JP2003006872A - 光情報媒体の再生方法および再生装置 - Google Patents
光情報媒体の再生方法および再生装置Info
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回折によって決定される解像限界付近の寸法
をもつピットや記録マークを再生する際に、高Ｃ／Ｎを
得る。 【解決手段】 光情報媒体の記録層にレーザービームを
照射して情報記録層に存在するピットまたは記録マーク
を読み出すことにより、記録情報を再生するに際し、レ
ーザービームの波長λが４００〜４１０nmであり、開口
数ＮＡ＝０．７０〜０．８５である対物レンズを通して
レーザービームが照射され、ピットまたは記録マークの
最小寸法ＰLが０．３６λ／ＮＡ以下であるとき、レー
ザービームのパワーＰｒを０．４mW以上として再生を行
う。また、λが６３０〜６７０nmであり、ＮＡ＝０．６
０〜０．６５である対物レンズを通してレーザービーム
が照射され、ＰLが０．３６λ／ＮＡ以下であるとき、
パワーＰｒを１．０mW以上として再生を行う。
をもつピットや記録マークを再生する際に、高Ｃ／Ｎを
得る。 【解決手段】 光情報媒体の記録層にレーザービームを
照射して情報記録層に存在するピットまたは記録マーク
を読み出すことにより、記録情報を再生するに際し、レ
ーザービームの波長λが４００〜４１０nmであり、開口
数ＮＡ＝０．７０〜０．８５である対物レンズを通して
レーザービームが照射され、ピットまたは記録マークの
最小寸法ＰLが０．３６λ／ＮＡ以下であるとき、レー
ザービームのパワーＰｒを０．４mW以上として再生を行
う。また、λが６３０〜６７０nmであり、ＮＡ＝０．６
０〜０．６５である対物レンズを通してレーザービーム
が照射され、ＰLが０．３６λ／ＮＡ以下であるとき、
パワーＰｒを１．０mW以上として再生を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報媒体に記録
されている情報を再生する方法および再生装置に関す
る。
されている情報を再生する方法および再生装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光情報媒体には、コンパクトディスク等
の再生専用光ディスク、光磁気記録ディスクや相変化型
光記録ディスク等の書き換え可能型光記録ディスク、有
機色素を記録材料に用いた追記型光記録ディスクなどが
ある。
の再生専用光ディスク、光磁気記録ディスクや相変化型
光記録ディスク等の書き換え可能型光記録ディスク、有
機色素を記録材料に用いた追記型光記録ディスクなどが
ある。
【０００３】近年、光情報媒体は、画像等の膨大な情報
の処理のためにさらに情報密度を高くすることが必要と
されている。単位面積あたりの情報密度を高くするため
には、トラックピッチを狭める方法と記録マーク間やピ
ット間を縮めて線密度を高くする方法とがある。しか
し、再生光のビームスポットに対しトラック密度や線密
度が高すぎる場合、Ｃ／Ｎ（carrier to noise ratio）
が低くなってしまい、ついには信号再生が不可能となっ
てしまう。信号再生時の分解能はビームスポット径によ
って決定され、具体的には、再生光の波長をλ、再生装
置の光学系の開口数をＮＡとしたとき、一般に空間周波
数２ＮＡ／λが解像限界となる。したがって、再生時の
Ｃ／Ｎ向上や分解能向上のために再生光の短波長化やＮ
Ａ増大が有効であり、多くの技術的検討がなされている
が、これらを導入するためには様々な技術的課題を解決
する必要がある。
の処理のためにさらに情報密度を高くすることが必要と
されている。単位面積あたりの情報密度を高くするため
には、トラックピッチを狭める方法と記録マーク間やピ
ット間を縮めて線密度を高くする方法とがある。しか
し、再生光のビームスポットに対しトラック密度や線密
度が高すぎる場合、Ｃ／Ｎ（carrier to noise ratio）
が低くなってしまい、ついには信号再生が不可能となっ
てしまう。信号再生時の分解能はビームスポット径によ
って決定され、具体的には、再生光の波長をλ、再生装
置の光学系の開口数をＮＡとしたとき、一般に空間周波
数２ＮＡ／λが解像限界となる。したがって、再生時の
Ｃ／Ｎ向上や分解能向上のために再生光の短波長化やＮ
Ａ増大が有効であり、多くの技術的検討がなされている
が、これらを導入するためには様々な技術的課題を解決
する必要がある。
【０００４】このような事情から、光の回折によって決
定される解像限界（回折限界）を超えるための様々な方
法、すなわち、いわゆる超解像再生方法が提案されてい
る。
定される解像限界（回折限界）を超えるための様々な方
法、すなわち、いわゆる超解像再生方法が提案されてい
る。
【０００５】最も一般的な超解像再生方法は、記録層に
重ねていわゆるマスク層を設ける方法である。この方法
では、レーザービームスポットの強度分布がガウス分布
であることを利用して、マスク層にビームスポットより
も小さな光学的開口を形成し、これによりビームスポッ
トを回折限界より小さく絞る。この方法は、光学的開口
形成のメカニズムの違いにより、ヒートモード方式とフ
ォトンモード方式とに大別される。
重ねていわゆるマスク層を設ける方法である。この方法
では、レーザービームスポットの強度分布がガウス分布
であることを利用して、マスク層にビームスポットより
も小さな光学的開口を形成し、これによりビームスポッ
トを回折限界より小さく絞る。この方法は、光学的開口
形成のメカニズムの違いにより、ヒートモード方式とフ
ォトンモード方式とに大別される。
【０００６】ヒートモード方式では、マスク層のビーム
スポット照射部において、温度が一定値以上となった領
域で光学特性が変化する。ヒートモード方式は、例えば
特開平５−２０５３１４号公報に記載された光ディスク
において利用されている。この光ディスクは、情報信号
に応じて光学的に読み出し可能な記録ピットが形成され
た透明基板上に、温度によって反射率が変化する材料層
を有する。すなわち、この材料層がマスク層として働
く。同公報において上記材料層を構成する材料として具
体的に挙げられている元素はランタノイドであり、実施
例ではＴｂを使用している。同公報記載の光ディスクで
は、読み出し光が照射されたときに、上記材料層の反射
率が読み出し光の走査スポット内で温度分布により変化
し、読み出し後、温度が低下した状態で反射率が初期状
態に戻り、再生時に上記材料層が溶融することはない。
なお、ヒートモード方式としては、例えば特許第２８４
４８２４号公報に記載されているように、アモルファス
−結晶転移する材料をマスク層に用い、ビームスポット
内の高温領域を結晶転移させて反射率を向上させること
により超解像再生を行う媒体も知られている。しかし、
この媒体では、再生後にマスク層を再びアモルファスに
戻す必要があるので、実用的とはいえない。
スポット照射部において、温度が一定値以上となった領
域で光学特性が変化する。ヒートモード方式は、例えば
特開平５−２０５３１４号公報に記載された光ディスク
において利用されている。この光ディスクは、情報信号
に応じて光学的に読み出し可能な記録ピットが形成され
た透明基板上に、温度によって反射率が変化する材料層
を有する。すなわち、この材料層がマスク層として働
く。同公報において上記材料層を構成する材料として具
体的に挙げられている元素はランタノイドであり、実施
例ではＴｂを使用している。同公報記載の光ディスクで
は、読み出し光が照射されたときに、上記材料層の反射
率が読み出し光の走査スポット内で温度分布により変化
し、読み出し後、温度が低下した状態で反射率が初期状
態に戻り、再生時に上記材料層が溶融することはない。
なお、ヒートモード方式としては、例えば特許第２８４
４８２４号公報に記載されているように、アモルファス
−結晶転移する材料をマスク層に用い、ビームスポット
内の高温領域を結晶転移させて反射率を向上させること
により超解像再生を行う媒体も知られている。しかし、
この媒体では、再生後にマスク層を再びアモルファスに
戻す必要があるので、実用的とはいえない。
【０００７】ヒートモード方式では、光学的開口の寸法
がマスク層の温度分布で一意的に決定されるため、媒体
の線速度等の各種条件を考慮して再生光のパワーを厳密
に制御する必要がある。そのため、制御系が複雑にな
り、媒体駆動装置が高価格になってしまう。また、ヒー
トモード方式では、繰り返し加熱によりマスク層が劣化
しやすいので、繰り返し再生により再生特性が劣化しや
すい。
がマスク層の温度分布で一意的に決定されるため、媒体
の線速度等の各種条件を考慮して再生光のパワーを厳密
に制御する必要がある。そのため、制御系が複雑にな
り、媒体駆動装置が高価格になってしまう。また、ヒー
トモード方式では、繰り返し加熱によりマスク層が劣化
しやすいので、繰り返し再生により再生特性が劣化しや
すい。
【０００８】一方、フォトンモード方式では、マスク層
のビームスポット照射部において、フォトン量が一定値
以上となった領域で光学特性が変化する。フォトンモー
ド方式は、例えば特開平８−９６４１２号公報に記載さ
れた情報記録媒体、特開平１１−８６３４２号公報に記
載された光記録媒体、および特開平１０−３４０４８２
号公報に記載された光情報記録媒体において利用されて
いる。上記特開平８−９６４１２号公報には、マスク層
として、フタロシアニンまたはその誘導体を樹脂または
無機誘電体に分散させたもの、および、カルコゲナイド
からなるものが記載されている。また、上記特開平１１
−８６３４２号公報では、上記再生光の照射により励起
子のエネルギー準位に電子励起して光吸収特性が変化す
る禁制帯を有する半導体材料を含有する超解像再生膜を
マスク層として用いており、マスク層の具体例として
は、ＳｉＯ2母材中にＣｄＳｅ微粒子を分散させたもの
が挙げられている。また、上記特開平１０−３４０４８
