61)의 가장자리부(61a, 61b)를 처리하기 위해 이용된다(도 1 참조). 또한, 이러한 피처리 기판(60)으로서는, 예컨대 박막 태양 전지에 이용되는 기판을 들 수 있다.The substrate processing apparatus includes a glass substrate (substrate) 62 and a processing substrate 60 having a film surface 61 formed on the glass substrate 62 and processing the edge portions 61a and 61b of the film surface 61 (See FIG. 1). As the substrate 60 to be processed, for example, a substrate used for a thin film solar cell can be mentioned.

도 1 및 도 3의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치는 유리 기판(62)이 막면(61)의 상방(일방측)에 위치하는 상태로, 피처리 기판(60)을 상방(일방측)에서 흡착하여 유지하는 흡착 유지부(10)(도 1 참조)와, 레이저광(L)을 조사하는 레이저 조사 장치(20)(도 1 참조)와, 레이저 조사 장치(20)를 수평 방향으로 이동시키는 레이저 이동부(22)[도 3의 (a), (b) 참조]를 구비한다. 또한, 도 3의 (a)는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 상방에서 본 상방 평면도이며, 도 3의 (b)는 그 기판 처리 장치를 측방에서 본 측방도이다.As shown in Figs. 1 and 3 (A) and 3 (B), the substrate processing apparatus is configured such that the glass substrate 62 is positioned above the film surface 61 (one side) A laser irradiation device 20 (see FIG. 1) for irradiating the laser light L, and a laser irradiation device 20 (see FIG. 1) (See Figs. 3 (a) and 3 (b)) for horizontally moving the laser light source unit 22 in the horizontal direction. 3 (a) is an upper plan view of the substrate processing apparatus according to the present embodiment viewed from above, and Fig. 3 (b) is a side view of the substrate processing apparatus viewed from the side.

여기서, 기판 처리 장치는 레이저 조사 장치(20)로부터 레이저광(L)을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치(20)를 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 흡착 유지부(10)에 의해 유지된 피처리 기판(60)의 막면(61)의 가장자리부(61a, 61b)를 처리하도록 구성된다[도 6의 (a), (b) 및 도 7 참조].Here, the substrate processing apparatus moves the laser irradiation apparatus 20 along the predetermined direction while irradiating the laser irradiation apparatus 20 with the laser beam L, (See Figs. 6 (a), 6 (b), and Fig. 7) to process the edge portions 61a, 61b of the film surface 61 of the recording medium 60.

또한, 도 6의 (a)는 본 실시형태의 기판 처리 장치에 의해 처리되는 가장자리부(61a, 61b)의 범위를 나타낸 상방 평면도이며, 도 6의 (b)는 레이저 조사 장치(20)의 움직임을 나타낸 측방도이다. 또한, 도 7은 본 실시형태의 기판 처리 장치에 의해, 막면(61)의 가장자리부(61a, 61b)를 처리하는 양태를 확대한 상방 평면도이다. 또한, 도 7의 도면 부호 S는 레이저 조사 장치(20)로부터 막면(61)의 가장자리부(61a, 61b)에 조사되는 레이저광(L)의 레이저 스폿을 나타내고 있다.6A is an upper plan view showing the range of the edge portions 61a and 61b processed by the substrate processing apparatus of the present embodiment and FIG. Fig. 7 is an upper plan view in which the edge portions 61a and 61b of the film surface 61 are processed by the substrate processing apparatus of the present embodiment. Reference symbol S in Fig. 7 denotes a laser spot of the laser light L irradiated from the laser irradiation device 20 to the edge portions 61a and 61b of the film surface 61.

또한, 흡착 유지부(10)는 위치 결정부(5s, 5l)(후술함)에 의해 협지된 피처리 기판(60)을 상방에서 흡착하여 유지하도록 구성되고[도 4의 (a), (b) 참조], 한편 위치 결정부(5s, 5l)는 흡착 유지부(10)에 의해 피처리 기판(60)이 유지된 후에, 상기 피처리 기판(60)을 해방시키도록 구성된다.The adsorption holding section 10 is configured to adsorb and hold the target substrate 60 sandwiched by the positioning sections 5s and 51 (to be described later) from above (Figs. 4A and 4B ), While the positioning units 5s and 51 are configured to release the substrate 60 after the substrate 60 is held by the suction holding unit 10.

또한, 도 1에 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(10)의 상부에는, 그 흡착 유지부(10)를 회전시킴으로써 피처리 기판(60)을 회전시키는 회전 구동부(15)가 설치된다. 또한, 본 실시형태에서는, 흡착 유지부(10)의 상부에 회전 구동부(15)가 설치되는 양태를 이용하여 설명하지만, 이것에 한정되는 일없이, 예컨대 흡착 유지부(10)에 대하여, 레이저 조사 장치(20)와 레이저 이동부(22)가 회전하는 양태를 이용하여도 좋다.1, a rotation driving unit 15 for rotating the substrate 60 by rotating the suction holding unit 10 is provided on the upper portion of the suction holding unit 10. [ In the present embodiment, a description is given using a mode in which the rotation driving portion 15 is provided on the upper portion of the suction holding portion 10, but the present invention is not limited to this. For example, An embodiment in which the apparatus 20 and the laser moving unit 22 are rotated may be used.

