JPWO2008075714A1 - 薄膜電子デバイス接合基板の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

薄膜電子デバイス接合基板の製造方法であって、第１基板（１０）上に薄膜電子デバイス（４，５）を作製する電子デバイス作製工程と、前記薄膜電子デバイス（４，５）の表面に金属アルコキシド層（３）を形成する表面活性化処理工程と、前記金属アルコキシド層（３）を介して、前記薄膜電子デバイス（４，５）に第２基板（２）を接着する基板接着工程と、前記第１基板（１０）から前記薄膜電子デバイス（４，５）を剥離する剥離工程と、を含む。

Description

本発明は、基板上に薄膜電子デバイスを接合してなる薄膜電子デバイス接合基板の製造方法、及び電子機器に関する。
本願は、２００６年１２月２１日に出願された特願２００６−３４４０１０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
薄膜回路装置は、半導体素子等の薄膜電子デバイスが基板表面に設けられて、薄膜回路層が形成されたことによって構成されている。薄膜回路層を形成する基板としては、単結晶シリコンウエハ、石英ガラス基板、耐熱ガラス基板等の無機基板や、樹脂フィルム等の有機基板が用いられる。また、必要とされる薄膜回路装置の性能や機能に応じて適切な材質が選択される。なかでも、樹脂フィルムを基板に用いた薄膜回路装置は、基板そのものが薄く、可撓性を有するため、軽量で柔軟性を備えた薄膜回路装置を提供できるといった利点がある。
樹脂フィルムを基板に用いた薄膜回路装置の製造方法としては、半導体層、絶縁体層、金属層等を樹脂フィルム上に順次積層し、薄膜回路層を形成する方法が知られている。しかし、樹脂フィルムは耐熱性が低いことなどから、プロセス上大きな制約を受けてしまうといった問題がある。
このような問題を回避する技術として、近年では、予めガラス基板等の耐熱性基板の表面に薄膜電子デバイスを形成し、前記薄膜電子デバイスを耐熱性基板から剥離して樹脂フィルム上に接合（転写）し、この樹脂フィルム上に薄膜回路層を形成するといった技術が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
特開平１０−１２５９２９号公報 特開平１０−１２５９３０号公報 特開平１０−１２５９３１号公報
しかしながら、接着剤及び／又は粘着材を用いて薄膜電子デバイスを樹脂フィルム基板上に接合（転写）し、薄膜回路層を形成する場合、樹脂フィルム基板と薄膜電子デバイスとの間の接着力が十分でないと、薄膜電子デバイスやこれからなる薄膜回路層が樹脂フィルム基板上から剥がれるといった現象が起こることがある。
一般に、薄膜電子デバイスやこれからなる薄膜回路層は、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法によって基板表面に堆積された無機材料薄膜を、多く含んで構成されている。これらの無機材料薄膜は、弾性定数が数十ＧＰａと大きく、線膨張係数は数〜十数ｐｐｍ／Ｋと小さい。一方、樹脂フィルム基板や、粘着剤、接着剤等の有機材料は、一般にその弾性定数が数ＧＰａと小さく、線膨張係数は１０〜数百ｐｐｍ／Ｋ程度と大きい。
したがって、このような異種材料どうしが接合されてなる薄膜回路装置では、例えば大きな温度変化が与えられると、前記した線膨張係数の差に起因して、接着剤及び／又は粘着材からなる有機層と、薄膜電子デバイス（薄膜回路層）を構成する無機層との双方に熱応力が発生してしまう。よって、両者の間が強固に接合（接着）されていないと、前記したように薄膜電子デバイス（薄膜回路層）が接着剤及び／又は粘着材よりなる有機層から剥がれ、樹脂フィルム基板上から剥がれるといった現象が起きてしまうという問題がある。
本発明はこのような課題に鑑みてなされたもので、基板上に接着された薄膜電子デバイスを含む薄膜回路層が、基板から剥がれることを防止し、信頼性を確保した薄膜電子デバイス接合基板の製造方法、さらに電子機器を提供することを目的としている。
前記目的を達成するため本発明の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法は、第１基板上に薄膜電子デバイスを作製する電子デバイス作製工程と、前記薄膜電子デバイス表面に金属アルコキシド層を形成する表面活性化処理工程と、前記金属アルコキシド層を介して、前記薄膜電子デバイスに第２基板を接着する基板接着工程と、前記第１基板から前記薄膜電子デバイスを剥離する剥離工程と、を含むことを特徴とする。
この薄膜電子デバイス接合基板の製造方法によれば、薄膜電子デバイス上に、例えば有機官能基を有した金属アルコキシドからなる表面活性化処理層を介して第２基板を配設し、これにより第２基板に薄膜電子デバイスを接合し転写している。したがって、表面活性化処理層を形成する金属アルコキシドの有機官能基が、主に樹脂製の第２基板側に強固に結合し、加水分解基である［−ＯＭｅ基（Ｍｅは金属）］が、主に薄膜電子デバイスを構成する無機材料膜に強固に結合する。これによって、例えば、接着剤及び／又は粘着材を介し、さらに前記表面活性化処理層を介することにより、第２基板上に薄膜電子デバイスを強固に接合することができる。よって、例えば大きな温度変化が与えられても、線膨張係数の差に起因して薄膜電子デバイスが第２基板上から剥がれるといったことが防止され、これにより高い信頼性を有する薄膜電子デバイス接合基板を、得ることができる。
また、前記製造方法において、前記金属アルコキシドが、Ｔｉ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｔ、Ｂａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、及びＴａからなる群から選択された少なくとも一種の金属アルコキシ化合物であることが好ましい。
このような金属アルコキシドは、汎用性及び接着性がともに良好であることから、大幅なコストアップを招くことなく、高い信頼性を有する薄膜電子デバイス接合基板を得ることができるようになる。
また、前記製造方法において、前記表面活性化処理工程は、前記薄膜電子デバイスを設けた第１基板の薄膜電子デバイス配設面を浄化処理する浄化工程と、前記浄化工程後の前記薄膜電子デバイス配設面に前記金属アルコキシドを配するカップリング処理工程と、前記カップリング処理工程後の前記薄膜電子デバイス配設面に静電気除去処理を行う静電気除去工程と、を含むのが好ましい。
このようにすれば、浄化工程で薄膜電子デバイス配設面を浄化処理することにより、その後のカップリング処理工程で金属アルコキシドを薄膜電子デバイス配設面により良好に付着させることができる。さらに、この薄膜電子デバイス配設面に静電気除去処理を行うことにより、この薄膜電子デバイスの電気的性能を劣化させること無く第２基板とより良好に接合させることができる。
なお、この製造方法において、前記浄化工程では、酸素プラズマ処理工程、ＵＶプラズマ処理工程、コロナ処理工程、エッチング処理工程のうちの少なくとも一種の浄化処理工程を行うのが好ましい。
このような浄化処理を行えば、薄膜電子デバイスの表面やこれを設けた配設面が浄化されて例えば異物としての有機物が除去されることにより、薄膜電子デバイス配設面に金属アルコキシドがより良好に付着するようになる。