２号公報では、照射された光の強度分布と透過した光の
強度分布とが非線形に変化するガラス層をマスク層とし
て用いている。
のビームスポット照射部において、フォトン量が一定値
以上となった領域で光学特性が変化する。フォトンモー
ド方式は、例えば特開平８−９６４１２号公報に記載さ
れた情報記録媒体、特開平１１−８６３４２号公報に記
載された光記録媒体、および特開平１０−３４０４８２
号公報に記載された光情報記録媒体において利用されて
いる。上記特開平８−９６４１２号公報には、マスク層
として、フタロシアニンまたはその誘導体を樹脂または
無機誘電体に分散させたもの、および、カルコゲナイド
からなるものが記載されている。また、上記特開平１１
−８６３４２号公報では、上記再生光の照射により励起
子のエネルギー準位に電子励起して光吸収特性が変化す
る禁制帯を有する半導体材料を含有する超解像再生膜を
マスク層として用いており、マスク層の具体例として
は、ＳｉＯ2母材中にＣｄＳｅ微粒子を分散させたもの
が挙げられている。また、上記特開平１０−３４０４８
２号公報では、照射された光の強度分布と透過した光の
強度分布とが非線形に変化するガラス層をマスク層とし
て用いている。
【０００９】フォトンモード方式の超解像再生媒体で
は、ヒートモード方式の超解像再生媒体と異なり、繰り
返し再生による劣化が比較的生じにくい。
は、ヒートモード方式の超解像再生媒体と異なり、繰り
返し再生による劣化が比較的生じにくい。
【００１０】フォトンモード方式において光学特性が変
化する領域は、入射フォトン数によって決定される。そ
して、入射フォトン数は、ビームスポットに対する媒体
の線速度に依存する。また、フォトンモード方式でも、
光学的開口の寸法は再生光のパワーに依存し、過剰なパ
ワーを与えると光学的開口が過大になってしまうため、
超解像再生が不可能となる。したがって、フォトンモー
ド方式においても、線速度に応じて、また、読み取り対
象のピットおよび記録マークの寸法に応じて、再生光の
パワーを厳密に制御する必要がある。また、フォトンモ
ード方式では、マスク層構成材料を再生光の波長に応じ
て選択しなければならない、すなわち、多波長再生に適
応しにくい、という問題もある。
化する領域は、入射フォトン数によって決定される。そ
して、入射フォトン数は、ビームスポットに対する媒体
の線速度に依存する。また、フォトンモード方式でも、
光学的開口の寸法は再生光のパワーに依存し、過剰なパ
ワーを与えると光学的開口が過大になってしまうため、
超解像再生が不可能となる。したがって、フォトンモー
ド方式においても、線速度に応じて、また、読み取り対
象のピットおよび記録マークの寸法に応じて、再生光の
パワーを厳密に制御する必要がある。また、フォトンモ
ード方式では、マスク層構成材料を再生光の波長に応じ
て選択しなければならない、すなわち、多波長再生に適
応しにくい、という問題もある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】超解像再生が不要な大
きな記録マークやピットであっても、その寸法が光の回
折によって決定される解像限界に近いと、十分に高いＣ
／Ｎが得られなくなる。
きな記録マークやピットであっても、その寸法が光の回
折によって決定される解像限界に近いと、十分に高いＣ
／Ｎが得られなくなる。
【００１２】本発明の目的は、回折によって決定される
解像限界付近の寸法をもつピットや記録マークを再生す
る際に、高Ｃ／Ｎを得ることである。
解像限界付近の寸法をもつピットや記録マークを再生す
る際に、高Ｃ／Ｎを得ることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１３）の本発明により達成される。 （１） 光情報媒体の情報記録層にレーザービームを照
射して前記情報記録層に存在するピットまたは記録マー
クを読み出すことにより、記録情報を再生するに際し、
前記レーザービームの波長λが４００〜４１０nmであ
り、開口数ＮＡ＝０．７０〜０．８５である対物レンズ
を通して前記レーザービームが照射され、前記ピットま
たは前記記録マークの最小寸法ＰLが０．３６λ／ＮＡ
以下であるとき、前記レーザービームのパワーＰｒを
０．４mW以上として再生を行う光情報媒体の再生方法。 （２） 前記最小寸法ＰLが０．３１λ／ＮＡ以下であ
る上記（１）の光情報媒体の再生方法。 （３） 前記最小寸法ＰLが０．２５λ／ＮＡ以上であ
る上記（１）または（２）の光情報媒体の再生方法。 （４） パワーＰｒを０．４５mW以上として再生を行う
上記（１）〜（３）のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 （５） パワーＰｒを０．５mW以上として再生を行う上
記（１）〜（３）のいずれかの光情報媒体の再生方法。 （６） 光情報媒体の記録層にレーザービームを照射し
て前記情報記録層に存在するピットまたは記録マークを
読み出すことにより、記録情報を再生するに際し、前記
レーザービームの波長λが６３０〜６７０nmであり、開
口数ＮＡ＝０．６０〜０．６５である対物レンズを通し
て前記レーザービームが照射され、前記ピットまたは前
記記録マークの最小寸法ＰLが０．３６λ／ＮＡ以下で
あるとき、前記レーザービームのパワーＰｒを１．０mW
以上として再生を行う光情報媒体の再生方法。 （７） 前記最小寸法ＰLが０．２７λ／ＮＡ以下であ
る上記（６）の光情報媒体の再生方法。 （８） 前記最小寸法ＰLが０．２５λ／ＮＡ以上であ
る上記（６）または（７）の光情報媒体の再生方法。 （９） パワーＰｒを１．４mW以上として再生を行う上
記（６）〜（８）のいずれかの光情報媒体の再生方法。 （１０） パワーＰｒを２．０mW以上として再生を行う
上記（６）〜（８）のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 （１１） パワーＰｒを２．２mW以上として再生を行う
上記（６）〜（８）のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 （１２） 上記（１）〜（５）のいずれかの再生方法に
用いられる再生装置。 （１３） 上記（６）〜（１１）のいずれかの再生方法
に用いられる再生装置。
（１）〜（１３）の本発明により達成される。 （１） 光情報媒体の情報記録層にレーザービームを照
射して前記情報記録層に存在するピットまたは記録マー
クを読み出すことにより、記録情報を再生するに際し、
前記レーザービームの波長λが４００〜４１０nmであ
り、開口数ＮＡ＝０．７０〜０．８５である対物レンズ
を通して前記レーザービームが照射され、前記ピットま
たは前記記録マークの最小寸法ＰLが０．３６λ／ＮＡ
以下であるとき、前記レーザービームのパワーＰｒを
０．４mW以上として再生を行う光情報媒体の再生方法。 （２） 前記最小寸法ＰLが０．３１λ／ＮＡ以下であ
る上記（１）の光情報媒体の再生方法。 （３） 前記最小寸法ＰLが０．２５λ／ＮＡ以上であ
る上記（１）または（２）の光情報媒体の再生方法。 （４） パワーＰｒを０．４５mW以上として再生を行う
上記（１）〜（３）のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 （５） パワーＰｒを０．５mW以上として再生を行う上
記（１）〜（３）のいずれかの光情報媒体の再生方法。 （６） 光情報媒体の記録層にレーザービームを照射し
て前記情報記録層に存在するピットまたは記録マークを
読み出すことにより、記録情報を再生するに際し、前記
レーザービームの波長λが６３０〜６７０nmであり、開
口数ＮＡ＝０．６０〜０．６５である対物レンズを通し
て前記レーザービームが照射され、前記ピットまたは前
記記録マークの最小寸法ＰLが０．３６λ／ＮＡ以下で
あるとき、前記レーザービームのパワーＰｒを１．０mW
以上として再生を行う光情報媒体の再生方法。 （７） 前記最小寸法ＰLが０．２７λ／ＮＡ以下であ
る上記（６）の光情報媒体の再生方法。 （８） 前記最小寸法ＰLが０．２５λ／ＮＡ以上であ
る上記（６）または（７）の光情報媒体の再生方法。 （９） パワーＰｒを１．４mW以上として再生を行う上
記（６）〜（８）のいずれかの光情報媒体の再生方法。 （１０） パワーＰｒを２．０mW以上として再生を行う
上記（６）〜（８）のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 （１１） パワーＰｒを２．２mW以上として再生を行う
上記（６）〜（８）のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 （１２） 上記（１）〜（５）のいずれかの再生方法に
用いられる再生装置。 （１３） 上記（６）〜（１１）のいずれかの再生方法
に用いられる再生装置。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明では、本明細書において機
能層と呼ぶ特定の層を設けた媒体に対し、再生波長およ
び再生光照射光学系の構成に応じた特定範囲の再生パワ
ーＰｒを設定して、ピットや記録マークを読み出す。こ
れにより、回折によって決定される解像限界を超える超
解像再生が可能となる。しかも本発明では、解像限界に
近く、かつ解像限界よりやや大きなピットや記録マーク
を読み出す際に、従来よりも高いＣ／Ｎが得られる。
能層と呼ぶ特定の層を設けた媒体に対し、再生波長およ
び再生光照射光学系の構成に応じた特定範囲の再生パワ
ーＰｒを設定して、ピットや記録マークを読み出す。こ
れにより、回折によって決定される解像限界を超える超
解像再生が可能となる。しかも本発明では、解像限界に
近く、かつ解像限界よりやや大きなピットや記録マーク
を読み出す際に、従来よりも高いＣ／Ｎが得られる。
【００１５】本発明の第１の態様では、ピットまたは記