또한, 도 1 및 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 레이저 조사 장치(20)의 하단은 흡착 유지부(10)의 상단보다도 상방(단부보다 일방측)에 위치하고, 흡착 유지부(10)가 회전 구동부(15)에 의해 회전할 때에도, 흡착 유지부(10)와 레이저 조사 장치(20)가 충돌하는 일이 없도록 구성된다.1 and 3 (b), the lower end of the laser irradiation apparatus 20 is located above the upper end (one side of the end) of the absorption holding section 10, So that the suction holding section 10 and the laser irradiating device 20 do not collide with each other even when the rotation of the rotation driving section 15 is performed.

또한, 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(10)는 피처리 기판(60)에 접촉하는 접촉부(11)와, 그 접촉부(11)의 면내에 설치된 복수의 흡착부(12)를 갖는다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 접촉부(11)는 금속 플레이트(14)와, 상기 금속 플레이트(14)의 하면에 마련된 수지 시트(13)를 갖는다.2 (a), the suction holding section 10 includes a contact section 11 which is in contact with the substrate 60 and a plurality of suction sections 12 arranged in the surface of the contact section 11 ). In this embodiment, the contact portion 11 has a metal plate 14 and a resin sheet 13 provided on the lower surface of the metal plate 14.

또한, 도 3의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 레이저 조사 장치(20) 및 레이저 이동부(22)의 상류측에는, 피처리 기판(60)을 반송하는 한쌍의 반송부(1)가 설치된다. 또한, 반송부(1)의 근방에는, 피처리 기판(60)을 반송 방향으로 협지하여 위치 결정하는 한쌍의 위치 결정부(5l)와, 피처리 기판(60)을 반송 방향에 직교하는 방향으로 협지하여 위치 결정하는 2쌍의 위치 결정부(5s)가 설치된다.3 (a) and 3 (b), on the upstream side of the laser irradiation device 20 and the laser movement section 22, there are provided a pair of transport sections 1 for transporting the target substrate 60, Respectively. In the vicinity of the carry section 1, there are provided a pair of positioning sections 51 for positioning and positioning the substrate 60 in the carrying direction and a pair of positioning sections 51 for positioning the target substrate 60 in the direction perpendicular to the carrying direction There are provided two pairs of positioning portions 5s for holding and positioning.

다음에, 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시형태의 작용에 대해서 서술한다. 또한, 후술하는 설명에서 이용되는 도 8의 (a)-(e)에서는, 도면을 간략화하기 위해, 하나의 레이저 조사 장치(20)와 레이저 이동부(22)만을 나타내고 있지만, 본 실시형태에서는, 도 3의 (a)와 같이 한쌍의 레이저 조사 장치(20)와 레이저 이동부(22)를 이용한다.Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described. 8A to 8E, which are used in the following description, only one laser irradiation device 20 and the laser movement section 22 are shown for the sake of simplicity. However, in this embodiment, A pair of laser irradiation devices 20 and a laser moving part 22 are used as shown in FIG.

우선, 반송부(1)에 의해, 처리 대상인 피처리 기판(60)이 반송된다[도 3의 (a), (b) 참조]. 그리고, 피처리 기판(60)이 정해진 위치까지 반송되면, 반송부(1)가 정지하고, 이에 따라 피처리 기판(60)의 반송이 정지된다. 이때, 유리 기판(62)이 막면(61)의 상방에 위치하는 상태이고, 반송부(1)는 막면(61) 중, 후술하는 레이저광(L)으로 제거되는 부분에 접촉한다.First, the substrate to be processed 60 is transported by the transport section 1 (see Figs. 3 (a) and 3 (b)). Then, when the substrate 60 is transported to a predetermined position, the transport unit 1 is stopped, and accordingly, the transport of the substrate 60 is stopped. At this time, the glass substrate 62 is positioned above the film surface 61, and the carry section 1 comes into contact with the portion of the film surface 61 which is to be removed by the laser light L described later.

다음에, 한쌍의 위치 결정부(5l)에 의해, 피처리 기판(60)이 반송 방향으로 협지되어 위치 결정되며, 2쌍의 위치 결정부(5s)에 의해, 피처리 기판(60)이 반송 방향에 직교하는 방향으로 협지되어 위치 결정된다[도 3의 (a), (b) 및 도 4의 (a) 참조].Next, the target substrate 60 is held and positioned by the pair of positioning portions 51 in the carrying direction, and the target substrate 60 is transported by two pairs of positioning portions 5s (See Figs. 3 (a), 3 (b) and 4 (a)).