また、この製造方法において、前記カップリング処理工程では、前記金属アルコキシドを、スピンコート法、ベーパー処理法、ディップコート法、スクリーン印刷法、ディスペンサー法、インクジェット法、スプレー法のうちの少なくとも一種の手法で配するのが好ましい。
このようにすれば、前記薄膜電子デバイス配設面に金属アルコキシドを良好に付着させることができる。
また、前記製造方法において、前記基板接着工程では、前記薄膜電子デバイス上に樹脂製の第２基板を接合するのが好ましい。
このようにすれば、可撓性や耐熱性などについての要求される機能を満たす基板を用意し、これを用いることにより、予め設計した通りの機能を有する薄膜電子デバイス接合基板を得ることができる。
また、前記製造方法において、前記第２基板が、前記薄膜電子デバイス上に樹脂液を塗布し、硬化させることによって形成されることが好ましい。
本発明によれば、例えば、第２基板を薄い樹脂フィルム状にしたい場合等において、樹脂液を塗布し、この樹脂を硬化させて第２基板を形成することができる。従って、比較的取り扱いが難しい樹脂フィルムを用いる場合よりも、生産性を向上させることが可能になる。
また、前記製造方法において、前記第１基板上に前記薄膜電子デバイスを設ける電子デバイス作製工程が、既製基板上に剥離層を形成するステップと、前記剥離層上に複数の膜を積層させて前記薄膜電子デバイスを形成するステップと、を含むことが好ましい。
このようにすれば、前記第１基板から前記薄膜電子デバイスを剥離する際、前記剥離層で剥離を起こさせることにより、薄膜電子デバイスが容易に剥離して前記第２基板上に確実に転写される。
また、前記製造方法において、前記電子デバイス作製工程は、既製基板上に剥離層を形成するステップと、前記剥離層上に複数の膜を積層させて前記薄膜電子デバイスを形成するステップと、前記既製基板の薄膜電子デバイス形成面に接着剤を介して仮転写基板を接合させるステップと、前記既製基板を介して前記剥離層にエネルギーを付与し、前記剥離層と前記既製基板との界面もしくは前記剥離層の層内に剥離を生じさせることにより、前記薄膜電子デバイスを前記仮転写基板に転写するステップと、を含むことが好ましい。
このようにすれば、既製基板上に形成した薄膜電子デバイスを一旦仮転写基板に転写し、その後、再度第２基板上に転写するので、第２基板上に接合される薄膜電子デバイスの上下を、既製基板上に形成された際の上下に合わせることができる。
また、前記製造方法において、前記電子デバイス作製工程は、複数の前記薄膜電子デバイスを前記第１基板上に積層することが好ましい。
このようにすれば、一度の転写で複数積層した薄膜電子デバイスを転写することができ、効率的になる。
また、前記製造方法において、前記薄膜電子デバイスは薄膜トランジスタであるのが好ましい。
本発明の電子機器は、前記の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法によって得られた薄膜電子デバイス接合基板を具備してなることを特徴としている。
この電子機器によれば、前記したように薄膜電子デバイス接合基板が高い信頼性を有するので、この電子機器自体も高い信頼性を有する。
本発明に係る薄膜電子デバイス接合基板の一例の概略構成図である。 薄膜電子デバイス接合基板の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス層中の薄膜電子デバイスの概略構成図である。 薄膜電子デバイス接合基板の他の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の他の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の他の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の他の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の他の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の他の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の他の製造工程説明図である。 薄膜電子デバイス接合基板の他の製造工程説明図である。 本発明の電子機器の一例としての、表示装置の概略構成図である。
以下、本発明を詳しく説明する。
［薄膜電子デバイス接合基板］
図１は、本発明に係る薄膜電子デバイス接合基板の一例を示す図であり、図１中符号１は薄膜電子デバイス接合基板である。この薄膜電子デバイス接合基板１は、樹脂基板２上に、有機官能基を有した金属アルコキシドからなる表面活性化処理層３を介して、薄膜電子デバイス層４が接合されて構成されている。薄膜電子デバイス層４は、薄膜電子デバイス５が多数配置されて形成されている。また、樹脂基板２上には、必要に応じて接着剤及び／又は粘着材からなる有機接着層（図示せず）が設けられている。
樹脂基板２としては、特に限定されることなく、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれも使用可能である。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニレン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等から選択された１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。
また、このような樹脂基板２としては、その厚さについても限定されないが、例えば厚さが数百ｎｍから数十μｍ程度のフィルム状にすれば、薄膜電子デバイス接合基板１全体をより薄くし、軽量化することができ、好ましい。また、樹脂基板２が、特に可撓性を有していれば、薄膜電子デバイス接合基板１自体にフレキシブル性を持たせることが可能になり、好ましい。
また、樹脂基板２上に有機接着層が設けられている場合、この有機接着層を構成する接着剤（あるいは粘着材）としては、特に限定されることなく、種々の材料が使用可能である。例えば、エポキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エステル基、シラノール基、シリル基、アミノ基、ニトリル基、ハロゲン基、アシル基、スルホン基などの官能基を有する樹脂が用いられる。なお、これらの官能基の中でも、少ない変性率で接着性の向上が可能であるなどの理由から、エポキシ基、酸無水物基、酸無水物の開環物基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、シラノール基などの極性基を有する樹脂が好適とされる。
