JPWO2009084276A1 - レーザ加工装置 - Google Patents

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Abstract

両面スクライブ加工から両面ブレイク加工までを簡単かつ確実に実行することができるレーザ加工装置を提供する。平行光束からなる第一ビームに整形し、基板表面側に導いて走査する第一ビーム走査光学系22aと、平行光束からなる第二ビームに整形し、基板裏面側に導いて走査する第二ビーム走査光学系22bと、第二ビームを基板裏面に導くための光路となる溝49によって分割された基板載置面41を有するテーブルとを備え、基板載置面には多孔質部材で形成され、基板に気体を吹き付けて浮上させる浮上機構41,47が設けられ、浮上した基板の基板側面に当接して基板の水平方向の移動を制限する当接部54を設け、基板載置面に載せた状態で両面スクライブ加工を行い、浮上させた状態で片面ずつブレイク加工を行う。

Description

本発明は、基板の表面と裏面に対し、レーザビームを走査することにより基板の両面加工を行うレーザ加工装置に関する。具体的には、例えば液晶パネル用基板のような貼り合せ基板の両面分断加工等に用いるレーザ加工装置に関する。
被加工基板に対するレーザビームの照射位置を、相対的に移動させて加工を行う走査型のレーザ加工装置は、ガラス基板等の脆性材料基板の加工に用いられている。
最近では液晶パネル用基板のような2枚のガラス基板を貼り合せた貼り合せ基板に対し、1つのレーザ光源から照射されるレーザビームをビームスプリッタで分岐させ、あるいは2つのレーザ光源から独立にレーザビームを照射させ、基板両面にレーザビームを同時照射してスクライブしたり、分断したりするレーザ加工装置も提案されている(特許文献1、特許文献2参照)。
そして、特許文献1には、基板の表裏それぞれの側に第一レーザスポット、冷却領域、第二レーザスポットを形成するようにして走査を行うことにより、クラックをより深く進展させるようにして、1回のスクライブ工程にて(この間に2度のレーザ照射が行われる)、貼り合せ基板を分断することが記載されている。
このようなレーザ加工装置では、加工を行う時の加工幅を狭くして加工精度を高めたり、また、加熱するときに加熱効率を高めて走査速度を向上したりする目的のために、レーザ光源から出射された断面形状が円形のレーザビーム(元ビーム)を光路上で調整し、基板の加工面にビームを集光したり(特許文献2)、基板までの高さ(距離)によりビームスポットの面積が変化する楕円形のビームスポットが形成されるようにしている(特許文献1)。
なお、形成するビームスポットの形状は文字どおりの「楕円形」だけではなく、長円、その他の長軸方向を有する細長い形状のビームスポットにしても、楕円形と同様に加工精度や加熱効率を高めたりすることができる。よって、ここでは「楕円形」のビームスポットという場合には、長円形状等のビームスポット、複数の円形ビームを直列状に並べたビームスポット等の長軸方向が定義できるビームスポットを含むものとする。
レーザ光源から出射される円形断面の元ビームから楕円形状のビームスポットを形成する方法としては、レンズ光学系を用いて長軸を有するビームスポットを形成する方法が実用されている。例えばレーザビームの光路上にシリンドリカルレンズと集光レンズとを配置することにより、円形断面の元ビームを、楕円形のレーザビームに整形することが開示されている(例えば特許文献3参照)。
図10は、走査型のレーザ加工装置の一つであるクラック形成装置500(レーザスクライブ装置)の従来例を示す構成図である。この装置は、レーザビームの照射位置が動かないように固定し、テーブルが二次元方向(XY方向)と回転方向(θ方向)とに移動するようにしてある。
すなわち、架台501上に平行に配置された一対のガイドレール503、504に沿って、図10の紙面前後方向(Y方向とする)に往復移動するスライドテーブル502が設けられている。両ガイドレール503、504の間に、スクリューネジ505が前後方向に沿って配置され、このスクリューネジ505に、スライドテーブル502に固定されたステー506が螺合されており、スクリューネジ505をモータ(不図示)によって正、逆転することにより、スライドテーブル502がガイドレール503、504に沿ってY方向に往復移動するように形成されている。
スライドテーブル502上に、水平な台座507がガイドレール508に沿って、図10の左右方向(X方向とする)に往復移動するように配置されている。台座507に固定されたステー510に、モータ509によって回転するスクリューネジ510aが貫通螺合されており、スクリューネジ510aが正、逆転することにより、台座507がガイドレール508に沿って、X方向に往復移動する。
台座507上には、回転機構511によって回転する回転テーブル512が設けられており、この回転テーブル512に、ガラス基板Gが水平な状態で取り付けられる。回転機構511は、回転テーブル512を、垂直な軸の周りで回転させるようになっており、基準位置に対して任意の回転角度になるように回転できるように形成されている。また、基板Gは、例えば吸引チャックによって回転テーブル512に固定される。
回転テーブル512の上方には、レーザ513に連なる光学ホルダ514がフレーム515に保持されている。図6に示すように、光学ホルダ14には、レーザ513から発信されたレーザビームを、楕円形の加熱スポットHSとして基板G上に照射するためのレンズ光学系514a(例えばシリンドリカルレンズ)が設けられている。また、レンズ光学系514aの下には、焦点位置を上下に移動することにより,加熱スポットHSの領域を拡大、縮小する調整レンズ514bが設けられている。加熱スポットHSが拡大、縮小されると、基板面に照射される面積、エネルギー密度が変化する。そのため、例えば調整レンズ514bにより加熱スポットHSを拡大するときはレーザ発振器513の出力を増大し、加熱スポットHSを縮小するときはレーザ発信器513の出力を減少するよう調整して用いられる。
