JPWO2009025147A1 - 裏面接合型太陽電池、配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 159
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 88
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 88
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 88
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 15
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
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- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
- B32B17/10018—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
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- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
- B32B17/10788—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing ethylene vinylacetate
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Abstract
Description
図1に、本発明の裏面接合型太陽電池の一例の裏面の模式的な平面図を示す。ここで、本発明の裏面接合型太陽電池は、図1に示す矢印200の方向に沿って、n型のシリコン基板101の裏面にp型不純物が導入された帯状の領域であるp型の第1導電型領域(以下、「p型領域」という)111と、シリコン基板101の裏面にn型不純物が導入された帯状の領域であるn型の第2導電型領域(以下、「n型領域」という)112とが交互に配列するようにして形成されている。
図5に、本発明の裏面接合型太陽電池の他の一例の裏面の模式的な平面図を示す。ここで、図5に示す裏面接合型太陽電池においては、図5に示す矢印200の方向(p型領域111とn型領域112との配列方向)において隣り合っている帯状のフィンガーp電極121のそれぞれの表面上に絶縁層が形成された領域である四角形状の第1非接続領域141が直線上に並ぶように形成されており、図5に示す矢印200の方向(p型領域111とn型領域112との配列方向)において隣り合っている帯状のフィンガーn電極122のそれぞれの表面上には絶縁層が形成された領域である四角形状の第2非接続領域142が直線上に並ぶように形成されている点に特徴がある。また、第1非接続領域141は、1本のフィンガーp電極121につき、図5に示す矢印201の方向(フィンガーp電
極121の長手方向)に沿って所定の間隔をあけて2つずつ形成されている。また、第2非接続領域142は、1本のフィンガーn電極122につき、図5に示す矢印201の方向(フィンガーp電極121の長手方向)に沿って所定の間隔をあけて2つずつ形成されている。なお、第1非接続領域141および第2非接続領域142の数、位置および形状等はそれぞれ図5に示す構成に限定されないことは言うまでもない。
以下に、本発明の配線基板付き裏面接合型太陽電池の一例について説明する。ここで、本発明の配線基板付き裏面接合型太陽電池は、上記の裏面接合型太陽電池と、絶縁性基板と絶縁性基板の表面上に形成された導電性の配線材とを有する配線基板とを少なくとも備えている。
図17に、本発明の配線基板付き裏面接合型太陽電池の他の一例の裏面の模式的な平面図を示す。図17に示す構成の本発明の配線基板付き裏面接合型太陽電池においては、実施の形態2で説明した構成の裏面接合型太陽電池100が用いられている点で実施の形態3と相違している。
なお、上記の実施の形態1〜4において、半導体基板としてシリコン基板を用いたが、本発明においては、半導体基板はシリコン基板に限定されないことは言うまでもない。
図1に示す裏面を有する裏面接合型太陽電池を作製した。ここで、この裏面接合型太陽電池としては、1辺が125mmの正方形状の表面を有するシリコン基板を用いて、120mm×100mmの大きさの表面を有するものが作製された。また、裏面接合型太陽電池のシリコン基板の裏面のn型不純物が拡散して形成されたn型領域の幅が300μm、p型不純物が拡散して形成されたp型領域の幅が1000μm、上記のn型領域とp型領域とのピッチが1.5mm、n型領域に接触するフィンガーn電極の幅が200μm、p型領域に接触するフィンガーp電極の幅が400μmであり、フィンガーn電極とフィンガーp電極との間のピッチが1.5mmであった。
図5に示す裏面を有する裏面接合型太陽電池を作製した。なお、この裏面接合型太陽電池の作製に用いたシリコン基板の大きさ、裏面接合型太陽電池の大きさ、n型領域の幅、p型領域の幅、n型領域とp型領域とのピッチ、フィンガーn電極の幅、フィンガーp電極の幅およびフィンガーn電極とフィンガーp電極との間のピッチは実施例1と同様とした。
図10に示す裏面を有する裏面接合型太陽電池(比較例の裏面接合型太陽電池)を作製した。なお、この裏面接合型太陽電池の作製に用いたシリコン基板の大きさ、裏面接合型太陽電池の大きさ、n型領域の幅、p型領域の幅、n型領域とp型領域とのピッチ、フィンガーn電極の幅、およびフィンガーn電極とフィンガーp電極との間のピッチは実施例1と同様とし、フィンガーp電極の幅は800μmに変更した。
Claims (18)
- 裏面接合型太陽電池であって、
半導体基板(101)の一方の表面において第1導電型領域(111)と第2導電型領域(112)とが交互に形成され、
前記第1導電型領域(111)上に設置された第1導電型用電極(121)と、
前記第2導電型領域(112)上に設置された第2導電型用電極(122)と、を含み、
前記第1導電型領域(111)と前記第2導電型領域(112)との配列方向において隣り合う前記第2導電型用電極(122)の間に前記第1導電型用電極(121)との電気的な接続を妨げる領域である第1の非接続領域(141)と、
