JPWO2010038262A1 - 光増幅制御装置、半導体光増幅器の制御方法、及び光伝送装置 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器の温度を調整する温度調整ユニットと、前記温度調整ユニットを制御して、前記半導体光増幅器の温度を調整し、前記半導体光増幅器の光利得を変化させる光利得制御ユニットとを具備する。
6・・・熱電冷却素子 8・・・温度センサ
10・・・温度制御ユニット 12・・・入力光
14・・・入力端子 16・・・出力光
18・・・出力端子 20・・・入力側光分岐器
22・・・出力側光分岐器 24・・・入力側光検出器
26・・・出力側光検出器 28・・・SOA駆動ユニット
30・・・光利得制御ユニット
31・・・ルックアップテーブル
32・・・光増幅制御装置(実施の形態1) 33・・・活性層
34・・・光利得制御ユニット(実施の形態1)
35・・・ルックアップテーブル(実施の形態1) 36・・・冷却加熱器
38・・・外部制御信号 40・・・光増幅制御装置(実施の形態2)
42・・・光利得制御ユニット(実施の形態2)
44・・・ルックアップテーブル(実施の形態2)
46・・・光増幅制御装置(実施の形態3)
48・・・光利得制御ユニット(実施の形態3)
50・・・ルックアップテーブル(実施の形態3)
52・・・光増幅制御装置(実施の形態4)
54・・・光利得制御ユニット(実施の形態4)
56・・・ルックアップテーブル(実施の形態4)
58・・・光増幅制御装置(実施の形態5)
60・・・ヒータ 62・・・冷却加熱器(実施の形態5)
64・・・ヒータ駆動ユニット
66・・・光利得制御ユニット(実施の形態5)
68・・・ルックアップテーブル(実施の形態5)
70・・・第1の電極 72・・・n型のInP基板
74・・・上部クラッド層 76・・・電極層
78・・・第2の電極 80・・・反射防止膜
82・・・第1のp型InP層 84・・・n型InP層
86・・・第2のp型InP層 88・・・p−n−p電流ブロック層
90・・・絶縁膜 92・・・ヒータ本体
94・・・ヒータ電極 96・・・光の入射端
98・・・光の出射端 100・・・ヒータ(分割ヒータ)
102・・・光入力端側ヒータ 104・・・内側ヒータ
106・・・光出力端側ヒータ 108・・・光伝送装置
110・・・出力される光信号 112・・・光送信装置
114・・・入射した光信号 116・・・光受信装置
118・・・第1の光増幅制御装置 120・・・第2の光増幅制御装置
122・・・送信データ信号(電気信号) 124・・・受信データ信号(電気信号)
126・・・制御ユニット 128・・・外部制御信号
130・・・光波長フィルタ
まず、駆動電流を変化させて半導体光増幅器の利得を制御する光増幅制御装置(以下、駆動電流制御型の光増幅制御装置と呼ぶ)について説明する。
図1は、半導体光増幅器(semiconductor optical amplifer;SOA)2の利得を駆動電流の変化によって調整する光増幅制御装置(光増幅器モジュール)4の構成を説明するブロック図である。図2は、SOA2が熱電冷却素子6(ペルチェ素子)に搭載された状態を説明する図である。尚、図面が異なっても対応する部分には同一の符号を付し、以後、その説明は省略される。
次に、光増幅制御装置4の動作を、半導体光増幅器(SOA2)の制御方法に従って説明する。ここでは、SOA2をAPC制御する場合について説明する。
次に、駆動電流制御型の光増幅制御装置の問題点を説明する。ここでは、光増幅制御装置が、出力光の強度を一定に保つAPC制御を実行する場合の問題を説明する。しかし、光増幅制御装置がAGC制御を実行する場合にも、同様の問題が存在する。
本実施の形態は、駆動電流を変化させるのではなく、SOAを冷却又は加熱することによって、SOAの光利得を制御する光増幅制御装置に関する。尚、本光増幅制御装置は、APC制御を実行するものである。
図5は、本実施の形態に従う光増幅制御装置(光増幅器モジュール)32の構成を説明するブロック図である。
pinフォトダイオード)を具備している。
次に、本光増幅制御装置32の動作が、本光増幅制御装置32で実行されるSOA2の制御方法に従って説明される。
次に、本光増幅制御装置32が、パターン効果を回避しながら、SOA2の出力光(増幅光)を大きくできる原理を説明する。
本実施の形態は、SOAを冷却又は加熱するだけでなく、光利得の目標値(gtg)に応じて異なった駆動電流(J)をSOAに供する光増幅制御装置(光増幅器モジュール)に関する。尚、本光増幅制御装置は、APC制御を実行するものである。
本実施の形態に従う光増幅制御装置40の構成は、光利得制御ユニット42が実行する第2の制御及びルックアップテーブルが高度化されている点を除き、実施の形態1に従う光増幅制御装置32の構成と略同じである。
本光利得制御ユニット42の第2の制御は、実施の形態1に従う光利得制御ユニット34が実行する第2の制御より高度化されている。
上述したように、図13は、光利得制御ユニット42に記録されているルックアップテーブル44の一例である。
次に、光増幅制御装置40の動作が、光増幅制御装置40で実行されるSOA2の制御方法に従って説明される。
光増幅制御装置40を起動する本ステップは、実施の形態1で説明したステップS10と同じである。