다음에, 흡착 유지부(10)는 위치 결정부(5s, 5l)에 의해 협지된 피처리 기판(60)을 상방에서 흡착하여 유지한다[도 4의 (a), (b) 참조]. 그리고, 흡착 유지부(10)에 의해 피처리 기판(60)이 유지된 후에, 위치 결정부(5s, 5l)에 의한 위치 결정으로부터 피처리 기판(60)이 해방된다. 이 때문에, 피처리 기판(60)을 흡착 유지부(10)에 의해 흡착하여 유지할 때에, 피처리 기판(60)이 흡착 유지부(10)에 대하여 어긋나는 것을 방지할 수 있다.Next, the suction holding section 10 sucks and holds the target substrate 60 sandwiched by the positioning sections 5s and 51 from above (refer to (a) and (b) of FIG. 4). After the target substrate 60 is held by the suction holding section 10, the target substrate 60 is released from the positioning by the positioning sections 5s and 51. Therefore, when the target substrate 60 is held by the suction holding section 10, it is possible to prevent the target substrate 60 from being displaced with respect to the suction holding section 10.

보다 구체적으로는, 우선, 위치 결정부(5s, 5l)에 의해 피처리 기판(60)이 위치 결정되고[도 5의 (a) 참조], 그 후, 피처리 기판(60)이 해방된 후에[도 5의 (b) 참조], 피처리 기판(60)이 상방에서 흡착되어 유지되는[도 5의 (c) 참조] 양태를 이용하면, 피처리 기판(60)을 흡착 유지부(10)에 의해 흡착하여 유지할 때에, 피처리 기판(60)이 흡착 유지부(10)에 대하여 어긋날 가능성이 있다.More specifically, first, the target substrate 60 is positioned by the positioning portions 5s and 51 (see FIG. 5A), and thereafter, the target substrate 60 is released 5B), the substrate to be processed 60 is held by the suction holding unit 10 (see FIG. 5B), and the target substrate 60 is held by suction from the upper side There is a possibility that the substrate 60 to be processed deviates from the adsorption / holding section 10.

한편, 본 실시형태에 따르면, 흡착 유지부(10)에 의해 피처리 기판(60)이 유지된 후에, 위치 결정부(5s, 5l)에 의한 위치 결정으로부터 피처리 기판(60)이 해방되기 때문에[도 4의 (a), (b) 참조], 피처리 기판(60)을 흡착 유지부(10)에 의해 흡착하여 유지할 때에, 피처리 기판(60)이 흡착 유지부(10)에 대하여 어긋나는 것을 방지할 수 있으며, 나아가서는, 흡착 유지부(10)에 대하여 피처리 기판(60)을 정확한 위치에 위치 결정할 수 있다.On the other hand, according to the present embodiment, since the target substrate 60 is held by the suction holding section 10, and the target substrate 60 is released from the positioning by the positioning sections 5s and 51 (Refer to Figs. 4 (a) and 4 (b)), when the target substrate 60 is held by the suction holding section 10, the target substrate 60 is shifted relative to the suction holding section 10 And the position of the substrate 60 to be processed can be accurately positioned with respect to the suction holding section 10.

전술한 바와 같이 하여 흡착 유지부(10)에 의해 피처리 기판(60)이 유지되면, 흡착 유지부(10)에 의해, 피처리 기판(60)이 레이저 가공 위치까지 반송된다[도 3의 (b) 참조].When the target substrate 60 is held by the suction holding section 10 as described above, the target substrate 60 is transported to the laser processing position by the suction holding section 10 b).

다음에, 레이저 이동부(22)에 의해, 레이저 조사 장치(20)가 수평 방향으로 이동한다[도 6의 (a), (b) 및 도 8의 (a), (b) 참조]. 그리고, 이때, 레이저 조사 장치(20)로부터 레이저광(L)이 조사되게 된다. 이와 같이, 레이저 조사 장치(20)로부터 레이저광(L)을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치(20)를 X 방향(정해진 방향)을 따라 이동시킴으로써, 피처리 기판(60)의 막면(61)의 한쪽 가장자리부(61a)가 처리된다.Next, the laser irradiating apparatus 20 is moved in the horizontal direction by the laser moving unit 22 (see Figs. 6A and 6B and Figs. 8A and 8B). At this time, the laser beam L is irradiated from the laser irradiator 20. By moving the laser irradiating apparatus 20 along the X direction (predetermined direction) while irradiating the laser light L from the laser irradiating apparatus 20 as described above, the surface of the film surface 61 of the target substrate 60 One edge portion 61a is processed.

이때의 레이저 조사 장치(20)의 움직임에 있어서, 본 실시형태에서는, X 방향을 따라 이동한 후, Y 방향의 정방향[X 방향에 직교하는 방향으로서 피처리 기판(60)의 내측]으로 이동하고, 그 후, X 방향을 따른 방향으로서 이전과는 반대 방향으로 이동하게 된다[도 7 및 도 8의 (a), (b) 참조]. 또한, 이러한 움직임을 적절하게 반복함으로써, 피처리 기판(60)의 한쪽 가장자리부(61a)를 원하는 범위에서 처리할 수 있다.At this time, in the movement of the laser irradiating apparatus 20, in the present embodiment, after moving along the X direction, it moves in the positive direction in the Y direction (the direction orthogonal to the X direction is the inside of the target substrate 60) , And thereafter moves along the X direction in a direction opposite to the previous direction (see Figs. 7 and 8 (a) and 8 (b)). By repeating this movement appropriately, one edge portion 61a of the substrate 60 can be processed in a desired range.