録マーク（以下、「ピット／マーク」と表示することが
ある）の読み出しに用いるレーザービームの波長λが４
００〜４１０nmであり、このレーザービームを、開口数
ＮＡ＝０．７０〜０．８５である対物レンズを通して媒
体に照射する。
録マーク（以下、「ピット／マーク」と表示することが
ある）の読み出しに用いるレーザービームの波長λが４
００〜４１０nmであり、このレーザービームを、開口数
ＮＡ＝０．７０〜０．８５である対物レンズを通して媒
体に照射する。
【００１６】カットオフ空間周波数は２ＮＡ／λなの
で、ピット／マークと隣接ピット／マーク間のスペース
とが同じ長さであるピット／マーク列は、その空間周波
数が２ＮＡ／λ（ラインペア/nm）以下であれば読み取
り可能である。この場合、読み取り可能な空間周波数に
対応するピット／マーク長（＝スペース長）は、 λ／４ＮＡ＝０．２５λ／ＮＡ となる。したがって、長さ０．２５λ／ＮＡ未満のピッ
ト／マーク列においてＣ／Ｎが得られれば、超解像再生
が可能であるといえる。ただし第１の態様では、解像限
界よりやや大きいピット／マークにおいて高Ｃ／Ｎが得
られることを特徴とする。したがって、第１の態様にお
いてピット／マークの最小寸法ＰLは、好ましくは０．
２５λ／ＮＡ以上である。ただし、ピット／マークの最
小寸法ＰLが大きすぎると第１の態様による効果が損な
われるので、ＰLは解像限界よりやや大きい０．３６λ
／ＮＡを上限とし、好ましくは０．３１λ／ＮＡ以下と
する。
で、ピット／マークと隣接ピット／マーク間のスペース
とが同じ長さであるピット／マーク列は、その空間周波
数が２ＮＡ／λ（ラインペア/nm）以下であれば読み取
り可能である。この場合、読み取り可能な空間周波数に
対応するピット／マーク長（＝スペース長）は、 λ／４ＮＡ＝０．２５λ／ＮＡ となる。したがって、長さ０．２５λ／ＮＡ未満のピッ
ト／マーク列においてＣ／Ｎが得られれば、超解像再生
が可能であるといえる。ただし第１の態様では、解像限
界よりやや大きいピット／マークにおいて高Ｃ／Ｎが得
られることを特徴とする。したがって、第１の態様にお
いてピット／マークの最小寸法ＰLは、好ましくは０．
２５λ／ＮＡ以上である。ただし、ピット／マークの最
小寸法ＰLが大きすぎると第１の態様による効果が損な
われるので、ＰLは解像限界よりやや大きい０．３６λ
／ＮＡを上限とし、好ましくは０．３１λ／ＮＡ以下と
する。
【００１７】第１の態様において、再生時に照射するレ
ーザービームのパワーＰｒは、０．４mW以上、好ましく
は０．４５mW以上、より好ましくは０．５mW以上であ
る。波長λおよび開口数ＮＡが第１の態様における限定
範囲内であるときに、そのλおよびＮＡに対応する解像
限界に近い上記寸法をもつピット／マークを読み出す場
合に、再生パワーＰｒを第１の態様で限定する範囲とす
ることにより、良好なＣ／Ｎが得られる。
ーザービームのパワーＰｒは、０．４mW以上、好ましく
は０．４５mW以上、より好ましくは０．５mW以上であ
る。波長λおよび開口数ＮＡが第１の態様における限定
範囲内であるときに、そのλおよびＮＡに対応する解像
限界に近い上記寸法をもつピット／マークを読み出す場
合に、再生パワーＰｒを第１の態様で限定する範囲とす
ることにより、良好なＣ／Ｎが得られる。
【００１８】本発明の第２の態様では、ピット／マーク
の読み出しに用いるレーザービームの波長λが６３０〜
６７０nmであり、このレーザービームを、開口数ＮＡ＝
０．６０〜０．６５である対物レンズを通して媒体に照
射する。
の読み出しに用いるレーザービームの波長λが６３０〜
６７０nmであり、このレーザービームを、開口数ＮＡ＝
０．６０〜０．６５である対物レンズを通して媒体に照
射する。
【００１９】第２の態様も、解像限界よりやや大きいピ
ット／マークにおいて高Ｃ／Ｎが得られることを特徴と
する。したがって、第２の態様においてピット／マーク
の最小寸法ＰLは、好ましくは０．２５λ／ＮＡ以上で
ある。ただし、ピット／マークの最小寸法ＰLが大きす
ぎると第２の態様による効果が損なわれるので、ＰLは
解像限界よりやや大きい０．３６λ／ＮＡを上限とし、
好ましくは０．２７λ／ＮＡ以下とする。
ット／マークにおいて高Ｃ／Ｎが得られることを特徴と
する。したがって、第２の態様においてピット／マーク
の最小寸法ＰLは、好ましくは０．２５λ／ＮＡ以上で
ある。ただし、ピット／マークの最小寸法ＰLが大きす
ぎると第２の態様による効果が損なわれるので、ＰLは
解像限界よりやや大きい０．３６λ／ＮＡを上限とし、
好ましくは０．２７λ／ＮＡ以下とする。
【００２０】第２の態様において、再生時に照射するレ
ーザービームのパワーＰｒは、１．０mW以上、好ましく
は１．４mW以上、より好ましくは２．０mW以上、さらに
好ましくは２．２mW以上である。波長λおよび開口数Ｎ
Ａが第２の態様における限定範囲内であるときに、その
λおよびＮＡに対応する解像限界に近い上記寸法をもつ
ピット／マークを読み出す場合に、再生パワーＰｒを第
２の態様で限定する範囲とすることにより、良好なＣ／
Ｎが得られる。
ーザービームのパワーＰｒは、１．０mW以上、好ましく
は１．４mW以上、より好ましくは２．０mW以上、さらに
好ましくは２．２mW以上である。波長λおよび開口数Ｎ
Ａが第２の態様における限定範囲内であるときに、その
λおよびＮＡに対応する解像限界に近い上記寸法をもつ
ピット／マークを読み出す場合に、再生パワーＰｒを第
２の態様で限定する範囲とすることにより、良好なＣ／
Ｎが得られる。
【００２１】なお、第１の態様および第２の態様におい
て、再生パワーＰｒの上限は特になく、一般に再生パワ
ーＰｒが高いほどＣ／Ｎは高くなる。ただし、再生パワ
ーＰｒが高いと、再生またはその繰り返しによって機能
層が劣化するおそれがある。また、再生パワーＰｒを高
くすると、媒体の反射率によっては媒体再生装置の反射
光検出系が飽和して、再生が不可能となることもある。
したがって、再生パワーＰｒには、このような制限によ
る実質的な上限が存在する。
て、再生パワーＰｒの上限は特になく、一般に再生パワ
ーＰｒが高いほどＣ／Ｎは高くなる。ただし、再生パワ
ーＰｒが高いと、再生またはその繰り返しによって機能
層が劣化するおそれがある。また、再生パワーＰｒを高
くすると、媒体の反射率によっては媒体再生装置の反射
光検出系が飽和して、再生が不可能となることもある。
したがって、再生パワーＰｒには、このような制限によ
る実質的な上限が存在する。
【００２２】本発明において、機能層を設けることによ
って解像限界付近でＣ／Ｎが著しく向上する理由は明ら
かではないが、本発明者らは、以下に説明するような機
構が関与していると考えている。
って解像限界付近でＣ／Ｎが著しく向上する理由は明ら
かではないが、本発明者らは、以下に説明するような機
構が関与していると考えている。
【００２３】まず、ピット／マークにレーザービームを
照射すると、図２に示すように、ピット／マークの周囲
に電場が生じると考えられる。この電場の強度またはこ
の電場が影響を及ぼす範囲は、レーザービーム照射面の
エネルギー密度、すなわち照射面の単位面積当たりのエ
ネルギーと、照射面の構成材料とに相関すると考えられ
る。隣接するピット／マーク間の距離が比較的短い場
合、隣接するピット／マーク間で互いの電場同士で相互
作用を生じ、この相互作用によって、超解像再生が可能
になると考えられる。上記電場は、ピットのようにエッ
ジをもつ構造においてエッジ付近に発生しやすいと考え
られる。また、相変化型光記録媒体における非晶質記録
マークの外縁のように、結晶質と非晶質との境界など、
誘電率や電気伝導度が急峻に変化するところでも発生し
やすいと考えられる。
照射すると、図２に示すように、ピット／マークの周囲
に電場が生じると考えられる。この電場の強度またはこ
の電場が影響を及ぼす範囲は、レーザービーム照射面の
エネルギー密度、すなわち照射面の単位面積当たりのエ
ネルギーと、照射面の構成材料とに相関すると考えられ
る。隣接するピット／マーク間の距離が比較的短い場
合、隣接するピット／マーク間で互いの電場同士で相互
作用を生じ、この相互作用によって、超解像再生が可能
になると考えられる。上記電場は、ピットのようにエッ
ジをもつ構造においてエッジ付近に発生しやすいと考え
られる。また、相変化型光記録媒体における非晶質記録
マークの外縁のように、結晶質と非晶質との境界など、
誘電率や電気伝導度が急峻に変化するところでも発生し
やすいと考えられる。
【００２４】上記相互作用はレーザービームのエネルギ
ー密度に依存するため、再生波長λおよび再生光学系の
開口数ＮＡが同一であれば、再生パワーＰｒに依存して
上記相互作用は強くなり、その結果、再生パワーＰｒが
高いほどＣ／Ｎが高くなると考えられる。また、レーザ
ービームスポット径はλ／ＮＡに比例するので、再生パ
ワーＰｒが同一であれば、再生波長λが短いほど、ま
た、開口数ＮＡが大きいほど、Ｃ／Ｎは高くなり、逆
に、λ／ＮＡが小さければ、より低い再生パワーＰｒで
同等のＣ／Ｎを得ることが可能である。
ー密度に依存するため、再生波長λおよび再生光学系の
開口数ＮＡが同一であれば、再生パワーＰｒに依存して
上記相互作用は強くなり、その結果、再生パワーＰｒが
高いほどＣ／Ｎが高くなると考えられる。また、レーザ
ービームスポット径はλ／ＮＡに比例するので、再生パ
ワーＰｒが同一であれば、再生波長λが短いほど、ま
た、開口数ＮＡが大きいほど、Ｃ／Ｎは高くなり、逆
に、λ／ＮＡが小さければ、より低い再生パワーＰｒで
同等のＣ／Ｎを得ることが可能である。
【００２５】一方、隣接するピット／マーク間の距離が
比較的長い場合には、上記相互作用が生じないか、相互
作用が生じたとしても小さくなるか、または、通常再生
による信号成分に比べ上記相互作用によって生じる信号
成分が小さくなる。そのため、再生パワーＰｒに依存し
たＣ／Ｎ向上が認められないか、極めて小さくなると考