薄膜電子デバイス層４を構成する代表的な薄膜電子デバイス５としては、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、ＴＦＴ）を挙げることができる。また、これ以外にも、例えば薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ（p-intrinsic-n）接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）、シリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：Indium Tin Oxide（ＩＴＯ）、メサ膜のような透明電極）、スイッチング素子、メモリー素子、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等が挙げられる。
そして、薄膜電子デバイス層４としては、前記した単一種の薄膜電子デバイス５が多数配設されて形成されていてもよく、また、複数種の薄膜電子デバイス５が配設されて例えば薄膜回路層を形成していてもよい。
また、特に薄膜電子デバイス５を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とした場合、この薄膜電子デバイス５（ＴＦＴ）をマトリクス状に配置し、さらに各薄膜電子デバイス５に対応させて画素電極（画素部）等を形成することにより、この薄膜電子デバイス接合基板１をアクティブマトリクス基板とすることができる。
すなわち、マトリクス状に配置された走査線と信号線とに接続することで薄膜電子デバイス５（ＴＦＴ）をマトリクス状に配置するとともに、これら薄膜電子デバイス５（ＴＦＴ）のドレイン側に画素電極を接続して画素部を構成し、さらに前記走査線および前記信号線に信号を供給するためのドライバ回路を設けることにより、前記薄膜電子デバイス接合基板１からアクティブマトリクス基板を形成することができる。
表面活性化処理層３を形成する金属アルコキシドとしては、金属としてＴｉ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｔ、Ｂａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａから選択された一種を含有する材料が好適に用いられ、このような金属アルコキシドが一種あるいは複数種用いられて形成されている。その理由は、このような金属を含有してなるアルコキシドは、汎用性及び接着性がともに良好であり、したがって大幅なコストアップを招くことなく、高い信頼性を有する薄膜電子デバイス接合基板１を得ることができるからである。
また、この金属アルコキシドは、そのアルコキシド基に、側鎖として有機官能基を有している。この有機官能基は、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基などの反応性の官能基であって、前記樹脂基板２あるいは前記有機接着層を形成する有機マトリックスと反応し、強固に結合する。また、この金属アルコキシドは、加水分解基である［−ＯＭｅ基（Ｍｅは金属）］を有しており、この加水分解基が、薄膜電子デバイス５を構成する無機材料膜に強固に結合する。すなわち、薄膜電子デバイス５は、絶縁膜としてのＳｉＯ２膜や半導体層であるＳｉなど、無機材料薄膜を多く含んで構成されているが、金属アルコキシドの加水分解基は、このような無機材料薄膜に強固に結合する。
このように、この金属アルコキシドからなる表面活性化処理層３は、有機材料からなる樹脂基板２側に対しても、無機材料からなる薄膜電子デバイス５（薄膜電子デバイス層４）に対しても強固に結合する。よって、薄膜電子デバイス５（薄膜電子デバイス層４）は、樹脂基板２に対して強固に接着されることになる。
したがって、本実施形態の薄膜電子デバイス接合基板１は、樹脂基板２上に薄膜電子デバイス５（薄膜電子デバイス層４）を強固に接合しているので、例えば大きな温度変化が与えられても、線膨張係数の差に起因して薄膜電子デバイス５が樹脂基板２上から剥がれてしまうといった不都合が防止され、これにより高い信頼性を得ることができる。
［薄膜電子デバイス接合基板の製造方法］
次に、このような薄膜電子デバイス接合基板１の製造方法に基づき、本発明の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法の一実施形態を説明する。なお、この実施形態では、薄膜電子デバイス５が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である場合について説明する。
この製造方法では、まず、図２Ａに示すように第１基板１０を用意し、続いて、薄膜電子デバイス配設工程として、この第１基板１０の一方の面側に多数の薄膜電子デバイス５を含む薄膜電子デバイス層４を形成する。
ここで、薄膜電子デバイス層４を形成する方法としては、ガラス基板等の既製基板を第１基板１０としてそのまま用い、これに直接薄膜電子デバイス５を作り込んで薄膜電子デバイス層４を形成する方法と、既製基板上に剥離層を形成し、この剥離層上に、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を形成する方法とが採用可能である。
既製基板に直接薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を作り込む方法においては、この既製基板が第１基板１０であって、公知の半導体プロセスによってこの既製基板（第１基板１０）に薄膜電子デバイス５（ＴＦＴ）からなる薄膜電子デバイス層４が形成される。ここで、形成する薄膜電子デバイス層４については、薄膜電子デバイス５を複数積層した状態にしてもよい。
この方法では、第１基板１０から薄膜電子デバイス層４を取り出す（剥離する）ために、例えば、第１基板１０自身を裏面から研磨しもしくはエッチングする等の手法を採る必要がある。
しかし、このような手法では薄膜電子デバイス層４に割れ等が生じ、薄膜電子デバイス５を損傷してしまうおそれがある。そこで、特に歩留まりを重視する場合などでは、前記の特開平１０−１２５９２９号公報、特開平１０−１２５９３０号公報、及び特開平１０−１２５９３１号公報等に開示されているように、既製基板上に剥離層を介して薄膜電子デバイス５を形成する方法が好適である。この方法では、図２Ａ中に二点鎖線で示すように、既製基板１１と剥離層１２とを合わせた構成が、本発明における第１基板１０となる。
既製基板１１としては、後述するように剥離層１２に対して剥離処理を行ううえで、光が透過する透光性基板であるのが好ましい。また、このような既製基板１１としては、信頼性の高い材料で構成されているのが好ましく、特に、耐熱性に優れた材料で構成されているのが好ましく、例えば石英ガラスや、各種の耐熱性ガラスが好適とされる。
剥離層１２は、照射される光を吸収し、その層内及び／又は界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有する材料であり、好ましくは、光の照射により、剥離層１２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離及び／又は界面剥離に至る材料がよい。