なお、光学ホルダ514の近傍には、加熱スポットの後側の位置に向けて冷媒を噴霧して冷却スポットを形成し、急冷することにより熱応力の発生を促進するための冷却ノズル516を設けてもよい。
クラック形成装置500の左上方には、一対のCCDカメラ520(521)が固定されてある。これらは基板の位置検出に用いる。すなわち、回転テーブル512に載置されたガラス基板Gには加工基準点となる一対のマーカ(アラインメントマーク)が付されており、一対のCCDカメラ520(521)は、回転テーブル512が原点位置に復帰した状態(図10の回転テーブル512を左端に移動した状態)で、これらマーカを撮像する。なお、図10では紙面手前側のCCDカメラ520のみが図示され、紙面奥側のCCDカメラ521は図示されていない。
CCDカメラ520、521により映し出された基板Gの画像を、表示部557(後述)でモニタしながら、スライドテーブル502、台座507、回転テーブル512の調整を行うことにより、基板Gの位置合わせが行われる。位置合わせを終えることで、基板Gの各点がクラック形成装置500に設定された座標系と対応付けられることになる。
回転テーブル512の上方には、上下移動調節機構517を介してカッターホイール518が取り付けられている。カッターホイール518は、専ら、ガラス基板Gの端縁に初期亀裂TRを形成するときに、台座507を待機位置からX方向に移動させるとともに一時的にカッターホイール518下降させ、待機位置へ戻すようにして用いる。
続いて、図11を参照しながらクラック形成装置500の制御系について説明する。クラック形成装置500において、スライドテーブル502および台座507の位置決めを
行うためのモータ(モータ509等)を駆動するテーブル駆動部551、レーザビーム照射のためにレーザ513および光学ホルダ514の調整レンズ514bを駆動するレーザ駆動部552、冷却ノズル516を設ける場合は冷媒の噴霧を行う冷却ノズル駆動部553、カッターホイール518の位置決めおよびガラス基板Gに対する圧接力の調整を行うカッター駆動部554、CCDカメラ520、521による撮像を行うカメラ駆動部555の各駆動系が、コンピュータ(CPU)で構成される制御部550によってコントロールされる。
制御部50には、キーボード、マウス等の入力装置からなる入力部556、および各種の表示を行う表示画面からなる表示部557が接続され、必要なメッセージが表示画面に表示されるとともに、必要な指示や設定が入力できるようにしてある。
次に、クラック形成装置500の動作について説明する。ガラス基板Gが回転テーブル512の上に載置される。このときカメラ520、521を用いて位置決めがなされる。クラック形成装置500に分断予定ラインCLを記憶させる。
続いて、クラック形成を開始する。処理がスタートすると、記憶された分断予定ラインCLの位置データが読み出され、起点Pにカッターホイール518が近づくようにスライドテーブル502、台座507(回転テーブル512)が移動する。さらにカッターホイール518が降下した状態で、基板端がカッターホイール518に近づくように台座507(回転テーブル512)が駆動されることにより、基板端に初期亀裂TRが形成される。
続いて、ビームスポットBSが初期亀裂TRの直前の位置にくるように、スライドテーブル502、台座507(回転テーブル512)が移動する。その後、レーザ513が発振されてレーザビームが照射されてビームスポットBSが形成され、起点Pから終点Pに至るまで分断予定ラインCLに沿って走査される(必要に応じて冷却ノズル516による冷却スポットが追随するよう走査される)。
以上の処理が実行されることにより、分断予定ラインCLに沿ったクラックが形成される。
一般に、基板が載置されるテーブルを、基板とともに二次元方向(XY方向)に移動したり、あるいは一次元方向(X方向)に移動したりするテーブル並進機構を備えたレーザ加工装置は、ビームスポットの走査の安定性に優れ、再現性のよいレーザ加工を行うことができる。
しかしながら、テーブルを移動させる必要がある関係上、テーブルの移動開始位置から移動終了位置までのスペースが必要となり、テーブルが固定された装置に比べると、装置全体の設置スペースがどうしても2倍程度(一次元駆動の場合)、あるいは4倍(二次元駆動の場合)程度大きくなる傾向がある。
特に、最近は液晶パネル用のガラス基板を加工する場合のように、加工対象の基板の面積が大きくなる傾向がある。それゆえ基板面積が大きくなるにつれて、さらに大きな設置スペースが必要になる。
そこで、レーザビーム側に二次元(XY方向)並進機構を設けたレーザ切断装置(レーザ加工装置)が提案されている(特許文献3参照)。
これによれば、ビームスポット形状を調整できるレーザ光学系(屈折レンズ、フォーカシングレンズ群)全体を、レーザビームの走査方向に移動する駆動機構を備えるようにしている。
特開2004−36315号公報 特開2002−172479号公報 特開2000−61677号公報
テーブルを移動する並進機構に代えて、レーザ光学系全体を走査方向に移動させる並進機構を備えたレーザ加工装置は、設置スペースを小さくすることができるので、コンパクトな装置構成にすることができる。
ところで、テーブルの並進機構を持たずレーザ光学系を移動するコンパクトな装置構成を、基板の両面加工を行うレーザ加工装置に適用する場合、基板裏面側についてはテーブルが存在するため、テーブルがレーザ加工の妨げにならないようにした光学系の配置やテーブル構造にする必要がある。
