JPWO2009107651A1 - 置換されたビピリジル化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

置換されたビピリジル化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Abstract

一般式(1)で表される置換されたビピリジル化合物であり、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該化合物が、少なくとも1つの有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。(式中、R1〜R7は、同一でも異なってもよく水素原子、置換もしくは無置換の芳香族複素環基等を表し、nは2ないし4の整数を表し、Aは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2〜4価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2〜4価基、または、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2〜4価基等を表す。ただし、n=2の場合、2つのビピリジル構造同士が直接結合することができるものとし、そのときAは基ではない。)

Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に適した化合物と素子に関するものであリ、詳しくは置換されたビピリジル化合物と、該化合物を用いた有機EL素子に関するものである。
有機EL素子は自己発光性素子であるため、液晶素子にくらべて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であるため、活発な研究がなされてきた。
1987年にイーストマン・コダック社のC.W.Tangらは各種の役割を各材料に分担した積層構造素子を開発することにより有機材料を用いた有機EL素子を実用的なものにした。彼らは電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層し、両方の電荷を蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、10V以下の電圧で1000cd/m2以上の高輝度が得られるようになった(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
特開平8−48656号公報 特許第3194657号公報
現在まで、有機EL素子の実用化のために多くの改良がなされ、各種の役割をさらに細分化して、基板上に順次に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を設けた電界発光素子によって高効率と耐久性が達成されるようになってきた(例えば、非特許文献1参照)。
応用物理学会第9回講習会予稿集55〜61ページ(2001)
また発光効率の更なる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光体の利用が検討されている(例えば、非特許文献2参照)。
応用物理学会第9回講習会予稿集23〜31ページ(2001)
発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性の化合物に、蛍光体や燐光発光体をドープして作成することもできる。上記の講習会予稿集に記載されているように、有機EL素子における有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性など諸特性に大きな影響を与える。
有機EL素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、電子の移動速度より正孔の移動速度が速いため、正孔の一部が発光層を通り抜けてしまうことによる効率低下が問題となる。そのため電子の移動速度の速い電子輸送材料が求められている。
代表的な発光材料であるトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(以後、Alq3と略称する)は電子輸送材料としても一般的に用いられるが、正孔阻止性能があるとは言えない。
正孔の一部が発光層を通り抜けてしまうことを防ぎ、発光層での電荷再結合の確率を向上させる方策には、正孔阻止層を挿入する方法がある。正孔阻止材料としてはこれまでに、トリアゾール誘導体(例えば、特許文献3参照)やバソクプロイン(以後、BCPと略称する)、アルミニウムの混合配位子錯体(BAlq)(例えば、非特許文献2参照)などが提案されている。
例えば、正孔阻止性に優れた電子輸送材料として、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(以後、TAZと略称する)が提案されている(例えば、特許文献3参照)。
特許第2734341号公報
TAZは仕事関数が6.6eVと大きく正孔阻止能力が高いために、真空蒸着や塗布などによって作成される蛍光発光層や燐光発光層の、陰極側に積層する電子輸送性の正孔阻止層として使用され、有機EL素子の高効率化に寄与している(例えば、非特許文献3参照)。
第50回応用物理学関係連合講演会28p−A−6講演予稿集1413ページ(2003)
しかし電子輸送性が低いことがTAZにおける大きな課題であり、より電子輸送性の高い電子輸送材料と組み合わせて、有機EL素子を作成することが必要であった(例えば、非特許文献4参照)。
応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌11巻1号13〜19ページ(2000)