さらに、光の照射により、剥離層１２から気体が放出され、剥離（分離）効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層１２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層１２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、剥離（分離）に寄与する場合とがある。このような剥離層１２については、前記特開平１０−１２５９３１号公報に記載されているように、次の＜Ａ＞〜＜Ｆ＞に示す材料が好適に用いられる。
＜Ａ＞アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
このアモルファスシリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。この場合、Ｈの含有量は、２原子％以上程度であるのが好ましく、２〜２０原子％程度であるのがより好ましい。このように、水素（Ｈ）が所定量含有されていると、光の照射によって水素が放出され、剥離層１２に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。
＜Ｂ＞酸化物
この酸化物として具体的には、酸化ケイ素又はケイ酸化合物、酸化チタン又はチタン酸化合物、酸化ジルコニウム又はジルコン酸化合物、酸化ランタン又はランタン酸化化合物等の透電体（強誘電体）が挙げられる。
＜Ｃ＞ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックスあるいは誘電体（強誘電体）
＜Ｄ＞窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス
＜Ｅ＞有機高分子材料
この有機高分子材料としては、−ＣＨ−、−ＣＯ−（ケトン）、−ＣＯＮＨ−（アミド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝Ｎ−（シフ）等の結合（光の照射によりこれらの結合が切断される）を有する材料、特に、これらの結合を多く有する材料であればいかなる材料でもよい。また、この有機高分子材料は、構成式中に芳香族炭化水素（１または２以上のベンゼン環またはその縮合環）を有する材料であってもよい。
＜Ｆ＞金属
この金属としては、例えば、Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍまたはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられる。
なお、剥離層１２の厚さは、剥離目的や剥離層１２の組成、層構成、形成方法等の諸条件により異なるが、通常は、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがさらに好ましい。剥離層１２の膜厚が薄すぎると、膜の均一性が低くなり、剥離にムラが生じることがあり、また、膜厚が厚すぎると、剥離層１２の良好な剥離性を確保するために、光のパワー（光量）を大きくする必要があるとともに、後に剥離層１２を除去する際に、その処理に時間がかかってしまうからである。なお、剥離層１２の膜厚は、できるだけ均一であるのが好ましい。
剥離層１２の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤを含む）、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング、イオンプレーティング、ＰＶＤ等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２種以上を組み合わせて形成することもできる。
例えば、剥離層１２の組成がアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法により成膜するのが好ましい。また、剥離層１２をゾルーゲル法によるセラミックスで構成する場合や、有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特に、スピンコートにより成膜するのが好ましい。
このようにして剥離層１２を形成したら、図２Ａに示したように、公知の半導体プロセスによって剥離層１２上に多数の薄膜電子デバイス５（ＴＦＴ）を含む薄膜電子デバイス層４を形成する。ここで、形成する薄膜電子デバイス層４については、薄膜電子デバイス５を複数積層した状態にしてもよいのは前述した通りである。薄膜電子デバイス層４は、例えば、薄膜電子デバイス層４中の一部を拡大した図３に示すように、酸化ケイ素膜からなる中間層５０上に形成された薄膜電子デバイス５（ＴＦＴ）を含んで構成される。また、薄膜電子デバイス５は、ポリシリコン層にｎ型不純物を注入して形成されたソース・ドレイン領域５１と、チャネル層５２と、ゲート絶縁膜５３と、ゲート電極５４と、層間絶縁膜５５と、例えばアルミニウムからなる電極５６とを具備して構成されている。
なお、剥離層１２に接して設けられる中間層５０としては、酸化ケイ素膜以外にも、窒化ケイ素膜等の他の絶縁膜を用いることができる。この中間層５０は、種々の目的で形成される材料で、例えば、薄膜電子デバイス層４を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、レーザ光の遮光層、マイグレーション防止用のバリア層、反射層としての機能のうちの、少なくとも１つを発揮する材料である。この中間層５０の厚さとしては、発揮させる機能の程度等に応じて適宜決定されるが、通常は、１０ｎｍ〜５μｍ程度とするのが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度とするのがより好ましい。
このようにして薄膜電子デバイス層４を形成したら、表面活性化処理工程として、図２Ｂに示すようにこの薄膜電子デバイス層４の表面、すなわち各薄膜電子デバイス５の表面に、有機官能基を有した金属アルコキシドからなる表面活性化処理層３を形成する。
この表面活性化処理層３を形成する表面活性化処理工程は、本実施形態では、浄化工程と、カップリング処理工程と、静電気除去工程とを含んでいる。
浄化工程は、薄膜電子デバイス層４を形成した第１基板１０の、薄膜電子デバイス層４を形成した側の面（薄膜電子デバイス配設面）を浄化処理する工程である。浄化処理方法としては、酸素プラズマ処理、ＵＶプラズマ処理、コロナ処理、エッチング処理のうちの少なくとも一種の処理を行うのが好ましい。このような浄化処理を行うことにより、薄膜電子デバイス５の表面やこれを設けた配設面を浄化し、例えば異物としての有機物を除去することができる。したがって、後工程で薄膜電子デバイス配設面に金属アルコキシドを付着させる際、これをより良好に付着させることができるようになる。
カップリング処理工程は、表面活性化処理工程の主工程である。また、カップリング処理工程は、表面活性化処理層３を形成するための実質的な処理工程である。また、カップリング処理工程は、前記浄化工程後の前記薄膜電子デバイス配設面に、前記金属アルコキシドを配する工程である。金属アルコキシドとしては、前記した有機官能基を有する金属アルコキシドが用いられる。金属アルコキシドの中でも、金属としてＳｉを含有するＳｉ系、Ｔｉを含有するＴｉ系、Ｚｉを含有するＺｉ系、Ａｌを含有するＡｌ系が、汎用性が高く、前述したように樹脂基板２上に薄膜電子デバイス５を接着させる際の接着性がより良好である等の理由により、好ましい。さらに、Ｓｉ系の金属アルコキシドは、反応性が高く、したがって反応温度が比較的低く、また反応速度が速い等の利点もあり、さらに好ましい。
