JPWO2009081952A1 - 基板ホルダー、基板ホルダーを用いた成膜方法、ハードディスクの製造方法、成膜装置、プログラム - Google Patents
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Abstract
Description
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、
前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備える第1の支持部材と、
前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を有し、
前記第1の支持部材のうち少なくとも1つは前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加することが可能なバイアス電圧印加支持部材であり、
前記第2の支持部材の狭持部材により前記絶縁性基板を支持する時には、前記第2の支持部材は、前記バイアス電圧印加支持部材の狭持部材が前記絶縁性基板から離れるように、前記開口部内に向けて突出移動し、
前記バイアス電圧印加支持部材の狭持部材により前記絶縁性基板を支持する時には、前記第2の支持部材は、前記絶縁性基板の前記他の端部が前記第2の支持部材の狭持部材により支持されている位置から前記バイアス電圧印加支持部材の挟持部材により前記絶縁性基板が支持される位置まで退避移動することを特徴とする。
前記絶縁性基板に電圧を印加しないで前記絶縁性基板に導電性膜を成膜する第1の成膜チャンバーと、
前記絶縁性基板に電圧を印加しながら前記絶縁性基板に薄膜を成膜する第2の成膜チャンバーと、
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備え且つ前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加可能なバイアス電圧印可支持部材を含む第1の支持部材と、前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を有する基板ホルダーと、
前記第1の成膜チャンバーに設けられ、前記第1の支持部材の前記狭持部材が前記基板から離れるように、前記第2の支持部材の狭持部材により前記基板を支持しながら前記第2の支持部材を移動させ、または、前記絶縁性基板の前記他の端部が前記第2の支持部材の狭持部材により支持されている位置から前記第1の支持部材の挟持部材により前記絶縁性基板が支持される位置まで前記第2の支持部材を移動させるための駆動手段と、
前記第2の成膜チャンバーに設けられ、前記第1の支持部材へ電圧を印加する電圧印加手段と、
前記駆動手段による移動と、前記電圧印加手段による前記電圧の印加と、前記第1の成膜チャンバーの動作と、前記第2の成膜チャンバーの動作と、を制御する制御手段と、を備え、
前記第1の支持部材の前記挟持部材が前記基板から離れた位置で、前記制御手段により制御された前記第1の成膜チャンバーは前記基板の上に導電性膜を成膜し、
前記制御手段は、前記駆動手段を制御して、前記導電性膜が成膜された前記基板を前記第1の支持部材の前記挟持部材により支持される位置まで前記第2の支持部材を下降させ、
前記制御手段は、前記第1の支持部材に前記電圧が印加される様に前記電圧印加手段を制御し、前記電圧を印加しながら前記第2の成膜チャンバーの動作を制御して前記導電性膜が成膜された絶縁性基板に薄膜を成膜することを特徴とする。
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備え且つ前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加可能なバイアス電圧印可支持部材を含む第1の支持部材と、前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を有する基板ホルダーに前記絶縁性基板を載置する工程と、
前記基板ホルダーを第1の成膜チャンバー内に搬送する工程と、
前記絶縁性基板を前記第2の支持部材と前記バイアス電圧印可支持部材以外の第1の支持部材とで支持しながら、前記絶縁性基板上に導電性膜である下地層を成膜する工程と、
前記基板ホルダーを第2の成膜チャンバーに搬送する工程と、
前記絶縁性基板を第1の支持部材で支持し、前記バイアス電圧印可支持部材から前記絶縁性基板にバイアス電圧を印可しながら前記絶縁性基板上に薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備え且つ前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加可能なバイアス電圧印可支持部材を含む第1の支持部材と、前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を有する基板ホルダーに前記絶縁性基板を載置する工程と、
前記基板ホルダーを第1の成膜チャンバー内に搬送する工程と、
前記絶縁性基板を前記第2の支持部材と前記バイアス電圧印可支持部材以外の第1の支持部材とで支持しながら、前記絶縁性基板上に導電性膜である下地層を成膜する工程と、
前記基板ホルダーを第2の成膜チャンバーに搬送する工程と、
前記絶縁性基板を第1の支持部材で支持し、前記バイアス電圧印可支持部材から前記絶縁性基板にバイアス電圧を印可しながら前記絶縁性基板上に薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
Claims (13)
- 絶縁性基板を支持するための基板ホルダーであって、
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、
前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備える第1の支持部材と、
前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を有し、