また、BCPにおいても仕事関数が6.7eVと大きく正孔阻止能力が高いものの、ガラス転移点(Tg)が83℃と低いことから、薄膜の安定性に乏しく、正孔阻止層として十分に機能しているとは言えない。このため、燐光発光素子においては長寿命化の方策として、BAlqを正孔阻止層として用いることも提案されている。この素子においては、長寿命化は改善されるものの、BAlqの仕事関数は5.8eVと小さいため、正孔が発光層に効率良く閉じ込められず、BCPを使用した素子に比較し、効率低下が見られ、十分とは言えない。
応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 第9回講習会23〜31ページ(2001)
いずれの材料も膜安定性が不足しており、もしくは正孔を阻止する機能が不十分である。有機EL素子の素子特性を改善させるために、電子の注入・輸送性能と正孔阻止能力に優れ、薄膜状態での安定性が高い有機化合物が求められている。
本発明の目的は、高効率、高耐久性の有機エレクトロルミネッセンス素子用の材料として、電子の注入・輸送性能に優れ、正孔阻止能力を有し、薄膜状態での安定性が高い優れた特性を有する有機化合物を提供し、さらにこの化合物を用いて、高効率、高耐久性の有機EL素子を提供することにある。本発明に適した有機化合物の物理的な特性としては、(1)電子の注入特性が良いこと、(2)電子の移動速度が速いこと、(3)正孔阻止能力に優れること、(4)薄膜状態が安定であること(5)耐熱性に優れていることをあげることができる。また、本発明に適した素子の物理的な特性としては、(1)発光効率が高いこと、(2)発光開始電圧が低いこと、(3)実用駆動電圧が低いこと、をあげることができる。
そこで本発明者らは上記の目的を達成するために、電子親和性であるピリジン環の窒素原子が金属に配位する能力を有していることと、耐熱性に優れているということに着目して、置換されたビピリジル化合物を設計して化学合成し、該化合物を用いて種々の有機エレクトロルミネッセンス素子を試作し、素子の特性評価を鋭意行なった結果、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、一般式(1)で表される置換されたビピリジル化合物であり、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該化合物が、少なくとも1つの有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
Figure 2009107651
(式中、R1〜R7は、同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表し、nは2ないし4の整数を表し、Aは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2〜4価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2〜4価基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2〜4価基または下記一般式(2)で表される3価基
Figure 2009107651
(式中、X、Y、Zは炭素原子または窒素原子を表す。)を表す。ただし、n=2の場合、2つのビピリジル構造同士が直接結合することができるものとし、そのときAは基ではない。)
一般式(1)中のAで表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基の芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基としては、具体的に次のような基をあげることができる。フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジン基、フラニル基、ピロニル基、チオフェニル基、キノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリル基。
一般式(1)中のAで表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基の置換基として、具体的には、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、水酸基、ニトロ基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基のような基をあげることができ、さらに置換されていても良い。
一般式(1)中のR1〜R7で表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基としては、具体的にフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジル基、フラニル基、ピロニル基、チオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基をあげることができる。
一般式(1)中のR1〜R7で表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基の置換基としては、具体的にフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ピリジル基、ビピリジル、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、カルバゾリル基、キノキサリル基、ピラゾリル基をあげることができ、さらに置換されていても良い。
本発明の一般式(1)で表される、置換されたビピリジル化合物は、従来の電子輸送材料より電子の移動が速く、優れた正孔の阻止能力を有し、かつ薄膜状態が安定である。
本発明の一般式(1)で表される、置換されたビピリジル化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以後、有機EL素子と略称する。)の電子輸送層の構成材料として使用することができる。従来の材料に比べて電子の注入・移動速度の高い材料を用いることにより、電子輸送層から発光層への電子輸送効率が向上して、発光効率が向上すると共に、駆動電圧が低下して、有機EL素子の耐久性が向上するという作用を有する。