このような金属アルコキシドを前記薄膜電子デバイス配設面に配する（付着させる）ための手法としては、特に限定されることなく、例えば金属アルコキシドを含有する溶液中に前記の薄膜電子デバイス層４を形成した第１基板１０を直接浸す方法（ディップコート法）、前記薄膜電子デバイス配設面に金属アルコキシドを含有する溶液を塗布する方法（塗工法）、前記薄膜電子デバイス配設面に金属アルコキシドの蒸気を接触させる方法（ベーパー処理法）等を採用することができる。塗工法としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、ディスペンサー法、インクジェット法、スプレー法等を挙げることができる。
なお、採用する手法に応じて、前記金属アルコキシドについては、例えば溶媒や分散媒、さらには各種の調製剤を用い、粘度等についての性状を調整するようにしてもよい。
このようにして金属アルコキシドからなる膜を形成すると、金属アルコキシドは、前記したようにその加水分解基が、薄膜電子デバイス５を構成する無機材料膜に強固に結合した状態となる。
このようにして金属アルコキシドからなる膜を形成したら、必要に応じて乾燥処理した後、静電気除去工程を行う。この静電気除去工程は、前記薄膜電子デバイス配設面、すなわち金属アルコキシドからなる膜の形成面を公知の手法によって静電気除去処理することにより行う。
次いで、基板接着工程として、図２Ｃに示すように形成した表面活性化処理層３を介して、前記の薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）上に樹脂基板２、すなわち本発明における樹脂製の第２基板を配設する。ここで、表面活性化処理層３上への樹脂基板２の配設（接合）については、前記したように、接着剤及び／又は粘着材からなる有機接着層を介して接合する方法と、有機接着層を介することなく樹脂基板２を直接接着する方法とが採用可能である。
樹脂基板２を、有機接着層を介して表面活性化処理層３上、すなわち前記薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）上に接合するには、前記した有機接着層を構成する接着剤あるいは粘着材を、表面活性化処理層３上または樹脂基板２の内面に配し、その後、この有機接着層を介して前記薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）上に樹脂基板２を配し、貼着する。
接着剤あるいは粘着材を表面活性化処理層３上または樹脂基板２の内面に配する方法としては、特に限定されることなく、例えば溶液キャスト法や溶融押出法を採用することができる。なかでも、溶液キャスト法が、接着剤層（粘着材層）の膜厚をより均一に塗工することができるため、好ましい。溶液キャスト法で有機接着層を形成する場合、接着層を構成する材料を適当な溶剤に溶解してワニスを得て、これを、例えばリバースロールコーティング法、グラビアコーティング法、エアナイフコーティング法、ブレードコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、ダイコーティング法、スピンコーティング法などの手法により、表面活性化処理層３上または樹脂基板２の内面に塗布する。このような手法の中でも、膜厚制御の容易性から、リバースロールコーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、スピンコーティングが好適とされる。
また、このような有機接着層を介して前記薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）上に樹脂基板２を貼着したら、通常は、有機接着層内の溶剤を除去するため乾燥処理を行う。この乾燥処理として、例えば温風加熱、不活性ガス加熱炉、オーブン炉などを用いて行うことができる。なお、有機接着層形成用の材料に硬化剤などを混合しておけば、加熱などによって直接接着剤を硬化させることもできる。
この方法では、樹脂基板２として、可撓性や耐熱性などについての要求される機能を満たす基板を用意し、これを用いることにより、予め設計した通りの機能を有する薄膜電子デバイス接合基板１を得ることができる。
また、有機接着層を介することなく、前記薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）上に樹脂基板２を直接接着する方法としては、前述した有機接着層を形成する方法をそのまま採用することができる。すなわち、前記方法によって形成し、硬化させた有機接着層を、そのまま樹脂基板２（本発明における樹脂製の第２基板）として使用する。なお、その場合には、使用する樹脂（接着剤あるいは粘着材）を、当然ながら表面活性化処理層３上に配し、硬化させる。
この方法では、配した（塗布した）樹脂の厚さによって得られる樹脂基板２の厚さをほぼ決定できるため、特に膜厚を薄くしたい場合などに有利となる。すなわち、例えば樹脂基板２を薄い樹脂フィルム状にしたい場合などに、比較的取り扱いが難しい樹脂フィルムを樹脂基板として用い、有機接着層を介して貼着するよりも、本方法のように樹脂液を塗布し硬化させることでフィルム状の樹脂基板２を形成する方が、生産性が向上することが多いからである。具体的に、用いる樹脂液の性状（固形分濃度や粘度等）にもよるが、スピンコート法を採用することにより、膜厚が０．１〜１０μｍ程度の薄い樹脂基板２を、均一な膜厚で形成することができる。
このようにして表面活性化処理層３上に樹脂基板２を配設すると、表面活性化処理層３を形成する金属アルコキシドは、その有機官能基が樹脂基板２あるいは有機接着層を形成する有機マトリックスと反応し、強固に結合した状態となる。
なお、特に樹脂を配し硬化させることで樹脂基板２を形成する場合、この樹脂については、必要に応じて各種の添加剤を配合した材料を用いることができる。例えば、硬化剤、難燃剤、充填剤、軟質重合体、耐熱安定剤、耐候安定剤、老化防止剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、天然油、合成油、ワックス、乳剤、磁性体、誘電特性調整剤、靱性剤などを、要求される樹脂基板２の性状等に応じて適宜に添加することができる。
その後、転写工程として、図２Ｄに示すように前記第１基板１０から前記薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側を剥離する、すなわち薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側から第１基板１０側を剥離することにより、前記薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を樹脂基板２上に転写する。第１基板１０側を剥離する方法としては、前述したように剥離層１２を形成していない場合、第１基板１０の裏面側（薄膜電子デバイス４を形成した側と反対の側）を研削及びエッチングすることなどにより、第１基板１０の薄膜電子デバイス４（薄膜電子デバイス５）を形成した側の表層部を削り取るといった手法等が採用される。
