JP4287580B2 - 光情報媒体の再生方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回折限界を超える微小な記録マークを有する光情報媒体を再生する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光情報媒体には、コンパクトディスク等の再生専用光ディスク、光磁気記録ディスクや相変化型光記録ディスク等の書き換え可能型光記録ディスク、有機色素を記録材料に用いた追記型光記録ディスクなどがある。
【０００３】
光情報媒体は磁気記録媒体に比べ一般に情報密度を高くすることができるが、近年、画像等の膨大な情報の処理のためにさらに情報密度を高くすることが必要とされている。単位面積あたりの情報密度を高くするためには、トラックピッチを狭める方法と記録マーク間や位相ピット間を縮めて線密度を高くする方法とがある。しかし、再生光のビームスポットに対しトラック密度や線密度が高すぎる場合、ＣＮＲ（carrier to noise ratio）が低くなってしまい、ついには信号再生が不可能となってしまう。信号再生時の分解能はビームスポット径によって決定され、具体的には、再生光の波長をλ、再生装置の光学系の開口数をＮＡとしたとき、一般に空間周波数２ＮＡ／λが再生限界となる。したがって、再生時のＣＮＲ向上や分解能向上のために再生光の短波長化やＮＡ増大が有効であり、多くの技術的検討がなされているが、これらを導入するためには様々な技術的課題を解決する必要がある。
【０００４】
このような事情から、光の回折によって決定される再生限界を超えるための様々な方法、すなわち、いわゆる超解像再生方法が提案されている。
【０００５】
最も一般的な超解像再生方法は、記録層に重ねていわゆるマスク層を設ける方法である。この方法では、レーザービームスポットの強度分布がガウス分布であることを利用して、マスク層にビームスポットよりも小さな光学的開口を形成し、これによりビームスポットを回折限界より小さく絞る。この方法は、光学的開口形成のメカニズムの違いにより、ヒートモード方式とフォトンモード方式とに大別される。
【０００６】
ヒートモード方式では、マスク層のビームスポット照射部において、温度が一定値以上となった領域で光学特性が変化する。ヒートモード方式は、例えば特開平５−２０５３１４号公報に記載された光ディスクにおいて利用されている。この光ディスクは、情報信号に応じて光学的に読み出し可能な記録ピットが形成された透明基板上に、温度によって反射率が変化する材料層を有する。すなわち、この材料層がマスク層として働く。同公報において上記材料層を構成する材料として具体的に挙げられている元素はランタノイドである。同公報記載の光ディスクでは、読み出し光が照射されたときに、上記材料層の反射率が読み出し光の走査スポット内で温度分布により変化し、読み出し後、温度が低下した状態で反射率が初期状態に戻り、再生時に上記材料層が溶融することはない。なお、ヒートモード方式としては、例えば特許第２８４４８２４号公報に記載されているように、アモルファス−結晶転移する材料をマスク層に用い、ビームスポット内の高温領域を結晶転移させて反射率を向上させることにより超解像再生を行う媒体も知られている。
【０００７】
ヒートモード方式では、光学的開口の寸法がマスク層の温度分布で一意的に決定されるため、媒体の線速度、再生光のパワーおよび再生時の媒体周囲温度のすべてを考慮して、再生光の最適パワーを設定する必要がある。
【０００８】
一方、フォトンモード方式では、マスク層のビームスポット照射部において、フォトン量が一定値以上となった領域で光学特性が変化する。フォトンモード方式は、例えば特開平８−９６４１２号公報に記載された情報記録媒体、特開平１１−８６３４２号公報に記載された光記録媒体、および特開平１０−３４０４８２号公報に記載された光情報記録媒体において利用されている。上記特開平８−９６４１２号公報には、マスク層として、フタロシアニンまたはその誘導体を樹脂または無機誘電体に分散させたもの、および、カルコゲナイドからなるものが記載されている。また、上記特開平１１−８６３４２号公報では、上記再生光の照射により励起子のエネルギー準位に電子励起して光吸収特性が変化する禁制帯を有する半導体材料を含有する超解像再生膜をマスク層として用いており、マスク層の具体例としては、ＳｉＯ₂母材中にＣｄＳｅ微粒子を分散させたものが挙げられている。また、上記特開平１０−３４０４８２号公報では、照射された光の強度分布と透過した光の強度分布とが非線形に変化するガラス層をマスク層として用いている。
