JPWO2009057573A1 - 液晶組成物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以上のように、高品位な液晶組成物をより簡素な設備で、効率的に製造する方法の開発が望まれていた。
本願発明の製造方法は、有機溶媒等の溶剤を用いることなく、少なくとも1種の融点が30℃より大きい2種以上の液晶化合物を含む液晶化合物にマイクロ波を照射することにより、効率的に液晶組成物を製造するものである。特に、2種の融点が30℃より大きい2種以上の液晶化合物を用いた液晶組成物の製造に有効であり、5種以上の融点が30℃より大きい2種以上の液晶化合物を用いた液晶組成物の製造にさらに有効である。
融点が30℃以上の化合物の含有率は、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましく、80%以上が特に好ましい。
マイクロ波の照射時間は、1時間以下であることが好ましく、30分以下であることがより好ましい。マイクロ波照射時の温度はあまり高いと製造される組成物の品質が低下し、低すぎると製造に時間が掛かるため最適な温度がある。よって、40℃から、製造される液晶組成物の液晶相上限温度+50℃の範囲であることが好ましく、+30℃の範囲であることがより好ましい。
本願発明の製造方法は、低い温度で液晶組成物の製造が可能であるため、通常の大気雰囲気下でも高品位の液晶組成物を製造することが可能である。しかしながら、より高品位の液晶組成物を製造するために、マイクロ波の照射を密閉条件下で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行うことがより好ましい。不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス、窒素ガス等が好適に使用できる。
本願発明の製造方法は減圧手段を用いる必要はないが、製造する組成物を減圧状態においても適用することが可能である。
液晶化合物の分子量としては、300以下の化合物を含有することが好ましく、250以下の化合物を含有することがより好ましい。
構成される化合物としては具体的には、一般式(I)で表される化合物が好ましい。
本願発明の製造方法によってTFT用液晶組成物を製造する場合、一般式(I)で表される化合物において、R1及びR2はそれぞれ独立してフッ素原子、炭素原子数1〜16のアルキル基又は炭素原子数2〜16のアルケニル基を表す化合物が好ましい。この場合、得られた液晶組成物は高い電圧保持率を有する。
マイクロ波の照射は富士電波工機社製のマイクロ波照射装置(特注品)を用いて行った(高周波出力:6kW、発振周波数:2450MHz±50MHz)。作製した液晶組成物の分析には以下の装置を用いた。
ガスクロマトグラフィー:HEWLETT PACKARD 社製 HP6890
信頼性の確認には液晶組成物の比抵抗を測定、ガスクロマトグラフィーによる不純物の生成及び配合した化合物の分解の確認、電圧保持率や電流値、物性値の測定によって行った。
以下の化合物により構成される、液晶組成物(STN1、液晶上限温度95.1℃)の製造を行った。
作製した液晶組成物の比抵抗を測定すると、1.1×1011Ωcmであった。また作製した液晶組成物をガスクロマトグラフィーで分析したところ、配合した化合物以外の物質は混入・生成しておらず、配合した化合物の分解も見られなかった。作製した液晶組成物の物性を測定したところ所望の特性が得られた。この液晶をSTNパネルに注入し電気光学的特性を測定したところ所望の特性が得られた。以上より、実施例1の液晶組成物は非常に高い信頼性を有していることが明らかである。
本願発明の製造方法は、大がかりな設備を必要とすることなく40分間で高品質の液晶組成物の製造が可能であった。
実施例1と同じ液晶組成物(STN1)を特開2002−194356号広報に記載されている方法に従い製造を行った。
なす型フラスコに所定の液晶化合物を計量した。このなす型フラスコをロータリーエバポレータに取り付けた。なす型フラスコを50℃のオイルバスに浸し、回転させた。ロータリーエバポレータを真空ポンプにより5分かけてゆっくりと20kPaに減圧した。オイルバスの温度を110℃に設定し5℃/minにより昇温した。液晶が液体状態に変化し透明になってから30分後、オイルバスを水浴に変え冷却した。室温まで下がった後、回転を止め、減圧を停止した。フラスコ内をチッソガスに置換することにより大気圧に戻した後、なす型フラスコをロータリーエバポレータから取り外し、ネマチック液晶状態のSTN1を100g得た。
実施例1と同じ液晶組成物(STN1)を特開平5−105876号広報に記載されている方法に従い製造を行った。
なす型フラスコに所定の液晶化合物を計量した。このなす型フラスコの中に磁石式回転子をいれ、50℃のホットプレートに置き、ホットプレートの温度を5℃/minで110℃に昇温しながら回転子を回転させることにより撹拌した。液晶が液体状態に変化し透明になってから30分後ホットプレートの加熱を止め、徐々に室温に戻した。ネマチック液晶状態のSTN1を100g得た。
以下の化合物により構成される、液晶組成物(TFT1、液晶上限温度68.0℃)の製造を行った。
本願発明の製造方法は、大がかりな設備を必要とすることなく40分間で高品質の液晶組成物の製造が可能であった。以上より、実施例2の液晶組成物は非常に高い信頼性を有していることが明らかである。
実施例2と同じ液晶組成物(TFT1)を特開2002−194356号広報に記載されている方法に従い製造を行った。
なす型フラスコに所定の液晶化合物を計量した。このなす型フラスコをロータリーエバポレータに取り付けた。なす型フラスコを50℃のオイルバスに浸し、回転させた。ロータリーエバポレータを真空ポンプにより5分かけてゆっくりと20kPaに減圧した。オイルバスの温度を85℃に設定し5℃/minにより昇温した。液晶が液体状態に変化し透明になってから30分後、オイルバスを水浴に変え冷却した。室温まで下がった後、回転を止め、減圧を停止した。フラスコ内をチッソガスに置換することにより大気圧に戻した後、なす型フラスコをロータリーエバポレータから取り外し、ネマチック液晶状態のTFT1を100g得た。
実施例2と同じ液晶組成物(TFT1)を特開平5−105876号広報に記載されている方法に従い製造を行った。
なす型フラスコに所定の液晶化合物を計量した。このなす型フラスコの中に磁石式回転子をいれ、50℃のホットプレートに置き、ホットプレートの温度を5℃/minで85℃に昇温しながら回転子を回転させることにより撹拌した。液晶が液体状態に変化し透明になってから30分後ホットプレートの加熱を止め、徐々に室温に戻した。ネマチック液晶状態のTFT1を100g得た。
Claims (7)
- 少なくとも1種の融点が30℃より大きい2種以上の液晶化合物にマイクロ波を照射することを特徴とする液晶組成物の製造方法。
- 液晶化合物の内、少なくとも2種の融点が30℃より大きい請求項1記載の製造方法。
- マイクロ波の照射時間が1時間以下である請求項1記載の製造方法。
- マイクロ波の照射を減圧下に行う請求項1記載の製造方法。
- マイクロ波の照射を不活性ガス雰囲気化で行う請求項1記載の製造方法。
- マイクロ波照射時の温度が、40℃から、製造される液晶組成物の液晶相上限温度+50℃の範囲である請求項1記載の製造方法。
- 減圧状態を大気圧に戻す際に不活性ガスを用いる請求項4記載の製造方法。
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