JPWO2006082730A1 - 半導体装置の製造方法およびプラズマ酸化処理方法 - Google Patents

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Abstract

半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、このゲート絶縁膜上に、少なくとも、ポリシリコン層および高融点金属を含む金属層を含む積層体を形成する工程と、この積層体をエッチング処理してゲート電極を形成する工程と、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ゲート電極中のポリシリコン層を選択的に酸化する工程と、を行なう。

Description

本発明は、プラズマを用いて半導体基板を処理する工程を含む半導体装置の製造方法およびプラズマ酸化処理方法に関する。
近時、LSIの高集積化、高速化の要請からLSIを構成する半導体素子のデザインルールが益々微細化されている。それにともなって、DRAMやフラッシュメモリ等に用いられるトランジスタのゲート電極の低抵抗化が求められている。ゲート電極としては、従来ポリシリコンが用いられていたが、ポリシリコンはシート抵抗が高いという欠点があった。そのため、抵抗値が低く、シリコン酸化膜やシリコン自体との密着性、加工性に優れた金属として、タングステンなどの高融点金属あるいはそのシリサイドをポリシリコン層に積層することが提案されている。具体的には、タングステンポリサイド(WSi/poly−Siの積層膜)や、より抵抗の低いタングステンポリメタルゲート(W/WN/poly−Siの積層構造)が注目されている。なお、タングステンポリメタルゲートのWNは、タングステンとポリシリコンとの反応を防止するためのバリア層(拡散防止層)である。
ところで、トランジスタのゲートは、一般にウエル、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に形成される。ゲート電極を形成するには、エッチング処理が施される。これにより、ゲート電極中のポリシリコン層の側面が露出するため、ゲート電極に電圧を印加すると、この露出部分で電界集中が生じ、リーク電流増大などの製品不良を引き起こす原因となる。このため、ゲート電極中のポリシリコンの露出部分を酸化して絶縁膜を形成する酸化処理を行なう必要がある。
ゲート電極側面のポリシリコン層の露出部分に絶縁膜を形成する酸化処理の方法として、これまでは800℃以上の高温で熱酸化処理する方法が一般的に採用されてきた(例えば、特許文献1)。しかしながら、熱酸化処理を行なうと、ポリシリコン層のエッジ部が過剰に酸化される現象(バーズビーク)が発生し、平面方向に対してゲート絶縁膜の膜厚が不均一になり、超微細なデザインルールへの対応が困難になる。
また、ゲート電極のシート抵抗を低減するために使用されるタングステンは約300℃、タングステンシリサイドは約400℃を超えると急速に酸化されることから、800℃を超える高温で熱酸化処理を行なうと、金属層が酸化されるという問題も生じる。
特開2000−269496号公報(特許請求の範囲など)
上記のような熱酸化処理の問題を解決するため、プラズマ密度が高く低電子温度プラズマによる低温処理が可能なRLSA(Radial Line Slot Antenna)マイクロ波プラズマを利用したプラズマ処理装置を、タングステンポリサイドやタングステンポリメタルゲートの酸化プロセスに適用することが検討されている。
RLSAマイクロ波プラズマによる酸化では、金属層の酸化を抑え、選択的にポリシリコン層のみを酸化でき、かつバーズビークの形成も抑えることができる。しかし、RLSAマイクロ波プラズマによって酸化を行なった場合、酸化膜厚にばらつきが生じることがあり、その均一化を図ることが課題として残されている。
また、RLSAマイクロ波プラズマによる酸化の場合、バーズビーク形成が抑制され過ぎて、ポリシリコン層のエッジ部の形状がほとんど変化しないことから、この部分が鋭角的に残り、電界が集中して逆にリーク電流を増大させてしまうという課題があることも判明した。
従って、本発明の目的は、RLSAマイクロ波プラズマを用い、半導体ウエハ上のポリシリコン層に、膜厚の差が小さく、均一な酸化膜を形成することである。また、本発明の他の目的は、過剰なバーズビークの形成を抑制しながら、ポリシリコン層のエッジ部の酸化膜厚を適度に厚くして丸みを帯びさせることである。
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点によれば、少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、を有する積層体に対し、
複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を酸化する、半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明の第2の観点によれば、半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
このゲート絶縁膜上に、少なくとも、ポリシリコン層および高融点金属を含む金属層を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体をエッチング処理してゲート電極を形成する工程と、
複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ゲート電極中のポリシリコン層を選択的に酸化する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明の第3の観点によれば、少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、を有する積層体に対し、
複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minでプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を酸化する、半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明の第4の観点によれば、半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
このゲート絶縁膜上に、少なくとも、ポリシリコン層および高融点金属を含む金属層を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体をエッチング処理してゲート電極を形成する工程と、
複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minでプラズマ処理を行ない、前記ゲート電極中のポリシリコン層を選択的に酸化する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