【０００９】
フォトンモード方式の超解像再生媒体では、ヒートモード方式の超解像再生媒体と異なり、再生時の媒体周囲温度の影響を受けず、また、繰り返し再生による劣化も比較的生じにくい。
【００１０】
フォトンモード方式において光学特性が変化する領域は、入射フォトン数によって決定される。そして、入射フォトン数は、ビームスポットに対する媒体の線速度に依存する。また、フォトンモード方式でも、光学的開口の寸法は再生光のパワーに依存し、過剰なパワーを与えると光学的開口が過大になってしまうため、超解像再生が不可能となる。したがって、フォトンモード方式においても、線速度に応じて、また、読み取り対象のピットおよび記録マークの寸法に応じて、再生光の最適パワーを設定する必要がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、超解像再生を行う場合には、ヒートモード方式およびフォトンモード方式のいずれにおいても、最適再生パワーの設定が必要である。
【００１２】
従来、光情報媒体に対する再生の最適条件を決定するために、光情報媒体に対し試し読みを行うためのテスト領域を設ける提案がなされている。例えば特開平１１−１２６３４０号公報には、異なる半径位置にテスト領域を複数設けて、動作環境温度の変化や半径位置によって異なる最適再生パワーを求める方法が記載されている。同公報では、各テスト領域において再生パワーを変化させて試し読みを行い、再生信号のエラーレートから最適再生パワーを求めている。また、同公報には、再生信号の振幅に基づいて再生信号の優劣を判定してもよい旨が記載されている。同公報に記載された具体的手順の例では、ＭＳＲ（Magnetically induced Super Resolution：磁気超解像）技術を利用した光磁気ディスクを用いて、いずれも長さ０．３８μmの記録マークとスペースとが交互に並ぶ単一信号のテストパターンの再生を行うことにより、最適再生パワーを決定している。ただし、同公報には、長さ０．３８μmの記録マークが回折限界を超える大きさであるかどうかは、記載されていない。
【００１３】
しかし、市販される光ディスク駆動装置にエラーレート検出回路を組み込むことは、例えばコストの点から現実的とはいえない。また、光ディスク駆動装置の信号処理系には、再生信号のレベルを制御するＡＧＣ（自動利得制御）機能が組み込まれており、そのため、再生信号の振幅の絶対値を用いて最適再生パワーを求めることは困難である。
【００１４】
本発明の目的は、回折限界を超える高解像度の再生が行われる光情報媒体について、最適再生パワーを決定する方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（３）の構成により達成される。
（１）再生光の波長をλ、再生光学系の対物レンズの開口数をＮＡ、情報パターンを構成するマークのうち最短のものの長さをＬ_ＭＩＮとしたとき、Ｌ_ＭＩＮ＜λ／４ＮＡが成立する条件で再生が行われる光情報媒体を再生するに際し、Ｌ_Ｓ＜λ／４ＮＡかつＬ_Ｌ≧λ／４ＮＡとしたとき、長さＬ_Ｓの短マークと長さＬ_Ｌの長マークとを前記光情報媒体にあらかじめ形成しておき、前記短マークおよび長マークの再生を行い、次いで、再生パワーを段階的に上げながら、短マークおよび長マークの再生を繰り返し、長マーク再生出力に対する短マーク再生出力の比の変化率を参照して、再生光の最適パワーを求めるに際して、前記長マークの再生出力に対する短マークの再生出力を超解像度と定義し、初期パワーＰｒ _１ で試験再生を行い、その再生出力から再生パワーＰｒ _１ における超解像度Ｒ _１ を求め、次に、Ｐｒ _１ よりもやや高い再生パワーＰｒ _２ で同様に再生を行い、再生パワーＰｒ _２ における超解像度Ｒ _２ を求め、次に、再生パワーＰｒ _２ における超解像度の変化率Ｇ（Ｒ _２ ）を、Ｇ（Ｒ _２ ）＝（Ｒ _２ −Ｒ _１ ）／Ｒ _２ により求め、この操作を繰り返し行い、ｎ番目の再生における超解像度Ｒ _ｎ が設定値以上かつその変化率Ｇ（Ｒ _ｎ ）＝（Ｒ _ｎ −Ｒ _ｎ−１ ）／Ｒ _ｎ が設定値以下となるときのＰｒ _ｎ を最適再生パワーとすることを特徴とする光情報媒体の再生方法。
