JPWO2009054240A1 - ジスルホン酸化合物の製法、不斉マンニッヒ触媒、β−アミノカルボニル誘導体の製法及び新規なジスルホン酸塩 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明のジスルホン酸化合物の製法に用いられる光学活性な1,1’−ビアリール−2,2’−ジチオール化合物は、軸不斉を持つ1,1’−ビアリールの立体化学によってR体とS体とが存在する。ここでは、(R)−1,1’−ビアリール−2,2’−ジチオール化合物を用いてもよいし、(S)−1,1’−ビアリール−2,2’−ジチオール化合物を用いてもよい。ここで、1,1’−ビアリール−2,2’−ジチオール化合物のビアリールは、芳香族炭化水素環骨格を有するものであればよく、例えばビフェニル、ビナフチル、ビフェナントリルなどが挙げられる。このうち、ビナフチルが好ましい。なお、ビアリールは、置換基を有していても有していなくてもよいが、例えばビナフチルが置換基を有する場合には3,3’,6,6’位の少なくとも1つに置換基を有していてもよい。
本発明の不斉マンニッヒ触媒に用いられる光学活性な1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸化合物は、不斉軸(キラル軸)を持つ1,1’−ビナフチルの立体化学によってR体とS体とが存在する。ここでは、(R)−1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸を用いてもよいし、(S)−1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸を用いてもよいし、これらのナフタレン環に置換基を有するものを用いてもよい。こうした光学活性な1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸化合物は、例えば、光学活性な1,1’−ビナフトールを出発物質とし、そのジオール部位をジチオールに変換した後、そのジチオールをジスルホン酸に酸化することにより得られる。ジチオールの酸化は、重クロム酸カリウムなどの重金属を含む酸化剤を用いても進行する可能性があるが、こうした酸化剤は環境への負荷が高く廃液処理上の問題があるため好ましくない。一方、一般的に使用される種々の酸化剤によるジチオールの酸化を試みたところ、空気酸化(O2酸化)を除き、ほとんど反応が進行しないか多数の生成物が得られ単離できなかった。このため、ジチオールは空気酸化によりジスルホン酸に変換することが好ましい。なお、1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸のナフタレン環は置換基を有していてもよいが、触媒の構造をできるだけシンプルにすることを考慮すればナフタレン環は無置換であることが好ましい。
本発明のβ−アミノカルボニル誘導体の製法で用いられる不斉マンニッヒ触媒の使用量は特に限定されるものではないが、例えば反応基質に対して0.1〜10モル%とすることが好ましい、1〜5モル%とすることがより好ましい。0.1モル%未満では鏡像体過剰率が低下するおそれがあるため好ましくなく10モル%を超えても収率や鏡像体過剰率が大きく向上することがなく経済的でないため好ましくない。但し、反応基質と不斉マンニッヒ触媒との組み合わせによってはこの数値を外れても良好な結果が得られることがある。
実施例A−1の化合物3から化合物4への酸化において、化合物3に対して6当量の水酸化カリウムを用いる代わりに3当量の水酸化カリウムを用いた以外は、実施例A−1と同様にして反応を行った。そうしたところ、化合物4が収率66%で得られた。
実施例A−1の化合物3から化合物4への酸化において、7気圧の酸素下の代わりに5気圧の酸素下という条件を採用した以外は、実施例A−1と同様にして反応を行った。そうしたところ、化合物4が収率55%で得られた。
実施例A−1の化合物3から化合物4への酸化において、7気圧の酸素下で5日間という条件の代わりに1気圧の酸素下で8日間という条件を採用した以外は、実施例A−1と同様にして反応を行った。この実験を繰り返し行ったところ、化合物4が収率42%で得られたときもあったが、5%未満しか得られないときもあった。なお、この酸化条件は、Tetrahedron, vol.21, p2271-2280(1965)におけるモノチオール酸化の条件と略同じである。