上記第1から第4の観点のいずれかにおいて、処理圧力は、400〜1333Paで、処理温度は400℃〜600℃であることが好ましい。
また、本発明の第5の観点によれば、半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
このゲート絶縁膜上に、少なくとも、ポリシリコン層および高融点金属を含む金属層を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体をエッチング処理してゲート電極を形成する工程と、
複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度400〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いて前記ゲート電極にプラズマ処理を行なう第1の酸化処理工程と、
前記プラズマ処理装置により、処理圧力1.3〜13.3Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いて前記ゲート電極にプラズマ処理を行なう第2の酸化処理工程と、
を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
上記第5の観点において、前記第1の酸化処理工程並びに前記第2の酸化処理工程では、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minで処理を行なうことが好ましい。
この場合、前記第1の酸化処理工程では、前記ポリシリコン層の側壁を酸化して酸化膜を形成するとともに、前記ポリシリコン層のエッジ部の酸化膜厚を増加させ、前記第2の酸化処理工程では、前記ポリシリコン層の側壁の酸化膜の膜厚をさらに増加させることができる。
さらに、前記第1の酸化処理工程で形成される酸化膜の膜厚は3〜5nmであり、前記第2の酸化処理工程で形成される酸化膜の膜厚は10〜15nmであることが好ましい。
また、上記第1から第5の観点のいずれかにおいて、前記半導体装置はトランジスタであることが好ましい。
また、前記金属層は、タングステン層、またはタングステンシリサイド層であることが好ましい。
また、本発明の第6の観点によれば、少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記ポリシリコン層をプラズマにより選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法であって、
アンテナにて処理室内に電磁波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行なう、プラズマ酸化処理方法が提供される。
また、本発明の第7の観点によれば、少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記ポリシリコン層をプラズマにより選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法であって、
アンテナにて処理室内に電磁波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minでプラズマ処理を行なう、プラズマ酸化処理方法が提供される。
上記第6または第7の観点において、処理圧力は400〜1333Paで、処理温度は400℃〜600℃であることが好ましい。
また、本発明の第8の観点によれば、少なくとも、シリコンを主成分とするシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記シリコン層をプラズマにより選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法であって、
アンテナにて処理室内に電磁波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度400〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いて前記被処理体にプラズマ処理を行なう第1の酸化処理工程と、
前記プラズマ処理装置により、処理圧力1.3〜13.3Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いて前記被処理体にプラズマ処理を行なう第2の酸化処理工程と、
を含む、プラズマ酸化処理方法が提供される。
上記第8の観点において、前記シリコン層は、ポリシリコン、アモルファスシリコンまたは導電体がドープされたシリコンにより構成されることが好ましい。また、前記第1の酸化処理工程並びに前記第2の酸化処理工程では、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minで処理を行なうことが好ましい。
この場合、前記第1の酸化処理工程では、前記ポリシリコン層の側壁を酸化して酸化膜を形成するとともに、前記ポリシリコン層のエッジ部の酸化膜厚を増加させ、前記第2の酸化処理工程では、前記ポリシリコン層の側壁の酸化膜の膜厚をさらに増加させることができる。
さらに、前記第1の酸化処理工程で形成される酸化膜の膜厚は3〜5nmであり、前記第2の酸化処理工程で形成される酸化膜の膜厚は10〜15nmであることが好ましい。
また、上記第6から第8の観点において、前記金属層は、タングステン層、またはタングステンシリサイド層であることが好ましい。
また、本発明の第9の観点によれば、コンピュータ上で動作し、実行時に、上記第1から第5の観点のいずれかの半導体装置の製造方法が行なわれるようにプラズマ処理装置を制御する、制御プログラムが提供される。
また、本発明の第10の観点によれば、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第1から第5の観点のいずれかの半導体装置の製造方法が行なわれるように、プラズマ処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。
また、本発明の第11の観点によれば、コンピュータ上で動作し、実行時に、上記第6から第8の観点のいずれかのプラズマ酸化処理方法が行なわれるようにプラズマ処理装置を制御する、制御プログラムが提供される。
また、本発明の第12の観点によれば、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第6から第8の観点のいずれかのプラズマ酸化処理方法が行なわれるように、プラズマ処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。
また、本発明の第13の観点によれば、プラズマを発生させるプラズマ供給源と、