（２）前記光情報媒体は、データ記録領域および試験再生領域を有し、前記試験再生領域に前記短マークと前記長マークとがあらかじめ形成されている上記（１）の光情報媒体の再生方法。
（３）前記再生パワーの増分（Ｐｒ_ｎ−Ｐｒ_ｎ−１）は０．５〜２ｍＷの範囲から選択することを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の光情報媒体の再生方法。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明が適用される光情報媒体は、データ記録領域と試験再生領域とを有する。この光情報媒体は、再生専用型であってもよく、記録可能型（追記型または書き換え型）であってもよい。再生専用型媒体のデータ記録領域には、情報パターンを構成するマーク（通常は凹状または凸状の位相ピット）があらかじめ形成されている。一方、記録可能型媒体のデータ記録領域は、情報パターンを構成するマーク（記録マーク）が書き込まれる領域である。試験再生領域は、試験再生に利用するマークがあらかじめ形成されている領域である。この領域に設けられるマークは、再生専用型であるか記録可能型であるかによらず、位相ピットおよび記録マークのいずれであってもよい。
【００１７】
本発明の再生方法を実施する際に用いる光情報媒体は、回折限界を超える高解像度の再生が可能な媒体、すなわち超解像再生媒体である。再生光の波長をλ、再生光学系の対物レンズの開口数をＮＡとすると、マークと隣接マーク間のスペースとが同じ長さであるマーク列は、その空間周波数が２ＮＡ／λ以下であれば読み取り可能である。すなわち、読み取り可能なマーク長は、λ／４ＮＡ以上である。したがって、超解像再生がなされる媒体とは、情報パターンを構成するマークのうち最短のものの長さをＬ_MINとしたとき、
Ｌ_MIN＜λ／４ＮＡ
が成立する条件で再生が行われる光情報媒体である。
【００１８】
本発明の光情報媒体には、試験再生領域に、長さＬ_Sの短マークと長さＬ_Lの長マークとがあらかじめ形成されており、
Ｌ_S＜λ／４ＮＡ、
Ｌ_L≧λ／４ＮＡ
である。すなわち、短マークは超解像再生によってのみ読み出すことができる長さをもち、長マークは通常再生によって読み出すことが可能な長さをもつ。短マークの長さは、データ記録領域における最短マークの長さ以下とし、好ましくは前記最短マークの長さと同じとする。一方、長マークの長さは、データ記録領域におけるマーク長と関係なく決めてよい。ただし、データ記録領域における最長マークの長さがλ／４ＮＡ以上である場合には、通常、長マークを上記最長マークと同じ長さとすればよい。長マークが長いほど、外乱や光学系の収差の影響によるＭＴＦ(Modulation transfer function)の劣化が小さくなるため、安定に再生できる。その結果、最適再生パワーを安定して求めることが容易となる。
【００１９】
次に、本発明の光情報媒体を用いて最適再生パワーを求める方法を説明する。なお、以下の説明では、超解像再生媒体として、ヒートモードやフォトンモードで光学的開口が形成されるマスク層を有する媒体を例に挙げて説明する。
【００２０】
超解像再生に利用されるマスク層は、所定値以上の強度のレーザービームを照射したときに、マスク層の照射領域の光学的特性が変化し、これにより反射率が増大または透過率が増大した光学的開口が形成されるものである。前記短マークの長さは解像限界よりも短いので、光学的開口が形成されないと短マークの再生出力は得られない。
【００２１】