전술한 바와 같이 하여, 피처리 기판(60)의 한쪽 가장자리부(61a)가 처리되면, 회전 구동부(15)에 의해 피처리 기판(60)이 회전하고[도 8의 (c) 참조], 그 후, 재차, 레이저 조사 장치(20)로부터 레이저광(L)이 조사되면서, 레이저 조사 장치(20)가 X 방향을 따라 이동하고, 피처리 기판(60)의 다른쪽 가장자리부(61b)가 처리된다[도 8의 (d), (e) 참조]. 이 때문에, 레이저 조사 장치(20)의 이동 거리를 매우 짧게 할 수 있으며, 처리 효율을 향상시킬 수 있다.When the one edge portion 61a of the target substrate 60 is processed as described above, the target substrate 60 is rotated by the rotation driving unit 15 (see FIG. 8 (c) The laser irradiation device 20 moves along the X direction while the laser light L is irradiated from the laser irradiation device 20 again and the other edge portion 61b of the target substrate 60 is processed (See Figs. 8 (d) and 8 (e)). Therefore, the movement distance of the laser irradiation device 20 can be made very short, and the processing efficiency can be improved.

보다 구체적으로는, 회전 구동부(15)에 의해 피처리 기판(60)이 회전하지 않는 것을 이용한 경우에는, 도 9의 화살표(A1∼A8)로 나타내는 바와 같이, 레이저 조사 장치(20)를 이동시켜야 하므로, 레이저 조사 장치(20)의 이동 거리가 길어져 버리며, 처리 효율이 나빠진다.More specifically, in the case where the substrate to be processed 60 is not rotated by the rotation driving unit 15, as shown by arrows A 1 to A 8 in FIG. 9, the laser irradiation apparatus 20 The moving distance of the laser irradiating apparatus 20 becomes long, and the processing efficiency is deteriorated.

이에 대하여, 본 실시형태에 따르면, 회전 구동부(15)에 의해 피처리 기판(60)을 회전시키기 때문에, 레이저 조사 장치(20)의 이동 거리를 매우 짧게 할 수 있으며, 처리 효율을 향상시킬 수 있다[도 8의 (a)-(e) 참조].On the other hand, according to the present embodiment, since the rotation of the substrate 60 is performed by the rotation driving unit 15, the moving distance of the laser irradiation apparatus 20 can be shortened and the processing efficiency can be improved (See Figs. 8 (a) to 8 (e)).

또한, 본 실시형태에 따르면, 흡착 유지부(10)에 의해, 유리 기판(62)이 막면(61)의 상방에 위치하는 상태로, 피처리 기판(60)의 유리 기판(62)이 상방에서 흡착되어 유지되기 때문에, 하방에 위치하는 막면(61)이 (종래 기술과 같이)핀 형상의 기판 지지부에 의해 압박되는 일이 없다. 또한, 본 실시형태에 따르면, 유리 기판(62) 중, 레이저광(L)이 투과되는 부분 이외의 넓은 범위를 흡착 유지부(10)에 의해 유지할 수 있기 때문에, 피처리 기판(60)이 휘는 것을 확실하게 방지할 수 있다.According to the present embodiment, the glass substrate 62 of the substrate 60 to be processed is placed on the upper side of the film surface 61 by the suction holding section 10, The film surface 61 located downward is not pressed by the fin-shaped substrate supporting portion (as in the prior art). According to the present embodiment, since a wide range of the glass substrate 62 other than the portion through which the laser light L is transmitted can be held by the suction holding section 10, Can be reliably prevented.

이상으로부터, 본 실시형태에 따르면, 막면(61)에 악영향을 미치는 일없이, 피처리 기판(60)이 휘는 것을 확실하게 방지할 수 있으며, 나아가서는, 막면(61)의 처리 정밀도를 높게 할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, it is possible to reliably prevent the substrate 60 from being warped without adversely affecting the film surface 61, and moreover, to improve the processing accuracy of the film surface 61 have.

즉, 종래 기술에 따르면, (대형화되는)피처리 기판(60)이 휘는 것을 방지하기 위해서는, 다수의 핀 형상의 기판 지지부에 의해 막면(61)을 지지할 필요가 있기 때문에, 막면(61)에 악영향이 나타나 버릴 가능성이 높다. 한편, 막면(61)에 악영향이 나타나는 것을 방지하기 위해, 막면(61) 중, 레이저광(L)으로 제거되는 부분(좁은 범위)만을 지지한 경우에는, 피처리 기판(60)이 크게 휘어져 버리게 된다.That is, according to the related art, it is necessary to support the film surface 61 by a plurality of pin-shaped substrate supporting portions in order to prevent the (to be enlarged) There is a high possibility that adverse effects will appear. On the other hand, when only the portion (narrow range) of the film surface 61 to be removed by the laser beam L is supported in order to prevent the film surface 61 from being adversely affected, the substrate to be processed 60 is greatly curved do.