また、剥離層１２を形成している場合には、この剥離層１２にて剥離を生じさせるために、第１基板１０の裏面側から光を照射する。すると、照射した光は、既製基板１１（第１基板１０）を透過した後に剥離層１２に照射される。これにより、剥離層１２に層内剥離及び／又は界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅する。剥離層１２に層内剥離及び／又は界面剥離が生じる原理は、剥離層１２の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層１２に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によって生じると推定される。
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層１２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
剥離層１２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層１２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
照射する光としては、剥離層１２に層内剥離及び／又は界面剥離を起こさせる光であればいかなる光でもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。そのなかでも、剥離層１２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。
このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層１２にアブレーションを生じさせることができ、よって樹脂基板２や既製基板１１等において温度上昇がほとんど生じることない。これにより劣化、損傷を生じさせることなく、剥離層１２にて剥離をなさせることができる。
このようにして薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側から第１基板１０（既製基板１１）を剥離したら、必要に応じて、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側に残存している剥離層１２を除去する。具体的には、洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わせた方法により、除去する。これにより、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を樹脂基板２上に転写し、図１に示したような薄膜電子デバイス接合基板１を得ることができる。
このような製造方法においては、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）上に、有機官能基を有した金属アルコキシドからなる表面活性化処理層３を介して樹脂基板２を配設し、これによって樹脂基板２に薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を接合し転写している。このため、前記したように金属アルコキシドの有機官能基が樹脂基板２側に強固に結合し、加水分解基が薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側に強固に結合し、樹脂基板２上に薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を強固に接合することができる。よって、例えば大きな温度変化が与えられても、線膨張係数の差に起因して薄膜電子デバイス５が樹脂基板２上から剥がれてしまうといった不都合を防止することができる。これにより高い信頼性を有する薄膜電子デバイス接合基板１を得ることができる。
図４Ａ〜図４Ｄ及び図５Ａ〜図５Ｄは、本発明の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法の他の実施形態を示す図である。この実施形態が図２Ａ〜図２Ｄに示した実施形態と主に異なるところは、先の実施形態が１回の転写を行ったのに対し、この実施形態では２回の転写を行う点である。
この実施形態では、まず、図４Ａに示すように既製基板１１上に剥離層１２を介して薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を形成する。この工程については、先の実施形態において説明した工程と同様である。
続いて、図４Ｂに示すように前記既製基板１１の薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を形成した側の面（薄膜電子デバイス形成面）に接着剤からなる接着層１３を介して仮転写基板１４を接合させる。
接着層１３を形成する接着剤としては、前記した有機接着層を形成する材料のうち、例えば水などの溶剤に容易に溶解する材料が好適に用いられる。
また、仮転写基板１４としては、特に限定されることなく種々の材料が使用可能である。具体的には、ガラス基板や樹脂基板など、無機材料、有機材料に限定されることなく種々の材質の材料が使用される。
次いで、図４Ｃに示すように前記剥離層１２にて剥離を起こさせるべく、先の実施形態と同様にして既製基板１１の裏面側から光を照射し、これを剥離層１２に照射する。これにより、剥離層１２にエネルギーを付与してアブレーションを生じさせ、剥離層１２に層内剥離及び／又は界面剥離を生じさせることにより、図４Ｄに示すように剥離層１２にて剥離をなさせることができる。
このようにして薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側から既製基板１１を剥離したら、図５Ａに示すように薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側に残存している剥離層１２を除去する。具体的には、洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わせた方法により、除去する。これにより、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を仮転写基板１４上に設けてなる構造が得られる。そして、このような構造において、仮転写基板１４と接着層１３とが、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を設けてなる本発明における第１基板となる。
次いで、表面活性化処理工程として、図５Ｂに示すようにこの薄膜電子デバイス層４の裏面、すなわち各薄膜電子デバイス５の裏面に、有機官能基を有した金属アルコキシドからなる表面活性化処理層３を形成する。
この表面活性化処理層３を形成する表面活性化処理工程は、先の実施形態と同様に、浄化工程と、カップリング処理工程と、静電気除去工程とによって行うことができる。
