JPWO2009066698A1 - 光学的情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[特許文献1]特開2000−260061号公報
[特許文献2]特開2004−291599号公報
[特許文献3]特開2005−288972号公報
PC基板上に、第1誘電体層として(Ga2O3)50mol%−(Cr2O3)を80nm、記録層としてCo3O4を15nm、第2誘電体層としてGa2O3−Cr2O3を15nm、反射層としてAgPdCuを100nm、を順次スパッタリングにより積層し、図1の積層構造を形成した。Ga2O3−Cr2O3は、(Ga2O3)50mol%−(Cr2O3)50mol%からなるターゲットをArガス雰囲気中でスパッタリングすることにより成膜した。Co3O4はCo3O4ターゲットをArガス雰囲気中でスパッタリングすることにより成膜した。Co3O4、Ga2O3−Cr2O3について、実際に成膜された膜組成を分析したところ、分析誤差(検出精度)の範囲内でターゲット組成と同一となっていることが確認できた。
他の追記型光ディスクと本発明の実施例にかかる追記型光ディスクとの再生光耐性の比較を行うため、下限記録パワPw1と上限再生パワPr1との比、Pr1/Pw1、をそれぞれの光ディスクに対して測定した。Pw1はエラーレート10−5が得られる下限の記録パワで定義した。また、Pr1は1万回再生後もエラーレートが変化しない(10−5以下のエラーレートが得られる)上限の再生パワで定義した。記録感度は光ディスクの構成によって変化するので、Pr1の比較だけでは正確に再生光耐性を比較することが難しい。記録感度の違いをPw1による規格化で補正し考慮することによって、再生光耐性の比較が可能となる。指標Pr1/Pw1の値が大きいほど再生光耐性が高いことを意味する。
他の遷移金属酸化物との特性比較を行うため、記録層のみを変化させて、PC基板、誘電体層、反射層については実施例1と同一の光ディスクを作成した。記録層としては、Co3O4、MnO2、MoO3、WO3の4種類を用いた。各々の光ディスクに対して実施例1と同一の光ヘッド、同一の記録再生条件でエラーレート及びPr1/Pw1の比較測定を行った。
実施例1で用いたものと同一のPC基板上に、図6に示した3種類の構成の追記型光ディスクを作成し、保存安定性の評価を行った。保存安定性は、(1)加速試験前に、最短マーク0.2μmの条件で(1−7)変調されたランダムデータの記録再生を行ってエラーレートを測定、(2)90℃、90%、300時間の条件で加速試験を行った後、(1)で記録したデータのエラーレートを測定、する手順により比較評価した。
ZnS−SiO2を用いて耐候性の観点で必ずしも好適ではない事例を実施例3において開示した。しかし、大容量化が容易である2層ディスク、すなわち、レーザ光入射面を同一として2つの記録媒体に対して情報の記録・再生が行われるディスクに対しては、ZnS−SiO2は望ましい特性を有する。2層ディスクは、紫外線硬化樹脂層などからなる中間層を介して第1光学的情報記録媒体と第2光学的情報記録媒体との2つの情報記録媒体を貼り合わせることにより形成される。入射面に近い側の記録層をL0層、遠い側の記録層をL1層とすると、L1層はL0層を透過したレーザ光で記録を行う必要があるため、高い記録パワが必要となってしまう。(ZnS)x−(SiO2)100−x(70≦x≦90mol%)の組成を有する誘電体層は熱伝導率が低く、かつ、機械的な強度が確保できる。そのため、Co3O4あるいはMnO2分解時の変形を抑制し、L1層の記録パワ低減と良好な記録再生特性を両立するのに効果的である。実施例3における耐候性の問題は、ZnS−SiO2とAg反射層との間にSを含まない数nm程度の誘電体層(SiO2、SiC、SiON等)を付加することで解決可能である。数nm程度の誘電体層であれば、記録パワを増加させることも無い。
Claims (15)
- レーザ光照射により記録層の光学的特性を変化させて情報の記録再生を行う光学的記録媒体において、再生信号の劣化を生じることなく再生できる上限の再生パワをPr1、記録しきい値パワをPw1とし、Pr/Pw1が0.15以上である光学的情報記録媒体。
- 請求の範囲1に記載された光学的情報記録媒体であって、
前記記録層がCoの酸化物又はMnの酸化物を主成分とする光学的情報記録媒体。 - 請求の範囲2に記載された光学的情報記録媒体であって、