また、特許文献1に記載の両面加工を行うレーザ加工装置においては、上述したように、レーザスクライブからレーザブレイクまでを1回の走査で行い、一挙に分断することが開示されている(特許文献1)。しかしながら、この加工を行うには被加工基板の種類、厚さ等の状況によって加工条件を設定する調整作業が必要であり、その条件出しや調整作業に時間を要する。特に、基板の板厚により(光路長さが変化するため)、ビームスポットの大きさが変化するので、基板の板厚に合わせて調整する必要がある。
そこで、本発明は基板等に対する分断加工のための加工条件について制約を少なくすることができ、基板の種類や厚さに依存することなく、スクライブ加工およびブレイク加工を行うことができる両面加工用のレーザ加工装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、基板の厚さに依存せず、1つの加工装置で簡単にスクライブ加工からブレイク加工までを行うことができるレーザ加工装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するためになされた本発明のレーザ加工装置は、両面加工を行う基板をテーブルに載置した状態で両面同時にスクライブ加工を行い、その後、基板を浮上させた状態で片側ずつブレイク加工を行うことができるようにしている。
すなわち、本発明のレーザ加工装置は、脆性材料からなる基板の表裏二面に対しレーザビームを走査して加工を行うレーザ加工装置であって、レーザ光源から出射されるレーザビームを平行光束からなる第一ビームに整形し、基板表面側に導いて走査する第一ビーム走査光学系と、レーザ光源から出射されるレーザビームを平行光束からなる第二ビームに整形し、基板裏面側に導いて走査する第二ビーム走査光学系と、第二ビームを基板裏面に導くための光路となる溝によって分割された基板載置面を有するテーブルとを備え、基板載置面には多孔質部材で形成され、多孔質部材を介して基板に気体を吹き付けて浮上させる浮上機構が設けられ、さらに、浮上した基板の基板側面に当接して基板の水平方向の移動を制限する当接部を設けるようにしている。
ここで、脆性材料基板としては、主としてガラスの貼り合せ基板に用いられるが、これに限らず、シリコン基板、サファイア基板、その他の半導体基板、セラミック基板等の貼り合せ基板であってもよい。
また、基板裏面にレーザビームを導くための光路となる溝は、1本でも複数本でもよく、基板形状、分断加工したい基板上の位置、加工本数により、テーブルの溝の位置、本数を定めればよい。
また、当接部は、基板が定型の場合は基板載置面上に固定されていてもよい。基板が定型でない場合は移動可能な可動な当接部が望ましい。
本発明によれば、テーブル上に基板が載置される。基板浮上機構が作動すると、基板に気体を吹き付けられることにより基板が浮上する。このとき当接部が基板の水平方向の移動を制限するようにしてある。一方、基板表面側に照射する第一ビームおよび第二ビームは平行光束に整形された上で基板表面、基板裏面に導かれる。また、テーブルは、基板載置面に第二ビームを基板裏面に導くための光路となる溝が形成してあり、この溝を介して基板裏面に第二ビームが照射されるようにしてある。したがって、基板をテーブル上に載置した状態で両面に1回目のレーザビームを照射してスクライブ加工を行い、続いて、基板を浮上させた状態でいずれか片側基板面に2回目のレーザビームを照射して片側面のブレイク加工を行う。このとき、レーザビームは平行光束で照射されているので、テーブル上に載置された状態の基板と浮上した状態の基板との高さの違いによってビームの照射位置関係が変化することがなくなるので、光学系の調整を行う必要はない。続いて、基板を浮上させた状態で、反対側基板面に2回目のレーザビームを照射して他方の基板面のブレイク加工を行う。このときもレーザビームは平行光束が照射されているので、テーブル上に載置された状態の基板と、浮上した状態の基板との高さの違いによって、レーザビームの照射位置やビームスポットの形状が変化することはなく、光学系を調整する必要がない。このようにして、スクライブ加工を行ってから、ブレイク加工を片側面ずつ行うことができ、しかも浮上した状態(自由支持状態)でレーザを照射してブレイクを行うので、テーブルの基板載置面に接した状態でブレイクを行う場合に比べて、簡単かつ確実に分断することができる。
本発明によれば、基板を基板載置面上へ載せた状態と、基板を浮上させた状態とにおいて、基板の水平方向の位置が同じになるように制限することができ、しかもレーザビームを平行光束にしているので、基板載置面でスクライブ加工を行い、浮上状態でブレイク加工を行っても、基板の高さ方向の違いに起因する光学系の位置調整を行うことなく加工することができる。また、浮上状態でブレイク加工を行うので、テーブルに載置した状態でブレイク加工を行う場合に比べると、簡単に分断することができる。
また、本発明は、基板の厚さに依存せず、1つの加工装置で簡単にスクライブ加工からブレイク加工までを行うことができる。
(その他の課題を解決するための手段及び効果)
上記発明において、テーブルには、多孔質部材を介して基板を吸着する吸着機構がさらに設けられてもよい。
これによれば、スクライブ加工の際に基板を吸着してスクライブすることができるので、正確かつ再現性のよいスクライブ加工が可能になる。特に、基板の板厚が薄い場合のスクライブ加工では、クロスカットを行う上でスクライブラインの深さを正確に制御する必要があるが、吸着機構でスクライブ加工を行うことにより、スクライブ加工時に精度のよい深さ制御が可能になる。
上記発明において、第一ビーム走査光学系と第二ビーム走査光学系とは、それぞれ、ビーム断面を、断面が楕円であるスクライブ用平行光束、スクライブ用平行光束よりも断面積が大きいブレイク用平行光束のいずれかに切り替えるビーム断面拡大部を備えるようにしてもよい。
これによれば、スクライブ加工時には楕円ビーム、ブレイク加工時にはスクライブ用平行光束よりも断面積を大きくしたビームにすることができるので、それぞれの加工に適したビームスポット形状で加工することができる。