本発明の一般式(1)で表される、置換されたビピリジル化合物は、有機EL素子の正孔阻止層の構成材料としても使用することができる。優れた正孔の阻止能力と共に従来の材料に比べて電子輸送性に優れ、かつ薄膜状態の安定性の高い材料を用いることにより、高い発光効率を有しながら、駆動電圧が低下し、電流耐性が改善されて、有機EL素子の最大発光輝度が向上するという作用を有する。
本発明の一般式(1)で表される、置換されたビピリジル化合物は、有機EL素子の発光層の構成材料としても使用することができる。従来の材料に比べて電子輸送性に優れ、かつバンドギャップの広い本発明の材料を発光層のホスト材料として用い、ドーパントと呼ばれている蛍光体や燐光発光体を担持させて、発光層として用いることにより、駆動電圧が低下し、発光効率が改善された有機EL素子を実現できるという作用を有する。
本発明の有機EL素子は、従来の電子輸送材料より電子の移動が速く、優れた正孔の阻止能力を有し、かつ薄膜状態が安定な、置換されたビピリジル化合物を用いているため、高効率、高耐久性を実現することが可能となった。
本発明の置換されたビピリジル化合物は、電子の移動が速く、優れた正孔の阻止能力を有し、薄膜状態が安定であるので、有機EL素子の電子輸送層、正孔阻止層あるいは発光層の構成材料として有用である。置換されたビピリジル化合物を用いて作製した有機EL素子は発光効率が向上すると共に駆動電圧が低下して、耐久性を向上させることができる。
本発明実施例1の化合物(化合物6)の1H−NMRチャート図である。 本発明実施例2の化合物(化合物8)の1H−NMRチャート図である。 本発明実施例3の化合物(化合物15)の1H−NMRチャート図である。 本発明実施例4の化合物(化合物29)の1H−NMRチャート図である。 本発明実施例5の化合物(化合物63)の1H−NMRチャート図である。 実施例8〜11および比較例1〜2のEL素子構成を示した図である。 実施例8と比較例1の電圧/電流密度特性を比較したグラフである。 実施例8と比較例1の電流密度/外部量子効率を比較したグラフである。
符号の説明
1 ガラス基板
2 透明陽極
3 正孔輸送層
4 発光層
5 正孔阻止層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 陰極
本発明の置換されたビピリジル化合物は、新規な化合物であり、これらの化合物は例えば、種々の芳香族炭化水素化合物、縮合多環芳香族化合物または芳香族複素環化合物のハライドとピナコールボランやビス(ピナコラート)ジボロンとの反応で合成されたボロン酸またはボロン酸エステル(例えば、非特許文献6参照)と、種々のハロゲノピリジンとをSuzukiカップリングなどのクロスカップリング反応(例えば、非特許文献7参照)を行うことによって、置換されたビピリジル化合物を合成することができる。また、ニトリル基を有する種々の芳香族炭化水素化合物、縮合多環芳香族化合物または芳香族複素環化合物に対し水素化ナトリウムを用いたトリアジン環形成反応(例えば、特許文献4参照)を行うことによっても、トリアジン環が連結した置換されたビピリジル化合物を合成することができる。
J.Org.Chem.,60,7508(1995) Synth.Commun.,11,513(1981) 特開2004−284971
一般式(1)で表される置換されたビピリジル化合物の中で、好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明は、これらの化合物に限定されるものではない。
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これらの化合物の精製はカラムクロマトグラフによる精製、吸着精製、溶媒による再結晶や晶析法などによって行った。化合物の同定は、NMR分析によって行なった。物性値として、DSC測定(Tg)と融点の測定を行った。融点は蒸着性の指標となるものであり、ガラス転移点(Tg)は薄膜状態の安定性の指標となるものである。
融点とガラス転移点は、粉体を用いて、セイコーインスツルメンツ社製の高感度示差走査熱量計DSC6200を用いて測定した。
また仕事関数は、ITO基板の上に100nmの薄膜を作製して、理研計器製の大気中光電子分光装置AC3型を用いて測定した。仕事関数は正孔阻止能力の指標となるものである。
本発明の有機EL素子の構造としては、基板上に順次に、陽極、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極からなるもの、また、陽極と正孔輸送層の間に正孔注入層を有するもの、電子輸送層と陰極の間に電子注入層を有するものがあげられる。これらの多層構造においては有機層を何層か省略することが可能であり、例えば基板上に順次に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極とすることもできる。
有機EL素子の陽極としては、ITOや金のような仕事関数の大きな電極材料が用いられる。正孔注入層としては銅フタロシアニン(以後、CuPcと略称する)のほか、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体などの材料や塗布型の材料を用いることができる。
正孔輸送層にはベンジジン誘導体であるN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)−ベンジジン(以後、TPDと略称する)やN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(α−ナフチル)−ベンジジン(以後、NPDと略称する)、種々のトリフェニルアミン4量体などを用いることができる。また、正孔の注入・輸送層として、PEDOT/PSSなどの塗布型の高分子材料を用いることができる。