えられる。
比較的長い場合には、上記相互作用が生じないか、相互
作用が生じたとしても小さくなるか、または、通常再生
による信号成分に比べ上記相互作用によって生じる信号
成分が小さくなる。そのため、再生パワーＰｒに依存し
たＣ／Ｎ向上が認められないか、極めて小さくなると考
えられる。
【００２６】なお、前記したマスク層を有する媒体で
は、マスク層の動作原理から明らかなように、再生対象
であるピットや記録マークが解像限界を超えた小ささで
ある場合にだけ効果を発揮し、再生対象が解像限界より
やや大きい場合には、マスク層をもたない従来の媒体に
比べ高いＣ／Ｎは得られない。
は、マスク層の動作原理から明らかなように、再生対象
であるピットや記録マークが解像限界を超えた小ささで
ある場合にだけ効果を発揮し、再生対象が解像限界より
やや大きい場合には、マスク層をもたない従来の媒体に
比べ高いＣ／Ｎは得られない。
【００２７】本発明は、産業上、極めて有用である。現
在実用化されている最も記録密度の高い光ディスクは、
ＤＶＤである。書き換え可能なＤＶＤであるＤＶＤ−Ｒ
Ｗは相変化型記録層を備えるが、この記録層は、上記機
能層として機能する。また、ＤＶＤ−ＲＷ再生におい
て、再生波長λおよび開口数ＮＡは本発明の第２の態様
を包含される。したがって、ＤＶＤ−ＲＷに対し本発明
の第２の態様を適用すれば、超解像が可能となり、ま
た、解像限界付近のＣ／Ｎを著しく向上させることがで
きる。
在実用化されている最も記録密度の高い光ディスクは、
ＤＶＤである。書き換え可能なＤＶＤであるＤＶＤ−Ｒ
Ｗは相変化型記録層を備えるが、この記録層は、上記機
能層として機能する。また、ＤＶＤ−ＲＷ再生におい
て、再生波長λおよび開口数ＮＡは本発明の第２の態様
を包含される。したがって、ＤＶＤ−ＲＷに対し本発明
の第２の態様を適用すれば、超解像が可能となり、ま
た、解像限界付近のＣ／Ｎを著しく向上させることがで
きる。
【００２８】本発明者らは、市販のＤＶＤ−ＲＷディス
ク（ティーディーケイ株式会社製）を本発明の第２の態
様に適用する実験を行った。この実験では、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ規格に従い、再生波長λを６５０nmとし、再生光学系
の対物レンズの開口数ＮＡを０．６０としてある。結果
を図３に示す。図３において、再生パワーＰｒを１mWと
したときには、解像限界（０．２７１μm）付近のマー
ク長０．２８〜０．３μmにおいて２０〜３０dB程度の
Ｃ／Ｎが得られている。また、図３において再生パワー
Ｐｒを２．４mWとしたときには、解像限界付近のマーク
長０．２８〜０．３μmにおいて４０dB程度のＣ／Ｎが
得られており、十分に実用的な再生が可能である。すな
わち、本発明は、単に再生パワーＰｒを高くするだけ
で、従来の光ディスクにおいて解像限界付近での著しい
Ｃ／Ｎ向上を実現できる。
ク（ティーディーケイ株式会社製）を本発明の第２の態
様に適用する実験を行った。この実験では、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ規格に従い、再生波長λを６５０nmとし、再生光学系
の対物レンズの開口数ＮＡを０．６０としてある。結果
を図３に示す。図３において、再生パワーＰｒを１mWと
したときには、解像限界（０．２７１μm）付近のマー
ク長０．２８〜０．３μmにおいて２０〜３０dB程度の
Ｃ／Ｎが得られている。また、図３において再生パワー
Ｐｒを２．４mWとしたときには、解像限界付近のマーク
長０．２８〜０．３μmにおいて４０dB程度のＣ／Ｎが
得られており、十分に実用的な再生が可能である。すな
わち、本発明は、単に再生パワーＰｒを高くするだけ
で、従来の光ディスクにおいて解像限界付近での著しい
Ｃ／Ｎ向上を実現できる。
【００２９】なお、本明細書において再生が可能である
とは、２０dB以上のＣ／Ｎが得られる場合である。ただ
し、実用的には、好ましくは３０dB程度以上、より好ま
しくは４０dB程度以上のＣ／Ｎが得られる必要がある。
とは、２０dB以上のＣ／Ｎが得られる場合である。ただ
し、実用的には、好ましくは３０dB程度以上、より好ま
しくは４０dB程度以上のＣ／Ｎが得られる必要がある。
【００３０】図４は、上記ＤＶＤ−ＲＷディスクについ
て、さまざまな長さの記録マークを読み出したときの、
再生パワーＰｒとＣ／Ｎとの関係を示すグラフである。
図４から、解像限界付近において、再生パワーＰｒの上
昇に伴ってＣ／Ｎが向上することが明瞭にわかる。
て、さまざまな長さの記録マークを読み出したときの、
再生パワーＰｒとＣ／Ｎとの関係を示すグラフである。
図４から、解像限界付近において、再生パワーＰｒの上
昇に伴ってＣ／Ｎが向上することが明瞭にわかる。
【００３１】次に、第２の態様を再生専用型（ＲＯＭ）
ディスクに適用した場合の実験について説明する。この
ＲＯＭディスクは、図５に示す長さのピットが配列した
ピット列を有する樹脂基板上に、反射層を兼ねる機能層
として厚さ１５nmのＧｅ層を形成し、その上に、紫外線
硬化型樹脂からなる厚さ１０μmの保護層を形成したも
のである。なお、ピット列において、隣接ピット間のス
ペースはピットと同じ長さとした。
ディスクに適用した場合の実験について説明する。この
ＲＯＭディスクは、図５に示す長さのピットが配列した
ピット列を有する樹脂基板上に、反射層を兼ねる機能層
として厚さ１５nmのＧｅ層を形成し、その上に、紫外線
硬化型樹脂からなる厚さ１０μmの保護層を形成したも
のである。なお、ピット列において、隣接ピット間のス
ペースはピットと同じ長さとした。
【００３２】このＲＯＭディスクに対し、再生波長λを
６３５nmとし、再生光学系の対物レンズの開口数ＮＡを
０．６０として、Ｃ／Ｎを測定した。結果を図５に示
す。この再生条件では、長さ０．３μmのピットは通常
再生が可能ではあるが解像限界（０．２６５μm）近傍
の寸法であり、長さ０．２５μm以下のピットは通常再
生が不可能な寸法である。図５に、再生パワーを１mWま
たは５mWとしたときの、ピット長とＣ／Ｎとの関係を示
す。図５では、ピット長が０．４μm以上であると、ど
ちらの再生パワーでもＣ／Ｎはほとんど変わらないが、
ピット長が０．３μm以下であると、再生パワー上昇に
伴ってＣ／Ｎが高くなっている。具体的には、長さ０．
２〜０．３μmのピットを再生する場合、再生パワーが
１mWであるとＣ／Ｎが４０dB未満であるのに対し、再生
パワーを５mWとすると４０dB以上のＣ／Ｎが得られてお
り、十分に実用的な再生が可能であることがわかる。
６３５nmとし、再生光学系の対物レンズの開口数ＮＡを
０．６０として、Ｃ／Ｎを測定した。結果を図５に示
す。この再生条件では、長さ０．３μmのピットは通常
再生が可能ではあるが解像限界（０．２６５μm）近傍
の寸法であり、長さ０．２５μm以下のピットは通常再
生が不可能な寸法である。図５に、再生パワーを１mWま
たは５mWとしたときの、ピット長とＣ／Ｎとの関係を示
す。図５では、ピット長が０．４μm以上であると、ど
ちらの再生パワーでもＣ／Ｎはほとんど変わらないが、
ピット長が０．３μm以下であると、再生パワー上昇に
伴ってＣ／Ｎが高くなっている。具体的には、長さ０．
２〜０．３μmのピットを再生する場合、再生パワーが
１mWであるとＣ／Ｎが４０dB未満であるのに対し、再生
パワーを５mWとすると４０dB以上のＣ／Ｎが得られてお
り、十分に実用的な再生が可能であることがわかる。
【００３３】図６に、ピット長を０．３μm、０．２５
μmまたは０．２μmとしたときの、再生パワーとＣ／Ｎ
との関係を示す。図６から、通常再生が可能かつ解像限
界近傍の寸法をもつピットを読み出す際に、再生パワー
の増大に伴いＣ／Ｎが向上することが明瞭にわかる。
μmまたは０．２μmとしたときの、再生パワーとＣ／Ｎ
との関係を示す。図６から、通常再生が可能かつ解像限
界近傍の寸法をもつピットを読み出す際に、再生パワー
の増大に伴いＣ／Ｎが向上することが明瞭にわかる。
【００３４】図７および図８に、本発明の第１の態様の
効果を実証する実験の結果を示す。この実験では、相変
化型記録層を有する光ディスクを用い、再生波長λは４
０５nmとし、開口数ＮＡは０．８５とした。
効果を実証する実験の結果を示す。この実験では、相変
化型記録層を有する光ディスクを用い、再生波長λは４
０５nmとし、開口数ＮＡは０．８５とした。
【００３５】図７は、本発明の第１の態様にしたがって
再生パワーＰｒを０．５mWとしたときと、本発明範囲を
外れる０．３mWとしたときとについて、マーク長とＣ／
Ｎとの関係を示すグラフである。また、図８は、さまざ
まな長さの記録マークを読み出したときの、再生パワー
ＰｒとＣ／Ｎとの関係を示すグラフである。図７および
図８から、本発明の効果が明らかであり、また、解像限
界（０．１１９μm）付近において再生パワーＰｒの上
昇に伴ってＣ／Ｎが向上することが明らかである。
再生パワーＰｒを０．５mWとしたときと、本発明範囲を
外れる０．３mWとしたときとについて、マーク長とＣ／
Ｎとの関係を示すグラフである。また、図８は、さまざ
まな長さの記録マークを読み出したときの、再生パワー
ＰｒとＣ／Ｎとの関係を示すグラフである。図７および
図８から、本発明の効果が明らかであり、また、解像限
界（０．１１９μm）付近において再生パワーＰｒの上
昇に伴ってＣ／Ｎが向上することが明らかである。
【００３６】なお、図７および図８に結果を示す実験に
用いた光ディスクは、支持基体上に、反射層、第２誘電
体層、記録層、第１誘電体層、光透過層をこの順で設け
たものであり、記録／再生光は光透過層を通って入射す
る。支持基体には、射出成形によりグルーブを同時形成
した直径１２０mm、厚さ１．２mmのディスク状ポリカー
ボネートを用いた。反射層は、厚さ１００nmとし、Ａｇ
98Ｐｄ1Ｃｕ1から構成した。第２誘電体層は、厚さ２０