前記プラズマにより、被処理体を処理するための真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で、上記第6から第8の観点のいずれかのプラズマ酸化処理方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えた、プラズマ処理装置が提供される。
本発明によれば、RLSA方式のプラズマ処理装置を用いたポリシリコン層の酸化において、処理圧力を制御することにより、形成される酸化膜厚のばらつきを解消し、半導体ウエハ面内の酸化膜厚の均一性を向上させることができる。
また、処理圧力に加えて処理温度、ガス比などの条件を制御することにより、過剰なバーズビークの形成を抑制しながら、ポリシリコン層のエッジ部に適度な丸みを持たせ、酸化処理の対象となる半導体装置におけるリーク電流を抑制して電気的特性の向上を図ることができる。
さらに本発明では、RLSA方式のプラズマ処理装置を使用することにより、高密度プラズマであり、かつ低電子温度での処理が可能になるため、基板へのダメージを小さくし、良質な酸化膜を形成することができる。すなわち、低温処理にもかかわらずポリシリコン層側壁の酸化膜が緻密で、膜質が非常に良好である。
本発明方法の実施に適したプラズマ処理装置の一例を示す概略断面図。 平面アンテナ部材の構造を示す図面。 ポリシリコンからなるゲート電極の構造を示す図面。 W系膜を含むゲート電極の一例の構造を示す図面。 W系膜を含むゲート電極の他の例の構造を示す図面。 プラズマ酸化処理前のゲート電極を模式的に示す図面。 プラズマ酸化処理中のゲート電極を模式的に示す図面。 プラズマ酸化処理後のゲート電極を模式的に示す図面。 拡大したテストパターンの概略構成を示す平面図。 図5AのA−A’線矢視における断面図。 酸化処理における圧力と酸化膜厚との関係を示すグラフ図。 酸化処理における温度と酸化膜厚との関係を示すグラフ図。 酸化処理における酸化レートを示す図面であり、圧力と酸化膜厚との関係を示すグラフ図。 XPS装置を用いた表面分析によるタングステン2pスペクトルのグラフ図。 ゲート電極ポリシリコン層のエッジ部の形状を示す模式図であり、バーズビークが形成されていない状態を示す。 ゲート電極ポリシリコン層のエッジ部の形状を示す模式図であり、バーズビークが過剰に形成されている状態を示す。 ゲート電極ポリシリコン層のエッジ部の形状を示す模式図であり、短いバーズビークが適度に形成されている状態を示す。 ポリシリコン層のエッジ部からのリーク電流に対する酸化処理圧力の影響を示すグラフ図。 プラズマ酸化未処理のポリシリコン層エッジ部のTEM写真。 250℃でプラズマ酸化処理をした後のポリシリコン層エッジ部のTEM写真。 400℃でプラズマ酸化処理をした後のポリシリコン層エッジ部のTEM写真。 500℃でプラズマ酸化処理をした後のポリシリコン層エッジ部のTEM写真。 600℃でプラズマ酸化処理をした後のポリシリコン層エッジ部のTEM写真。 ポリシリコン層のエッジ部からのリーク電流に対する酸化処理温度の影響を示すグラフ図。 トランジスタのドレイン電流−電圧曲線を示すグラフ図。 トランジスタの要部断面図であり、埋め込み絶縁膜の境界部分にボロンが偏在した状態を示す。 トランジスタの要部断面図であり、正常な状態を示す。 ゲート電極のオフリーク電流の測定結果を示すグラフ図。
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい形態について説明する。
図1は、本発明のプラズマ酸化処理方法の実施に適したプラズマ処理装置の一例を模式的に示す断面図である。このプラズマ処理装置は、複数のスロットを有する平面アンテナ、特にRLSA(Radial Line Slot Antenna;ラジアルラインスロットアンテナ)にて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させることにより、高密度かつ低電子温度のマイクロ波プラズマを発生させ得るRLSAマイクロ波プラズマ処理装置として構成されており、例えば、ゲート電極のポリシリコンの側壁を選択的に酸化する処理に好適に用いられる。
このプラズマ処理装置100は、気密に構成され、接地された略円筒状のチャンバー1を有している。チャンバー1の底壁1aの略中央部には円形の開口部10が形成されており、底壁1aにはこの開口部10と連通し、下方に向けて突出する排気室11が設けられている。
チャンバー1内には被処理基板であるウエハWを水平に支持するためのAlN等のセラミックスからなるサセプタ2が設けられている。このサセプタ2は、排気室11の底部中央から上方に延びる円筒状のAlN等のセラミックスからなる支持部材3により支持されている。サセプタ2の外縁部にはウエハWをガイドするためのガイドリング4が設けられている。また、サセプタ2には抵抗加熱型のヒータ5が埋め込まれており、このヒータ5はヒータ電源6から給電されることによりサセプタ2を加熱して、その熱で被処理体であるウエハWを加熱する。このとき、例えば室温から800℃までの範囲で処理温度が制御可能となっている。また、サセプタ2には熱電対6aが配備され、サセプタ2の温度を検知してヒータ電源6にフィードバックすることにより温度制御が行なわれる。なお、チャンバー1の内周には、石英からなる円筒状のライナー7が設けられている。また、サセプタ2の外周側には、チャンバー1内を均一排気するため、多数の排気孔8aを有するバッフルプレート8が環状に設けられ、このバッフルプレート8は、複数の支柱9により支持されている。
サセプタ2には、ウエハWを支持して昇降させるためのウエハ支持ピン(図示せず)がサセプタ2の表面に対して突没可能に設けられている。
チャンバー1の側壁には環状をなすガス導入部材15が設けられており、このガス導入部材15にはガス供給系16が接続されている。ガス導入部材15は、チャンバー1の内壁に水平方向に均等に形成された複数のガス吐出孔15aを有している。なお、ガス導入部材はシャワー状に配置してもよく、ノズル状でもよい。このガス供給系16は、例えばArガス供給源17、Hガス供給源18、Oガス供給源19を有しており、これらのガスが、それぞれガスライン20を介してガス導入部材15に至り、ガス導入部材15からチャンバー1内に導入される。ガスライン20の各々には、マスフローコントローラ21およびその前後の開閉バルブ22が設けられている。なお、処理ガスとしては、後述するようにArガスに代えて他の希ガス、例えばKr、He、Ne、Xeなどのガスを用いてもよく、また希ガスは含まなくてもよい。
上記排気室11の側面には排気管23が接続されており、この排気管23には高速真空ポンプを含む排気装置24が接続されている。そしてこの排気装置24を作動させることによりチャンバー1内のガスが、排気室11の空間11a内へ均一に排出され、排気管23を介して排気される。これによりチャンバー1内を所定の真空度、例えば0.133Paまで高速に減圧することが可能となっている。