本発明の有機EL素子の発光層、正孔阻止層、電子輸送層としては置換されたビピリジル化合物のほか、BAlqなどのアルミニウムの錯体、チアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、カルバゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体、BCPなどのフェナントロリン誘導体や、TAZなどのトリアゾール誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物などを用いることができる。
アルミニウムの錯体、スチリル誘導体などの従来の発光材料を発光層に用い、置換されたビピリジル化合物を正孔阻止層、電子輸送層として用いることにより、高性能の有機EL素子を作製することができる。また、発光層のホスト材料として、例えば、キナクリドン、クマリン、ルブレンなどの蛍光体を用いることができる。燐光発光体としては、フェニルピリジンのイリジウム錯体Ir(ppy)3などの緑色の燐光発光体、FIrpic、FIr6などの青色の燐光発光体、Btp2Ir(acac)などの赤色の燐光発光体などが用いられ、このときのホスト材料としては正孔注入・輸送性のホスト材料として4,4'−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(以後、CBPと略称する)や4,4’,4’'−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(以後、TCTAと略称する)、1,3−ビス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン(以後、mCPと略称する)などのカルバゾール誘導体などを用いることができ、電子輸送性のホスト材料として2,2’,2’'−(1,3,5−フェニレン)−トリス(1−フェニル−1H−ベンズイミダゾール)(以後、TPBIと略称する)などを用いることができ、高性能の有機EL素子を作製することができる。
さらに、置換されたビピリジル化合物に、従来からの電子輸送性の材料を重層、あるいは共蒸着して電子輸送層として用いることができる。
本発明の有機EL素子は電子注入層を有していても良い。電子注入層としてはフッ化リチウムなどを用いることができる。陰極としては、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、アルミニウムマグネシウムのような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。
以下、本発明の実施の形態について、実施例により具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
<1,3,5−トリス(2,2’−ビピリジン−6−イル)ベンゼン(化合物6)の合成>
窒素置換した反応容器に1,3,5−トリブロモベンゼン8.6g、ビス(ピナコラート)ジボロン25.0g、酢酸カリウム24.1g、予めモレキュラーシーブス4Aで脱水したジメチルスルホキシド250ml、PdCl2(dppf)−CH2Cl21.4gを加えて加熱し、80℃で20時間攪拌を行った。室温まで冷却した後、反応液を水1000mlに加え、30分攪拌した。ろ過によって析出物を採取し、析出物をメタノールで洗浄して粗製物を得た。粗製物を酢酸エチル200mlに溶解した後、不溶物をろ過によって除き、ろ液を濃縮乾固することによって1,3,5−トリス(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)ベンゼン7.1g(収率57%)の白色粉体を得た。
得られた1,3,5−トリス(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)ベンゼン2.5g、6−ブロモ−[2,2’]−ビピリジン3.8g、1M炭酸カリウム水溶液32.3ml、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.3g、トルエン108ml、エタノール27mlを窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら18時間加熱還流した。室温まで冷却し、水100ml、トルエン100mlを加えて分液し、有機層をさらに水100mlで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ(担体:NHシリカゲル、溶離液:クロロホルム/n−ヘキサン)によって精製し、1,3,5−トリス(2,2’−ビピリジン−6−イル)ベンゼン(化合物6)1.1g(収率38%)の白色粉末を得た。
得られた白色粉末についてNMRを使用して構造を同定した。1H−NMR測定結果を図1に示した。
1H−NMR(CDCl3)で以下の24個の水素のシグナルを検出した。δ(ppm)=9.02(3H)、8.76(6H)、8.47(3H)、7.99−8.04(6H)、7.89(3H)、7.37(3H)。
<2,4,6−トリス(2,2’−ビピリジン−6−イル)−[1,3,5]トリアジン(化合物8)の合成>
窒素置換した反応容器に[2,2’]−ビピリジン−6−カルボニトリル5.0g、水素化ナトリウム0.2gを加えて加熱し、150℃で7時間攪拌を行った。室温まで冷却した後、反応液にメタノール15mlを加え、さらに1時間攪拌した。続いて、水70ml、クロロホルム100mlを加えて分液し、有機層をさらに水50mlで洗浄した。有機層を無水炭酸ナトリウムで脱水した後、濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をオルトジクロロベンゼン70mlを用いた再結晶を行うことによって精製し、2,4,6−トリス(2,2’−ビピリジン−6−イル)−[1,3,5]トリアジン(化合物8)2.3g(収率46%)の淡黄色粉末を得た。
