JPWO2006101255A1 - 超伝導硼化マグネシウム薄膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
二硼化マグネシウム膜の作製には、Mgの高揮発性を利用した方法として、ホウ素又はMg含有ホウ素で構成された前駆体膜をMg蒸気雰囲気下の高温焼成で結晶化する方法が知られている(JP2004−176174A,US6773836B)。しかし、高温焼成ではMgの酸化や再蒸発に起因する構造変化が避けられず、多層構造やジョセフソン接合を含む超伝導デバイスの作製に支障をきたす。
構造変化に起因する欠陥を解消する方法として、MBE法による共蒸着でMgB2を成長させるAs−grown成膜がある(JP2003−158308A,JP2004−99347A)。しかし、Mgの酸化や再蒸発を抑制するため、Mg供給量を増加させる必要があった。更に、超伝導転移温度や結晶性を高めるため、焼成に比較すると低温といえるものの、依然として作製時に基板の高温保持が余儀なくされていた。また、Mg,Bの反応を促進させるためH2,N2等を導入する方法(JP2004−99347A)では、蒸着膜の結晶性安定化に必要な高真空が得られ難い。
従来のAs−grown成膜では、Mg蒸気の供給量増加に伴い成膜環境の真空度が低下しやすい。真空度が低下すると残留ガスに起因する影響が現れ、二硼化マグネシウム膜の結晶性,配向性が損なわれる虞がある。また、高温保持した基板への蒸着では、基板/薄膜の界面で拡散反応が促進され、特にデバイス作製に必要な多層構造膜の界面が急峻にならず、デバイス化に必要な特性を満足する薄膜が得られ難い。更に、膜作製のための基板表面の改質や特性向上のためのBリッチな成膜環境に関する知見が乏しく、結晶性の良好な高性能硼化マグネシウム超伝導薄膜を得ることは困難であった。
最近では、HPCVD法の適用も提案されている(US6797341B)。HPCVD法は、結晶性の高い薄膜を作製できる利点をもつが、プロセス上の制約からデバイス作製に必要な多層構造膜の作製に適していない。
本発明の硼化マグネシウム薄膜は、式MgBx(x=1〜10)で表されるBリッチな組成をもち、超伝導転移温度が10K以上である。該硼化マグネシウム薄膜は、セラミックス,半導体,金属又はプラスチック製の基板に直接、或いは表面改質層を介して設けられている。MgBxのx値が1〜10となるBリッチの組成に調整することにより、超伝導転移温度:10K以上の超伝導薄膜になる。薄膜の組成は、Mg,B蒸気の供給量制御で調整される。
成膜環境を4×10−5Pa(好ましくは、1×10−7Pa)以下の高真空雰囲気に維持し、200℃以下に低温保持した基板にMBE法でMg,Bを同時蒸着させることにより、硼化マグネシウム薄膜を成膜している。成膜環境には、堆積速度に換算したB蒸気の供給量(以下同様):0.05nm/秒以下,Mg/Bモル比:1/1〜12/1となる条件下でMg蒸気,B蒸気を送り込むことが好ましい。
成膜速度は、結晶性を高めBリッチの蒸着膜が形成されるよう0.05nm/秒以下と極めて遅い速度に設定される。成膜に際し、Mg,Bの初期層,Ti,Zn等の3d金属,Sb,Bi,As等のV族B元素,MgO,ZnO等の酸化物を蒸着することにより基板表面を改質することができる。金属,金属化合物,金属酸化物等はバッファー層としての効果を呈するが、Mg,Bは初期層として、3d金属は酸化物基板との組合せにより表面エネルギーの調整層として、V族B元素は室温以上での成膜を容易にし転移温度を上げて結晶性の向上にも寄与する。
図2は、改質層を介して基板上に設けられたMgBx蒸着膜を示す断面模式図
図3は、MgBx蒸着膜の磁化曲線の温度依存性を示すグラフ
図4は、MgBx蒸着膜のX線回折スペクトルを示すグラフ
図5は、基板温度:200℃以下,B蒸着速度:0.03nm/秒,Mg,B蒸気供給量のMg/Bモル比:8で作製されたMgBx蒸着膜の膜厚方向に沿った元素分布を示すグラフ
図6は、MgBx蒸着膜のAFM画像を示す写真
図7は、各種基板上で成膜されたMgBx蒸着膜の温度依存性を示すグラフ