チャンバー1の側壁には、プラズマ処理装置100に隣接する搬送室(図示せず)との間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口25と、この搬入出口25を開閉するゲートバルブ26とが設けられている。
チャンバー1の上部は開口部となっており、この開口部の周縁部に沿って環状の支持部27が設けられている。この支持部27に誘電体、例えば石英やAl等のセラミックスからなり、マイクロ波を透過するマイクロ波透過板28がシール部材29を介して気密に設けられている。したがって、チャンバー1内は気密に保持される。
マイクロ波透過板28の上方には、サセプタ2と対向するように、円板状の平面アンテナ部材31が設けられている。この平面アンテナ部材31はチャンバー1の側壁上端に係止されている。平面アンテナ部材31は、例えば8インチサイズのウエハWに対応する場合には、直径が300〜400mm、厚みが1〜数mm(例えば5mm)の導電性材料からなる円板である。なお、平面アンテナ部材31は、チャンバー1の形状に応じて、例えば角板状に形成することも可能である。具体的には、例えば表面が銀または金メッキされた銅板またはアルミニウム板からなり、多数のマイクロ波放射孔32(スロット)が所定のパターンで貫通して形成された構成となっている。このマイクロ波放射孔32は、例えば図2に示すように長溝状をなし、典型的には隣接するマイクロ波放射孔32同士が「T」字状に配置され、これら複数のマイクロ波放射孔32が同心円状に配置されている。マイクロ波放射孔32の長さや配列間隔は、マイクロ波の波長(λg)に応じて決定され、例えばマイクロ波放射孔32の間隔は、λg/2またはλgとなるように配置される。なお、図2においては、同心円状に形成された隣接するマイクロ波放射孔32同士の間隔をΔrで示している。また、マイクロ波放射孔32は、円形状、円弧状等の他の形状であってもよい。さらに、マイクロ波放射孔32の配置形態は特に限定されず、同心円状のほか、例えば、螺旋状、放射状に配置することもできる。
この平面アンテナ部材31の上面には、真空よりも大きい誘電率を有する遅波材33が設けられている。この遅波材33は、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、放射されるマイクロ波の波長を短くしてプラズマを均一に効率良く調整する機能を有している。なお、平面アンテナ部材31とマイクロ波透過板28との間、また、遅波材33と平面アンテナ部材31との間は、それぞれ密着させているが、離間させて配置することもできる。
チャンバー1の上面には、これら平面アンテナ部材31および遅波材33を覆うように、例えばアルミニウムやステンレス鋼、銅等の金属材からなるシールド蓋体34が設けられている。チャンバー1の上面とシールド蓋体34とはシール部材35によりシールされている。シールド蓋体34には、冷却水流路34aが形成されており、そこに冷却水を通流させることにより、シールド蓋体34、遅波材33、平面アンテナ31、マイクロ波透過板28を冷却するようになっている。なお、シールド蓋体34は接地されている。
シールド蓋体34の上壁の中央には開口部36が形成されており、この開口部には導波管37が接続されている。この導波管37の端部には、マッチング回路38を介してマイクロ波発生装置39が接続されている。これにより、マイクロ波発生装置39で発生した例えば周波数2.45GHzのマイクロ波が導波管37を介して上記平面アンテナ部材31へ伝搬されるようになっている。なお、マイクロ波の周波数としては、8.35GHz、1.98GHz等を用いることもできる。
導波管37は、上記シールド蓋体34の開口部36から上方へ延出する断面円形状の同軸導波管37aと、この同軸導波管37aの上端部にモード変換器40を介して接続された水平方向に延びる矩形導波管37bとを有している。矩形導波管37bと同軸導波管37aとの間のモード変換器40は、矩形導波管37b内をTEモードで伝播するマイクロ波をTEMモードに変換する機能を有している。同軸導波管37aの中心には内導体41が延在しており、この内導体41の下端部は、平面アンテナ部材31の中心に接続固定されている。これにより、マイクロ波は、同軸導波管37aの内導体41を介して平面アンテナ部材31へ均一に効率よく伝播される。
プラズマ処理装置100の各構成部は、CPUを備えたプロセスコントローラ50に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ50には、工程管理者がプラズマ処理装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマ処理装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース51が接続されている。
また、プロセスコントローラ50には、プラズマ処理装置100で実行される各種処理をプロセスコントローラ50の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部52が接続されている。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース51からの指示等にて任意のレシピを記憶部52から呼び出してプロセスコントローラ50に実行させることで、プロセスコントローラ50の制御下で、プラズマ処理装置100での所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばCD−ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
このように構成されたプラズマ処理装置100は、800℃以下の低温で下地膜等へのダメージフリーなプラズマ処理を進めることができるとともに、プラズマ均一性に優れており、プロセス処理の均一性を実現できる。
このプラズマ酸化処理装置100は、上述したように、ゲート電極のポリシリコン層の酸化処理に好適に利用可能なものである。ゲート電極としては、従来、図3Aに示すように、シリコンウエハなどのSi基板61上にゲート絶縁膜62を介してポリシリコン層63を形成したものが用いられてきたが、LSIの高集積化、高速化にともなうデザインルールの微細化の要請から、ゲート電極の側壁酸化の高精度の制御およびゲート電極の低抵抗化が求められており、図3Bに示すような、Si基板61上にゲート絶縁膜62を介してポリシリコン層63を形成し、さらにその上にタングステンシリサイド(WSi)層64を形成したタングステンポリサイド構造や、図3Cに示すような、Si基板61上にゲート絶縁膜62を介してポリシリコン層63を形成し、さらにタングステンナイトライド(WN)のバリア層65、およびタングステン(W)層66を形成した、高速なデバイスに用いられる、より抵抗の低いタングステンポリメタルゲート構造等のタングステン(W)を用いたゲートが用いられている。なお、図3A〜図3Cにおいて、符号67はゲート電極をエッチングする際に用いられる、例えば窒化シリコン(SiN)などの絶縁膜からなるハードマスク層、符号68は選択酸化により形成された酸化膜である。