得られた淡黄色粉末についてNMRを使用して構造を同定した。1H−NMR測定結果を図2に示した。
1H−NMR(CDCl3)で以下の21個の水素のシグナルを検出した。δ(ppm)=8.99(6H)、8.75(6H)、8.17(3H)、7.97(3H)、7.42(3H)。
<1,2,4,5−テトラキス(2,2’−ビピリジン−6−イル)ベンゼン(化合物15)の合成>
前記実施例1と同様に、1,2,4,5−テトラブロモベンゼンとビス(ピナコラート)ジボロンから1,2,4,5−テトラキス(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)ベンゼンを合成した。得られた1,2,4,5−テトラキス(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)ベンゼン2.1g、6−ブロモ−2,2’−ビピリジン4.1g、2M炭酸カリウム水溶液21.8ml、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.2g、トルエン120ml、エタノール30mlを窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら25時間加熱還流した。室温まで冷却し、水100ml、クロロホルム300mlを加えて分液し、有機層をさらに水100mlで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ(担体:NHシリカゲル、溶離液:クロロホルム/n−ヘキサン)によって精製し、1,2,4,5−テトラキス(2,2’−ビピリジン−6−イル)ベンゼン(化合物15)0.3g(収率12%)の白色粉末を得た。
得られた白色粉末についてNMRを使用して構造を同定した。1H−NMR測定結果を図3に示した。
1H−NMR(CDCl3)で以下の30個の水素のシグナルを検出した。δ(ppm)=8.62(4H)、8.26(6H)、8.12(4H)、7.71(4H)、7.60(4H)、7.37(4H)、7.23(4H)。
<1,3,5−トリス(2,2’;6’,2’’−ターピリジン−6−イル)ベンゼ
(化合物29)の合成>
前記実施例1で得られた、1,3−5−トリス(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)ベンゼン3.0g、6−ブロモ−[2,2’;6’,2’’]−ターピリジン6.2g、1M炭酸カリウム水溶液59.2ml、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.39g、トルエン131ml、エタノール33mlを窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら18時間加熱還流した。室温まで冷却し、水100ml、トルエン100mlを加えて分液し、有機層をさらに水100mlで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ(担体:NHシリカゲル、溶離液:クロロホルム/n−ヘキサン)によって精製し、1,3,5−トリス(2,2’;6’,2’’−ターピリジン−6−イル)ベンゼン(化合物29)1.8g(収率35%)の白色粉末を得た。
得られた白色粉末についてNMRを使用して構造を同定した。1H−NMR測定結果を図4に示した。
1H−NMR(CDCl3)で以下の33個の水素のシグナルを検出した。δ(ppm)=9.09(3H)、8.83(3H)、8.74(3H)、8.70(6H)、8.51(3H)、8.06(9H)、7.90(3H)、7.37(3H)。
<3,5,3’,5’−テトラキス(2,2’−ビピリジン−6−イル)ビフェニル
(化合物63)の合成>
前記実施例1と同様に、3,5,3’,5’−テトラブロモビフェニルとビス(ピナコラート)ジボロンから3,5,3’,5’−テトラキス(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)ビフェニルを合成した。得られた3,5,3’,5’−テトラキス(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)ビフェニル3.2g、6−ブロモ−2,2’−ビピリジン4.5g、2M炭酸カリウム水溶液28.7ml、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.3g、トルエン110ml、エタノール25mlを窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら22時間加熱還流した。室温まで冷却し、水100ml、クロロホルム300mlを加えて分液し、有機層をさらに水100mlで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ(担体:NHシリカゲル、溶離液:クロロホルム/n−ヘキサン)によって精製し、3,5,3’,5’−テトラキス(2,2’−ビピリジン−6−イル)ビフェニル(化合物63)2.4g(収率64%)の白色粉末を得た。
得られた白色粉末についてNMRを使用して構造を同定した。1H−NMR測定結果を図5に示した。
1H−NMR(CDCl3)で以下の34個の水素のシグナルを検出した。δ(ppm)=8.96(2H)、8.72(8H)、8.63(4H)、8.47(4H)、8.00(8H)、7.77(4H)、7.32(4H)。
本発明の化合物について、高感度示差走査熱量計(セイコーインスツルメンツ社製、DSC6200)によって融点とガラス転移点を求めた。
融点 ガラス転移点
本発明実施例1の化合物 240℃ 74℃
本発明実施例2の化合物 327℃ 86℃
本発明実施例3の化合物 310℃ 115℃
本発明実施例4の化合物 305℃ 110℃
本発明実施例5の化合物 310℃ なし
本発明の化合物は70℃以上のガラス転移点を有しているか、あるいはガラス転移点が認められなかった。このことは、本発明の化合物において薄膜状態が安定であることを示すものである。