이에 대하여, 본 실시형태에 따르면, 유리 기판(62)이 막면(61)의 상방에 위치하는 상태로, 피처리 기판(60)의 유리 기판(62)이 상방에서 흡착되어 유지되고, 또한, 유리 기판(62) 중, 레이저광(L)이 투과되는 부분 이외를 흡착 유지부(10)에 의해 유지할 수 있기 때문에[도 8의 (b), (e) 참조], 막면(61)에 악영향을 미치는 일없이, 피처리 기판(60)이 휘는 것을 확실하게 방지할 수 있다.On the other hand, according to the present embodiment, the glass substrate 62 of the target substrate 60 is adsorbed and held on the upper side in a state in which the glass substrate 62 is positioned above the film surface 61, Since the portion other than the portion through which the laser light L is transmitted can be held by the suction holding section 10 in the substrate 62 (see FIGS. 8B and 8E), the film surface 61 is adversely affected It is possible to reliably prevent the substrate 60 from being bent without exertion.

또한, 본 실시형태에서는, 레이저 조사 장치(20)의 하단이 흡착 유지부(10)의 상단보다도 상방에 위치하며[도 1 및 도 3의 (b) 참조], 흡착 유지부(10)가 회전 구동부(15)에 의해 회전할 때에도, 흡착 유지부(10)와 레이저 조사 장치(20)가 충돌하는 일이 없도록 구성되기 때문에, 흡착 유지부(10)의 수평 방향의 크기를 매우 크게 할 수 있으며, 피처리 기판(60)이 휘는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.In this embodiment, the lower end of the laser irradiating device 20 is located above the upper end of the adsorption holder 10 (see Figs. 1 and 3 (b)), and the adsorption holder 10 rotates Since the suction holding section 10 and the laser irradiating apparatus 20 are prevented from colliding with each other even when rotated by the driving section 15, the size of the suction holding section 10 in the horizontal direction can be made very large , It is possible to more reliably prevent the substrate 60 from being bent.

또한, 접촉부(11)가 금속 플레이트(14)와, 상기 금속 플레이트(14)의 하면에 마련된 수지 시트(13)를 갖고 있기 때문에[도 2의 (a) 참조], 강성이 높은 금속 플레이트(14)로, 흡착 유지부(10) 자체가 휘는 것을 방지할 수 있고, 또한, 수지 시트(13)로, 피처리 기판(60)에 상처가 생기거나 회전 시에 피처리 기판(60)이 어긋나는 것을 방지할 수 있다.Since the contact portion 11 has the metal plate 14 and the resin sheet 13 provided on the lower surface of the metal plate 14 (see FIG. 2A), the metal plate 14 It is possible to prevent the suction holding section 10 itself from being warped and to prevent the substrate to be processed 60 from being scratched by the resin sheet 13 when the substrate to be processed 60 is wound or rotated .

보다 구체적으로는, 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 접촉부(11)가 금속 플레이트(14)를 갖지 않고, 수지 부재(13')만으로 이루어지는 경우에는, 수지 시트(13)로, 피처리 기판(60)에 상처가 생기거나 회전 시에 피처리 기판(60)이 어긋나는 것을 방지할 수는 있지만, 흡착 유지부(10) 자체가 휘어 버릴 가능성이 있다.More specifically, as shown in Fig. 2 (b), when the contact portion 11 does not have the metal plate 14 but only the resin member 13 ', the resin sheet 13 is processed It is possible to prevent the substrate 60 from being scratched or the substrate 60 to be deviated when the substrate 60 is rotated. However, there is a possibility that the suction / holding unit 10 itself is warped.

이에 대하여, 본 실시형태에서는, 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 접촉부(11)가 금속 플레이트(14)를 가지며, 그 금속 플레이트(14)의 하면에 마련된 수지 시트(13)도 가지고 있기 때문에, 강성이 높은 금속 플레이트(14)로, 흡착 유지부(10) 자체가 휘는 것을 방지할 수 있고, 또한 수지 시트(13)로, 피처리 기판(60)에 상처가 생기거나 회전 시에 피처리 기판(60)이 어긋나는 것을 방지할 수 있다.2 (a), the contact portion 11 has the metal plate 14 and also has the resin sheet 13 provided on the lower surface of the metal plate 14. In this embodiment, Therefore, it is possible to prevent the suction holding section 10 itself from being bent by the metal plate 14 having high rigidity, and to prevent the suction holding section 10 from being bent by the resin sheet 13, It is possible to prevent the processed substrate 60 from deviating.

이상과 같이, 본 실시형태에 따르면, 막면(61)에 악영향을 미치는 일없이, 피처리 기판(60)이 휘는 것을 확실하게 방지할 수 있으며, 나아가서는, 막면(61)의 처리 정밀도를 높게 할 수 있고, 더구나 전술한 바와 같은 여러가지 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present embodiment, it is possible to reliably prevent the substrate 60 from being bent without adversely affecting the film surface 61, and further, to improve the processing accuracy of the film surface 61 It is possible to obtain various effects as described above.