上記発明において、当接部を水平移動することにより基板側面を水平な方向に押して基板を誘導する基板誘導機構を設けるようにしてもよい。
これによれば、テーブル上で基板の位置の微調整をしたり、基板の回転移動を行ったりすることができる。
上記発明において、溝の幅を調整する溝幅調整機構を備えてもよい。
これによれば、分断予定ラインの位置や本数により、溝幅を調整することができる。例えば接近する2本の分断予定ラインがある場合に、これら2本の分断予定ラインを加工できる溝幅に調整することができる。また、分断予定ラインの本数が少ないときは、不要な溝を閉じることもできる。
本発明の一実施形態であるレーザ加工装置LM1の全体構成図。 図1のレーザ加工装置LM1の断面構成を示す模式図。 楕円形の平行ビームを出射するビーム整形部の構成例を示す図。 楕円系のビームスポットの長軸長さの調整方法を示す図。 テーブルの断面構造を示す図。 基板誘導機構の構成を示す図。 図1のレーザ加工装置LM1の制御系を示すブロック図。 図1のレーザ加工装置LM1による動作例を示すフローチャート。 図1のレーザ加工装置LM1による他の動作例を示すフローチャート。 従来のレーザ加工装置(クラック形成装置)の一例を示す図。 図10のレーザ加工装置の制御系を示す図。
符号の説明
10a,10b レーザ光源
20a,20b レーザ走査光学系
21a,21b ビーム整形部
22a,22b 走査機構部
23a,23b 光路調整部
24a,24b ビーム断面拡大部
29a,29b ビーム断面切替機構
40 テーブル
40a,40b 部分テーブル
41 上部部材(多孔質部材)
46 真空ポンプ
47 エアー源
49 溝
50 基板誘導機構
51a,51b 可動当接部
54a,54b 当接部材
55a,55b カメラ
以下、本発明の実施形態を、主にガラス基板加工用のレーザ加工装置を例にして、図面に基づいて説明する。
図1は本発明の一実施形態であるレーザ加工装置LM1の全体構成図である。図2はレーザ加工装置LM1の断面構成を示す模式図である。レーザ加工装置LM1は、主に、上下一対のレーザ光源10(10a,10b)、上下一対のレーザ走査光学系20(20a,20b)(ただし20bはテーブル40を挟んで20aと対称な位置にあるため図1では図示していない)、テーブル40、基板誘導機構50、トリガ機構60から構成される。
以下の説明では、同じ部材が上下に一対形成されている場合に上側にa,下側にbを付して区別するが、上下同じ部材の説明については、冗長な説明になることを避けるため、一部の説明についてa、bの記載を略して説明する。
(レーザ光源)
レーザ光源10(10a,10b)には、COレーザが用いられる。COレーザの代わりにCOレーザ、エキシマレーザを用いてもよい。レーザ光源10からは断面形状が円形のレーザビーム(元ビームL0)が出射される。
(レーザ走査光学系)
レーザ走査光学系20(20a,20b)は、大別すると、レーザビーム(元ビーム)の断面形状を平行光束の楕円ビームに調整するビーム整形部21(21a,21b)と、レーザビーム(元ビーム)の断面形状を円形ビームのまま拡大して平行光束の円形ビームとして出射するビーム断面拡大部24(24a,24b)と、レーザビームをテーブル面(XY方向)に沿って移動(走査)する走査機構22(22a,22b)と、ビーム整形部21およびビーム断面拡大部24から出射したレーザビームを走査機構22に導く光路調整部23(23a,23b)と、レーザビーム(元ビーム)の光路をビーム整形部21とビーム断面拡大部24との間で切り替えるビーム断面切替機構29(29a,29b)からなる。なお、テーブル面のうちX方向を走査軸方向(スクライブ加工やブレイク加工を行う方向)、Y方向を送り軸方向とする。
ビーム整形部21(21a,21b)について説明する。ビーム整形部21は、レーザ光源10から出射された元ビームを、断面形状が楕円形である平行ビームに整形するとともに、平行ビームの長軸径、短軸径を調整するための複数の光学素子からなる。
図3(a)は楕円形の平行ビームを出射するビーム整形部21(21a,21b)の構成例を示す図である。このビーム整形部21は、第一放物面鏡(凹面)M1、第二放物面鏡(凸面)M2、第三放物面鏡M3(凸面)、第四放物面鏡M4(凹面)の4つの光学素子からなる。このうち第一放物面鏡(凹面)M1と第二放物面鏡(凸面)M2とは、互いの焦点を一致させて、共焦点F12となるように配置してある。また、第三放物面鏡(凸面)M3と第四放物面鏡(凹面)M4とについても互いの焦点が一致し、共焦点F34となるように配置してある。
そして、第一放物面鏡(凹面)M1から第二放物面鏡(凸面)M2へ向かうレーザビームの進行方向がXY面方向となり、第二放物面鏡M2で反射したレーザビームは第三放物面鏡M3へ向けられ、第三放物面鏡(凸面)M3から第四放物面鏡(凹面)M4へ向かうレーザビームの進行方向がXZ面となるように、これら4つの放物面鏡が立体的に配置される。
このような配置により、第一放物面鏡M1は、X方向に進行する円形断面の元ビームL0(図3(b)参照)を、XY面方向に反射する。そのときZ方向のビーム幅はそのままでありY方向のビーム幅は集束しながら進行するようになり、第二放物面鏡M2に入射する。第二放物面鏡M2は、共焦点F12となるように配置してあることにより、Y方向に集束するレーザビームを反射すると、再び平行ビームL1(図3(c)参照)となって、X方向に向けて進行するようになる。この平行ビームL1のZ方向のビーム幅は、元ビームL0のままであり、Y方向のビーム幅が縮小された楕円形状の断面を有するレーザビームとなる。
さらに、平行ビームL1が進行して第三放物面鏡M3で反射されると、Y方向のビーム幅はそのままでありX方向のビーム幅を拡大しながらXZ面内を進行するようになり、第四放物面鏡M4に入射する。