nmとし、Ａｌ2Ｏ3から構成した。記録層は、厚さ１２nm
とし、組成（原子比）は Ｉｎ1.1Ｓｂ74.6Ｔｅ18.6Ｇｅ5.7 とした。第１誘電体層は、厚さ１３０nmとし、ＺｎＳ
（８０モル％）−ＳｉＯ2（２０モル％）から構成し
た。光透過層は、厚さ１００μmとし、紫外線硬化型樹
脂をスピンコートして紫外線硬化することにより形成し
た。
用いた光ディスクは、支持基体上に、反射層、第２誘電
体層、記録層、第１誘電体層、光透過層をこの順で設け
たものであり、記録／再生光は光透過層を通って入射す
る。支持基体には、射出成形によりグルーブを同時形成
した直径１２０mm、厚さ１．２mmのディスク状ポリカー
ボネートを用いた。反射層は、厚さ１００nmとし、Ａｇ
98Ｐｄ1Ｃｕ1から構成した。第２誘電体層は、厚さ２０
nmとし、Ａｌ2Ｏ3から構成した。記録層は、厚さ１２nm
とし、組成（原子比）は Ｉｎ1.1Ｓｂ74.6Ｔｅ18.6Ｇｅ5.7 とした。第１誘電体層は、厚さ１３０nmとし、ＺｎＳ
（８０モル％）−ＳｉＯ2（２０モル％）から構成し
た。光透過層は、厚さ１００μmとし、紫外線硬化型樹
脂をスピンコートして紫外線硬化することにより形成し
た。
【００３７】なお、λ／ＮＡの大きな再生光学系を使用
する第２の態様において、記録媒体のみならず再生専用
型媒体でも本発明の効果が実現したように、λ／ＮＡの
小さな再生光学系を使用する第１の態様においても、再
生専用型媒体で本発明の効果は実現する。
する第２の態様において、記録媒体のみならず再生専用
型媒体でも本発明の効果が実現したように、λ／ＮＡの
小さな再生光学系を使用する第１の態様においても、再
生専用型媒体で本発明の効果は実現する。
【００３８】以下、本発明の詳細について説明する。
【００３９】本発明の光情報媒体は、情報記録層を有す
る。本明細書において情報記録層とは、ピットおよび／
またはグルーブからなる凹凸を有するか、記録マークを
形成可能であるか、前記凹凸を有すると共に記録マーク
が形成可能である層を意味する。すなわち、本発明は、
再生専用媒体および光記録媒体（追記型または書き換え
可能型の媒体）のいずれにも適用できる。再生専用媒体
では、基板表面に設けられたピットを被覆する反射層
（金属、半金属、化合物などから構成される）が情報記
録層を構成し、光記録媒体では、記録層が情報記録層を
構成する。記録層は、相変化型のもの、有機色素を主体
とするもの、そのほかの有機材料や無機材料を主体とす
るものなどのいずれであってもよい。記録マークは、周
囲に対し反射率等の光学定数が異なるもの、凹状のも
の、凸状のもの等のいずれであってもよい。
る。本明細書において情報記録層とは、ピットおよび／
またはグルーブからなる凹凸を有するか、記録マークを
形成可能であるか、前記凹凸を有すると共に記録マーク
が形成可能である層を意味する。すなわち、本発明は、
再生専用媒体および光記録媒体（追記型または書き換え
可能型の媒体）のいずれにも適用できる。再生専用媒体
では、基板表面に設けられたピットを被覆する反射層
（金属、半金属、化合物などから構成される）が情報記
録層を構成し、光記録媒体では、記録層が情報記録層を
構成する。記録層は、相変化型のもの、有機色素を主体
とするもの、そのほかの有機材料や無機材料を主体とす
るものなどのいずれであってもよい。記録マークは、周
囲に対し反射率等の光学定数が異なるもの、凹状のも
の、凸状のもの等のいずれであってもよい。
【００４０】本発明者らは、特定の材料から構成され、
かつ前記特定の材料のそれぞれに対応した特定の厚さを
もつ層を、光情報媒体に設けることにより、従来とは全
く異なるメカニズムの超解像再生が可能になること、お
よび、解像限界よりやや大きなピットや記録マークを読
み出す際に、従来よりも著しく高いＣ／Ｎが得られるこ
とを見いだした。本発明では、前記特定の材料として、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｐｔ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｔ
ａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｔｅ、ＺｎおよびＢｉか
ら選択される少なくとも１種の元素を含む単体もしくは
合金またはその化合物を用い、好ましくは単体またはそ
の化合物を用いる。本発明では、超解像再生を可能とす
る前記層を、機能層と呼ぶ。この機能層を設けることに
より、光の回折によって決定される解像限界を下回る寸
法のピット、グルーブ、記録マークが検出可能となる。
前記したように、情報記録層を本発明における機能層と
して利用することが可能である。
かつ前記特定の材料のそれぞれに対応した特定の厚さを
もつ層を、光情報媒体に設けることにより、従来とは全
く異なるメカニズムの超解像再生が可能になること、お
よび、解像限界よりやや大きなピットや記録マークを読
み出す際に、従来よりも著しく高いＣ／Ｎが得られるこ
とを見いだした。本発明では、前記特定の材料として、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｐｔ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｔ
ａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｔｅ、ＺｎおよびＢｉか
ら選択される少なくとも１種の元素を含む単体もしくは
合金またはその化合物を用い、好ましくは単体またはそ
の化合物を用いる。本発明では、超解像再生を可能とす
る前記層を、機能層と呼ぶ。この機能層を設けることに
より、光の回折によって決定される解像限界を下回る寸
法のピット、グルーブ、記録マークが検出可能となる。
前記したように、情報記録層を本発明における機能層と
して利用することが可能である。
【００４１】図１に示す媒体構造への適用
光情報媒体の構成例を、図１に示す。図１に示す光情報
媒体１は、再生専用媒体であり、透光性を有する基体２
の表面にピット２１を有し、ピット形成面に密着して層
１０を有する。再生光は、図中下側から入射する。層１
０は、特定の組成かつ特定の厚さをもつときに前記機能
層として働く。
媒体１は、再生専用媒体であり、透光性を有する基体２
の表面にピット２１を有し、ピット形成面に密着して層
１０を有する。再生光は、図中下側から入射する。層１
０は、特定の組成かつ特定の厚さをもつときに前記機能
層として働く。
【００４２】層１０を単体または合金から構成した場合
図１に示す構造の光ディスクサンプルを、以下の手順で
作製した。基体２には、射出成形により位相ピットを同
時形成した直径１２０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポ
リカーボネート（屈折率ｎ＝１．５８）を用いた。この
基体２は、螺旋状トラックをもつ環状のピット形成領域
を同心円状に複数設け、それぞれのピット形成領域内で
ピット長を一定としたバンディッドタイプのものであ
る。すなわち、１枚の基体に、異なる長さの位相ピット
を形成したものである。各ピット形成領域におけるピッ
ト長（pit length）は２５０nmとし、隣接ピット間のス
ペースはピットと同じ長さとした。層１０は、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｐｔ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｔａ、Ａ
ｌ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ａｕおよび
Ａｇのいずれかから構成し、その厚さは５〜１００nmと
した。層１０は、スパッタ法により形成した。
作製した。基体２には、射出成形により位相ピットを同
時形成した直径１２０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポ
リカーボネート（屈折率ｎ＝１．５８）を用いた。この
基体２は、螺旋状トラックをもつ環状のピット形成領域
を同心円状に複数設け、それぞれのピット形成領域内で
ピット長を一定としたバンディッドタイプのものであ
る。すなわち、１枚の基体に、異なる長さの位相ピット
を形成したものである。各ピット形成領域におけるピッ
ト長（pit length）は２５０nmとし、隣接ピット間のス
ペースはピットと同じ長さとした。層１０は、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｐｔ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｔａ、Ａ
ｌ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ａｕおよび
Ａｇのいずれかから構成し、その厚さは５〜１００nmと
した。層１０は、スパッタ法により形成した。
【００４３】これらのサンプルについて、光ディスク評
価装置（レーザー波長６３５nm、開口数０．６０）を用
い、線速度を１１m/s、再生パワーを１〜７mWの範囲で
変えて、Ｃ／Ｎを測定した。なお、この光ディスク評価
装置におけるカットオフ空間周波数２ＮＡ／λは、 ２ＮＡ／λ＝１．８９×１０3（ラインペア/mm） なので、ピットと隣接ピット間のスペースとが同じ長さ
であるピット列は、その空間周波数が１．８９×１０3
（ラインペア/mm）以下であれば読み取り可能である。
この場合、読み取り可能な空間周波数に対応するピット
長（＝スペース長）ＰLは、 ＰL≧λ／４ＮＡ＝２６５（nm） となる。したがって、ピット長２６５nm未満のピット列
においてＣ／Ｎが得られれば、超解像再生が可能である
といえる。
価装置（レーザー波長６３５nm、開口数０．６０）を用
い、線速度を１１m/s、再生パワーを１〜７mWの範囲で