本発明の化合物を用いて、ITO基板の上に膜厚100nmの蒸着膜を作製して、大気中光電子分光装置(理研計器製、AC3型)で仕事関数を測定した。
仕事関数
本発明実施例1の化合物 6.45eV
本発明実施例2の化合物 6.70eV
本発明実施例3の化合物 6.58eV
本発明実施例4の化合物 6.60eV
本発明実施例5の化合物 6.38eV
このように本発明の化合物はNPD、TPDなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数5.4eVより深い値を有しており、大きな正孔阻止能力を有している。
有機EL素子は、図6に示すように、ガラス基板1上に陽極2としてITO透明電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔輸送層3、発光層4、正孔阻止層5、電子輸送層6、電子注入層7、陰極(アルミニウム電極)8の順に蒸着して作製した。膜厚150nmのITOを成膜したガラス基板1を有機溶媒洗浄後に、UVオゾン処理にて表面を洗浄した。これを、真空蒸着機内に取り付け0.001Pa以下まで減圧した。
続いて、その上に正孔輸送層3として、NPDを蒸着速度6nm/minで約30nm形成した。その上に、発光層4としてCBPとIr(ppy)3を組成比7重量%に制御して蒸着速度6nm/minで約40nm形成した。この発光層4の上に、正孔阻止層兼電子輸送層5および6として本発明実施例1の化合物(化合物6)を蒸着速度6nm/minで約45nm形成した。この正孔阻止層兼電子輸送層5および6の上に、電子注入層7としてフッ化リチウムを蒸着速度0.6nm/minで約0.5nm形成した。最後に、アルミニウムを約200nm蒸着して陰極8を形成した。作製した素子は、真空デシケーター中に保存し、大気中、常温で特性測定を行なった。
本発明の実施例1の化合物(化合物6)を使用して作製した有機EL素子に直流電圧を印加した発光特性の測定結果を図7および図8に示した。すなわち、3.3Vから100cd/m2の発光が見られ、5.1Vでは10mA/cm2の電流が流れ、3900cd/m2の緑色発光を得た。この輝度での外部量子効率は12%であった。
[比較例1]
比較のために、実施例8の正孔阻止層5をBCPに電子輸送層6をAlq3に代えて、実施例8と同様の条件で有機EL素子を作製してその特性を調べた。すなわち正孔阻止層5としてBCPを蒸着速度6nm/minで約15nm、電子輸送層6としてAlq3を蒸着速度6nm/minで約30nm形成した。作製した有機EL素子に直流電圧を印加した発光特性の測定結果を図7および図8に示した。すなわち、4.2Vから100cd/m2の発光が見られ、7.0Vでは10mA/cm2の電流が流れ、3800cd/m2の緑色発光を得た。この輝度での外部量子効率は12%であった。
このように本発明の有機EL素子は、正孔阻止層にBCPを用い、電子輸送層に一般的な電子輸送材料として用いられているAlq3を用いた素子と比較して、外部量子効率を低下させることなく、駆動電圧の顕著な低下が達成できていることがわかった。
実施例8と同様に、膜厚150nmのITOを成膜したガラス基板1を有機溶媒洗浄後に、UVオゾン処理にて表面を洗浄した。これを、真空蒸着機内に取り付け0.001Pa以下まで減圧した。続いて、透明陽極2を覆うように正孔輸送層3として、NPDを蒸着速度6nm/minで約30nm形成した。その上に、発光層4としてmCPとFIr6を組成比6重量%に制御して蒸着速度6nm/minで約40nm形成した。この発光層4の上に、正孔阻止層兼電子輸送層5および6として本発明実施例1の化合物(化合物6)を蒸着速度6nm/minで約45nm形成した。この正孔阻止層兼電子輸送層5および6の上に、電子注入層7としてフッ化リチウムを蒸着速度0.6nm/minで約0.5nm形成した。最後に、アルミニウムを約200nm蒸着して陰極8を形成した。作製した素子は、真空デシケーター中に保存し、大気中、常温で特性測定を行なった。
本発明の実施例1の化合物(化合物6)を使用して作製した有機EL素子に電流密度10mA/cm2の電流を流したときの発光特性の測定結果を表1にまとめて示した。
実施例9において正孔阻止層兼電子輸送層5および6として本発明実施例3の化合物(化合物15)を使用した以外は、同様の方法で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子に電流密度10mA/cm2の電流を流したときの発光特性の測定結果を表1にまとめて示した。
実施例9において正孔阻止層兼電子輸送層5および6として本発明実施例4の化合物(化合物29)を使用した以外は、同様の方法で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子に電流密度10mA/cm2の電流を流したしたときの発光特性の測定結果を表1にまとめて示した。
[比較例2]
比較のために、実施例9において正孔阻止層兼電子輸送層5および6としてTPBIを使用した以外は、同様の方法で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子に電流密度10mA/cm2の電流を流したしたときの発光特性の測定結果を表1にまとめて示した。
Figure 2009107651
表1に示す様に、電流密度10mA/cm2の電流を流したときの駆動電圧は、TPBIの8.73Vに対して本発明の化合物ではいずれも低電圧化した。さらに、電流密度10mA/cm2の電流を流したときの輝度、発光効率および電力効率のいずれも、TPBIに対して大きく向上した。
このように本発明の青色燐光発光有機EL素子は、一般的な電子輸送材料として用いられているTPBIを用いた素子と比較して、発光効率および電力効率に優れており、さらに実用駆動電圧の顕著な低下が達成できることがわかった。