該MBE装置は、試料導入室1a,成長室1bの真空チャンバをゲートバルブ2a,2bで仕切っている。試料導入室1aは、唯一大気と接触する区域であり、短時間で高真空が得られるように導入室1aの内容積に比較して能力の大きなターボ分子ポンプ(図示せず)を備えている。
成長室1bは、ターボ分子ポンプ3bにより超高真空状態に常に維持されている。具体的には、残留ガス等の影響を最小限に抑えるため、従来の真空蒸着装置に比較して二桁以上の高真空度に成長室1bを排気する。更に、成長室1bを取り囲むように液体窒素シュラウドを配置すると、雰囲気中のガス成分が液体窒素にトラップされ、蒸着中においても高真空度が維持される。また、ターボ分子ポンプ3bでは排気し難い水素等の軽元素を除去するため、ターボ分子ポンプ3bの他にチタンゲッタポンプ4が成長室1bに組み込まれている。
成長室1bの下部には、図示しないがクヌーセンセル(K−cell),電子線セル(EB−Gun−cell)が蒸発源としてセットされ、それぞれの蒸発材料の特性に応じて蒸発源が選択される。蒸発源からの分子線は、マニピュレータ5に対向して配置されている基板(図示せず)に指向する。基板は、蒸発源からの分子線でBリッチの薄膜が形成されるように必要に応じて表面改質されている。
Mg,Bの分子線は、基板表面及び表面近傍でMgBxとなって基板に蒸着する。Mg,Bの分子線は、たとえば水晶振動子型の膜厚計6で蒸発レートをモニタリングすることにより計測できる。マニピュレータ5は、目標値±0.5℃の範囲で蒸着中の基板温度を制御できる機能を備えた加熱機構を備えている。
薄膜堆積用の基板は、トランスファーロッド7aで試料導入室1aに入れられ、更にトランスファーロッド7bで成長室1bに送り込まれる。成長室1b内の所定位置に基板をセットした後、K−cell,EB−Gun−cellそれぞれから蒸発させたMg,Bを基板上及び基板近傍で衝突させると、MgBxの合成反応が進行し、反応生成物が基板上に蒸着する。蒸着中の反応域は、RHEED蛍光スクリーン8で観察される。
MgB2蒸着膜が所定膜厚に成長した段階で、Mg,Bの蒸発を停止し、RHEED電子銃9から電子ビームを基板表面に照射し、その回折ビームをRHEED蛍光スクリーン8上に投影すると、MgBx蒸着膜の表面状態が観察される。その後、MgBx蒸着膜が生成した基板をトランスファーロッド7bにより成長室1bから試料導入室1aに取り出す。
MgBx蒸着膜の堆積に際し、Mg,B蒸気の流量制御により0.05nm/秒以下と極めて緩慢な成長速度に調整し、BリッチのMgBx蒸着膜を成長させる。0.05nm/秒以下の成長速度は、Mg蒸気流量:0.6nm/秒以下,B蒸気流量:0.05nm/秒以下,Mg/Bモル比:1/1〜12/1を満足するMg,B蒸気の流量制御により達成される。具体的には、B:0.03nm/秒を基準としてMgの蒸発速度が0.29〜0.31nm/秒となる条件下でMg,B蒸気を発生させ反応域に送り込む。
成膜時、基板を200℃以下の低温に保持しMgの再蒸発を極力抑制するが、Mgの再蒸発は避けられない。B蒸気量よりもMg蒸気量が多い条件下でMg,Bを同時蒸着させても、Mgの再蒸発に対応して薄膜のMg濃度が低くなる。高品質の超伝導薄膜としてはMgBx(x=1〜10)の組成が必要なため、Mgの再蒸発を見込んで反応域に送り込むMg,B蒸気のMg/Bモル比を1/1〜12/1の範囲に設定している。
200℃以下の基板温度は、プラスチック基板上でもMgBx蒸着膜の成膜が可能なことを意味する。なお、Mg,B蒸気の供給量を少なくしているので残留ガスの影響が懸念されるが、成膜環境を雰囲気圧:4×10−5Pa(好ましくは、1×10−7Pa)以下の高真空に維持することにより残留ガスの影響を無視できる。
従来のMgB2蒸着膜作製法では、Mg,B蒸気の融点が極端に異なることから熱力学的平衡状態下での蒸着膜成長には高温の成長温度を必要とし、薄膜作製時にも高温環境が必要と考えられている。しかし、高温環境下では低融点で揮発性の高いMgの再蒸発が懸念される。そのため、Mg,B蒸気の供給量増加やMg雰囲気下のアニール等でMgB2蒸着膜の生成・成長を促進させ結晶性の向上を図っている。その結果、ステップ数の増加,基板及び他の蒸着材料との相互拡散,高蒸気圧のため酸素,水素,窒素等の残留ガス成分による影響等が避けられない。