本ステップは、実施の形態1で説明したステップS20に対応する。
本ステップは、実施の形態1で説明したステップS30と同じステップである(図9参照)。
本ステップでは、出力光の出力光強度の目標値(Itg)及び光利得の目標値(gtg)が、想定した仕様範囲内(例えば、SOAの動作可能範囲内)にあるか否かが判定される。
本ステップは、実施の形態1で説明したステップS40に対応する。
本ステップ及び下記ステップ170によって実行されるステップは、実施の形態1で説明したステップS50に対応する(図9参照)。
本ステップでは、ステップS150で特定した、SOA2を保持すべき温度T(設定温度)と本ステップの実行前にSOA2が保持されていた温度Tp(例えば、10℃)を、光利得制御ユニット42が比較する。
本ステップS180は、実施の形態1で説明したステップS60と略同じステップである(図9参照)。
本ステップは、光増幅制御装置40の動作中に、増幅光の出力光強度の目標値(Itg)が変更された場合等に対応するための手順である。
本ステップでは、光増幅制御装置40に対して動作停止の命令が出されていないか、光利得制御ユニット42が、外部制御信号38を参照して確認する。
本ステップでは、光利得制御ユニット42が、光増幅制御装置40の動作を停止する。
本実施の形態は、SOAを冷却又は加熱することによって、SOAの光利得が一定になるように半導体光増幅器の動作を制御する光増幅制御装置(光増幅器モジュール)に関する。すなわち、本光増幅制御装置は、AGC制御を実行するものである。
本実施の形態に従う光増幅制御装置の構成は、基本的には、実施の形態1に従う光増幅制御装置32の構成と同じである。但し、光利得制御ユニット48が実行する制御に、実施の形態1に従う光増幅制御装置32の制御と異なる点がある。
次に光増幅制御装置46の動作を、光増幅制御装置46において実行されるSOA2の制御方法に従って説明する。
まず、光利得制御ユニット48が、動作開始を命令する外部制御信号38を受信し、光増幅制御装置32を起動する。
本ステップと下記ステップS20によって、上記ステップS1が実現される。
本ステップでは、光利得制御ユニット48が、光利得の目標値(gtg)と入力光(被増幅光)の光強度(Iin)の積(gtg・Iin)を、SOA2の出力光の強度の目標値(Itg)として決定する。
本ステップと下記ステップS50によって、上記ステップS2が実現される。
本ステップは、図9を参照して説明した、実施の形態1の光利得制御装置32で実行されるステップ40と同じである。
本ステップによって、上記ステップS3が実現される。
光利得制御ユニット48は、動作の停止を命令する外部制御信号38を受信すると、光増幅制御装置46の動作を停止する。
本実施の形態は、SOAを冷却又は加熱するだけでなく、出力光の出力光強度の目標値(Itg)に応じて異なった駆動電流(J)をSOAに供給して、光利得が一定になるように半導体光増幅器の動作を制御(AGC制御)する光増幅制御装置(光増幅器モジュール)に関する。
本実施の形態に従う光増幅制御装置52の構成は、基本的には、実施の形態3に従う光増幅制御装置46の構成と同じである。但し、光利得制御ユニット54が実行する制御及びルックアップテーブルに、実施の形態3に従う光増幅制御装置46と異なる点がある。
次に、本光増幅制御装置52の動作を、本光増幅制御装置で実行されるSOA2の制御方法に従って説明する。
本ステップでは、光利得制御ユニット54が、SOA2の光利得の目標値を読み込み、読み込んだ光利得の目標値を、SOA2を制御するためのパラメータの一つである光利得の目標値(gtg)として決定する。
本ステップでは、光利得制御ユニット54が、光利得の目標値(gtg)と入力光(被増幅光)の光強度(Iin)の積(gtg・Iin)を、SOA2の出力光の強度の目標値(Itg)として決定する。
本ステップは、実施の形態2のステップS150と殆ど同じである。但し、図17に示したテーブルが、ルックアップテーブルとして参照される点が実施の形態2のステップS150と相違する。
本ステップでは、光利得制御ユニット54が、入力側光検出器24及び出力側光検出器26の出力を受信して、SOA2に入射する入力光の光強度(Iin)及びSOA2が出力する出力光の強度(Iout)を検知する。
本ステップでは、ステップS120で読み込んだ、光利得の目標値及びSOAに入射する入力光(被増幅光)の波長λが変更されていないか、光利得制御ユニット54が現時点での外部制御信号38を参照して確認する。
本実施の形態は、SOAに設けられたヒータとSOAを搭載する熱電冷却素子によって、冷却加熱器が形成された光増幅制御装置(光増幅器モジュール)に関する。
図20は、本実施の形態に従う光増幅制御装置58の構成を説明する図である。
まず、冷却加熱器62の構成及び動作を説明する。
光利得制御ユニット66が実行する制御は、基本的には、実施の形態1乃至4に従う光利得制御ユニット35,44,50,56が実行する制御と同じである。
図24は、実施の形態5に従う光利得制御ユニットに記録されるルックアップテーブル68の一例である。ルックアップテーブル68は、冷却加熱器62の温度が25℃の保たれた状態で使用するためのものである。
次に、本光増幅制御装置58で実行されるSOA2の制御方法に従って、光増幅制御装置58の動作を説明する。