実施例A−1の化合物3から化合物4への酸化において、酸素を用いる代わりにオキソン(Oxone,デュポン(株)の商品名)を用いた。すなわち、アセトニトリルと水との混合溶媒(体積比2:1)に、化合物3とオキソン(化合物3に対して20当量)とを加え、室温で24時間反応させた。そうしたところ、化合物4は約10%しか得られなかった。
実施例A−1の化合物3から化合物4への酸化において、酸素を用いる代わりにクロム酸(CrO3)を用いた。すなわち、酢酸と水との混合溶媒(体積比2:1)に、化合物3とクロム酸(化合物3に対して10当量)とを加え、室温で14時間反応させた。そうしたところ、反応生成物は多数の混合物となり、化合物4を単離することはできなかった。
実施例A−1の化合物3から化合物4への酸化において、酸素を用いる代わりに過ヨウ素酸ナトリウム(NaIO4)を用いた。すなわち、四塩化炭素とアセトニトリルと水との混合溶媒(体積比2:2:3)に、化合物3と過ヨウ素酸ナトリウム(化合物3に対して10当量)と三塩化ルテニウム(RuCl3)(化合物3に対して5mol%)を加え、室温で24時間反応させた。そうしたところ、反応生成物は多数の混合物となり、化合物4を単離することはできなかった。
[実施例B−1]
不斉マンニッヒ触媒を以下のようにして調製し、単離した(化2参照)。すなわち、窒素雰囲気下、化合物5(0.414g,1mmol)と2,6−ジフェニルピリジン(0.462g,2mmol)を入れた反応容器に脱水したアセトニトリル(10mL)を加え、この溶液を室温にて2時間撹拌した。その後、溶媒を減圧留去し、1−2Torrに減圧乾燥することにより、光学活性1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸アンモニウム塩(化合物6)を収率100%(0.87g)で得た。化合物6のスペクトルデータを以下に示す。
実施例B−1の2,6−ジフェニルピリジンの使用量を1mmolとした以外は、実施例B−1と同様にして不斉マンニッヒ触媒(化合物7)を単離した(化2参照)。化合物7のスペクトルデータを以下に示す。
β−アミノカルボニル誘導体を不斉マンニッヒ反応により合成した(化3参照)。すなわち、窒素雰囲気下、(R)−1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸(5.2mg,0.0125mmol)と2,6−ジフェニルピリジン(5.8mg,0.025mmol)を入れたシュレンク反応管に、蒸留したアセトニトリル(2mL)を加え、室温にて15分撹拌した。その後、溶媒を減圧留去し、1−2Torrにて1時間乾燥した。その後、蒸留したCH2Cl2(1.5mL)を加え、室温にて30分撹拌した。この溶液を0℃に冷却し、窒素がCbzで保護されたベンズアルデヒドイミン(化合物8)(59.8mg,0.25mmol in 0.5mL of CH2Cl2)、次いでアセチルアセトン(27.5mg,0.275mmol in 0.5mL of CH2Cl2)を1時間かけて滴下し、滴下後さらに0℃にて30分撹拌した。反応終了をTLCで確認の上、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(10mL)を加え、室温に戻した。この溶液から酢酸エチル(15mL×2)で抽出を行い、抽出した有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液(10mL)で洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、乾燥後の有機層をセライトを用いてろ過した後、溶媒を減圧留去した。得られた濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィ(ヘキサン/酢酸エチル=3/1)を通して精製し、化3に示すβ−アミノカルボニル誘導体(化合物9)を収率74%で得た。さらに、キラルカラム(AD−H)を充填した高速液体クロマトグラフィ(ヘキサン/エタノール=9/1,1.0mL/min)により、生成物の鏡像体過剰率を92%eeと決定した。化合物9のスペクトルデータを以下に示す。
実施例B−3ではアルジミン化合物として窒素がCbzで保護されたベンズアルデヒドイミン(化合物8)を用いたが、その代わりに、窒素がBocで保護されたベンズアルデヒドイミンを用いた以外は、実施例B−3と同様にして不斉マンニッヒ反応を行った。その結果、対応するβ−アミノカルボニル誘導体(化合物9のCbzの代わりにBocが窒素に結合したもの)を収率83%、鏡像体過剰率85%eeで得た。化合物11のスペクトルデータを以下に示す。