次いで、基板接着工程として、図５Ｃに示すように形成した表面活性化処理層３を介して、前記の薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）上、すなわち薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）の裏面側に樹脂基板２（樹脂製の第２基板）を配設する。ここで、表面活性化処理層３上への樹脂基板２の配設（接合）については、前記したように、接着剤及び／又は粘着材からなる有機接着層を介して接合する方法と、有機接着層を介することなく樹脂基板２を直接接着する方法とが採用可能である。
その後、転写工程として、図５Ｄに示すように接着層１３を水等の溶剤に溶解することにより、前記薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側から仮転写基板１４側を剥離し、前記薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を樹脂基板２上に転写する。
このようにして薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側から仮転写基板１４を剥離したら、必要に応じて、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側に残存している接着層１３を除去する。これにより、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を樹脂基板２上に転写し、図１に示したような薄膜電子デバイス接合基板１を得ることができる。
このような製造方法にあっても、先の実施形態と同様に、薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）上に表面活性化処理層３を介して樹脂基板２を配設し、これによって樹脂基板２に薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を接合し転写している。そのため、前記したように金属アルコキシドの有機官能基が樹脂基板２側に強固に結合し、加水分解基が薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）側に強固に結合する。これにより、樹脂基板２上に薄膜電子デバイス層４（薄膜電子デバイス５）を強固に接合することができる。
従って、例えば大きな温度変化が与えられても、線膨張係数の差に起因して薄膜電子デバイス５が樹脂基板２上から剥がれてしまうといった不都合を防止することができ、これにより高い信頼性を有する薄膜電子デバイス接合基板１を得ることができる。
また、本実施形態の製造方法にあっては既製基板１１上に形成した薄膜電子デバイス５を一旦仮転写基板１４に転写し、その後、再度樹脂基板２（第２基板）上に転写するので、樹脂基板２上に接合される薄膜電子デバイス５の上下、すなわちその表面側、裏面側を、既製基板１１上に形成した際の上下（表面側、裏面側）に合わせることができる。
次に、本発明の電子機器の一例としての表示装置について説明する。図６は、表示素子として電気泳動素子を有して構成された表示装置を示す図である。この表示装置１８は、素子基板２０と、透明基板２１と、これら基板２０、２１間に挟持されていると共に電気泳動分散液が封入されているマイクロカプセル２２とを有する。
素子基板２０は、前記した本発明の薄膜電子デバイス接合基板からなる。また、素子基板２０においては、樹脂からなるフィルム状で可撓性の樹脂基板２０ａの内面に、絶縁層等の中間層（図示せず）を介してＴＦＴ（薄膜トランジスタ）からなる駆動素子（スイッチング素子）２３が多数配設（転写）されている。これら駆動素子２３には、それぞれに対応して画素電極２４が形成されており、素子基板２０は、アクティブマトリクス基板として構成されている。
駆動素子２３は、前記の中間層（図示せず）の上に設けられた半導体膜２５と、この半導体膜２５上にゲート絶縁膜２６を介して設けられたゲート電極２７と、前記半導体２５のソース領域（図示せず）に接続するソース電極２８と、前記半導体２５のドレイン領域（図示せず）に接続する画素電極（ドレイン電極）２４とを有する。
なお、前記ゲート電極２７上には、ゲート電極２７を覆うように層間絶縁膜２９が形成されている。前記ソース電極２８は、層間絶縁膜２９に形成されたコンタクトホール３０を通って前記層間絶縁膜２９上に電気的に引き出され、コンタクトホール３上に形成されている。また、層間絶縁膜２９上には、層間絶縁膜２９に形成されたコンタクトホール３２と電気的に接続するように、中継電極３１が形成されている。また、これら中継電極３１及びソース電極２８を覆うように層間絶縁膜３３が形成されている。この層間絶縁膜３３上には、画素電極２４（ドレイン電極）が形成されている。画素電極２４は、コンタクトホール３４を通じて電気的に引き出されており、前記中継電極３１に導通している。
透明基板２１は、透明樹脂等からなるフィルム状で可撓性の透明フレキシブル基板２１ａと、透明フレキシブル基板２１ａの内面に、ＩＴＯ等からなる材料によって構成された透明の共通電極３５と、を有する。透明基板２１の外面側は表示面（観測面）である。ここで、この透明フレキシブル基板２１ａの材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）などが好適に用いられる。
素子基板２０と透明基板２１との間には、特に前記の画素電極２４上にマイクロカプセル２２が配置されており、これによってマイクロカプセル２２は、表示装置の表示領域を形成している。マイクロカプセル２２には、表示材料としての電気泳動分散液が封入されている。マイクロカプセル２２の全ては、ほぼ同一の直径に形成されている。その直径は、例えば約３０μｍ程度である。
電気泳動分散液は、電気泳動粒子と、これを分散させる液相分散媒とを含む。前記液相分散媒としては、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等の各種エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ぺンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロへキサン、メチルシクロへキサン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼン等の長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩又はその他の種々の油類等の単独、またはこれらの混合物に界面活性剤等を配合した材料を用いることができる。
また、電気泳動粒子は、液相分散媒中で電位差による電気泳動により移動する性質を有する有機あるいは無機の粒子（高分子あるいはコロイド）である。
この電気泳動粒子としては、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック、チタンブラック等の黒色顔料、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料、モノアゾ、ジイスアゾン、ポリアゾ等のアゾ系顔料、イソインドリノン、黄鉛、黄色酸化鉄、カドミウムイエロー、チタンイエロー、アンチモン等の黄色顔料、モノアゾ、ジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、キナクリドンレッド、クロムバーミリオン等の赤色顔料、フタロシアニンブルー、インダスレンブルー、アントラキノン系染料、紺青、群青、コバルトブルー等の青色顔料、フタロシアニングリーン等の緑色顔料等の１種又は２種以上を用いることができる。