本ステップでは、光利得制御ユニット66が、ルックアップテーブル68から設定電流(J)及び設定ヒータ電流(Jh)を読み出す。その他の点では、本ステップは、実施の形態2のステップS150と略同じである。
本ステップでは、ステップS150で特定した、ヒータ60に供給すべき電流(設定ヒータ電流Jh)と本ステップの実行前にヒータ60に供給されていた電流(例えば、0mA)を、光利得制御ユニット42が比較する。
本ステップで実行される冷却加熱器62のフィードバック制御は、フィードバック制御する物理量が、SOA2の温度(冷却加熱器62)の温度ではなく、ヒータ60に供給する電流である。
本実施の形態は、実施の形態5に於いて冷却加熱器がSOA2の中央部をより高温に加熱する光増幅制御装置(光増幅器モジュール)に関する。
(実施の形態7)
本実施の形態は、上記実施の形態の何れかに記載の光増幅制御装置を具備する光伝送装置に関する。
図30は、本実施の形態に従う光伝送装置(トランシーバ)の構成の一例を説明するブロック図である。
次に、本光伝送装置(トランシーバ)108の動作が説明される。
Claims (20)
- 半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器の温度を調整する温度調整ユニットと、
前記温度調整ユニットを制御して、前記半導体光増幅器の温度を調整し、前記半導体光増幅器の光利得を変化させる光利得制御ユニットとを、
具備する光増幅制御装置。 - 請求項1に記載の光増幅制御装置において、
前記半導体光増幅器に駆動電流を印加する駆動ユニットを更に有し、
前記光利得制御ユニットは、前記駆動ユニットと前記温度調整ユニットとを制御して、前記半導体光増幅器の光利得を変化させることを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項2に記載の光増幅制御装置において、
前記光利得制御ユニットは、
前記半導体光増幅器に発生させようとする光利得の目標値に基づいて、前記駆動電流と前記温度を決定し、前記決定した駆動電流及び前記温度に基づいて、前記駆動ユニットと前記温度調整ユニットを制御することを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項3に記載の光増幅制御装置において、
前記光利得制御ユニットは、前記駆動ユニットと前記温度調整ユニットを制御して、前記光利得を変化させた後、前記半導体光増幅器の出力に基づいて、前記温度調整ユニットの温度を再設定し、前記駆動電流及び前記再設定した温度に基づいて、前記駆動ユニットと前記温度調整ユニットを再制御して、前記前記半導体光増幅器の光利得を再度変化させることを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項3又は4に記載の光増幅制御装置において、
前記光利得の目標値は、前記半導体光増幅器に出力させようとする出力光強度と前記半導体光増幅器に入射している入力光の光強度の比であることを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項3乃至5のいずれか1項に記載の光増幅制御装置において、
前記光利得制御ユニットは、
前記光利得の値ごとに、前記駆動電流情報及び前記温度情報を記憶する記憶部を有し、
前記記憶部を参照して、前記光利得の目標値に対応する前記駆動電流情報及び前記温度情報に基づき、前記駆動電流及び前記温度を決定することを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項6に記載の光増幅制御装置において、
前記記憶部は、前記半導体光増幅器に入射する入力光の波長帯それぞれについて、前記光利得の値ごとに、前記駆動電流情報及び前記温度情報を記憶していることを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項6又は7に記載の光増幅制御装置において、
前記記憶部は、前記光利得の値ごとに異なる温度情報を記憶していることを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項8に記載の光増幅制御装置において、
前記記憶部は、前記光利得の値ごとに同じ駆動電流情報を記憶していることを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項8に記載の光増幅制御装置において、
前記記憶部は、前記光利得の値ごとに異なる駆動電流情報を記憶していることを特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項1乃至10の何れか1項に記載の光増幅制御装置において、
前記温度調整ユニットは、前記半導体光増幅器を搭載する熱電冷却素子であることを
特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項1及び10の何れか1項に記載された光増幅制御装置において、
前記温度調整ユニットは、前記半導体光増幅器に設けられたヒータと、前記半導体光増幅器を搭載する熱電冷却素子であることを
特徴とする光増幅制御装置。 - 請求項12に記載の光増幅制御装置において、
前記ヒータは、前記半導体光増幅器の光の入射端及び出射端より内側を、前記入射端及び前記出射端より高温に加熱できるように形成されていることを