低温成膜法として知られているAs−grown成膜法でも、超伝導転移温度が30Kを超える膜の作製には200℃を超える温度を必要とする。更に、Mgの酸化防止のためMg蒸気の供給量増加,成膜速度の上昇が避けられず、デバイス化に不可欠な膜の均質性,表面平坦性も低下しがちである。
これに対し、本発明では、BリッチなMgBx蒸着膜を組成の均一性を維持しつつ高い表面平坦性も保持しながら成長させるため、成膜速度が従来よりも大幅に低い0.05nm/秒以下となるようにMg,B蒸気の供給量を調整している。また、成膜時の基板を200℃以下の低温度に維持することにより、Mgの再蒸発を可能な限り抑制し、過飽和度の上昇による結晶核の生成促進を図っている。基板温度:200℃以下は、多層膜等デバイス化時に懸念される他の材料及び基板材料との相互拡散を抑制し、プラスチックを初め各種基板上での高品質成膜を可能とし、一回の操作で多層構造の成膜を可能にする上でも有意義である。
更に、MgBx蒸着膜Fの形成に先立って異種の薄膜を表面改質層Mとして基板Sに蒸着すると(図2)、基板表面の改質,ひいては基板上に設けられるMgBx蒸着膜の改質、また機能薄膜とMgBx蒸着膜とを組み合わせた多層構造も可能となる。
低温環境での合成は、過飽和度を増加させ、結晶核の生成を促進させる。結晶核の生成促進に伴い融点の低いMgの結晶化が進行するので、Mg蒸気の供給量低減可能性が予想される。Mg蒸気の供給量低減は、従来のAs−grown法に逆行する発想であるが、精度良くMgBx蒸着膜を成長させる上で重要な要件である。
Mg蒸気の供給量低減に伴い従来法に比較して残留ガスのより大きな影響が懸念されるが、成膜環境を二桁以上の高真空度としているので、残留ガスの影響を実質的に皆無にできる。更に、成膜環境の高真空度化に伴い再蒸発に消費されるMgの割合の増加が懸念されるが、基板に到達した大半の原子が低温合成により直ちに運動エネルギーを失って付着するので、Mgの有効消費効率をさほど低下させることなく結晶性の高いMgBx蒸着膜が成長する。
MgBx蒸着膜の生成・成長及び表面平坦性に影響を及ぼす要因として成長速度も重要である。成長速度が低下すると、成膜温度の低下に伴う過飽和現象が相殺されMgBxの合成反応が促進される。しかし、Mg,B蒸気量を低減して蒸着しているため、分子線となって供給される蒸発材との関連で基板全体を想定すると、供給量の揺らぎが付着量に反映されやすい。付着量の変動は、成長したMgBx蒸着膜の不均質化を意味する。
成長速度,蒸気供給量,過飽和度の相関関係を調査した結果、結晶性が高く平坦性に優れたMgBx蒸着膜の作製条件として基板を僅かに回転させる有意性を見出した。基板の回転は、蒸着膜の組成を均質化する上でも有効であり、蒸気供給量のMg/Bモル比を1/1〜12/1の範囲で任意に変更しても均質組成のMgBx蒸着膜が成膜される。なかでも、Mg/Bモル比が8/1〜10/1の範囲となるようにMg,B蒸気の供給量を調整すると、超伝導特性の向上が図られる。このように、低温,低蒸着量,低成長速度,超高真空の条件が結晶性,特性,均質性,平坦性に優れたMgBx蒸着膜の合成に欠かせない。
MgBx蒸着膜の物性のうち、超伝導体として使用されることから超伝導転移温度,臨界磁場,臨界電流の三つが重要である。一般的に同じ物質でできた超伝導体では、結晶性が高くなるほど超伝導転移温度も高くなる。この点、本発明に従って作製されたMgBx蒸着膜は、均質性,結晶性に優れているので、従来から報告されている硼化物超伝導膜に比較して高い超伝導転移温度を示す。更に、結晶性,均質性の向上は、膜中の超伝導体積率を大幅に改善し、磁気ヒステリシスの増大及び磁場侵入の抑制により臨界磁場,臨界電流の大幅な増加をもたらす。