プラズマ処理装置100によりゲート電極の選択酸化処理を行う際には、まず、ゲートバルブ26を開にして搬入出口25からゲート電極が形成されたウエハWをチャンバー1内に搬入し、サセプタ2上に載置する。
そして、ガス供給系16のArガス供給源17、Hガス供給源18、およびOガス供給源19から、Arガス、Hガス、およびOガスを所定の流量でガス導入部材15を介してチャンバー1内に導入し、所定の処理圧力に維持する。この際の条件としては、例えば流量は、Arガス:0〜2000mL/min、Hガス:10〜500mL/min、Oガス:10〜500mL/minが好ましい。ここで、HガスとOガスの流量比(H/O)は1以上とすることができ、2以上が好ましく、例えば2〜8がより好ましい。この場合、チャンバー内処理圧力を133.3〜1333Pa、処理温度(ウエハ温度として)を250〜800℃とするのがよい。これにより、露出するポリシリコン上に、酸化膜厚の差が少ない良好な酸化処理を行なうことができる。また、特に266.7〜700Pa、より好ましくは400〜700Paの処理圧力で、250℃〜800℃、より好ましくは400〜800℃の処理温度(ウエハ温度)を選定することにより、後述するように、バーズビークの過剰な形成を抑制しながらエッジ部の酸化膜厚を厚くしてゲートリーク電流を低減することができる。また、上記条件であれば、タングステンの酸化を抑制しつつ、ポリシリコンの選択的な酸化反応を進行させることができる。
次いで、マイクロ波発生装置39からのマイクロ波を、マッチング回路38を経て導波管37に導く。マイクロ波は、矩形導波管37b、モード変換器40、および同軸導波管37aを順次通って平面アンテナ部材31に供給され、平面アンテナ部材31からマイクロ波透過板28を経てチャンバー1内におけるウエハWの上方空間に放射される。マイクロ波は、矩形導波管37b内ではTEモードで伝搬し、このTEモードのマイクロ波はモード変換器40でTEMモードに変換されて、同軸導波管37a内を平面アンテナ部材31に向けて伝搬されていく。マイクロ波パワーは1500〜5000Wとすることが好ましい。
平面アンテナ部材31からマイクロ波透過板28を経てチャンバー1に放射されたマイクロ波によりチャンバー1内で電磁界が形成され、Hガス、ArガスおよびOガスがプラズマ化し、このプラズマによりウエハWのゲート電極に露出したポリシリコンの側壁を選択的に酸化する。このマイクロ波プラズマは、マイクロ波が平面アンテナ部材31の多数のマイクロ波放射孔32から放射されることにより、略5×1011〜1×1013/cmあるいはそれ以上の高密度のプラズマとなり、その電子温度は、0.7〜2eV程度、プラズマ密度の均一性は、±5%以下である。従って、低温かつ短時間で選択酸化処理を行って薄い酸化膜を形成することができ、しかも下地膜へのイオン等のプラズマダメージが小さく、良質な酸化膜を形成できるというメリットがある。
また、図3Bおよび図3Cに示すようなタングステン(W)を含むゲート電極の場合に、このように高密度プラズマにより低温、短時間で、かつHを含むガス配合でポリシリコンの選択酸化処理を行うので、タングステン(W)の酸化によるWO(WO、WO、またはWO)の昇華を極力抑えて極めて高精度の処理を行うことができる。ここで、水素がタングステンの酸化を抑制する機構としては、下記の式(1)および式(2)の反応が起こっているものと考えられる。従って、反応が式(2)に移行するようなH/O比で処理することによって、タングステンの酸化を抑制できる。
W + 3O → WO ・・・ (1)
WO + 3H → W+3OH ・・・ (2)
次に、本発明方法による半導体装置の製造工程を、DRAMやフラッシュメモリ等の半導体装置のMOSトランジスタを構成するゲート電極を例にとって説明する。図4A〜図4Cは、ゲート電極200に選択的に酸化膜68が形成される様子を模式的に示すものである。図4Aはエッチング後のゲート電極200を示している。符号61はSi基板である。
ゲート電極200の作製手順としては、まず、Si基板61に、P+またはN+がドープされウエル領域(拡散領域;図示せず)が形成され、次いで熱酸化処理等により、ゲート絶縁膜62(SiO)が形成される。ゲート絶縁膜62上にはCVDによりポリシリコンを成膜して、ポリシリコン層63を形成し、その上にさらに、ゲート電極200を高速化するため比抵抗を下げる目的で、高融点電極材料であるタングステンによりタングステン層66を形成する。タングステン層66の形成には、例えばCVD法やスパッタ法が利用できる。タングステン層66に代えてタングステンシリサイド(WSi)を用いることもできる。なお、タングステン層66を形成する前に、その界面でWとSiとの相互拡散によりシリサイド化が生じ、高抵抗のWSiが拡散することを防止するために、予めポリシリコン層63の上に極薄の拡散バリア層65として、例えば窒化層を形成しておく。この例では、タングステンナイトライドをバリア層65に用いている。なお、この窒化層は、ポリシリコンをNH、N、またはNとHとの混合ガスなどを用いて窒化させることによって形成してもよい。
タングステン層66の上には、窒化シリコンなどのハードマスク層67を形成し、さらにフォトレジスト膜(図示せず)を形成しておく。
その後、フォトリソグラフィーによりフォトレジスト膜をマスクとしてハードマスク層67をエッチングし、さらにフォトレジスト膜+ハードマスク層67またはハードマスク層67をマスクとしてタングステン層66、バリア層65、ポリシリコン層63を順次エッチングしてゲート電極200を形成する。一連のエッチング処理により、ゲート電極200の側面にはポリシリコン層63およびタングステン層66の側壁が露出し、さらにゲート絶縁膜62もエッチングされ除去された状態となっている。
このように形成されたゲート電極200に対し、図4Bに示すように、プラズマ処理装置100により、水素ガスと酸素ガスとを所定の流量比となるように制御しながらプラズマ酸化処理を行なう。
プラズマ酸化処理条件としては、酸化膜のウエハWの面上における均一性、特にゲートパターンの疎密によるポリシリコン層63側壁の酸化膜厚の差(疎密差)を解消するために、高圧で処理することが好ましい。例えば6.7Pa程度の低圧条件では、プラズマ中のイオンポテンシャルエネルギーが高く、酸化反応が供給律速となるのに対し、例えば、400Pa以上の比較的高圧条件では、ラジカルを主体とする酸化種の存在が多くなり、反応律速となることにより、パターンの疎密に関わらず均等に酸化反応を進行させて、酸化膜厚の均一性を確保できるものと考えられる。