これに対し、前記長マークの再生出力は、光学的開口が形成されない状態においても得られる。マスク層を有する超解像再生媒体では、光学的開口が形成されない状態においてもマスク層の反射率または透過率がゼロということはない。そのため、光学的開口が形成されない程度のパワーの再生光を照射した場合でも、前記長マークの再生出力は得られる。また、再生光のパワーを増大させて、短マークの再生が可能な程度の大きさの光学的開口が形成されたときにも、前記長マークの再生出力は実質的に変化しない。すなわち、前記長マークの再生出力は、再生光のパワー増大に実質的に依存せず、ほぼ一定の値を示す。
【００２２】
具体的には、各マークの再生出力の再生パワー依存性は以下のようになる。ここでは、光学的開口が形成される下限のパワーを第１の臨界パワーと呼び、光学的開口が大きくなりすぎて短マークの再生出力が急激に低下するパワーを第２の臨界パワーと呼ぶ。図１に示すように、短マークの再生出力は、第１の臨界パワーＰｒ_C1付近において急激に上昇し、その後、ほぼ飽和に達し、次いで、第２の臨界パワーＰｒ_C2付近において急激に低下する。一方、長マークの再生出力は、第１の臨界パワーＰｒ_C1の手前から既にほぼ飽和に達しており、第２の臨界パワーＰｒ_C2を超えてもほぼ一定値を保つことになる。
【００２３】
次に、本発明における最適再生パワーの決定方法について説明する。本発明では、短マークおよび長マークそれぞれの再生出力の挙動を利用し、これらの一方だけではなく両方に基づいて、最適再生パワーを決定する。すなわち、再生光パワーに依存して変化する短マーク再生出力に加え、再生光パワーにほとんど依存せずほぼ一定となる長マーク再生出力も参照する。そして、長マーク再生出力を基準として短マーク再生出力を相対的に比較することにより、短マーク再生出力が十分であるかどうかを判定する。例えば短マークの再生出力だけを調べる方法では、ゲインコントロール回路の存在やその他の要因により、再生出力自体の最適値を判定することが困難である。これに対し本発明では、長マーク再生出力を参照して、これに対する短マーク再生出力の大きさを相対的に判定するため、ゲインコントロール回路等の信号処理回路の影響を回避できる。
【００２４】
本発明において最適再生パワーは、長マーク再生出力を基準とし、この基準に対し短マーク再生出力が相対的に十分な大きさである範囲内から選択する。より詳細な判定基準は特に限定されず、例えば、上記第１の臨界パワー付近、第１の臨界パワーと上記第２の臨界パワーとの間、第２の臨界パワー付近のいずれであってもよい。ただし、短マークにおいて十分な再生出力が得られれば、再生パワーが低いほどマスク層へのダメージが少なくなり、また、再生光照射用レーザー素子の寿命を長くできる。したがって本発明では、第１の臨界パワー付近のパワーを最適再生パワーとすることが好ましい。前述したように短マークの再生出力は、第１の臨界パワー付近において急激に上昇し、その後、ほぼ飽和に達する。そこで、本発明では、ほぼ飽和に達する直前の再生パワーを最適再生パワーとすることが好ましい。超解像再生が行われない通常の媒体では、再生出力が最も高くなる再生パワーを最適再生パワーとしても問題はなく、また、そのほうが好ましいとも考えられる。しかし、本発明が適用される媒体は超解像再生が行われ、超解像再生では通常の再生に比べ比較的高い再生パワーを使用するため、上述したようにマスク層へのダメージおよびレーザー素子の寿命を考慮することが好ましい。したがって、第１の臨界パワーと第２の臨界パワーとの間で短マーク再生出力が最大となる場合であっても、第１の臨界パワー付近のパワーを最適再生パワーとすることが好ましい。
【００２５】
最適再生パワーを求める手順は特に限定されないが、好ましくは以下の方法を利用する。この方法では、まず、光ヘッドを試験再生領域まで移動させた後、短マークおよび長マークの再生を行い、次いで、再生パワーを段階的に上げながら、短マークおよび長マークの再生を繰り返す。そして、長マーク再生出力に対する短マーク再生出力の比が特定の値以上であるか、短マーク再生出力に対する長マーク再生出力の比が特定の値以下であって、かつ、この比の変化率が特定の値以下となったときの再生パワーを、最適再生パワーとする。これにより、最適再生パワーを、図１における第１の臨界パワーＰｒ_C1付近に設定することができる。なお、比および変化率に関する前記３種の特定の値は、再生対象の光情報媒体の規格などに応じ、または実験的に、それぞれあらかじめ設定すればよい。