本発明の置換されたビピリジル化合物は、電子の注入・輸送性能が良く、正孔阻止能力にも優れ、薄膜状態が安定であるため、有機EL素子用の化合物として優れている。該化合物を用いて有機EL素子を作製することにより、駆動電圧を低下させることができ、耐久性を改善させることができる。例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が可能となった。
一般式(1)中のAで表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基の芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基としては、具体的に次のような基をあげることができる。フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジン基、フラニル基、ピロニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリル基。
一般式(1)中のR1〜R7で表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基としては、具体的にフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジル基、フラニル基、ピロニル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基をあげることができる。

Claims (11)

  1. 下記一般式(1)で表される置換されたビピリジル化合物。
    Figure 2009107651
    (式中、R1〜R7は、同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表し、nは2ないし4の整数を表し、Aは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2〜4価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2〜4価基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2〜4価基または下記一般式(2)で表される3価基
    Figure 2009107651
    (式中、X、Y、Zは炭素原子または窒素原子を表す。)を表す。ただし、n=2の場合、2つのビピリジル構造同士が直接結合することができるものとし、そのときAは基ではない。)
  2. 前記一般式(1)においてAがベンゼンから3または4個の水素原子を除いてできる3または4価基である、請求項1記載の置換されたビピリジル化合物。
  3. 前記一般式(1)においてAがビフェニルから3または4個の水素原子を除いてできる3または4価基である、請求項1記載の置換されたビピリジル化合物。
  4. 前記一般式(1)においてAがトリアジンから3個の水素原子を除いてできる3価基である、請求項1記載の置換されたビピリジル化合物。
  5. 前記一般式(1)においてAが下記一般式(3)で表される3価基
    Figure 2009107651
    である、請求項1記載の置換されたビピリジル化合物。
  6. 前記一般式(1)においてAが下記一般式(4)で表される3価基
    Figure 2009107651
    である、請求項1記載の置換されたビピリジル化合物。
  7. 一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式(1)で表される置換されたビピリジル化合物が、少なくとも1つの有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 2009107651
    (式中、R1〜R7は、同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表し、nは2ないし4の整数を表し、Aは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2〜4価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2〜4価基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2〜4価基または下記一般式(2)で表される3価基
    Figure 2009107651
    (式中、X、Y、Zは炭素原子または窒素原子を表す。)を表す。ただし、n=2の場合、2つのビピリジル構造同士が直接結合することができるものとし、そのときAは基ではない。)
  8. 前記した有機層が電子輸送層であり、上記一般式(1)で表される化合物が、該電子輸送層中に、少なくとも一つの構成材料として用いられていることを特徴とする請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 前記した有機層が正孔阻止層であり、上記一般式(1)で表される化合物が、該正孔阻止層中に、少なくとも一つの構成材料として用いられていることを特徴とする請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 前記した有機層が発光層であり、上記一般式(1)で表される化合物が、該発光層中に、少なくとも一つの構成材料として用いられていることを特徴とする請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 前記した有機層が電子注入層であり、上記一般式(1)で表される化合物が、該電子注入層中に、少なくとも一つの構成材料として用いられていることを特徴とする請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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