前記第1導電型領域(111)と前記第2導電型領域(112)との配列方向において隣り合う前記第1導電型用電極(121)の間に前記第2導電型用電極(122)との電気的な接続を妨げる領域である第2の非接続領域(142)と、
を有する、裏面接合型太陽電池。 - 前記第1の非接続領域(141)は、前記第1導電型用電極(121)が前記第1導電型領域(111)上に設置されていない領域および前記第1導電型用電極(121)の表面上に絶縁層が形成されている領域の少なくとも一方であることを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記第2の非接続領域(142)は、前記第2導電型用電極(122)が前記第2導電型領域(112)上に設置されていない領域および前記第2導電型用電極(122)の表面上に絶縁層が形成されている領域の少なくとも一方であることを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記第1導電型領域(111)と前記第2導電型領域(112)との配列方向において前記第1の非接続領域(141)と前記第2導電型用電極(122)とが隣り合っていることを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記第1導電型領域(111)と前記第2導電型領域(112)との配列方向において前記第2の非接続領域(142)と前記第1導電型用電極(121)とが隣り合っていることを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記半導体基板(101)の表面に直交する軸を回転軸として前記半導体基板(101)を180°回転させたときに、前記第1導電型用電極(121)の形状および前記第2導電型用電極(122)の形状がそれぞれ前記回転前と前記回転後とで同一または対称となることを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記半導体基板(101)が第1導電型である場合には前記第2導電型領域(112)の面積が前記第1導電型領域(111)の面積よりも大きく、前記半導体基板(101)が第2導電型である場合には前記第1導電型領域(111)の面積が前記第2導電型領域(112)の面積よりも大きいことを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記第1導電型用電極(121)の形状が、前記第1導電型領域(111)と前記第2導電型領域(112)との配列方向に直交する方向に伸びる帯状となっていることを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記第2導電型用電極(122)の形状が、前記第1導電型領域(111)と前記第2導電型領域(112)との配列方向に直交する方向に伸びる帯状となっていることを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記第1導電型用電極(121)同士を電気的に接続する第1のインターコネクタ(131)および前記第2導電型用電極(122)同士を電気的に接続する第2のインターコネクタ(132)の少なくとも一方を備えたことを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記第1導電型用電極(121)の形状が前記第1導電型領域(111)と前記第2導電型領域(112)との配列方向に直交する方向に伸びる帯状となっており、前記第1のインターコネクタ(131)が前記第1導電型用電極(121)の長手方向に直交する方向に接続されていることを特徴とする、請求の範囲第10項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記第2導電型用電極(122)の形状が前記第1導電型領域(111)と前記第2導電型領域(112)との配列方向に直交する方向に伸びる帯状となっており、前記第2のインターコネクタ(132)が前記第2導電型用電極(122)の長手方向に直交する方向に接続されていることを特徴とする、請求の範囲第10項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 前記半導体基板(101)がn型であって、前記第1導電型がn型であり、前記第2導電型がp型であることを特徴とする、請求の範囲第10項に記載の裏面接合型太陽電池。
- 請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池を含む、太陽電池ストリング。
- 請求の範囲第14項に記載の太陽電池ストリングが樹脂に封止されてなる、太陽電池モジュール。
- 請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池と、
絶縁性基板(151)と前記絶縁性基板(151)の表面上に形成された導電性の配線材(152)とを有する配線基板(150)とを備え、
前記裏面接合型太陽電池は、前記配線基板(150)の前記配線材(152)上に設置されており、
前記裏面接合型太陽電池は、前記第1導電型用電極(121)を複数含むとともに、前記第2導電型用電極(122)を複数含み、
前記裏面接合型太陽電池においては、前記第1導電型用電極(121)同士が前記配線基板(150)の配線材(152)によって電気的に接続されているとともに、前記第2導電型用電極(122)同士が前記第1導電型用電極(121)同士を電気的に接続する前記配線材(152)とは異なる配線材(152)によって電気的に接続されている、配線基板付き裏面接合型太陽電池。 - 請求の範囲第1項に記載の裏面接合型太陽電池の複数と、
絶縁性基板(151)と前記絶縁性基板(151)の表面上に形成された導電性の配線材(152)とを有する配線基板(150)とを備え、
前記裏面接合型太陽電池の複数はそれぞれ、前記配線基板(150)の前記配線材(152)上に設置されており、
前記裏面接合型太陽電池はそれぞれ、前記第1導電型用電極(121)を複数含むとともに、前記第2導電型用電極(122)を複数含み、
前記裏面接合型太陽電池の複数のそれぞれにおいては、前記第1導電型用電極(121)同士が前記配線基板(150)の配線材(152)によって電気的に接続されるとともに、前記第2導電型用電極(122)同士が前記第1導電型用電極(121)同士を電気的に接続する前記配線材(152)とは異なる配線材(152)によって電気的に接続されており、