【００２６】
この方法の具体的手順を説明する。ここでは、長マークの再生出力に対する短マークの再生出力を超解像度と定義する。まず、再生対象の光ディスクを再生装置に装填する。再生装置の光ヘッドが試験再生領域と対向した位置にあることを装置側が確認すると、比較的低めの初期パワーＰｒ₁で試験再生を行い、その再生出力から再生パワーＰｒ₁における超解像度Ｒ₁を求める。次に、Ｐｒ₁よりもやや高い再生パワーＰｒ₂で同様に再生を行い、再生パワーＰｒ₂における超解像度Ｒ₂を求める。次に、再生パワーＰｒ₂における超解像度の変化率Ｇ（Ｒ₂）を、
Ｇ（Ｒ₂）＝（Ｒ₂−Ｒ₁）／Ｒ₂
により求める。この操作を繰り返し行い、ｎ番目の再生における超解像度Ｒ_nが設定値以上かつその変化率Ｇ（Ｒ_n）＝（Ｒ_n−Ｒ_n-1）／Ｒ_nが設定値以下となれば、そのときのＰｒ_nを最適再生パワーとし、このパワーで光ディスクの再生を行う。なお、通常、再生パワーの増分（Ｐｒ_n−Ｐｒ_n-1）は一定値とする。そして、最適再生パワー設定に要する時間および設定の精度を考慮して、この増分は０．５〜２mWの範囲から選択することが望ましい。
【００２７】
本発明は、マスク層を有する超解像再生媒体のほか、マスク層を利用しない超解像再生媒体にも適用可能である。マスク層を利用しない超解像再生媒体であって、本発明が適用可能なものとしては、例えば本出願人による特願平１１−３０２５５８号に開示された光情報媒体が挙げられる。この光情報媒体は、特定の材料から構成され、かつ前記特定の材料のそれぞれに対応した特定の厚さをもつ機能層を有する。この機能層は、マスク層を有する従来の超解像再生媒体とは全く異なるメカニズムで、超解像再生を可能にする層である。前記特定の材料としては、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｐｔ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｔｅ、ＺｎおよびＢｉから選択される少なくとも１種の元素を含む単体もしくは合金またはその化合物を用いる。マスク層を用いる従来の超解像再生媒体では、マスク層への光学的開口の形成に対応して、マスク層において反射または透過する光の強度が変化する。すなわち、再生パワーを増大させていくと、特定の再生パワーとなったときにマスク層の反射率または透過率が変化する。これに対し上記機能層を有する超解像再生媒体では、再生光のパワーを増大させても機能層の反射率または透過率は変化しない。また、マスク層を有する超解像再生媒体では、上記第１の臨界パワーと第２の臨界パワーとの間における再出出力はほぼ一定であるが、上記機能層を有する超解像再生媒体では、通常、再生パワーの増大に伴って再生出力が上昇し、機能層が破壊されるパワーより低いパワーにおいて再生出力上昇が頭打ちになる。具体的には、再生パワーに対する短マーク再生出力の挙動は、例えば図２（Ａ）または図２（Ｂ）に示されるものとなる。
【００２８】
上記機能層を有する超解像再生媒体に本発明を適用する場合、再生出力が最大となる再生パワーを最適再生パワーに設定すると、図２（Ａ）および図２（Ｂ）からわかるように機能層の熱的ダメージが極めて大きくなる。そのため、短マーク再生出力が最大となる再生パワーではなく、上記超解像度の変化率が特定の値以下となる再生パワーを最適再生パワーとする本発明法は、特に有効である。
【００２９】
なお、再生パワーに対する短マーク再生出力の挙動が、図２（Ｃ）に例示されるものとなる場合、すなわち、比較的低い再生パワーＰｒ_S1において再生出力上昇率がいったん低くなり、その後、図２（Ａ）や図２（Ｂ）と同様に最大再生出力の手前の再生パワーＰｒ_S2において再び上昇率が低くなる場合に、本発明は特に有効である。この場合、再生パワー上昇に伴う短マーク再生出力の変化率だけを参照していると、低パワー側にある再生パワーＰｒ_S1を最適再生パワーとして誤って設定することがある。一方、本発明に従い、長マーク再生出力に対する短マーク再生出力の比の変化率を参照していれば、長マーク再生出力に対し短マーク再生出力が相対的に不十分である再生パワーＰｒ_S1を、最適再生パワーに設定してしまうことはない。