第四放物面鏡M4は、共焦点F34となるように配置してあることにより、X方向に拡大するレーザビームを反射すると、再び平行ビームL2(図3(d)参照)になって、X方向に向けて進行するようになる。この平行ビームL2のZ方向のビーム幅は、元ビームL0より拡大され、Y方向のビーム幅は元ビームより縮小された長い長軸の楕円形状の断面を有するレーザビームとなる。
そして、ビーム整形部21により整形された断面形状が楕円形の平行ビームL2は、後段の光路調整部23および走査機構22を経て、基板G上に楕円形状のビームスポットBSを形成するようになる。したがって、これら4つの放物面鏡M1(M1a,M1b)〜M4(M4a,M4b)の光学定数を調整することにより、所望の楕円形状のビームスポットを形成することができる。
次に光路調整部23(23a,23b)について説明する。光路調整部23は、図1に示すように、2つの平面鏡M5(M5a,M5b)、M6(M6a,M6b)からなる。平面鏡M5はX方向に進行する平行ビームL2を屈曲し、Z方向に進行する平行ビームL3を形成する。平行ビームL2の光路長(M4〜M5間距離)を調整することにより、走査機構22との間のX方向の調整が行われる。また、平面鏡M6はZ方向に進行する平行ビームL3をY方向に屈曲し、Y方向に進行する平行ビームL4を形成する。平行ビームL3の光路長(M5〜M6間距離)を調整することにより、走査機構22との間の高さ(Z方向)調整が行われる。さらに後述する走査機構の平面鏡M7(M7a,M7b)が原点位置(M6に最も近い位置)にあるときの平行ビームL4の光路長(M6〜M7間距離)を調整することにより、走査機構22との間のY方向の調整が行われる。
次にビーム断面拡大部24(24a,24b)について説明する。ビーム断面拡大部24は、元ビームのビーム径を拡大するとともに平行光束にして出射する組み合わせレンズ28からなる。例えば凹レンズと凸レンズとの組み合わせにより拡大した平行光束にすることができる。なお、拡大したビーム断面の断面積は、ビーム整形部21で形成される楕円ビームより大きくなるように調整するようにしてある。これは、一般にレーザスクライブ加工後に行うレーザブレイク加工の際に、広い範囲で加熱する方がブレイクしやすいためである。ただし、スクライブ加工時と同じビームスポット形状でブレイク加工を行うようにしてもよい。
次にビーム断面切替機構29について説明する。ビーム断面切替機構29(29a,29b)は、2つの反射鏡M11(M11a,M11b),M12(M12a,M12b)からなり、図示しない駆動機構により、レーザビームの光路に出入りできるようにしてある。光路上に入れた状態にすると、ビーム整形部21に向かうレーザビームの光路はビーム断面拡大部24に向かうように切り替わり、組み合わせレンズ28によって拡大された並行光束の円形ビームが光路調整部23に進むようにしてある。
したがって、レーザビームの光路がビーム整形部21に向かうか、ビーム断面拡大部24に向かうかによって、楕円ビームの平行光束または拡大された円形ビームの平行光束のいずれかが光路調整部23に入射するようにしてある。
次に、走査機構22(22a,22b)について説明する。走査機構22は、軸線がY方向に向けられたガイドレール25(25a,25b)と、図示しない駆動機構によりガイドレール25に沿って移動可能に取り付けられる平面鏡M7(M7a,M7b)と、平面鏡M7に一体に固定され、軸線がX方向に向けられたガイドレール26(26a,26b)と、図示しない駆動機構によりガイドレール26に沿って移動可能に取り付けられる平面鏡M8(M8a,M8b)と、水平方向に対する平面鏡M8の取付角度(XZ面の取付角度)を調整する角度調整用のアジャスタ27(27a,27b)とからなる。
便宜上、ガイドレール25の最も平面鏡M6に近い位置を平面鏡M7の原点位置とする。平面鏡M7は、原点位置で平面鏡M6からの平行ビームL4を屈曲し、平行ビームL5を平面鏡M8に導くように角度が調整してある。このとき平行ビームL4はY方向に進行し、また、平面鏡M7もガイドレール25に沿ってY方向に移動するので、平面鏡M7がガイドレール25のどの位置に移動しても、平行ビームL4は平面鏡M7で反射され、平面鏡M8に導かれるようになる。
平面鏡M8よりも先については、平面鏡M8aと平面鏡M8bとの間で、テーブルの有無による差が生じる。上側の平面鏡M8aは、平行ビームL5を屈曲し、基板Gの面にビームスポットBSを形成する。このとき平行ビームL5はX方向に進行し、また、平面鏡M8もガイドレール26に沿ってX方向に移動するので、平面鏡M8がガイドレール26のどの位置に移動しても、平行ビームL5は平面鏡M8aで反射され、基板Gの上に同一形状のビームスポットBSが形成される。しかも形成されるビームスポットは、常にX方向に長軸が向けられた楕円形状のビームスポットが形成される。
一方、下側の平面鏡M8bは、後述するテーブル40の溝49に対面する位置に平面鏡M7bが移動し、平面鏡M8bで反射した平行光束のレーザビームが溝49を通過して基板裏面に到達できるときに、基板Gの裏面上にビームスポットBSが形成される。
そして、平面鏡M8をX方向に移動することにより、楕円形状のビームスポットBSは長軸をX方向に向けながらX方向に走査されるようになる。
次にアジャスタ27によるビームスポットBSの調整について説明する。ビームスポットBSの形状は、主としてビーム整形部21の光学素子の光学定数を変更することによって調整することができるが、ビームスポットBSの長軸長さを変える場合には、ビーム整形部21をそのままにして、アジャスタ27により行うことができる。図4は、アジャスタ27による長軸長さの調整状態を示す図である。アジャスタ27により平面鏡M8の取付角度を変更して、平行ビームL5の基板への入射角を調整することにより、基板上に斜め入射させる。その結果、ビームスポットBSの長軸長さを変更することができる。したがって、アジャスタ27を簡便なビーム長さの調整機構として利用することができる。