그런데, 본 실시형태에서는, 유리 기판(62) 중, 레이저광(L)이 투과되는 부분 이외를 흡착 유지부(10)에 의해 유지하는 양태를 이용하여 설명하였지만, 이것에 한정되는 일은 없고, 흡착 유지부(10)의 적어도 막면(61)의 가장자리부에 대응하는 부분이 레이저광(L)을 투과하는 부재로 이루어지며, 흡착 유지부(10)가 유리 기판(62)의 전체면을 유지하도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 피처리 기판(60)이 휘는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.In the present embodiment, the explanation has been made by using the mode in which the portion of the glass substrate 62 other than the portion through which the laser beam L is transmitted is held by the suction holding unit 10, but the present invention is not limited to this, The portion of the holding portion 10 corresponding to the edge portion of at least the film surface 61 is made of a member that transmits the laser light L so that the suction holding portion 10 holds the entire surface of the glass substrate 62 . In this case, it is possible to more reliably prevent the substrate 60 from being bent.

또한, 상기에서는, 유리 기판(62)이 상방측에 위치하고, 흡착 유지부(10)에 의해 상기 유리 기판(62)을 상방측에서 흡착하여 유지하는 양태를 이용하여 설명하였지만, 이것에 한정되는 일은 없고, 도 10의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(62)이 막면(61)의 하방측에 위치하고, 흡착 유지부(10)에 의해 상기 유리 기판(62)을 하방측에서 흡착하여 유지하여도 좋다.In the above description, the glass substrate 62 is located on the upper side and the glass substrate 62 is held by the suction holding unit 10 on the upper side. However, the present invention is not limited thereto 10 (a) and 10 (b), the glass substrate 62 is located on the lower side of the film surface 61 and the glass substrate 62 is held on the lower side by the suction holding section 10 And may be held by adsorption.

이러한 구성에 따르면, 배선 등의 관계로 피처리 기판(60)을 반송하는 것이 곤란하기 때문에, 예컨대 레이저 조사 장치(20)가 한쌍의 반송부(1)의 사이에 배치되고, 그 레이저 조사 장치(20)가 한쌍의 반송부(1)의 사이에서 이동 가능해짐으로써, 막면(61)의 가장자리부를 처리할 수 있도록 하여도 좋다[도 10의 (a), (b) 및 도 11 참조]. 그리고, 이 경우에는, 반송부(1)로부터 피처리 기판(60)이 상방으로 들어 올려지고, 상방으로 들어 올려진 피처리 기판(60)이 회전 구동부(15)에 의해 적절하게 회전하게 된다.According to such a configuration, it is difficult to transport the substrate 60 due to wiring or the like. For example, the laser irradiation apparatus 20 is disposed between the pair of transfer sections 1, 20 can be moved between the pair of conveying units 1 so that the edge of the film surface 61 can be processed (see Figs. 10 (a), (b) and 11). In this case, the target substrate 60 is lifted upward from the carry section 1, and the target substrate 60 lifted upward is appropriately rotated by the rotation driving section 15.

Claims (11)