前記第1導電型用電極(121)同士を電気的に接続する前記配線材(152)は、隣り合う他の裏面接合型太陽電池の第2導電型用電極(122)同士を電気的に接続する配線材(152)でもあり、
前記第2導電型用電極(122)同士を電気的に接続する前記配線材(152)は、隣り合う他の裏面接合型太陽電池の第1導電型用電極(121)同士を電気的に接続する配線材(152)でもある、太陽電池ストリング。 - 請求の範囲第17項に記載の太陽電池ストリングが樹脂に封止されてなる、太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009528987A JP5093821B2 (ja) | 2007-08-23 | 2008-07-25 | 配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007216969 | 2007-08-23 | ||
JP2007216969 | 2007-08-23 | ||
PCT/JP2008/063370 WO2009025147A1 (ja) | 2007-08-23 | 2008-07-25 | 裏面接合型太陽電池、配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
JP2009528987A JP5093821B2 (ja) | 2007-08-23 | 2008-07-25 | 配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009025147A1 true JPWO2009025147A1 (ja) | 2010-11-18 |
JP5093821B2 JP5093821B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=40378055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009528987A Active JP5093821B2 (ja) | 2007-08-23 | 2008-07-25 | 配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110120530A1 (ja) |
EP (1) | EP2184787A1 (ja) |
JP (1) | JP5093821B2 (ja) |
WO (1) | WO2009025147A1 (ja) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2654089A3 (en) | 2007-02-16 | 2015-08-12 | Nanogram Corporation | Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes |
JP5410050B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-02-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
KR101135591B1 (ko) | 2009-03-11 | 2012-04-19 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 태양 전지 모듈 |
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KR101231361B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2013-02-07 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR101218523B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2013-01-21 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR101231441B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2013-02-07 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR101218416B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2013-01-21 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR101231314B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2013-02-07 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 모듈 |
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JP7009172B2 (ja) | 2017-11-14 | 2022-01-25 | シャープ株式会社 | 光電変換装置、およびそれを備える太陽電池ストリング |
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-
2008
- 2008-07-25 US US12/674,797 patent/US20110120530A1/en not_active Abandoned
- 2008-07-25 EP EP08791614A patent/EP2184787A1/en not_active Withdrawn
- 2008-07-25 WO PCT/JP2008/063370 patent/WO2009025147A1/ja active Application Filing
- 2008-07-25 JP JP2009528987A patent/JP5093821B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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