前記第1の支持部材のうち少なくとも1つは前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加することが可能なバイアス電圧印加支持部材であり、
前記第2の支持部材の狭持部材により前記絶縁性基板を支持する時には、前記第2の支持部材は、前記バイアス電圧印加支持部材の狭持部材が前記絶縁性基板から離れるように、前記開口部内に向けて突出移動し、
前記バイアス電圧印加支持部材の狭持部材により前記絶縁性基板を支持する時には、前記第2の支持部材は、前記絶縁性基板の前記他の端部が前記第2の支持部材の狭持部材により支持されている位置から前記バイアス電圧印加支持部材の挟持部材により前記絶縁性基板が支持される位置まで退避移動することを特徴とする基板ホルダー。 - 前記第2の支持部材は、絶縁性の素材で構成されるか、或いは前記基板ホルダー本体とは電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1に記載の基板ホルダー。
- 前記基板ホルダー本体の前記開口部内において、前記絶縁性基板は、前記第1の支持部材、または前記第1の支持部材と前記第2の支持部材とにより、絶縁性基板面の法線方向に対して垂直な方向に支持されることを特徴とする請求項1に記載の基板ホルダー。
- 前記第2の支持部材は、当該第2の支持部材の突出移動に応じて押圧され、当該第2の支持部材の退避移動に応じて復元する弾性部材を有することを特徴とする請求項1に記載の基板ホルダー。
- 絶縁性基板を支持する複数の基板支持爪と導電性の本体とを有し、該本体が外部のバイアス電圧印加手段よりバイアス電圧印加可能な基板ホルダーであって、
前記複数の基板支持爪以外に、前記絶縁性基板に対して接触する状態または非接触の状態に移動可能な補助基板支持爪を有し、
前記複数の基板支持爪の少なくとも1つが前記本体に電気的に接続された導電性のバイアス電圧印加用基板支持爪であり、該バイアス電圧印加用基板支持爪以外の基板支持爪は絶縁性の素材で構成されるか、或いは本体とは電気的に絶縁されたバイアス電圧非印加用基板支持爪であり、
前記補助基板支持爪が前記絶縁性基板に接触した際には、前記バイアス電圧印加用基板支持爪と前記絶縁性基板とは非接触となり、前記バイアス電圧非印加用基板支持爪と前記補助基板支持爪とで前記絶縁性基板が保持され、
前記補助基板支持爪が前記絶縁性基板に非接触の際には、前記基板支持爪が全て前記絶縁性基板と接触して当該絶縁性基板を保持し、前記外部のバイアス電圧印加手段より前記本体を介して前記バイアス電圧印加用基板支持爪にバイアス電圧が印加されることを特徴とする基板ホルダー。 - 少なくとも1工程のバイアス電圧印加成膜工程と、少なくとも1工程のバイアス電圧非印加成膜工程とを有する成膜方法であって、
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備える第1の支持部材と、前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を備える基板ホルダーに絶縁性基板を保持する保持工程と、
バイアス電圧を印加しないで成膜を行うバイアス電圧非印加成膜工程においては、前記第2の支持部材の狭持部材により前記絶縁性基板を支持するために、前記第1の支持部材を構成し前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加することが可能な少なくとも1つのバイアス電圧印加支持部材の狭持部材が前記絶縁性基板から離れるように、前記第2の支持部材を前記開口部内に向けて突出移動させて、前記絶縁性基板に成膜を行う第1の成膜工程と、
バイアス電圧を印加して成膜を行うバイアス電圧印加成膜工程においては、前記バイアス電圧印加支持部材の狭持部材により前記絶縁性基板を支持するために、前記絶縁性基板が前記第2の支持部材の狭持部材により支持されている位置から前記バイアス電圧印加支持部材の挟持部材により前記絶縁性基板が支持される位置まで前記第2の支持部材を退避移動させて、前記絶縁性基板に成膜を行う第2の成膜工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 少なくとも1工程のバイアス電圧印加成膜工程と、少なくとも1工程のバイアス電圧非印加成膜工程とを有する成膜方法であって、
請求項5に記載の基板ホルダーに絶縁性基板を保持する保持工程と、
バイアス電圧を印加しないで成膜を行うバイアス電圧非印加成膜工程においては、基板ホルダーの補助基板支持爪を前記絶縁性基板に接触させ、前記バイアス電圧印加用基板支持爪を基板に非接触とし、バイアス電圧非印加用基板支持爪と補助基板支持爪とで基板を支持しながら前記絶縁性基板に成膜を行う第1の成膜工程と、
バイアス電圧を印加して成膜を行うバイアス電圧印加成膜工程においては、基板ホルダーの補助基板支持爪を基板に非接触とし、前記基板支持爪の全てを前記絶縁性基板に接触させて該絶縁性基板を保持しながら、外部のバイアス電圧印加手段より本体を介してバイアス電圧印加用基板支持爪にバイアス電圧を印加しながら前記絶縁性基板に成膜を行う第2の成膜工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 絶縁性基板の両主面に同時に、少なくとも下地層、磁性層、保護層を連続的に成膜するハードディスクの製造方法であって、
請求項6または7に記載の成膜方法における前記第1の成膜工程により、前記下地層をバイアス電圧を印加しないで成膜する工程と、
請求項6または8に記載の成膜方法における前記第2の成膜工程により、前記磁性層をバイアス電圧を印加して成膜する工程と、を有することを特徴とするハードディスクの製造方法。 - 絶縁性基板の両主面に同時に、複数層の薄膜を連続的に成膜する成膜装置であって、
複数の成膜チャンバーと、
請求項5に記載の基板ホルダーに絶縁性基板を保持して前記複数の成膜チャンバー間を搬送する搬送手段と、を備え、
前記複数の成膜チャンバーのうち、バイアス電圧を印加しないで成膜を行う成膜チャンバーは、前記基板ホルダーの補助基板支持爪を前記絶縁性基板に接触させるために、前記補助基板支持爪を移動させる駆動手段を備え、