変えて、Ｃ／Ｎを測定した。なお、この光ディスク評価
装置におけるカットオフ空間周波数２ＮＡ／λは、 ２ＮＡ／λ＝１．８９×１０3（ラインペア/mm） なので、ピットと隣接ピット間のスペースとが同じ長さ
であるピット列は、その空間周波数が１．８９×１０3
（ラインペア/mm）以下であれば読み取り可能である。
この場合、読み取り可能な空間周波数に対応するピット
長（＝スペース長）ＰLは、 ＰL≧λ／４ＮＡ＝２６５（nm） となる。したがって、ピット長２６５nm未満のピット列
においてＣ／Ｎが得られれば、超解像再生が可能である
といえる。
【００４４】表１〜表４に、層１０の厚さとＣ／Ｎとの
関係とを示す。なお、表１〜表４には、層１０の各厚さ
において再生パワーを１〜７mWの間で変えたときに得ら
れた最も高いＣ／Ｎを、層１０の構成材料別に表示して
あり、表１には最大Ｃ／Ｎが４０dB以上となったもの
を、表２には最大Ｃ／Ｎが３０dB以上４０dB未満となっ
たものを、表３には最大Ｃ／Ｎが２０dB以上３０dB未満
となったものを、表４には最大Ｃ／Ｎが２０dB未満とな
ったものを、それぞれ分類して示してある。
関係とを示す。なお、表１〜表４には、層１０の各厚さ
において再生パワーを１〜７mWの間で変えたときに得ら
れた最も高いＣ／Ｎを、層１０の構成材料別に表示して
あり、表１には最大Ｃ／Ｎが４０dB以上となったもの
を、表２には最大Ｃ／Ｎが３０dB以上４０dB未満となっ
たものを、表３には最大Ｃ／Ｎが２０dB以上３０dB未満
となったものを、表４には最大Ｃ／Ｎが２０dB未満とな
ったものを、それぞれ分類して示してある。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【表２】
【００４７】
【表３】
【００４８】
【表４】
【００４９】表１〜表４から、超解像再生を可能とする
ためには、構成元素に応じて層１０の厚さを最適化する
必要があることがわかる。例えば、表２に示されるよう
に、層１０がＡｌ層であって、かつ厚さが１５nmである
場合は超解像再生が可能であるが、Ａｌ層の厚さが１０
０nmになると、すなわち、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯ
Ｍなどの通常のＲＯＭディスクにおける反射層と同程度
になると、通常のＲＯＭディスクと同様に超解像再生が
できなくなることがわかる。
ためには、構成元素に応じて層１０の厚さを最適化する
必要があることがわかる。例えば、表２に示されるよう
に、層１０がＡｌ層であって、かつ厚さが１５nmである
場合は超解像再生が可能であるが、Ａｌ層の厚さが１０
０nmになると、すなわち、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯ
Ｍなどの通常のＲＯＭディスクにおける反射層と同程度
になると、通常のＲＯＭディスクと同様に超解像再生が
できなくなることがわかる。
【００５０】図９〜図１２に、上記各サンプルのうち最
大Ｃ／Ｎが得られたものについて、再生パワーＰｒとＣ
／Ｎとの関係を示す。なお、図９〜図１２に示すサンプ
ルは、それぞれ表１〜表４に対応している。Ｃ／Ｎは、
ピット長２５０nmのピット列について測定した。測定に
は上記光ディスク評価装置を用い、測定時の線速度は１
１m/sとした。図９〜図１２から、大部分のサンプルで
は、再生パワー増大に伴ってＣ／Ｎが増大する傾向があ
ることがわかる。これらの図には再生出力は示していな
いが、再生出力もＣ／Ｎと同様な挙動を示した。なお、
図９〜図１２において高Ｐｒ側のデータが存在しないも
のは、そのＰｒにおいて層１０が劣化して再生信号が得
られなかったものか、評価装置の反射光検出系の飽和に
よりデータが得られなかったものである。
大Ｃ／Ｎが得られたものについて、再生パワーＰｒとＣ
／Ｎとの関係を示す。なお、図９〜図１２に示すサンプ
ルは、それぞれ表１〜表４に対応している。Ｃ／Ｎは、
ピット長２５０nmのピット列について測定した。測定に
は上記光ディスク評価装置を用い、測定時の線速度は１
１m/sとした。図９〜図１２から、大部分のサンプルで
は、再生パワー増大に伴ってＣ／Ｎが増大する傾向があ
ることがわかる。これらの図には再生出力は示していな
いが、再生出力もＣ／Ｎと同様な挙動を示した。なお、
図９〜図１２において高Ｐｒ側のデータが存在しないも
のは、そのＰｒにおいて層１０が劣化して再生信号が得
られなかったものか、評価装置の反射光検出系の飽和に
よりデータが得られなかったものである。
【００５１】また、層１０をＷとＭｏとの合金とし、か
つ、層１０の厚さを１５nmとしたサンプルについて、上
記光ディスク評価装置を用い、線速度を１１m/sとし
て、ピット長２５０nmのピット列のＣ／Ｎを測定した。
結果を図１３に示す。図１３から、合金を用いた場合で
も超解像再生が可能であることがわかる。
つ、層１０の厚さを１５nmとしたサンプルについて、上
記光ディスク評価装置を用い、線速度を１１m/sとし
て、ピット長２５０nmのピット列のＣ／Ｎを測定した。
結果を図１３に示す。図１３から、合金を用いた場合で
も超解像再生が可能であることがわかる。
【００５２】なお、上記実験では、解像限界より小さい
ピット列をもつ媒体についてＣ／Ｎを評価したが、解像
限界以上かつ０．３１λ／ＮＡ以下の寸法のピット列を
有する媒体についても同様な効果が得られた。すなわ
ち、層１０の厚さをその構成材料に応じて適宜設定する
ことにより、１００nm厚のＡｌ層を有する媒体に比べＣ
／Ｎ向上が認められた。
ピット列をもつ媒体についてＣ／Ｎを評価したが、解像
限界以上かつ０．３１λ／ＮＡ以下の寸法のピット列を
有する媒体についても同様な効果が得られた。すなわ
ち、層１０の厚さをその構成材料に応じて適宜設定する
ことにより、１００nm厚のＡｌ層を有する媒体に比べＣ
／Ｎ向上が認められた。
【００５３】層１０を化合物から構成した場合
本発明の光情報媒体では、層１０を窒化物、酸化物、フ
ッ化物、硫化物、炭化物等の各種化合物から構成した場
合でも、超解像再生、および、解像限界よりやや大きい
再生対象に対するＣ／Ｎ向上が可能であり、かつ、その
場合に特有の効果が得られる。なお、この場合の化合物
とは、化学量論組成の化合物に限らず、金属または半金
属に対し窒素、酸素等を化学量論組成未満の比率で混入
させたものも包含する。すなわち本発明は、層１０が、
単体または合金で超解像再生が可能な前記金属または半
金属を含み、さらに、それ以外の元素、好ましくは窒
素、酸素、フッ素、硫黄および炭素から選択される少な
くとも１種の元素、を含む場合を包含する。このような
化合物から層１０を構成することにより、再生パワーマ
ージンを広げることができ、Ｃ／Ｎ向上も可能となる。
また、繰り返し再生に伴うＣ／Ｎ劣化を抑制することが
できる。以下、層１０を化合物から構成した場合につい
ての作用効果を説明する。
ッ化物、硫化物、炭化物等の各種化合物から構成した場
合でも、超解像再生、および、解像限界よりやや大きい
再生対象に対するＣ／Ｎ向上が可能であり、かつ、その
場合に特有の効果が得られる。なお、この場合の化合物
とは、化学量論組成の化合物に限らず、金属または半金
属に対し窒素、酸素等を化学量論組成未満の比率で混入
させたものも包含する。すなわち本発明は、層１０が、
単体または合金で超解像再生が可能な前記金属または半
金属を含み、さらに、それ以外の元素、好ましくは窒
素、酸素、フッ素、硫黄および炭素から選択される少な
くとも１種の元素、を含む場合を包含する。このような
化合物から層１０を構成することにより、再生パワーマ
ージンを広げることができ、Ｃ／Ｎ向上も可能となる。
また、繰り返し再生に伴うＣ／Ｎ劣化を抑制することが
できる。以下、層１０を化合物から構成した場合につい
ての作用効果を説明する。
【００５４】まず、化合物化による化学的安定性の向上
およびそれによる作用効果について説明する。Ａｕ等の
貴金属を除く金属または半金属は、自然界では酸化物、
硫化物等の化合物の形で産出することが一般的である。
このことは、金属または半金属が、通常環境下では単体
として存在するよりも化合物として存在するほうが安定
であることを示している。すなわち、金属または半金属
は、化合物化により化学的安定性が大幅に向上する。一
方、高パワー再生および繰り返し再生による層１０の劣
化は、層１０の温度上昇に伴う化学変化（酸化等）によ
るものと考えられる。層１０は空気と接しているため、
再生パワー照射時の加熱によって劣化しやすいが、層１
０を化合物から構成すれば層１０の化学的変化が抑制さ
れるので、より高いパワーでの再生が可能となって最大
Ｃ／Ｎが向上し、また、繰り返し再生によるＣ／Ｎ劣化
が抑制されたと考えられる。したがって、層１０の化合
物化は、比較的低い再生パワーで劣化が生じる材料を用
いる場合に、極めて有効である。
およびそれによる作用効果について説明する。Ａｕ等の
貴金属を除く金属または半金属は、自然界では酸化物、
硫化物等の化合物の形で産出することが一般的である。
このことは、金属または半金属が、通常環境下では単体
として存在するよりも化合物として存在するほうが安定
であることを示している。すなわち、金属または半金属
は、化合物化により化学的安定性が大幅に向上する。一
方、高パワー再生および繰り返し再生による層１０の劣
化は、層１０の温度上昇に伴う化学変化（酸化等）によ
るものと考えられる。層１０は空気と接しているため、
再生パワー照射時の加熱によって劣化しやすいが、層１
０を化合物から構成すれば層１０の化学的変化が抑制さ
れるので、より高いパワーでの再生が可能となって最大
Ｃ／Ｎが向上し、また、繰り返し再生によるＣ／Ｎ劣化
が抑制されたと考えられる。したがって、層１０の化合
物化は、比較的低い再生パワーで劣化が生じる材料を用
いる場合に、極めて有効である。
【００５５】次に、化合物化による透明性の増大および