【００３０】
試験再生領域を設ける位置は特に限定されない。例えば本発明をディスク状媒体に適用する場合には、試験再生領域を媒体の内周部に設けても外周部に設けてもよい。また、試験再生領域における短マークと長マークとの配置パターンも特に限定されない。本発明において試験再生領域には、少なくとも短マークおよび長マークが設けられていればよいが、それ以外のマークが設けられていてもよい。
【００３１】
試験再生領域へのマークの形成方法は特に限定されない。例えば、再生専用型媒体および記録可能型媒体においては、基板製造時に基板に位相ピットを一体的に形成してマークとすることができる。また、位相ピットまたは反射率の異なるピットを、スクリーン印刷等のパターニング手段を利用して形成することもできる。一方、記録可能型媒体では、媒体製造後に、短マークおよび長マークを書き込んで、試験再生領域を形成することもできる。
【００３２】
なお、本発明では、データ記録領域に長マークが存在している必要はない。すなわち、記録情報を保持するマークはすべて短マークであってもよい。
【００３３】
本発明では、短マークおよび長マークを試験再生し、両者の再生出力に基づいて再生光の最適パワーを設定することを特徴とするため、両マークの交互再生を容易にするために、前記短マークと前記長マークとを試験再生領域にまとめて設けることが好ましい。ただし、本発明では、短マークの再生出力と長マークの再生出力とが得られればよいので、試験再生領域を独立して設けず、データ記録領域にあらかじめ設けた短マークおよび長マークを利用する構成としてもよい。データ記録領域にあらかじめ設けた短マークおよび長マークとしては、記録情報を保持するマークそのものを利用できる。ただし、記録情報を保持するマークに長マークが存在しない場合には、試験再生用の長マークをデータ記録領域に設けておく必要がある。
【００３４】
本発明が適用可能な超解像再生媒体は、マスク層を利用した媒体および前記機能層を利用した媒体に限らない。すなわち、本発明は、短マーク再生出力が再生パワーの影響を大きく受け、かつ、長マーク再生出力が再生パワーの影響を受けにくい超解像再生媒体であれば、超解像再生のメカニズムによらず適用できる。
【００３５】
【実施例】
前記特願平１１−３０２５５８号に開示された再生専用型光ディスクサンプルを作製した。この光ディスクは、ピットを有する基体上に機能層を設けたものである。基体には、射出成形により位相ピットを同時形成した直径１２０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネートを用いた。ピットは、基体の中心から半径２３．５〜２４．０mmの範囲内に設け、ここを試験再生領域とした。このピットは、１−７変調方式に基づくものであり、最短信号に相当するピット（前記短マークとして使用）の長さは２５０nm、最長信号に相当するピット（前記長マークとして使用）の長さは１０００nmである。なお、サンプルの所定位置には、上記試験再生領域の位置を示すアドレス信号が記録されているので、光ヘッドを試験再生領域まで移動させることが可能となっている。機能層は、スパッタ法により形成した厚さ１５nmのＳｉ層である。
【００３６】
このサンプルについて、光ディスク評価装置（レーザー波長６３４nm、開口数０．６０）を用い、線速度を１１m/sとして試験再生を行った。この試験再生では、前述した超解像度の変化率を判定基準とした。また、比較のために短マークのＣＮＲも測定した。各再生パワーにおける超解像度およびその変化率を、表１に示す。また、再生パワーと超解像度との関係を図３に、再生パワーとＣＮＲとの関係を図４に、それぞれ示す。なお、再生パワーを８mWとしたときには、機能層が破壊されて測定が不可能となった。
【００３７】
【表１】

【００３８】