従って、例えばチャンバー内処理圧力は133.3〜1333Pa(1〜10Torr)、好ましくは266.7Pa以上、より好ましくは、400Pa〜700Paとすることができる。処理ガスとしては、HガスとOガスを含むガスを用いることが好ましく、さらにAr、He、Xe、Kr等から選ばれる希ガスを含んでいても良い。処理ガス流量は、Ar等の希ガス:0〜2000mL/min、Hガス:10〜500mL/min、Oガス:10〜500mL/minが好ましく、具体的には、例えば希ガス:1000mL/min、Hガス:200mL/min、Oガス:100mL/minを用いることができる。
また、処理温度は、ウエハWの温度として250〜800℃とすることが可能であり、後述するようにポリシリコン層63のエッジ部の酸化膜厚を増加させるためには、400〜800℃が好ましく、400〜600℃がより好ましい。
このような条件でプラズマ酸化処理を行なうことにより、酸化膜68がポリシリコン層63の表面に選択的かつゲートパターンの疎密に関わりなく均一に形成される。タングステン層66およびバリア層65の側壁には酸化膜は形成されず、図4Cに示されるようなゲート電極210となる。なお、Si基板およびSiN表面にも、若干の酸化膜が形成される。タングステン層66に代えて、他の高融点材料、例えば、モリブデン、タンタル、チタン、それらのシリサイド、ナイトライド、合金等を成膜したゲート電極についても同様に処理できる。
次に、本発明の効果を確認した試験結果について説明する。ウエハW上に、テストパターンとして図5Aに示すようなライン&スペースのスネークパターンTPを作成した。ポリシリコン層63の幅は0.2μm、ライン間隔(スペース)は6.8μmとした。図5Bは図5AのA−A’線矢視における断面構造を示している。Si基板61上のゲート絶縁膜62の膜厚は、4〜7nm、ポリシリコン層63の高さは150nmとした。全エッジ長さは3.9×10μm、パターン面積は3.9×10μmとした。
このテストパターンTPに対し、図1に示すプラズマ処理装置100を用い、処理圧力を変えてポリシリコン層63の側壁酸化を実施した。処理圧力は、6.7Pa(50mTorr)、133.3Pa(1Torr)、400Pa(3Torr)、667Pa(5Torr)とした。
プラズマ酸化処理における処理ガスの流量は、Ar/O/H=1000/100/200mL/min(sccm)、処理温度(基板処理温度)は250℃で、プラズマへの供給パワーは3.4kW、処理時間はポリシリコン層63の側壁に形成される酸化膜68の膜厚が6nmとなるように設定した。
酸化処理後のポリシリコン層63の側壁の酸化膜68を、テストパターンTPのオープン部位Opと密集部位Deとに分けて、それぞれ測定した。なお、図5Bに示すように、オープン部位Opは、テストパターンTPのラインの両端付近のスペースの多い、疎な部位であり、密集部位Deは、折曲したテストパターンTPのライン間に挟まれたスペースの少ない、密な部位を意味する。
図6にポリシリコン層63の側壁の酸化膜68の膜厚を示す。図6より、処理圧力6.7Pa程度の低圧では、オープン部位Opと密集部位Deとでポリシリコン層63の側壁の酸化膜68の膜厚に格差があり、密集部位Deの酸化膜厚が小さくなっている。処理圧力が133.3Paでは膜厚差がかなり改善され、400Pa以上になると、オープン部位Opと密集部位Deの膜厚は略同等となり、酸化膜厚のウエハ面内における均一性が図られている。従って、酸化膜厚の均一化を図るための処理圧力は、133.3Pa以上、好ましくは266.7Pa以上、より好ましくは400Pa以上とすることができる。
次に、図5のテストパターンTPに対して、図1に示すプラズマ処理装置100を用い、処理温度(基板処理温度)を変えてポリシリコン層66の側壁酸化を実施した。処理温度は、250℃、400℃、500℃、600℃とした。処理圧力は400Pa(3Torr)、プラズマ酸化処理における処理ガスの流量は、Ar/O/H=1000/100/200mL/min(sccm)、プラズマへの供給パワーは3.4kW、処理時間はポリシリコン層63の側壁に形成される酸化膜68の膜厚が6nmとなるように設定した。その結果を図7に示した。
図7より、400Paの高圧条件では、ウエハWの温度として250〜600℃の処理温度範囲で、オープン部位Opと密集部位Deによるポリシリコン層63の酸化膜厚に大きな差異は認められなかった。従って、ポリシリコン層63側壁の酸化膜厚の均一性を確保するという点で、処理温度は250℃以上が好ましいと考えられ、酸化膜質の観点からは、400℃以上がより好ましい。また、例えば400Pa以上の高圧条件であれば処理温度への依存性は少ないことも確認された。
次に、図5のテストパターンTPに対して、図1に示すプラズマ処理装置100を用い、処理圧力を変えて側壁の酸化を実施した場合の酸化レートを調べた。処理圧力は、133.3Pa(1Torr)、400Pa(3Torr)、667Pa(5Torr)、933Pa(7Torr)、1200Pa(9Torr)とした。
プラズマ酸化処理における処理ガスの流量は、Ar/O/H=1000/100/200mL/min(sccm)、処理温度(基板処理温度)は250℃または400℃で、プラズマへの供給パワーは3.4kW、処理時間は180秒に設定した。その結果を図8に示した。
図8より、250℃および400℃のいずれの処理温度でも、400Pa前後で最も高い酸化レートが得られ、133.3から667Pa程度では比較的酸化レートが高いことがわかる。667Paを超えて、さらに高圧にすると徐々に酸化レートが低下している。この図8と、前記図6の結果を総合すると、酸化処理の圧力としては、66.7Pa程度から1200Pa超の圧力範囲(例えば1333Pa程度まで)が好ましく、酸化レートが比較的高く、側壁の酸化膜厚の均一性を考慮する上で好適な処理圧力範囲は、133.3〜800Paの範囲であり、好ましくは266.7〜700Pa程度、より好ましくは400〜700Pa程度である。
図9は、プラズマ処理装置100により、Si基板上でゲート電極のポリシリコン露出面を6nmの酸化膜厚となるように酸化させた後に、ウエハWのセンター(中心)とエッジ(周縁)に位置するゲート電極におけるタングステン層66をXPS分析装置(X-Ray Photoelectron Spectroscopy Analysis)により表面分析した結果を示している。なお、同図において、曲線Aは、未処理(酸化を行なっていない状態)、曲線Bはセンター、曲線Cはエッジの測定結果をそれぞれ示している。この試験におけるAr/O/H流量は、1000/100/200mL/min(sccm)であり、処理圧力は400Pa、処理温度(ウエハ温度として)は250℃、プラズマへの供給パワーは3.4kWであった。
図9から、タングステンの酸化により生じたWO(WOなど)のピーク強度は、曲線Aで示す未処理の時が最も高かった。このことから、プラズマ処理装置100に本発明の酸化プロセス条件で基板をプラズマ処理することによって、WOの生成が抑制されるだけでなく、エッチング処理中やその後に表面が自然酸化されて形成された酸化タングステンについても還元されたことがわかる。従って、本発明の酸化プロセス条件によれば、タングステン層66等の金属の酸化を防ぎながらポリシリコン層63のみを選択的に酸化させ得ることが確認された。