更に、前記記録層に対してレーザ光入射側の反対側に配置された反射層を具備し、
レーザ光照射により前記記録層の透過率が不可逆的に上昇することにより情報の記録が行われ、
前記光学的情報記録媒体の反射率は、前記記録層に情報が記録された箇所において、前記記録層に情報が記録されていない箇所よりも高い
光学的情報記録媒体。 - 請求の範囲3に記録された光学的情報記録媒体であって、
更に、前記記録層に対してレーザ光入射側に配置された第1誘電体層と、
前記記録層と前記反射層との間に配置された第2誘電体層
とを具備する光学的情報記録媒体。 - 請求の範囲4に記録された光学的情報記録媒体であって、
前記第1誘電体層と前記第2誘電体層との少なくとも一方が(ZnS)x−(SiO2)100−x(70≦x≦90mol%)である光学的情報記録媒体。 - 請求の範囲4に記録された光学的情報記録媒体であって、
前記誘電体層が(ZnS)x−(Ta2O5)y−M100−x−y(10≦x≦40,30≦x≦50)であり、MがCeの酸化物、Alの酸化物、Yの酸化物、Siの酸化物から選ばれた少なくとも一つである光学的情報記録媒体。 - 請求の範囲5に記載された光学的情報記録媒体の構成を有する第1光学的情報記録媒体と、
中間層と、
請求の範囲6に記載された光学的情報記録媒体の構成を有し、前記中間層を介して前記第1光学的情報記録媒体と積層された第2光学的情報記録媒体とを具備し、
前記第1光学的情報記録媒体と前記第2光学的情報記録媒体とに対して、同じ側からレーザ光を照射することにより記録あるいは再生が行われる光学的情報記録媒体。 - 請求の範囲3又は4に記載された光学的情報記録媒体であって、
前記記録層は、希ガス雰囲気中でCo3O4又はMnO2を主成分として含有するターゲットをスパッタリングすることにより形成される
光学的情報記録媒体。 - 請求の範囲1から8のいずれかに記載された光学的情報記録媒体であって、
更に、前記記録層に対してレーザ光入射側に配置された超解像層
を具備する光学的情報記録媒体。 - レーザ光照射により記録層の光学的特性を変化させて情報の記録再生を行う光学的情報記録方法において、
再生信号の劣化を生じることなく再生できる上限の再生パワをPr1、記録しきい値パワをPw1とし、Pr/Pw1が0.15以上である光学的情報記録媒体を提供する工程と、
互いに異なるパワPw1とパワPw2でパワが変調されたレーザ光を前記光学的情報記録媒体に照射する工程とを具備し、
パワPw2が0.01≦Pw2≦0.5mWを満たす光学的情報記録方法。 - 請求の範囲10に記載された光学的情報記録方法であって、
前記記録層はCoの酸化物あるいはMnの酸化物を主成分として含み、
前記光学的情報記録媒体は(ZnS)x−(SiO2)100−x(70≦x≦90mol%)からなる誘電体層を備える
光学的情報記録方法。 - レーザ光照射により記録層の光学的特性を変化させて情報の記録再生を行う光学的情報記録方法において、
再生信号の劣化を生じることなく再生できる上限の再生パワをPr1、記録しきい値パワをPw1とし、Pr/Pw1が0.15以上である光学的情報記録媒体を提供するステップと、
互いに異なるパワPw1とパワPw2でパワが変調されたレーザ光を前記光学的情報記録媒体に照射する工程とを具備し、
Pw1とPw2が2≦Pw1/Pw2≦4の関係を満たす光学的情報記録方法。 - 請求の範囲12に記載された光学的情報記録方法であって、
前記記録層はCoの酸化物あるいはMnの酸化物を主成分として含み、
前記光学的情報記録媒体は(ZnS)x−(Ta2O5)y−M100−x−y(10≦x≦40、30≦y≦50)であり、MがCeの酸化物、Alの酸化物、Yの酸化物、Siの酸化物から選ばれた少なくとも一つからなる誘電体層からなる誘電体層を備える
光学的情報記録方法。 - 基板を提供する工程と、
希ガス雰囲気中でCo3O4又はMnO2を主成分として含有するターゲットをスパッタリングすることにより、前記基板上にCoの酸化物又はMnの酸化物を主成分とする記録層を形成する工程
光学的情報記録媒体の製造方法。 - 請求の範囲14に記載された光学的情報記録媒体の製造方法であって、
更に、前記スパッタリングの前に、前記基板上に誘電体層を形成する工程を具備し、
前記記録層は、前記誘電体層上に形成される
光学的情報記録媒体の製造方法。
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