前記複数の成膜チャンバーのうち、前記バイアス電圧を印加して成膜を行うチャンバーは、前記基板ホルダーの本体に接触してバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段を備えることを特徴とする成膜装置。 - 絶縁性基板の両主面に同時に、少なくとも下地層、磁性層、保護層を連続的に成膜するハードディスクの製造方法において、
バイアス電圧を印加しないで成膜を行う成膜チャンバーで前記下地層を成膜し、
バイアス電圧を印加して成膜を行うチャンバーで前記磁性層を成膜することを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。 - 絶縁性基板の両面に同時に、複数層の薄膜を連続的に成膜する成膜装置であって、
前記絶縁性基板に電圧を印加しないで前記絶縁性基板に導電性膜を成膜する第1の成膜チャンバーと、
前記絶縁性基板に電圧を印加しながら前記絶縁性基板に薄膜を成膜する第2の成膜チャンバーと、
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備え且つ前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加可能なバイアス電圧印可支持部材を含む第1の支持部材と、前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を有する基板ホルダーと、
前記第1の成膜チャンバーに設けられ、前記第1の支持部材の前記狭持部材が前記基板から離れるように、前記第2の支持部材の狭持部材により前記基板を支持しながら前記第2の支持部材を移動させ、または、前記絶縁性基板の前記他の端部が前記第2の支持部材の狭持部材により支持されている位置から前記第1の支持部材の挟持部材により前記絶縁性基板が支持される位置まで前記第2の支持部材を移動させるための駆動手段と、
前記第2の成膜チャンバーに設けられ、前記第1の支持部材へ電圧を印加する電圧印加手段と、
前記駆動手段による移動と、前記電圧印加手段による前記電圧の印加と、前記第1の成膜チャンバーの動作と、前記第2の成膜チャンバーの動作と、を制御する制御手段と、を備え、
前記第1の支持部材の前記挟持部材が前記基板から離れた位置で、前記制御手段により制御された前記第1の成膜チャンバーは前記基板の上に導電性膜を成膜し、
前記制御手段は、前記駆動手段を制御して、前記導電性膜が成膜された前記基板を前記第1の支持部材の前記挟持部材により支持される位置まで前記第2の支持部材を下降させ、
前記制御手段は、前記第1の支持部材に前記電圧が印加される様に前記電圧印加手段を制御し、前記電圧を印加しながら前記第2の成膜チャンバーの動作を制御して前記導電性膜が成膜された絶縁性基板に薄膜を成膜することを特徴とする成膜装置。 - 真空処理室内で、基板支持部材により絶縁性基板を支持し、該絶縁性基板の表面に複数層の薄膜を順次成膜する方法のうち、前記複数層の薄膜中、少なくとも一層がバイアススパッタリング法で成膜される成膜方法であって、
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備え且つ前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加可能なバイアス電圧印可支持部材を含む第1の支持部材と、前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を有する基板ホルダーに前記絶縁性基板を載置する工程と、
前記基板ホルダーを第1の成膜チャンバー内に搬送する工程と、
前記絶縁性基板を前記第2の支持部材と前記バイアス電圧印可支持部材以外の第1の支持部材とで支持しながら、前記絶縁性基板上に導電性膜である下地層を成膜する工程と、
前記基板ホルダーを第2の成膜チャンバーに搬送する工程と、
前記絶縁性基板を第1の支持部材で支持し、前記バイアス電圧印可支持部材から前記絶縁性基板にバイアス電圧を印可しながら前記絶縁性基板上に薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 真空処理室内で、基板支持部材により絶縁性基板を支持し、該絶縁性基板の表面に複数層の薄膜を順次成膜する方法のうち、前記複数層の薄膜中、少なくとも一層がバイアススパッタリング法で成膜される成膜方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、当該成膜方法が、
開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、前記開口部の内周から当該開口部内に向けて突出して形成されており、前記絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備え且つ前記絶縁性基板にバイアス電圧を印加可能なバイアス電圧印可支持部材を含む第1の支持部材と、前記絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、前記開口部内に向けて突出し、または当該開口部内から退避するように移動可能な第2の支持部材と、を有する基板ホルダーに前記絶縁性基板を載置する工程と、
前記基板ホルダーを第1の成膜チャンバー内に搬送する工程と、
前記絶縁性基板を前記第2の支持部材と前記バイアス電圧印可支持部材以外の第1の支持部材とで支持しながら、前記絶縁性基板上に導電性膜である下地層を成膜する工程と、
前記基板ホルダーを第2の成膜チャンバーに搬送する工程と、
前記絶縁性基板を第1の支持部材で支持し、前記バイアス電圧印可支持部材から前記絶縁性基板にバイアス電圧を印可しながら前記絶縁性基板上に薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするプログラム。
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