次に、バーズビークの制御について、図10〜図14を参照しながら説明を行なう。図10A〜図10Cは、酸化処理後のポリシリコン層63のエッジ部(コーナー部)70の形状を模式的に示している。まず、図10Aは、エッジ部70にバーズビーク71が形成されていない状態であり、この状態ではエッジ部70の形状が鋭角的であるため電界集中によってゲートリーク電流の増加を招く場合がある。
一方、図10Bは、バーズビーク71が形成された状態であり、ポリシリコン層63とシリコン基板61の界面に酸素ラジカル(O)や酸素イオン(O)等の活性な酸化剤が拡散して酸化が進み、酸化膜(ゲート絶縁膜62)が成長する。このようなバーズビーク71は、特に熱酸化処理においては顕著に形成され易い。本発明の好ましい実施形態では、図10Cに示すようにポリシリコン層63のエッジ部70が僅かに丸みを帯びた状態、つまり、小バーズビーク72が形成された状態にすることができる。この状態であれば、エッジ部70からのリーク電流の増加を防ぎながら、ゲート酸化膜の増膜がなく、微細化への対応も可能な信頼性の高いゲート電極を得ることができる。
前記したように、図1に示すプラズマ処理装置100を用いて行なわれるRLSAマイクロ波プラズマによる酸化の場合、熱酸化処理において大きな問題となるバーズビークを抑制できるというメリットがあるが、図10Aに示すように、全くバーズビークが入らないと、電界が集中しやすいポリシリコン層63のエッジ部70の形状が鋭くなり、逆にリーク電流を増大させてしまうという問題がある。そこで、ポリシリコン層63のエッジ部70の形状を、図10Cのように、小バーズビーク72が入った形状に制御するための酸化条件について、以下のような検討を行なった。
まず、図5A、図5BのテストパターンTPに対して、図1に示すプラズマ処理装置100を用い、処理圧力を変えて酸化処理を実施した。処理圧力は、67Pa(0.5Torr)、133.3Pa(1Torr)、400Pa(3Torr)、667Pa(5Torr)とした。プラズマ酸化処理における処理ガスの流量は、Ar/O/H=1000/100/200mL/min(sccm)、処理温度(基板処理温度)は、600℃で、プラズマへの供給パワーは3.4kW、処理時間は酸化膜厚が6nmとなるような時間に設定した。
酸化処理後、常法に従いゲート電極を形成し、−4Vの電圧を印加した場合のエッジ部70からのリーク電流を測定した。その結果を図11に示した。なお、図11は横軸に処理圧力を、縦軸にエッジ部リーク電流値をとった。
図11より、処理圧力が67Paである場合は、リーク電流が高い値を示したが、処理圧力が133.3Paを超えるとリーク電流は略一定であった。この結果から、リーク電流を抑えるためには、133.3Pa以上の処理圧力が有効であることがわかる。
次に、図1に示すプラズマ処理装置100を用い、処理圧力を400Pa(3Torr)に固定し、処理温度(基板処理温度)を変化させて処理を行ない、ポリシリコン層63のエッジ部70の形状を観察した。プラズマ酸化処理における処理ガスの流量は、Ar/O/H=1000/100/200mL/min(sccm)、プラズマへの供給パワーは3.4kW、処理時間は酸化膜厚が6nmとなるような時間に設定した。
図12Aは未処理(つまり、プラズマ酸化処理前の状態)、図12Bは処理温度250℃、図12Cは同400℃、図12Dは同500℃および図12Eは同600℃でプラズマ酸化処理を行なうことによって酸化膜を形成したゲート電極の断面構造のTEM写真を示している。図12Aの未処理ではポリシリコン層63のエッジ部70の形状が鋭角であったのに対し、図12Cの処理温度が400℃からポリシリコン層63のエッジ部70に僅かなバーズビークが入るようになり、図12Eの処理温度600℃ではエッジ部70に小バーズビーク72が形成されていることがわかる。
また、上記各処理温度で酸化をした後、常法に従いゲート電極を作成し、−4Vの電圧を印加した場合のエッジ部70からのリーク電流を測定した。その結果を図13に示した。この図13から、ゲートリーク電流は、処理温度が上がるに従って低下していく傾向が示された。
以上の結果から、バーズビーク制御の観点からも、処理圧力が133.3Pa以上かつ処理温度が400℃以上の条件が好ましく、さらに処理圧力が400Pa以上かつ処理温度が400℃以上の条件で活性酸化剤の拡散が抑制され、適度なバーズビークを形成し、ゲートリーク電流の低減を図り得ることが示された。
また、図1のプラズマ処理装置100を用い、例えば133.3Pa〜1333Pa、好ましくは400〜700Paの高圧、かつ400〜800℃の高温条件でポリシリコン層63をプラズマ処理し、側壁に例えば3〜5nm程度の酸化膜を形成する第1の酸化工程を実施した後、1.3〜13.3Pa程度の比較的低圧条件、かつ250〜800℃の処理温度で、ポリシリコン層63の側壁に例えば10〜15nm程度の酸化膜をさらに形成する第2の酸化工程を実施する2ステップ処理を行なうことにより、過剰なバーズビーク形成を抑制しながら充分な膜厚で酸化膜を形成することも可能である。2ステップ処理における第2の酸化処理工程では、処理ガスとして、例えばArガスを0〜2000mL/min、Hガスを10〜500mL/min、Oガスを10〜500mL/minの流量で用いることが好ましく、この際のHとOの流量比(H/O)は1以上、好ましくは2以上、例えば2から8とすることができる。
このような2ステップ処理において、高圧で行なう第1の酸化処理工程では、酸化レートが比較的遅く等方性の酸化処理が行なわれるので、ポリシリコン層63のエッジ部70に短いバーズビークを形成することができる。そして、低圧で行なう第2の酸化処理工程では、第1の酸化処理工程よりも酸化レートが速く、深さ方向への酸化が進みやすいため、第2の酸化処理工程では、ゲート絶縁膜の酸化膜厚も充分に確保することが可能になる。従って、これら条件の異なる2つの酸化ステップを組み合わせて実施することにより、ポリシリコン層63のエッジ部70の形状を制御しつつ、ゲート絶縁膜の膜厚の均一性も高めることができる。
ところで、プラズマ酸化処理によって400℃程度の低温でポリシリコンの酸化処理を行ったゲート電極を有する高電圧トランジスタでは、オフリーク電流が発生するという問題があった。この現象は、400℃程度の低温でのプラズマ酸化処理の後に850℃で窒素アニールを行った場合でも発生する。そこで、本発明者らは、このオフリーク電流の原因を調査した。図14は、処理温度400℃でプラズマ酸化処理を行ったゲート電極を組込んだトランジスタのドレイン電流−電圧曲線を示している。この曲線が示すように、低電圧領域においてキンクが発生しており、その結果、オフリーク電流を生じさせていることが判明した。