図４に示すように、ＣＮＲは再生パワー５mWで約４２dBであり、再生パワーをそれ以上高くしてもＣＮＲの向上はわずかである。一方、再生パワー８mWで機能層は破壊される。したがって、ＣＮＲおよび機能層破壊に対するマージンを考慮すると、最適再生パワーは５mWとするのが適切である。
【００３９】
次に、超解像度およびその変化率に注目すると、図３に示されるように、再生パワーの上昇に伴って超解像度は上昇する。図３と図４との比較から、超解像度はＣＮＲとほぼ同じ挙動を示すことがわかる。一方、超解像度の変化率は、表１に示されるように再生パワーの上昇に伴って低下する。再生パワー５mWのときの超解像度の変化率は、１１．８％である。したがって、本実施例で用いた厚さ１５nmのＳｉ層からなる機能層を有する光ディスクにおいて、超解像度およびその変化率に基づいて最適再生パワーを求める場合、必要とされるＣＮＲに対応する下限値以上の超解像度を示し、かつ、超解像度の変化率が例えば０．１２以下となる最も低い再生パワーを、最適再生パワーに設定すればよいことがわかる。なお、この光ディスクにおいて必要とされるＣＮＲが３５dB以上である場合には、前記超解像度の下限値を０．０９付近に設定すればよく、ＣＮＲが４０dB以上必要な場合には、前記超解像度の下限値を０．１付近に設定すればよいことが、図３と図４との対照によりわかる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明では、光情報媒体について超解像再生を行うに際し、超解像再生を担うマスク層や機能層の熱的ダメージを軽減できる最適再生パワーを容易に設定できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】超解像再生媒体における再生パワーと再生出力との関係を示すグラフである。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、超解像再生媒体における再生パワーと再生出力との関係を示すグラフである。
【図３】超解像再生媒体における再生パワーと超解像度との関係を示すグラフである。
【図４】超解像再生媒体における再生パワーとＣＮＲとの関係を示すグラフである。

Claims (3)

1. 再生光の波長をλ、再生光学系の対物レンズの開口数をＮＡ、情報パターンを構成するマークのうち最短のものの長さをＬ_ＭＩＮとしたとき、
   Ｌ_ＭＩＮ＜λ／４ＮＡ
   が成立する条件で再生が行われる光情報媒体を再生するに際し、
   Ｌ_Ｓ＜λ／４ＮＡかつ
   Ｌ_Ｌ≧λ／４ＮＡ
   としたとき、長さＬ_Ｓの短マークと長さＬ_Ｌの長マークとを前記光情報媒体にあらかじめ形成しておき、前記短マークおよび長マークの再生を行い、次いで、再生パワーを段階的に上げながら、短マークおよび長マークの再生を繰り返し、長マーク再生出力に対する短マーク再生出力の比の変化率を参照して、再生光の最適パワーを求めるに際して、
   前記長マークの再生出力に対する短マークの再生出力を超解像度と定義し、初期パワーＰｒ _１ で試験再生を行い、その再生出力から再生パワーＰｒ _１ における超解像度Ｒ _１ を求め、次に、Ｐｒ _１ よりもやや高い再生パワーＰｒ _２ で同様に再生を行い、再生パワーＰｒ _２ における超解像度Ｒ _２ を求め、次に、再生パワーＰｒ _２ における超解像度の変化率Ｇ（Ｒ _２ ）を、
   Ｇ（Ｒ _２ ）＝（Ｒ _２ −Ｒ _１ ）／Ｒ _２ により求め、この操作を繰り返し行い、ｎ番目の再生における超解像度Ｒ _ｎ が設定値以上
   かつその変化率
   Ｇ（Ｒ _ｎ ）＝（Ｒ _ｎ −Ｒ _ｎ−１ ）／Ｒ _ｎ
   が設定値以下となるときのＰｒ _ｎ を最適再生パワーとすることを特徴とする光情報媒体の再生方法。
2. 前記光情報媒体は、データ記録領域および試験再生領域を有し、前記試験再生領域に前記短マークと前記長マークとがあらかじめ形成されている請求項１の光情報媒体の再生方法。
3. 前記再生パワーの増分（Ｐｒ_ｎ−Ｐｒ_ｎ−１）は０．５〜２ｍＷの範囲から選択することを特徴とする請求項１又は２の光情報媒体の再生方法。

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