(テーブル)
次に、テーブル40について説明する。図1に見られるようにテーブル40は溝49により部分テーブル40a、40bに2分割されている。図5(a)は部分テーブル40a(40bも同じ)の断面構造を示す図である。テーブル40aは、多孔質部材からなり基板G(図1参照)が載置される上面部材41(基板載置面)と、上面部材41の周囲に密着し、さらに底面が形成され、上面部材41との間に中空空間42aが形成されるボディ42と、中空空間42aに繋がる流路43が形成され、外部流路44に接続されるブラグ45と、流路43、外部流路44を介して中空空間42aを減圧する真空ポンプ46と、流路43、外部流路44を介して中空空間42aに加圧空気を送るエアー源47とからなる。
これらのうち、中空空間42a、流路43、外部流路44、真空ポンプ46により、基板Gを上面部材41に吸着させる吸着機構が形成される。また、中空空間42a、流路43、外部流路44、エアー源47により、基板Gを上面部材41から浮上させる浮上機構が形成される。
このテーブル40a(40b)は、基板Gを上面部材41の上に載置した状態で、真空ポンプ46を起動して開閉弁を開くことにより、中空空間42aが減圧状態になり、多孔質部材の上面部材41を介して基板Gが吸着される。
一方、基板Gを上面部材41の上に載置した状態で、開閉弁を開いてエアー源47から空気を送ることにより、中空空間42aが加圧状態になり、多孔質部材の上面部材41を介して加圧空気が噴出されて基板Gが浮上するようになる。なお、このときは後述する基板誘導機構50によって、基板Gの移動が制限されることになる。
また、一方のテーブル40bには、溝49の間隔を調整するための溝幅調整機構90(図1)取り付けられている。溝幅調整機構90は、モータ駆動によってテーブル40bを溝49と直交する方向にスライドするようにしてある。溝幅調整機構90を駆動することにより、所望の溝幅に設定することができるようになっている。
なお、テーブルは2分割に限らず、適宜定めればよい。図5(b)のように縦横4分割であってもよい。さらには6分割、8分割等であってもよい。
また、図5(b)のようにY方向に沿ってスクライブ加工を行う場合、楕円ビームの長軸方向をY方向に変換する必要がある。詳細な説明は省略するが、例えば光路調整部M5(M5a,M5b)の位置に、平面反射鏡を組み合わせた光学回路を切り替え可能に取り付け、長軸方向を回転するようにすればよい。
(基板誘導機構)
次に、基板誘導機構50について説明する。図6は基板誘導機構50の構造を示す図である。基板誘導機構50は、方形のテーブル40a、40bの対角コーナー48a、48bの近傍に取り付けられる一対の可動当接部51a、51bにより構成される。
各可動当接部51a、51bは、図示しない駆動機構によって支軸52a、52bを中心に並進動作や旋回動作が行われる多関節アーム53a、53bを有する。多関節アーム53a、53bの先端部分には、図示しない駆動機構により旋回動作が行われる金属製の当接部材54a、54bが取り付けられる。当接部材54a、54bは、それぞれ先端が左右に分岐するように取り付けられ、基板Gと接する部位が円柱形にしてある。この円柱の軸方向は鉛直方向に向けられている。
したがって、基板GをX方向、Y方向に移動したいとき、あるいは回転移動したいときに、エアー源47(図5)を作動して基板Gを浮上させた状態で、基板Gを当接部材54a、54bで押すことにより、基板Gが当接部材54a、54bに軽く接しながら、所望の位置に移動するようになる。さらには、ブレイク処理を行う際に、浮上状態の基板Gの
水平移動を制限することができるようにしてある。また、当接部材54a、54bの位置を所望位置で停止させ、エアー源47を停止し、真空ポンプ46を作動することにより、基板Gを所望位置に吸着させることができる。
なお、加工する基板の形状が定型である場合は、基板を定位置に取り付けることができればよいので、移動しない位置固定の当接部材を基板の位置決め用のガイドとしてテーブル上に取り付けてもよい。
なお、アライメントマークが形成されている基板Gの場合は、テーブル40に定義される座標系に対する取り付け位置が予め計測されているカメラ55a、55bを用いて、アライメントマークを撮影することにより、アライメントマークの現在位置から基板Gの位置ずれ量を求め、移動量を算出し、基板誘導機構50により移動させることで、基板Gの位置を自動調整することもできる。
(トリガ機構)
次に初期亀裂形成用のトリガ機構について説明する。なお、トリガ機構を取り付けるか否かは任意であり、トリガ機構を取り付けないときは、例えば、レーザアブレーション加工によって代用させることもできる。
図1に示すように、トリガ機構60はカッターホイール61と、昇降機構62と、多関節アーム63とからなる。多関節アーム63は、基板誘導機構50の多関節アーム53a、53bと同様の動きをする。カッターホール61の刃先はX方向に向けてある。
初期亀裂TRを形成するときは、多関節アーム63により、カッターホイール61が初期亀裂を形成する位置の直上にくるようにする。そして、昇降機構62により、カッターホイール61を一時的に下降させて圧接することにより初期亀裂TRを形成する。
(制御系)
続いて、レーザ加工装置LM1の制御系について説明する。図7はレーザ加工装置LM1の制御系を示すブロック図である。レーザ加工装置LM1は、テーブル40の吸着機構および浮上機構を駆動する吸着/浮上機構駆動部81、基板誘導機構50の可動当接部51a、51bを駆動する基板誘導機構駆動部82、トリガ機構60の昇降機構61および多関節アーム63を駆動するトリガ機構駆動部83、走査機構22の平面鏡M7、M8を移動させる走査機構駆動部84、レーザビームを照射するレーザ駆動部85、冷却ノズルを設けてビームスポットBSに追随する冷却スポットを形成するときは冷媒ノズルから冷媒の噴霧を行う冷却ノズル駆動部86、CCDカメラ55a、55bによる撮像を行うカメラ駆動部87、光路を切り替えるビーム断面切替機構駆動部88、溝49の幅を調整する溝幅調整機構駆動部89の各駆動系が、コンピュータ(CPU)で構成される制御部80によってコントロールされる。