それによる作用効果について説明する。化合物化により
層１０の透明性が増大するので、光反射率は低下する。
層１０の光反射率が低下すると、反射光検出系の飽和が
生じにくくなる。その結果、使用可能な再生パワーが増
大して最大Ｃ／Ｎが向上したと考えられる。また、化合
物化により層１０の単位厚さあたりの透明度が向上する
ので、化合物化すれば、層１０をより厚くしても反射光
検出系の飽和が生じにくくなる。そのため、超解像再生
が可能な層１０厚さの範囲が著しく拡張される。したが
って、層１０の化合物化は、比較的低い再生パワーで反
射光検出系の飽和が生じてしまう材料を用いる場合に、
極めて有効である。
それによる作用効果について説明する。化合物化により
層１０の透明性が増大するので、光反射率は低下する。
層１０の光反射率が低下すると、反射光検出系の飽和が
生じにくくなる。その結果、使用可能な再生パワーが増
大して最大Ｃ／Ｎが向上したと考えられる。また、化合
物化により層１０の単位厚さあたりの透明度が向上する
ので、化合物化すれば、層１０をより厚くしても反射光
検出系の飽和が生じにくくなる。そのため、超解像再生
が可能な層１０厚さの範囲が著しく拡張される。したが
って、層１０の化合物化は、比較的低い再生パワーで反
射光検出系の飽和が生じてしまう材料を用いる場合に、
極めて有効である。
【００５６】なお、層１０を化合物化するためには、窒
素や酸素等の反応性ガスを用いる反応性スパッタ法、ま
たは化合物ターゲットを用いるスパッタ法を利用するこ
とが好ましいが、これらのほか、例えばＣＶＤ法も利用
することができる。
素や酸素等の反応性ガスを用いる反応性スパッタ法、ま
たは化合物ターゲットを用いるスパッタ法を利用するこ
とが好ましいが、これらのほか、例えばＣＶＤ法も利用
することができる。
【００５７】層１０の厚さ
上記した各実験の結果から、金属または半金属の単体か
ら構成した場合の層１０の好ましい厚さは、構成元素別
に、 Ｎｂ：１００nm以下、 Ｍｏ：７０nm以下、特に４５nm以下、 Ｗ：７０nm以下、特に４０nm以下、 Ｍｎ：１００nm以下、特に７０nm以下、 Ｐｔ：４０nm以下、特に３０nm以下、 Ｃ：１００nm以下、 Ｓｉ：１００nm以下、 Ｇｅ：１００nm以下、 Ｔｉ：１００nm以下、 Ｚｒ：１００nm以下、特に２５〜１００nm、 Ｖ：１００nm以下、 Ｃｒ：３０nm以下、特に１５nm未満、 Ｆｅ：８０nm以下、特に５０nm以下、 Ｃｏ：７０nm以下、特に４５nm以下、 Ｎｉ：７０nm以下、特に５０nm以下、 Ｐｄ：４０nm以下、特に３０nm以下、 Ｓｂ：１００nm以下、特に６０nm以下、 Ｔａ：１００nm以下、特に６０nm以下、 Ａｌ：２０nm以下、特に１５nm未満、 Ｉｎ：１００nm以下、特に１０nm未満、 Ｃｕ：１０nm以下、 Ｓｎ：４０nm以下、 Ｔｅ：７０nm以下、 Ｚｎ：４０〜９０nm、 Ｂｉ：２５〜７０nm であることがわかる。なお、厚さ１００nmでも十分に高
いＣ／Ｎが得られているものは、特性の点では厚さの上
限を１００nmに設定する必要性はないが、生産性の低下
を防ぐために、通常は厚さ１００nm以下とすることが好
ましい。また、いずれの元素から構成した場合でも、層
１０の厚さは２nm以上であることが好ましい。層１０が
薄すぎると、反射率が低くなってトラッキングサーボが
かかりにくくなるほか、十分なＣ／Ｎが得られにくくな
る。
ら構成した場合の層１０の好ましい厚さは、構成元素別
に、 Ｎｂ：１００nm以下、 Ｍｏ：７０nm以下、特に４５nm以下、 Ｗ：７０nm以下、特に４０nm以下、 Ｍｎ：１００nm以下、特に７０nm以下、 Ｐｔ：４０nm以下、特に３０nm以下、 Ｃ：１００nm以下、 Ｓｉ：１００nm以下、 Ｇｅ：１００nm以下、 Ｔｉ：１００nm以下、 Ｚｒ：１００nm以下、特に２５〜１００nm、 Ｖ：１００nm以下、 Ｃｒ：３０nm以下、特に１５nm未満、 Ｆｅ：８０nm以下、特に５０nm以下、 Ｃｏ：７０nm以下、特に４５nm以下、 Ｎｉ：７０nm以下、特に５０nm以下、 Ｐｄ：４０nm以下、特に３０nm以下、 Ｓｂ：１００nm以下、特に６０nm以下、 Ｔａ：１００nm以下、特に６０nm以下、 Ａｌ：２０nm以下、特に１５nm未満、 Ｉｎ：１００nm以下、特に１０nm未満、 Ｃｕ：１０nm以下、 Ｓｎ：４０nm以下、 Ｔｅ：７０nm以下、 Ｚｎ：４０〜９０nm、 Ｂｉ：２５〜７０nm であることがわかる。なお、厚さ１００nmでも十分に高
いＣ／Ｎが得られているものは、特性の点では厚さの上
限を１００nmに設定する必要性はないが、生産性の低下
を防ぐために、通常は厚さ１００nm以下とすることが好
ましい。また、いずれの元素から構成した場合でも、層
１０の厚さは２nm以上であることが好ましい。層１０が
薄すぎると、反射率が低くなってトラッキングサーボが
かかりにくくなるほか、十分なＣ／Ｎが得られにくくな
る。
【００５８】また、層１０を化合物化した場合には、前
記したように、層１０の好ましい厚さ範囲が拡張され
る。
記したように、層１０の好ましい厚さ範囲が拡張され
る。
【００５９】次に、機能層を合金から構成する場合につ
いて説明する。なお、以下の説明における機能元素と
は、それ単体で機能層を構成し得る元素を意味する。
いて説明する。なお、以下の説明における機能元素と
は、それ単体で機能層を構成し得る元素を意味する。
【００６０】前記したＷ−Ｍｏ合金のように、単純固溶
型の２元系合金から機能層を構成する場合であって、両
元素共に機能元素である場合、図１３に示すように合金
層は機能層として働く。
型の２元系合金から機能層を構成する場合であって、両
元素共に機能元素である場合、図１３に示すように合金
層は機能層として働く。
【００６１】単純固溶型の合金層では、構成元素の少な
くとも１種、好ましくはすべてが機能元素であることが
望ましい。構成元素全体に占める機能元素のモル比は、
好ましくは５０％以上である。
くとも１種、好ましくはすべてが機能元素であることが
望ましい。構成元素全体に占める機能元素のモル比は、
好ましくは５０％以上である。
【００６２】光磁気記録材料層のような非晶質合金層に
おいても、単純固溶型の合金層と同様に、構成元素の少
なくとも１種、好ましくはすべてが機能元素であること
が望ましい。構成元素全体に占める機能元素のモル比
は、好ましくは５０％以上である。
おいても、単純固溶型の合金層と同様に、構成元素の少
なくとも１種、好ましくはすべてが機能元素であること
が望ましい。構成元素全体に占める機能元素のモル比
は、好ましくは５０％以上である。
【００６３】Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化材料
は、結晶化したときにＳｂ相と他の相とが分離する相分
離型合金であるが、このような相分離型合金では、構成
相の少なくとも１種、好ましくは全部が、単独で機能層
を構成し得るものであることが望ましい。例えば結晶化
したＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金におけるＳｂ相は、
単独で機能層として働く。
は、結晶化したときにＳｂ相と他の相とが分離する相分
離型合金であるが、このような相分離型合金では、構成
相の少なくとも１種、好ましくは全部が、単独で機能層
を構成し得るものであることが望ましい。例えば結晶化
したＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金におけるＳｂ相は、
単独で機能層として働く。
【００６４】単体層と同様に、合金層においても機能層
として働くためには厚さの制限がある。例えば単純固溶
型の合金層では、図１３に示すように、各機能元素の単
体層が機能層として働く厚さに合金層の厚さを設定すれ
ばよいと考えられる。
として働くためには厚さの制限がある。例えば単純固溶
型の合金層では、図１３に示すように、各機能元素の単
体層が機能層として働く厚さに合金層の厚さを設定すれ
ばよいと考えられる。
【００６５】ただし、合金層の具体的な組成および厚さ
は、それぞれの組成および厚さにおいて合金層が機能層
として働くかどうかを実際に検証して決定することが好
ましい。例えば、前記したＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5からなる相
変化材料のような金属間化合物は、一般に、その構成元
素のそれぞれ単体からは類推できない挙動を示すことが
多い。
は、それぞれの組成および厚さにおいて合金層が機能層
として働くかどうかを実際に検証して決定することが好
ましい。例えば、前記したＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5からなる相
変化材料のような金属間化合物は、一般に、その構成元
素のそれぞれ単体からは類推できない挙動を示すことが
多い。
【００６６】再生方法
本発明の媒体では、層１０の構成材料および媒体構造に
応じて、使用可能な再生パワーに上限が存在する。した
がって、これらの条件に応じた最適再生パワーを本発明
の媒体にあらかじめ記録しておき、再生前に前記最適再
生パワーを読み出して、この最適パワーで再生を行うこ
とが好ましい。また、必要に応じ、試し再生を行って最
適再生パワーを決定してもよい。
応じて、使用可能な再生パワーに上限が存在する。した
がって、これらの条件に応じた最適再生パワーを本発明
の媒体にあらかじめ記録しておき、再生前に前記最適再
生パワーを読み出して、この最適パワーで再生を行うこ
とが好ましい。また、必要に応じ、試し再生を行って最
適再生パワーを決定してもよい。
【図１】本発明の光情報媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図２】本発明の作用を模式的に説明する図である。
【図３】マーク長とＣ／Ｎとの関係を示すグラフであ
る。
る。