なお、本例の表示装置においては、前記マイクロカプセル２２に電気泳動粒子が二種類封入されており、一方が負に、他方が正に帯電している。これら二種類の電気泳動粒子としては、例えば白色顔料である二酸化チタンと、黒色顔料であるカーボンブラックが用いられる。そして、このような白色、黒色の二種類の電気泳動粒子を用いることにより、例えば文字等の表示をなす場合に、黒色の電気泳動粒子によって文字等を表示し、白色の電気泳動粒子によってその背景を表示することができる。
また、電気泳動粒子を一種類のみ用い、これを共通電極３５側、あるいは画素電極２４側に泳動させることで、表示をなすようにしてもよい。
また、これらマイクロカプセル２２は、例えば透明基板２１に対して、その共通電極３５上にてバインダ３６により固定されている。
一方、これらマイクロカプセル２２は、素子基板２０に対して、その画素電極２４上にて例えば両面接着シート３７により固定されている。
このような構成によってマイクロカプセル２２は、素子基板２０と透明基板２１との間に挟着され、表示装置１８を構成している。
このような構成の表示装置１８にあっては、前記の薄膜電子デバイス接合基板１からなる素子基板２０を備えているので、前記薄膜電子デバイス接合基板１が高い信頼性を有することから素子基板２０も高い信頼性を有し、したがってこの表示装置１８自体も高い信頼性を有する。
なお、本発明の電子機器としては、表示素子として電気泳動素子を用いた前記電気泳動表示装置に限定されることなく、有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置、エレクトロクロミック装置などの表示装置、さらにこれら表示装置を表示手段とする電気光学装置などとしてもよい。また、薄膜電子デバイスをメモリー素子とした場合には、ＳＲＡＭ等の各種のメモリー装置、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、または指紋センサーなどの個人認証機能を有する装置及びセンサー装置に適用することもできる。
上述した通り、本発明によれば、有機基板上に無機材料膜を多く含む薄膜電子デバイスやこれからなる薄膜回路層を高い接着力で接合させ、これにより剥がれを防止して高い信頼性を確保した薄膜電子デバイス接合基板の製造方法、さらに電子機器を提供するという目的を達成することができる。

Claims (12)

  1. 第１基板上に薄膜電子デバイスを作製する電子デバイス作製工程と、
    前記薄膜電子デバイス表面に金属アルコキシド層を形成する表面活性化処理工程と、
    前記金属アルコキシド層を介して、前記薄膜電子デバイスに第２基板を接着する基板接着工程と、
    前記第１基板から前記薄膜電子デバイスを剥離する剥離工程と、を含むことを特徴とする薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  2. 前記金属アルコキシドが、Ｔｉ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｔ、Ｂａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、及びＴａからなる群から選択された少なくとも一種の金属アルコキシ化合物であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  3. 前記表面活性化処理工程は、前記薄膜電子デバイスを設けた第１基板の薄膜電子デバイス配設面を浄化処理する浄化工程と、
    前記浄化工程後の前記薄膜電子デバイス配設面に前記金属アルコキシドを配するカップリング処理工程と、
    前記カップリング処理工程後の前記薄膜電子デバイス配設面に静電気除去処理を行う静電気除去工程と、を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  4. 前記浄化工程では、酸素プラズマ処理工程、ＵＶプラズマ処理工程、コロナ処理工程、エッチング処理工程のうちの少なくとも一種の浄化処理工程を行うことを特徴とする請求項３に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  5. 前記カップリング処理工程では、前記金属アルコキシドを、スピンコート法、ベーパー処理法、ディップコート法、スクリーン印刷法、ディスペンサー法、インクジェット法、スプレー法のうちの少なくとも一種の手法で配することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  6. 前記基板接着工程では、前記薄膜電子デバイス上に樹脂製の第２基板を接合することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  7. 前記第２基板が、前記薄膜電子デバイス上に樹脂液を塗布し、硬化させることによって形成されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  8. 前記第１基板上に前記薄膜電子デバイスを設ける電子デバイス作製工程が、
    既製基板上に剥離層を形成するステップと、
    前記剥離層上に複数の膜を積層させて前記薄膜電子デバイスを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  9. 前記電子デバイス作製工程は、
    既製基板上に剥離層を形成するステップと、
    前記剥離層上に複数の膜を積層させて前記薄膜電子デバイスを形成するステップと、
    前記既製基板の薄膜電子デバイス形成面に接着剤を介して仮転写基板を接合させるステップと、
    前記既製基板を介して前記剥離層にエネルギーを付与し、前記剥離層と前記既製基板との界面もしくは前記剥離層の層内に剥離を生じさせることにより、前記薄膜電子デバイスを前記仮転写基板に転写するステップと、を含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  10. 前記電子デバイス作製工程は、
    複数の前記薄膜電子デバイスを前記第１基板上に積層することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  11. 前記薄膜電子デバイスは薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の薄膜電子デバイス接合基板の製造方法。
  12. 請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の製造方法によって得られた薄膜電子デバイス接合基板を具備してなることを特徴とする電子機器。
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