制御部50には、キーボード、マウス等の入力装置からなる入力部91、および各種の表示を行う表示画面からなる表示部92が接続され、必要なメッセージが表示画面に表示されるとともに、必要な指示や設定が入力できるようにしてある。
(動作例1)
次に、レーザ加工装置LM1による典型的な加工動作例について説明する。ここではアライメントマークが刻まれた貼り合せガラス基板Gに対し、両面同時にレーザスクライブ加工を行い、その後、片面ずつレーザ照射によるブレイク加工を行う場合について説明する。
説明の便宜上、分断方向をガラス基板のx方向とし、アライメントマークで位置決めを行ったときに、x方向がレーザ走査光学系のX方向に一致するものとする。
図8は、動作例を示すフローチャートである。
ガラス基板Gがテーブル40の上に載置されると、まず、基板誘導機構50を用いて基板Gの位置決めを行う(S101)。位置決めは、カメラ55a、55bにより、基板Gのアライメントマークを検出し、位置ずれ量を求める。続いて可動当接部51a、51bを駆動し、当接部材54a、54bを基板Gの基板側面に接近させる。同時に浮上機構を作動させて、基板Gをテーブル面から浮上させる。このときガラス基板Gは当接部材54a、54bとの接点(4箇所)で移動が制限される。続いて、可動当接部51a、51bを駆動して、基板Gを水平方向に移動(並進、回転)し、位置ずれ量が0になる位置で停止させる。そして浮上機構を停止し、吸着機構を作動させることにより、基板Gをテーブル面に固定する。その結果、基板Gのx方向がレーザ走査光学系のX方向に一致した状態で位置決めが完了する。
続いて、トリガ機構60を駆動して、ガラス基板Gのスクライブ開始位置に初期亀裂TRを作成する(S102)。
続いて、走査機構部22を駆動して、平面鏡M7(M7a,M7b)、M8(M8a,M8b)の位置を調整し、ビームスポットBSが基板Gのスクライブ開始位置の外側にくるようにする。そしてビーム整形部21により楕円形に整形されたレーザビームを照射しながら平面鏡M8(M8a,M8b)をX方向に移動(走査)することにより、ガラス基板のx方向にスクライブ加工を行う(S103)。
(X方向の溝が複数形成されたテーブルを用いた場合、スクライブを複数回繰り返すときは、平面鏡M7(M7a,M7b)によるY方向の移動(レーザ停止)と、平面鏡M8(M8a,M8b)によるX方向の移動(走査)(レーザ照射)とを交互に行う。)
スクライブ加工を終えると、吸着機構を停止し、浮上機構を作動させて基板Gを浮上させる(S104)。このとき可動当接部51a、51bにより基板Gの水平方向の移動を制限する。
続いて、上側のレーザ光源10aだけを発振し、ビーム断面切替機構29aを作動して、ビーム断面拡大部24aにより形成される拡大ビームを、基板の上面側(表面側)に走査し、上面側をブレイク加工する(S105)。このとき基板を浮上させた状態でブレイク加工が行われるので、貼り合せ基板の上面側は簡単に分断される。
続いて、下側のレーザ光源10bだけを発振し、ビーム断面切替機構29bを作動して、ビーム断面拡大部24bによる拡大ビームを基板の下面側(裏面側)に走査し、下面側をブレイク加工する(S106)。このときも基板を浮上させた状態でブレイク加工が行われるので、貼り合せ基板の下面側は簡単に分断される。以上の動作により、ガラス基板Gのx方向の分断加工を完了する。
(動作例2)
次に、方形の貼り合せガラス基板Gを、互いに直交するx方向とy方向との二方向に加工(クロスカット)する場合のレーザ加工装置LM1による典型的な加工動作例について説明する。この場合は基板誘導機構50を用いて基板Gを90度回転することにより,二方向の加工を行う。図9は動作例を示すフローチャートである。
ここでは、複数本数のx方向の両面同時レーザスクライブ加工、複数本数のy方向の両面同時レーザスクライブ加工を行い、その後、y方向について片面ずつレーザ照射によるブレイク加工を行う場合について説明する。なお、y方向のブレイク加工により、ガラス基板Gは帯状になってしまうので、その後に行うx方向のブレイク加工については、本装置以外のブレイク装置によりブレイク加工を行うものとする。なお、説明の便宜上、最初にスクライブ加工する方向をガラス基板Gのx方向とする。また、レーザ加工装置LM1の制御部80には、x方向の加工本数と、y方向の加工本数が設定されてあり、加工ごとに、加工本数がカウントされるようにしてある。
テーブル40の加工領域の上に基板Gをセットする(S201)。基板Gのアライメントマークと、カメラ55a、55bと、基板誘導機構50とを用いて、基板Gのx方向とテーブル40のX方向との方向調整を行う。
x方向のスクライブ予定ラインに沿って、両面スクライブ加工を行う(S202)。最初の加工位置が溝49の上にくるように位置決めを行った上で基板Gを吸着する。トリガ機構60を作動して初期亀裂を形成し、続いて、走査機構部22を駆動して、平面鏡M7(M7a,M7b)、M8(M8a,M8b)の位置を調整し、ビームスポットBSが基板Gのスクライブ開始位置の外側にくるようにする。そしてビーム整形部21により楕円形に整形されたレーザビームを照射しながら平面鏡M8(M8a,M8b)をX方向に移動(走査)することにより、基板Gのx方向に両面スクライブ加工を行う。
続いて、x方向の複数本数の両面スクライブ加工がすべて終了したかを判定する(S203)。まだ終了していないときはS204に進み、すべて終了したときはy方向のスクライブ加工に移るため、S206に進む。