【図４】再生パワーとＣ／Ｎとの関係を示すグラフであ
る。
る。
【図５】ピット長とＣ／Ｎとの関係を示すグラフであ
る。
る。
【図６】再生パワーとＣ／Ｎとの関係を示すグラフであ
る。
る。
【図７】マーク長とＣ／Ｎとの関係を示すグラフであ
る。
る。
【図８】再生パワーとＣ／Ｎとの関係を示すグラフであ
る。
る。
【図９】再生パワーとＣ／Ｎとの関係を示すグラフであ
る。
る。
【図１０】再生パワーとＣ／Ｎとの関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図１１】再生パワーとＣ／Ｎとの関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図１２】再生パワーとＣ／Ｎとの関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図１３】Ｍｏ−Ｗ合金におけるＷの含有量とＣ／Ｎと
の関係とを示すグラフである。
の関係とを示すグラフである。
２ 基体
２１ ピット
１０ 層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 11/105 ５８６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５８６Ｈ
(72)発明者 加藤 達也
東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ
ーディーケイ株式会社内
(72)発明者 新開 浩
東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ
ーディーケイ株式会社内
Ｆターム(参考） 5D029 WA20 WD11
5D075 AA03 CC11 CD11
5D090 AA01 BB02 BB03 BB05 BB10
CC04 CC14 EE11 KK03
5D119 AA12 BA01 BB01 BB02 BB04
BB05 DA05 HA54 JA43 JB02
Claims (13)
- 【請求項１】 光情報媒体の情報記録層にレーザービー
ムを照射して前記情報記録層に存在するピットまたは記
録マークを読み出すことにより、記録情報を再生するに
際し、 前記レーザービームの波長λが４００〜４１０nmであ
り、開口数ＮＡ＝０．７０〜０．８５である対物レンズ
を通して前記レーザービームが照射され、前記ピットま
たは前記記録マークの最小寸法ＰLが０．３６λ／ＮＡ
以下であるとき、前記レーザービームのパワーＰｒを
０．４mW以上として再生を行う光情報媒体の再生方法。 - 【請求項２】 前記最小寸法ＰLが０．３１λ／ＮＡ以
下である請求項１の光情報媒体の再生方法。 - 【請求項３】 前記最小寸法ＰLが０．２５λ／ＮＡ以
上である請求項１または２の光情報媒体の再生方法。 - 【請求項４】 パワーＰｒを０．４５mW以上として再生
を行う請求項１〜３のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 - 【請求項５】 パワーＰｒを０．５mW以上として再生を
行う請求項１〜３のいずれかの光情報媒体の再生方法。 - 【請求項６】 光情報媒体の記録層にレーザービームを
照射して前記情報記録層に存在するピットまたは記録マ
ークを読み出すことにより、記録情報を再生するに際
し、 前記レーザービームの波長λが６３０〜６７０nmであ
り、開口数ＮＡ＝０．６０〜０．６５である対物レンズ
を通して前記レーザービームが照射され、前記ピットま
たは前記記録マークの最小寸法ＰLが０．３６λ／ＮＡ
以下であるとき、 前記レーザービームのパワーＰｒを１．０mW以上として
再生を行う光情報媒体の再生方法。 - 【請求項７】 前記最小寸法ＰLが０．２７λ／ＮＡ以
下である請求項６の光情報媒体の再生方法。 - 【請求項８】 前記最小寸法ＰLが０．２５λ／ＮＡ以
上である請求項６または７の光情報媒体の再生方法。 - 【請求項９】 パワーＰｒを１．４mW以上として再生を
行う請求項６〜８のいずれかの光情報媒体の再生方法。 - 【請求項１０】 パワーＰｒを２．０mW以上として再生
を行う請求項６〜８のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 - 【請求項１１】 パワーＰｒを２．２mW以上として再生
を行う請求項６〜８のいずれかの光情報媒体の再生方
法。 - 【請求項１２】 請求項１〜５のいずれかの再生方法に
用いられる再生装置。 - 【請求項１３】 請求項６〜１１のいずれかの再生方法
に用いられる再生装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002093026A JP4814476B2 (ja) | 2001-04-20 | 2002-03-28 | 光情報媒体の再生方法 |
| KR10-2002-0020958A KR100490660B1 (ko) | 2001-04-20 | 2002-04-17 | 광정보매체의 재생방법 및 재생장치 |
| US10/125,476 US7496019B2 (en) | 2001-04-20 | 2002-04-19 | Information readout method for non mask layer type optical information medium |
| CNB021161208A CN1201298C (zh) | 2001-04-20 | 2002-04-19 | 光信息媒体的再生方法与再生装置 |
| US12/352,304 US7859968B2 (en) | 2001-04-20 | 2009-01-12 | Information readout method for non mask layer type optical information medium |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-123521 | 2001-04-20 | ||
| JP2001123521 | 2001-04-20 | ||
| JP2001123521 | 2001-04-20 | ||
| JP2002093026A JP4814476B2 (ja) | 2001-04-20 | 2002-03-28 | 光情報媒体の再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003006872A true JP2003006872A (ja) | 2003-01-10 |
| JP4814476B2 JP4814476B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=26613964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002093026A Expired - Lifetime JP4814476B2 (ja) | 2001-04-20 | 2002-03-28 | 光情報媒体の再生方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7496019B2 (ja) |
| JP (1) | JP4814476B2 (ja) |
| KR (1) | KR100490660B1 (ja) |
| CN (1) | CN1201298C (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018195A1 (ja) | 2005-08-08 | 2007-02-15 | Tdk Corporation | 光記録媒体及び光記録媒体の情報再生方法 |
| JP2008257860A (ja) * | 2008-06-16 | 2008-10-23 | Sharp Corp | 光情報記録媒体とその再生方法 |
| JP2008257861A (ja) * | 2008-06-16 | 2008-10-23 | Sharp Corp | 光情報記録媒体とその再生方法 |
| WO2008149814A1 (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | 光情報記録媒体および光情報処理装置 |
| WO2009038331A2 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Lg Electronics Inc. | Recording method of optical recording medium |
| US7646687B2 (en) | 2006-04-21 | 2010-01-12 | Tdk Corporation | Method for determining recording laser power for super-resolution optical recording medium and apparatus for recording information on super-resolution optical recording medium |
| US7719944B2 (en) | 2005-09-21 | 2010-05-18 | Tdk Corporation | Method and apparatus for recording information on optical recording medium with compensation for thermal effects in ultra-high-density optical recording and reproducing system |
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