特徴とする光増幅制御装置。 - 半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器の温度を調整する温度調整ユニットと、
前記温度調整ユニットを制御して、前記半導体光増幅器の温度を調整し、前記半導体光増幅器の光利得を変化させる光利得制御ユニットとを有する光増幅制御装置を具備し、
前記光増幅制御装置による、入射した光信号の増幅及び出力される光信号の増幅の何れか一方又は双方を実行する、
光伝送装置。 - 請求項14に記載の光伝送装置において、
前記光増幅制御装置を複数備え、
光信号を生成し出射する光送信装置と光信号を受信し複合する光受信装置を備え、
前記光送信装置が出射した光信号を、一の前記光増幅制御装置によって増幅してから出力し、
前記入射した光信号を、他の前記光増幅制御装置によって増幅してから、前記受信装置で受信することを、
特徴とする光伝送装置。 - 半導体光増幅器の温度を変化させ、前記半導体光増幅器の光利得を調整する光利得制御ステップを具備する、
半導体光増幅器の制御方法。 - 請求項16に記載の半導体光増幅器の制御方法において、
前記光利得制御ステップは、
前記半導体光増幅器に駆動電流を印加しながら、前記温度を変化させることを特徴とする半導体光増幅器の制御方法。 - 請求項17に記載の半導体光増幅器の制御方法において、
前記光利得制御ステップは、前記半導体光増幅器に発生させようとする光利得の目標値に基づいて、前記駆動電流と前記温度を決定し、前記決定した駆動電流を前記半導体光増幅器に印加しながら前記半導体光増幅器を前記決定した温度に調整することを特徴とする光増幅器の制御方法。 - 請求項18に記載の半導体光増幅器の制御方法において、
前記半導体光増幅器の光利得を調整した後、更に、前記半導体光増幅器の出力に基づいて、前記半導体光増幅器の温度を再調整し、前記前記半導体光増幅器の光利得を再調整することを特徴とする光増幅器の制御方法。 - 請求項18又は19に記載の半導体光増幅器の制御方法において、
前記光利得の値ごとに、駆動電流情報及び温度情報を記憶する記憶部を参照して、前記光利得の目標値に対応する前記駆動電流情報及び前記温度情報に基づき、前記駆動電流及び前記温度を決定することを特徴とする光増幅器の制御方法。
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JP5791094B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2015-10-07 | 日本電信電話株式会社 | 光増幅器 |
JP5853599B2 (ja) * | 2011-11-01 | 2016-02-09 | 富士通株式会社 | 発光装置及びその制御方法 |
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FR3127345A1 (fr) * | 2021-09-17 | 2023-03-24 | L’AIR LIQUIDE Société Anonyme pour l’Etude et l’Exploitation des Procédés Georges Claude | Dispositif d’amplification large bande par composants controles en temperature |
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JP3903650B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2007-04-11 | 住友電気工業株式会社 | 光増幅器および光増幅器制御方法 |
WO2002093701A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Agility Communications, Inc. | Controller calibration for small form factor sampled grating distributed bragg reflector laser |
JP2002208758A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置 |
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WO2002101426A2 (en) * | 2001-03-09 | 2002-12-19 | Axon Photonics, Inc. | Multi-function semiconductor optical amplifier |
JP2003023208A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Nec Corp | 波長可変半導体レーザ |
JP2006114774A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 波長安定化半導体レーザ装置 |
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