超伝導薄膜の作製に酸化物基板が通常使用されているが、MgO,Al2O3等の酸化物基板では、基板表面及び第二層の酸素が薄膜作製に大きな影響を及ぼすことが知られている。他方、MgBx蒸着膜では、Mg,B共に酸素との反応性が高いものの、電気陰性度等の関係から何れの酸化物基板に対しても基板表面と化合しやすい成分はMgである。Mg優先の成長では酸素と結合しやすいMgが酸化物として安定化し、後続するBの結合力が弱くなることが懸念される。
そこで、酸化物基板を使用するとき基板表面を他の金属で終端し、或いはB優先又はBリッチの条件下でMgB2蒸着膜を生成・成長させると、Mg優先の蒸着反応が抑えられ、超伝導特性に優れたMgB2蒸着膜が得られる。基板表面の終端に使用される物質には、たとえばMg及びBのみの初期層,目標組成よりも僅かにBリッチなMg−B,Ti,Zn,Cu,Cr,Zr,Co等の3d金属又はその化合物,As,Bi,Sb等のV族B元素,MgO,ZnO,Al2O3等の酸化物が挙げられる。3d金属又はその化合物からなる層は、非磁性であり、或いは成膜条件によって非磁性化される。
最適条件下で作製されたMgBx蒸着膜は、薄いもののストリークラインがRHEEDで観察されるスポットパターンであり、膜中結晶子の一部は単結晶ライクに三次元成長した面内多結晶膜であることが確認される。X線回折測定の結果は、基板以外全て(001),(002)のみのピークが存在し、基板面の垂直方向にMgBxのC軸が配向した膜であることを示している。更に、電気抵抗率,磁化率の測定結果から最高:37Kの超伝導転移を確認している。
本発明に従ったMgBx蒸着膜は、生成・成長が低温で進行するため界面拡散が抑制され、次世代型デバイスとして期待される金属等との多層化,SQUID等のトンネルデバイスの作製にも好適である。しかも、ワンプロセスでの多層化プロセスが可能で、高品質デバイスを低コストで作製できることも利点である。
清浄表面に調質したMgO(100)基板を成長室1bにセットした。成長室1bを雰囲気圧:4×10−7Pa以下の超高真空雰囲気に維持しながら、Mg,Bそれぞれの蒸発源としてのK−cell,EB−Gun−cellからMg,Bを蒸発させた。水晶振動子膜厚計6を用いてMg,B蒸気の発生を常にモニタリングしながら、揺らぎがないようにMg,B蒸気の流量を調整した。
基板表面に供給されるMgは、拡散,再蒸発で失われる割合が多いが、基板に一旦到着すると低温の基板表面に接触したMg原子が直ちにエネルギーを失い基板表面に付着する。Mgと同時に付着するBとの電気陰性度の関係からMg,Bが互いに反応し、MgBxとなって基板上に堆積する。
Mg,B蒸気の供給量を調整し、Mg,Bの組成比が成膜性,膜特性に及ぼす影響を調査した。基板温度を200℃,Bの蒸着速度を0.03nm/秒に固定し、B蒸気に対するMg蒸気の割合(以下、”Mg/Bモル比”という)を2/1〜12/1の間で変化させた。Mg/Bモル比:8/1〜12/1で作製されたMgBx蒸着膜の磁化測定結果を図3に示す。また、Mg/Bモル比とMgBx蒸着膜のx値との関係を表1に示す。
Mg/Bモル比:8/1のMg,B蒸気からMg,Bを同時蒸着して成膜されたMgBx蒸着膜の超伝導転移温度が最も高く、転移幅も鋭いことが図3から読み取れる。転移温度は、B/Mgモル比が8を超えて大きくなるに従い徐々に低下し、8よりも低くなっても低下する傾向にあった。
以上の結果は、Mg,B蒸気の供給量を調整することにより任意の超伝導MgBx(x=1〜10)膜を作製できること、Mg,B蒸気の供給量比、換言すればMg,Bの組成比に膜質が大きな影響を受けることを示している。また、Mg/Bモル比:8〜10(x値では1〜6)の範囲で最も良好な超伝導特性が得られることが判る。
次いで、作製されたMgBx蒸着膜をX線回折した。図4の回折結果にみられるように、MgB2(001)及びMgB2(002)に起因する鋭いピークが検出されたことから膜面垂直方向にC軸が配向したMgBx蒸着膜であることが判る。また、Mg/Bモル比:8で作製された試料をXPS分析し膜厚方向に沿った濃度分布を調査したところ、図5にみられるようにMg,Bが一様に分布したBリッチな蒸着膜であった。更に、AFMを用いて測定した膜の平坦性を示す図6にみられるように、MgBx蒸着膜のRMSラフネスは1nm以下となっており、従来報告されている何れの薄膜に比較しても平坦度が極めて高い薄膜といえる。これらの測定結果から、多層膜,ジョセフソン接合を含む超伝導デバイス作製に必要な特性を備えたMgBx蒸着膜といえる。