実施例B−3ではアルジミン化合物として窒素がCbzで保護されたベンズアルデヒドイミン(化合物8)を用いたが、その代わりに、窒素がTrocで保護されたベンズアルデヒドイミンを用いると共に2,6−ジフェニルピリジンを1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸に対して2.6当量用いた以外は、実施例B−3と同様にして不斉マンニッヒ反応を行った。その結果、対応するβ−アミノカルボニル誘導体(化合物9のCbzの代わりにTrocが窒素に結合したもの)を収率87%、鏡像体過剰率58%eeで得た。
実施例B−3では1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸に対して2,6−ジフェニルピリジンを2当量用いたが、比較例B−1〜3,実施例B−6〜10ではこの当量数nを表1に示す値として不斉マンニッヒ反応を行った。その結果を表1に示す(表1には実施例B−3の結果も加えた)。表1から明らかなように、1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸のみを用いた場合(比較例B−1)や当量数nが0.25や0.5の場合(比較例B−2,3)には、β−アミノカルボニル誘導体が高収率で得られるものの鏡像体過剰率はきわめて低かった。これに対して、当量数nが0.75以上3以下の場合(実施例B−3,6〜10)には、β−アミノカルボニル誘導体が高い収率で得られ、しかも鏡像体過剰率も高かった。なお、当量数nが3の場合(実施例B−10)には、収率が低下する傾向が見られた。その原因は、アミン(2,6−ジフェニルピリジン)が多すぎて酸性度が低下したことにあると推察される。
実施例B−3では不斉マンニッヒ反応の溶媒として塩化メチレンを用いたが、実施例B−11ではTHF、実施例B−12ではアセトニトリルを用いた。その結果、表2に示すように、いずれもβ−アミノカルボニル誘導体が高い収率で得られ、しかも鏡像体過剰率も高かった。
実施例B−4では1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸と2当量の2,6−ジフェニルピリジンを用いて不斉マンニッヒ触媒を調製したが、実施例B−13〜21では表3に示す種々のアミンをn当量用いて不斉マンニッヒ触媒を調製した以外は、実施例B−4と同様にして、窒素がBocで保護されたベンズアルデヒドイミンを基質とする不斉マンニッヒ反応を行った。その結果を表3に示す。表3から明らかなように、実施例B−13〜21によればβ−アミノカルボニル誘導体が高い収率で得られ、また鏡像体過剰率も良好であった。
実施例B−3のアセチルアセトンの代わりにアセト酢酸メチルを用いた以外は、実施例B−3と同様にして、窒素がCbzで保護されたベンズアルデヒドイミンを基質とする不斉マンニッヒ反応を行った(化5参照)。その結果、対応するβ−アミノカルボニル誘導体が収率58%で得られた。このときのジアステレオ比(dr)と鏡像体過剰率(ee)を化5に示す。
(R)−1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸(0.0025mmol)と2,6−ジフェニルピリジン(0.005mmol)とをアセトニトリル中で撹拌した後、溶媒を減圧留去した。その後、硫酸マグネシウム(0.42mmol)と蒸留したCH2Cl2を加え、室温にて30分撹拌した。この溶液を0℃に冷却し、窒素がCbzで保護されたベンズアルデヒドイミン(0.375mmol in 0.5mL of CH2Cl2)、次いでアセチルアセトン(0.25mmol in 0.5mL of CH2Cl2)を1時間かけて滴下し、滴下後さらに0℃にて30分撹拌した。これにより、対応するβ−アミノカルボニル誘導体を収率91%、鏡像体過剰率90%eeで得た。
実施例B−23に準じて実施例B−24〜32の反応を行った。すなわち、表4に示す各種の基質(アルジミン化合物及びカルボニル化合物)を用いて不斉マンニッヒ反応を行った。その結果を表4に示す(表4には、実施例B−23の結果も併せて示した)。なお、収率はカルボニル化合物を基準に算出した。表4から明らかなように、いずれの実施例においても、対応するβ−アミノカルボニル誘導体が高い収率で得られ、しかも鏡像体過剰率も高かった。