기판과, 그 기판에 형성된 막면을 갖는 피처리 기판 중, 그 막면의 가장자리부를 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 피처리 기판을, 상기 막면이 상기 기판의 하방측에 위치하는 상태로 반송하는 반송부와,
상기 반송부에 의해 반송된 상기 피처리 기판을, 상기 막면이 상기 기판의 하방측에 위치하는 상태로 협지하여 위치 결정하는 한 쌍의 위치 결정부와,
상기 한 쌍의 위치 결정부에 의해 위치 결정된 상기 피처리 기판을, 상기 막면이 상기 기판의 하방측에 위치하는 상태로 상방측에서 흡착하여 유지하는 흡착 유지부와,
레이저광을 조사하는 레이저 조사 장치와,
상기 레이저 조사 장치를 이동시키는 레이저 이동부
를 구비하고,
상기 레이저 조사 장치로부터 상기 기판을 통과하도록 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 이동시킴으로써, 상기 흡착 유지부에 의해 유지된 상기 피처리 기판 중 상기 막면의 가장자리부를 상기 기판을 통과하는 레이저광에 의해 처리하고,
상기 위치 결정부는, 상기 흡착 유지부에 의해 상기 피처리 기판이 유지된 후에, 그 피처리 기판을 해방시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
1. A substrate processing apparatus for processing an edge portion of a film surface of a substrate and a substrate to be processed having a film surface formed on the substrate,
A transfer section for transferring the substrate to be processed in a state in which the film surface is positioned on a lower side of the substrate;
A pair of positioning units for positioning the substrate to be processed carried by the carrying unit by sandwiching and holding the film surface in a state of being positioned on the lower side of the substrate;
A suction holding section for holding the substrate to be processed, which is positioned by the pair of positioning sections, on the upper side in a state in which the film surface is located on the lower side of the substrate,
A laser irradiation device for irradiating a laser beam,
And a laser moving unit
And,
The edge portion of the film surface of the to-be-processed substrate held by the suction holding portion is moved to the laser beam passing through the substrate by moving the laser irradiation device while irradiating the laser irradiation device with laser light so as to pass through the substrate &Lt; / RTI &gt;
Wherein the positioning unit releases the substrate to be processed after the substrate to be processed is held by the suction holding unit.
제1항에 있어서, 상기 반송부는 상기 막면 중 레이저광으로 제거되는 부분에만 접촉하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transport section contacts only the portion of the film surface that is removed by laser light. 제1항에 있어서, 상기 흡착 유지부를 회전시킴으로써 상기 피처리 기판을 회전시키는 회전 구동부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a rotation driving unit for rotating the substrate to be processed by rotating the suction holding unit. 제3항에 있어서, 상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 상기 피처리 기판의 한쪽 가장자리부를 처리하며, 그 후, 상기 회전 구동부에 의해 상기 피처리 기판을 회전시킨 후에, 상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 상기 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 그 피처리 기판의 다른쪽 가장자리부를 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The method according to claim 3, further comprising: treating one edge portion of the substrate to be processed by moving the laser irradiation device along a predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device, And the other of the edge portions of the substrate to be processed is processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating laser light from the laser irradiation device after rotating the process substrate. 제4항에 있어서, 상기 레이저 조사 장치의 하단은 상기 흡착 유지부의 단부보다도 상방측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the lower end of the laser irradiation device is located above the end of the suction holding portion. 제1항에 있어서, 상기 흡착 유지부는 상기 피처리 기판에 접촉하는 접촉부와, 그 접촉부의 면내에 설치된 복수의 흡착부를 갖고,
상기 접촉부는 금속 플레이트와, 그 금속 플레이트의 하면에 마련된 수지 시트를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the suction holding section has a contact section contacting the substrate to be processed and a plurality of suction sections provided in the surface of the contact section,
Wherein the contact portion has a metal plate and a resin sheet provided on a lower surface of the metal plate.
제1항에 있어서, 상기 흡착 유지부는 상기 기판 중 레이저광이 투과되는 부분 이외의 전부를 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the suction holding section holds the entire portion of the substrate other than the portion through which laser light is transmitted. 기판과, 그 기판에 형성된 막면을 갖는 피처리 기판 중, 그 막면의 가장자리부를 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
반송부에 의해, 상기 피처리 기판을 상기 막면이 상기 기판의 하방측에 위치하는 상태로 반송하는 공정과,
상기 반송부에 의해 반송된 상기 피처리 기판을, 상기 막면이 상기 기판의 하방측에 위치하는 상태로 한 쌍의 위치 결정부에 의해 협지하여 위치 결정하는 공정과,
상기 한 쌍의 위치 결정부에 의해 위치 결정된 상기 피처리 기판을, 흡착 유지부에서, 상기 막면이 상기 기판의 하방측에 위치하는 상태로 상방측에서 흡착하여 유지하는 공정과,
레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사하는 공정과,
레이저 이동부에 의해, 상기 레이저 조사 장치를 수평 방향으로 이동시키는 공정
을 포함하고,
상기 레이저 조사 장치로부터 상기 기판을 통과하도록 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 이동시킴으로써, 상기 흡착 유지부에 의해 유지된 상기 피처리 기판 중 상기 막면의 가장자리부를 상기 기판을 통과한 레이저광에 의해 처리하고,
상기 흡착 유지부에 의해 상기 피처리 기판이 흡착하여 유지된 후에, 상기 위치 결정부가 상기 기판을 해방시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
1. A substrate processing method for processing an edge portion of a film surface of a substrate and a substrate to be processed having a film surface formed on the substrate,
A step of transporting the substrate to be processed by the carrying section in a state in which the film surface is positioned on a lower side of the substrate;
Positioning the substrate to be processed carried by the carry section with a pair of positioning sections in a state in which the film surface is positioned on the lower side of the substrate,
A step of holding the target substrate positioned by the pair of positioning portions by adsorption and holding on the upper side in a state in which the film surface is located on the lower side of the substrate in a suction holding section;
A step of irradiating a laser beam from a laser irradiation device,
A step of moving the laser irradiation apparatus in the horizontal direction by the laser moving section
/ RTI &gt;
The edge portion of the film surface of the to-be-treated substrate held by the suction holding portion is moved to the laser beam passing through the substrate by moving the laser irradiation device while irradiating the laser irradiation device with laser light so as to pass through the substrate &Lt; / RTI &gt;
Wherein the positioning unit releases the substrate after the substrate to be processed is held by the suction holding unit.
제8항에 있어서, 상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 상기 피처리 기판의 한쪽 가장자리부를 처리하고, 그 후, 회전 구동부에 의해 상기 피처리 기판을 회전시킨 후에, 상기 레이저 조사 장치로부터 레이저광을 조사시키면서, 그 레이저 조사 장치를 상기 정해진 방향을 따라 이동시킴으로써, 그 피처리 기판의 다른쪽 가장자리부를 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.9. The method according to claim 8, further comprising: treating one edge portion of the substrate to be processed by moving the laser irradiation device along a predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device, And the other of the edge portions of the substrate to be processed is processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating laser light from the laser irradiation device after rotating the substrate. 제8항에 있어서, 상기 반송부는 상기 막면 중 레이저광으로 제거되는 부분에만 접촉하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.9. The substrate processing method according to claim 8, wherein the transfer section contacts only the portion of the film surface that is removed by laser light. 제8항에 있어서, 상기 막면의 가장자리부를 상기 기판을 통과한 레이저광에 의해 처리할 때, 상기 흡착 유지부는 상기 기판 중 레이저광이 투과되는 부분 이외의 전부를 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 9. The substrate processing method according to claim 8, wherein, when the edge portion of the film surface is processed by laser light that has passed through the substrate, the suction holding portion holds the entire portion of the substrate other than the portion through which laser light is transmitted .
KR1020117013388A 2008-11-13 2009-11-11 Substrate processing apparatus and substrate processing method KR101571585B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-291064 2008-11-13
JP2008291064 2008-11-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110095318A KR20110095318A (en) 2011-08-24
KR101571585B1 true KR101571585B1 (en) 2015-11-24