MgBx蒸着膜に界面形状が相似するシリコン:Si(111),サファイア:Al2O3及び結晶構造のマッチングが高い酸化亜鉛:ZnOの各基板上に実施例1と同じ条件下でMgBx(x:4〜6)薄膜を蒸着した。ステンレス鋼板(金属基板の代表例),ガラス板,ポリイミドフィルムの各基板にも実施例1と同じ条件下でMgBx蒸着膜を蒸着した。
更に、表面改質層を設けた基板として、Ti,MgO,Bで被覆したAl2O3板,Cu,MgO,Bで被覆したMgO板,Bで被覆したSrTiO3板を用い、同じ条件下でMgBx蒸着膜を蒸着した。
作製された薄膜の電気抵抗率を測定した。測定結果の一部を示す表2にみられるように、MgO(100)基板では超伝導転移温度が最高35Kであったが、何れの薄膜においても高い超伝導転移温度を示した。特にSi(111)基板を使用すると、バルク材と同等の37KまでMgBx蒸着膜の超伝導転移温度が上昇していた。該超伝導転移温度は,従来法と比較してAs−grown法の中では最も高い超伝導転移温度である。(図7)
以上、多結晶又は非晶質MgBx蒸着膜を基板上に蒸着する例で本発明を具体的に説明したが、単結晶MgBx蒸着膜を同時蒸着しアニールなしで合成することも本発明に包含される。基板に関しても、MgO(100),Al2O3(0001),Si(111),ZnO(0001)の他に、プラスチック等の有機質素材でできた基板上でもMgBx蒸着膜を成膜できる。
汎用基板を使用する場合でも、低温雰囲気で合成するため反応を抑制でき、Ti,Zn等の3d金属やBi,As等のIV族元素やMgO,ZnO等の酸化物を表面改質層として被覆した基板に使用できる。また、Mg又はBのみの初期層や目標組成より僅かにBリッチなMgB層を形成してMgBx蒸着膜の成膜が促進されるように基板表面を改質することもできる。
Claims (6)
- 式MgBx(x=1〜10)で表されるBリッチな組成をもち、超伝導転移温度が10K以上であることを特徴とする超伝導硼化マグネシウム薄膜。
- ZnO,MgO,Al2O3又はSrTiO3からなる酸化物基板,Si,GaAs,Ge又はSiCからなる半導体基板,ステンレス鋼,銅,銅合金,アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属基板,ポリイミド基板の何れかに直接又は表面改質層を介して設けられ、式MgBx(x=1〜10)で表されるBリッチな組成をもち、超伝導転移温度が10K以上であることを特徴とする超伝導硼化マグネシウム薄膜。
- 表面改質層がTi,Zn,Cu,Cr,Zr,Coから選ばれた3d金属及びその化合物、MgO,ZnO,Al2O3から選ばれた酸化物、As,Bi,Sbから選ばれたV族B元素,Mg,Bの少なくとも一種又は複数の蒸着膜である請求項2記載の超伝導硼化マグネシウム薄膜。
- 4×10−5Pa以下の超高真空雰囲気下で基板を200℃以下の温度に保持し、
堆積速度に換算したB蒸気の供給量:0.05nm/秒以下,Mg/Bモル比:1/1〜12/1となる条件下で基板に向けてMg,B蒸気を送り込み、
式MgBx(x=1〜10)で表される組成のMgBx蒸着膜を0.1nm/秒以下の成長速度で基板上に直接又は表面改質層を介して成長させることを特徴とする超伝導硼化マグネシウム薄膜の製造方法。 - 基板を回転させながらMgBx蒸着膜を蒸着する請求項4記載の製造方法。
- MgBx蒸着膜の蒸着に先立って、Ti,Zn,Cu,Cr,Zr,Coから選ばれた3d金属及びその化合物、MgO,ZnO,Al2O3から選ばれた酸化物、As,Bi,Sbから選ばれたV族B元素,Mg,Bの少なくとも一種又は複数の蒸着膜を表面改質層として基板に設ける請求項4又は5記載の製造方法。
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