実施例B−3の2,6−ジフェニルピリジンの代わりに2,6−ジ−tert−ブチルピリジンを用いた以外は、実施例B−3と同様にして不斉マンニッヒ反応を行った。その結果、対応するβ−アミノカルボニル誘導体(化合物9)を収率32%、鏡像体過剰率76%eeで得た。
表5に併せて示した式のように、ベンズアルデヒドイミン(化合物8)とオキサゾリジノン誘導体(ケトアミド、化合物12)との反応を行った。前者は後者の1.5当量使用した。また、実施例B−34では、(R)−1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸(5mol%)と2,6−ジフェニルピリジン(10mol%)を使用し、実施例B−35では、(R)−1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸(5mol%)と2,6−ジ(2,4,6−メシチル)ピリジン(10mol%)を使用した。その結果を表5に示す。
Claims (16)
- 軸不斉を有する光学活性な1,1’−ビアリール−2,2’−ジチオール化合物を強塩基の存在下、加圧酸素で酸化することにより、対応する光学活性なジスルホン酸化合物の塩を得る、
ジスルホン酸化合物の製法。 - 前記強塩基は、アルカリ金属の水酸化物であり、前記ジチオール化合物に対して3当量以上用いる、
請求項1に記載のジスルホン酸化合物の製法。 - 前記加圧酸素は、5気圧以上の酸素である、
請求項1又は2に記載のジスルホン酸化合物の製法。 - 前記1,1’−ビアリール−2,2’−ジチオール化合物を極性非プロトン溶媒中で酸化する、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のジスルホン酸化合物の製法。 - 反応温度を50〜100℃とする、
請求項1〜4のいずれか1項に記載のジスルホン酸化合物の製法。 - 前記ジスルホン酸化合物の塩をカラムを通して精製したあと陽イオン交換樹脂を通すことによりフリーの前記ジスルホン酸化合物を得る、
請求項1〜5のいずれか1項に記載のジスルホン酸化合物の製法。 - 前記1,1’−ビアリール−2,2’−ジチオール化合物は、1,1’−ビナフチル−2,2’−ジチオール化合物である、
請求項1〜6のいずれか1項に記載のジスルホン酸化合物の製法。 - 光学活性な1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸化合物と2,6−二置換ピリジン(置換基はアリール基又は分岐を有するアルキル基)とをモル比で1:0.75〜3となるように混合した混合物である、
不斉マンニッヒ触媒。 - 前記モル比は1:1〜2.5である、
請求項8に記載の不斉マンニッヒ触媒。 - 請求項8又は9に記載の不斉マンニッヒ触媒。
前記2,6−二置換ピリジンは、2,6位の置換基が、フェニル基であるか、分岐を有していてもよいアルキル基を有するフェニル基であるか、フェニル基を有するフェニル基である、
請求項8又は9に記載の不斉マンニッヒ触媒。 - 請求項8〜10のいずれか1項に記載の不斉マンニッヒ触媒の存在下、Ar−CH=NR1(Arはアリール基であり、R1はtert−ブトキシカルボニル(Boc)、ベンジルオキシカルボニル(Cbz)又は2,2,2−トリクロロエトキシカルボニル(Troc))で表されるアルジミン化合物とカルボニル化合物とのマンニッヒ反応により、光学活性なβ−アミノカルボニル誘導体を得る、
β−アミノカルボニル誘導体の製法。 - 前記カルボニル化合物は、1,3−ジケトン又は1,3−ケトエステルである、
請求項11に記載のβ−アミノカルボニル誘導体の製法。 - 前記マンニッヒ反応では、反応溶媒としてハロゲン化炭化水素系溶媒、ニトリル系溶媒又は環状エーテル系溶媒を用いる、
請求項11又は12に記載のβ−アミノカルボニル誘導体の製法。 - 前記マンニッヒ反応では、反応温度を−40〜50℃に設定する、
請求項11〜13のいずれか1項に記載のβ−アミノカルボニル誘導体の製法。 - 前記マンニッヒ反応は、乾燥剤の存在下で行われる、
請求項11〜14のいずれか1項に記載のβ−アミノカルボニル誘導体の製法。 - 光学活性な1,1’−ビナフチル−2,2’−ジスルホン酸化合物と2,6−二置換ピリジン(置換基はアリール基又は分岐を有するアルキル基)との塩である、
新規なジスルホン酸塩。
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