Family

ID=42169987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117013388A KR101571585B1 (en) 2008-11-13 2009-11-11 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5480159B2 (en)
KR (1) KR101571585B1 (en)
CN (1) CN102197463B (en)
TW (1) TWI469840B (en)
WO (1) WO2010055855A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5843292B2 (en) * 2013-03-21 2016-01-13 株式会社日本製鋼所 Annealing semiconductor substrate manufacturing method, scanning apparatus, and laser processing apparatus
JP6632846B2 (en) 2014-09-30 2020-01-22 日東電工株式会社 Adhesive sheet

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003197570A (en) 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for treating periphery of substrate
JP2006073909A (en) 2004-09-06 2006-03-16 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment device
JP2006153680A (en) 2004-11-30 2006-06-15 Nec Engineering Ltd Device for measuring film thickness/resistance

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064863A (en) * 1996-08-21 1998-03-06 Nikon Corp Substrate cleaning device
JP3629862B2 (en) * 1996-12-24 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 Unnecessary object removal method and apparatus for substrate periphery
JP2001345252A (en) * 2000-05-30 2001-12-14 Hyper Photon Systens Inc Laser cutter
JP4108941B2 (en) * 2000-10-31 2008-06-25 株式会社荏原製作所 Substrate gripping apparatus, processing apparatus, and gripping method
JP4554901B2 (en) * 2003-08-12 2010-09-29 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP3769583B1 (en) * 2004-07-09 2006-04-26 積水化学工業株式会社 Substrate processing apparatus and method
JP2006344718A (en) * 2005-06-08 2006-12-21 Sony Corp Method of removing contamination
JP4734101B2 (en) * 2005-11-30 2011-07-27 株式会社ディスコ Laser processing equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003197570A (en) 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for treating periphery of substrate
JP2006073909A (en) 2004-09-06 2006-03-16 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment device
JP2006153680A (en) 2004-11-30 2006-06-15 Nec Engineering Ltd Device for measuring film thickness/resistance

Also Published As

Publication number Publication date
TW201029785A (en) 2010-08-16
TWI469840B (en) 2015-01-21
CN102197463A (en) 2011-09-21
KR20110095318A (en) 2011-08-24
JPWO2010055855A1 (en) 2012-04-12
WO2010055855A1 (en) 2010-05-20
CN102197463B (en) 2015-09-30
JP5480159B2 (en) 2014-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6607923B2 (en) Implant mask and alignment
JP5368200B2 (en) Processing equipment
KR102222005B1 (en) Exposure apparatus and exposure method using the same
JP2006140380A (en) Substrate treatment device
KR101571585B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102578702B1 (en) Substrate processing apparatus, and a substrate processing method
JP5983810B1 (en) Light irradiation device
JP2008210965A (en) Substrate holder and laser annealing apparatus
JP6525845B2 (en) Laser processing equipment
KR100691216B1 (en) Apparatus for transfering substrate
JP4976922B2 (en) Substrate transfer device
JP5405173B2 (en) Positioning device and positioning method
JP3708984B2 (en) Fixing device for workpiece
WO2020226179A1 (en) Film processing device
KR20130021650A (en) Photomask transfer apparatus
KR20180035660A (en) Substrate arrangement apparatus and substrate arrangement method
JP5682911B2 (en) Substrate holder and substrate transfer device
WO2019038902A1 (en) Laser irradiation device
JP2013003157A (en) Exposure unit and exposure method using the same
JP2007324169A (en) Carrying arm, substrate carrier, and substrate inspection apparatus
JP2012061504A (en) Laser machining device
JP2010049015A (en) Scan exposure apparatus and substrate for liquid crystal display
CN116895562A (en) Bonding device, bonding system, bonding method, and storage medium
JP2010263010A (en) Carrier and carrying method
KR20200067747A (en) Processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 4