S203において、x方向の両面スクライブ加工が終了していないときは、基板を浮上させ(S204)、次の加工位置が溝49の上にくるように、基板誘導機構50を用いて基板Gの位置をテーブル40のY方向にシフトする(S205)。そしてS202に戻り、次の加工位置に対し、同様の両面スクライブ加工を繰り返す。以後、同様の加工をすべてのx方向の加工を終えるまで繰り返す。
S203において、x方向の両面スクライブ加工が全て完了したときは、基板Gを浮上させ(S206)、基板誘導機構50を用いて90度回転し、基板Gのy方向を溝49に向ける。これにより基板Gのy方向がテーブル40の加工領域の上にセットされる(S207)。基板Gのアライメントマークと、カメラ55a、55bと、基板誘導機構50とを用いて、基板Gのy方向とテーブル40のX方向との方向調整を行う。
続いて、基板Gのy方向のスクライブ予定ラインに沿って両面スクライブ加工を行う(S208)。y方向の最初の加工位置が溝49の上にくるように位置決めを行った上で、基板Gを吸着する。トリガ機構60を作動して初期亀裂を形成し、続いて、走査機構部22を駆動して、平面鏡M7(M7a,M7b)、M8(M8a,M8b)の位置を調整し、ビームスポットBSが基板Gのスクライブ開始位置の外側にくるようにする。そしてビーム整形部21により楕円形に整形されたレーザビームを照射しながら平面鏡M8(M8a,M8b)をX方向に移動(走査)することにより、基板Gのy方向に両面スクライブ加工を行う。
y方向の複数本数の両面スクライブ加工がすべて終了したかを判定する(S209)。y方向の全スクライブが終了していないときはS210に進み、全スクライブが終了したときは続いてy方向のブレイク加工に移るため、S212に進む。
S209において、y方向の両面スクライブ加工が終了していないときは、基板を浮上させ(S210)、次の加工位置が溝49の上にくるように、基板誘導機構50を用いて基板Gの位置をテーブルのY方向にシフトする(S211)。そしてS208に戻り、次の加工位置に対し、同様の両面スクライブ加工を繰り返す。以後、同様の加工をすべてのy方向の加工を終えるまで繰り返す。
S209において、y方向のすべての両面スクライブ加工が完了したときは、基板Gを
浮上させ(S212)、基板誘導機構50を用いて、基板Gに形成されている複数本のスクライブラインのうち、最初にブレイク加工を行う位置を、テーブル40の溝49の方向に向け、位置決めする(S213)。
続いて、上側のレーザ光源10aだけを発振し、ビーム断面切替機構29aを作動して、ビーム断面拡大部24aにより形成される拡大ビームを、基板の上面側(表面側)に走査し、上面側をブレイク加工する(S214)。このとき基板を浮上させた状態でブレイク加工が行われるので、貼り合せ基板の上面側は簡単に分断される。
続いて、下側のレーザ光源10bだけを発振し、ビーム断面切替機構29bを作動して、ビーム断面拡大部24bによる拡大ビームを基板の下面側(裏面側)に走査し、下面側をブレイク加工する(S215)。このときも基板を浮上させた状態でブレイク加工が行われるので、貼り合せ基板の下面側は簡単に分断される。
以上の動作により、ガラス基板Gのy方向の最初の1本のブレイク加工を終了する。
続いて、y方向の複数本数のブレイク加工がすべて終了したかを判定する(S216)。y方向の全ブレイクが終了していないときは基板を浮上させ(S217)、次の加工位置が溝49の上にくるように、基板誘導機構50を用いて基板Gの位置をテーブルのY方向にシフトする(S218)。そしてS213に戻り、次の加工位置に対し、同様の手順で上面ブレイク加工、下面両面ブレイク加工を繰り返す。以後、同様の加工を、すべてのy方向のブレイク加工を完了するまで繰り返す。
S216において、y方向の全ブレイクが完了したと判定されたときは、本装置によるブレイク加工を終了する。
その結果、帯状に分断された基板が得られ、これらは他のブレイク装置に移動され、適宜分断されることにより、ブレイクが完了する。
以上、スクライブ加工からブレイク加工までを、簡単に行うことができ、浮上状態でのブレイク加工により確実な分断を実現することができる。
本発明は、レーザ照射によりスクライブ加工やブレイク加工が行われるレーザ加工装置に利用することができる。

Claims (5)

  1. 脆性材料からなる基板の表裏二面に対しレーザビームを走査して加工を行うレーザ加工装置であって、
    レーザ光源から出射されるレーザビームを平行光束からなる第一ビームに整形し、基板表面側に導いて走査する第一ビーム走査光学系と、
    レーザ光源から出射されるレーザビームを平行光束からなる第二ビームに整形し、基板裏面側に導いて走査する第二ビーム走査光学系と、
    前記第二ビームを基板裏面に導くための光路となる溝によって分割された基板載置面を有するテーブルとを備え、
    前記基板載置面には多孔質部材で形成され、多孔質部材を介して基板に気体を吹き付けて浮上させる浮上機構が設けられ、
    さらに、浮上した基板の基板側面に当接して基板の水平方向の移動を制限する当接部を設けたことを特徴とするレーザ加工装置。
  2. 前記テーブルには、前記多孔質部材を介して基板を吸着する吸着機構がさらに設けられた請求項1に記載のレーザ加工装置。
  3. 第一ビーム走査光学系と第二ビーム走査光学系とは、それぞれ、ビーム断面を、断面が楕円であるスクライブ用平行光束、前記スクライブ用平行光束よりも断面積が大きいブレイク用平行光束のいずれかに切り替えるビーム断面切替機構を備えた請求項1に記載のレーザ加工装置。
  4. 前記当接部を水平移動することにより基板側面を水平な方向に押して基板を誘導する基板誘導機構を設けた請求項1に記載のレーザ加工装置。
  5. 前記溝の幅を調整する溝幅調整機構を備えた請求項1に記載のレーザ加工装置。
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