このキンクの発生原因をさらに調査したところ、キンクが発生するデバイスにおいては、図15Aに示すように、素子分離用の埋込絶縁膜80と不純物拡散領域81との境界に沿ってボロンが偏在する領域が存在することが確認された。正常な状態では、図15Bに示すように、ボロンは不純物拡散領域81に集中して存在しており、埋込絶縁膜80との境界部分にボロンはほとんど存在していなかった。
このようなボロンの移動によって、ゲート電極のエッジ部近傍のボロン濃度が小さくなり、オフリーク電流を発生させるものと考えられた。このようなボロンの偏在化現象は、STI(Shallow Trench Isolation)のトレンチエッチングの際のエッチダメージ、あるいは埋込絶縁膜80の密度不足が発生した状態で、後からの熱処理で高温が加えられることにより、不純物拡散領域81のボロンが素子分離用の埋込絶縁膜80と不純物拡散領域81との境界に沿って移動することにより発生したものと推測された。
図16は、プラズマ酸化処理条件を変えてポリシリコン電極にシリコン酸化膜を形成したゲート電極を備えたトランジスタのオフリーク電流(Idoff)を測定した試験結果を示すグラフである。この試験では、処理ガスとして、Ar/O/Hを用い、その流量比Ar/O/Hを1000/100/200mL/min(sccm)[H/O比=2]または1000/50/400mL/min(sccm)[H/O比=8]とし、処理圧力を6.7Paまたは399Pa、処理温度(ウエハ温度)を400〜800℃、プラズマへの供給パワーを3.4kW、処理時間を60〜180秒に設定した。
また、比較のため、900℃でウエット酸化処理を行なった場合のオフリーク電流の測定結果も示した。
図16に示されるように、高圧および水素雰囲気の条件でプラズマ酸化処理を行なうと、6.7Paの低圧で水素流量比を増加させた場合に比べて効果的にドレインオフリーク電流の発生を抑制できることが確認された。これは、プラズマ酸化処理によって、素子分離用の埋込絶縁膜80の境界に沿ってボロンが移動する現象が抑制されたためであると考えられる。
以上のように、図1のプラズマ処理装置100を用いて、高圧(例えば133.3〜1333Pa)かつ水素存在下(例えば、水素/酸素比H/O=0.5〜4程度)でポリシリコン層を酸化処理することにより、オフリーク電流の発生を抑制できる効果も得られる。
以上、本発明の実施形態を述べたが、本発明は上記実施形態に制約されるものではない。すなわち、上記実施形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにすることを意図するものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるものではなく、本発明の精神と請求の範囲に述べる範囲で、種々に変更して実施することができるものである。
例えば、ゲート電極としては、ポリシリコンにタングステンまたはタングステンシリサイドを積層したものに限らず、他の高融点電極材料やそれらのシリサイドを積層した構造のゲート電極にも適用できる。また、プラズマ源としては、ICP(誘導結合型プラズマ)、反射波プラズマ、ECRプラズマ、マグネトロンプラズマなどを用いることも可能である。
また、本発明方法は、トランジスタのゲート電極以外に、例えば、メタル材料の酸化を抑制しつつ、シリコンを含む材料を選択的に酸化させる必要のある種々の半導体装置の製造にも適用可能である。
本発明は、トランジスタなどの各種半導体装置の製造において好適に利用可能である。

Claims (25)

  1. 少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、を有する積層体に対し、
    複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を酸化する、半導体装置の製造方法。
  2. 半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
    このゲート絶縁膜上に、少なくとも、ポリシリコン層および高融点金属を含む金属層を含む積層体を形成する工程と、
    前記積層体をエッチング処理してゲート電極を形成する工程と、
    複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ゲート電極中のポリシリコン層を選択的に酸化する工程と、
    を含む、半導体装置の製造方法。
  3. 少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、を有する積層体に対し、
    複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minでプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を酸化する、半導体装置の製造方法。
  4. 半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
    このゲート絶縁膜上に、少なくとも、ポリシリコン層および高融点金属を含む金属層を含む積層体を形成する工程と、
    前記積層体をエッチング処理してゲート電極を形成する工程と、
    複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minでプラズマ処理を行ない、前記ゲート電極中のポリシリコン層を選択的に酸化する工程と、
    を含む、半導体装置の製造方法。
  5. 処理圧力が、400〜1333Paで、処理温度が400℃〜600℃である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
    このゲート絶縁膜上に、少なくとも、ポリシリコン層および高融点金属を含む金属層を含む積層体を形成する工程と、
    前記積層体をエッチング処理してゲート電極を形成する工程と、
    複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度400〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いて前記ゲート電極にプラズマ処理を行なう第1の酸化処理工程と、
    前記プラズマ処理装置により、処理圧力1.3〜13.3Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いて前記ゲート電極にプラズマ処理を行なう第2の酸化処理工程と、
    を含む、半導体装置の製造方法。
  7. 前記第1の酸化処理工程並びに前記第2の酸化処理工程では、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minで処理を行なう、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記第1の酸化処理工程では、前記ポリシリコン層の側壁を酸化して酸化膜を形成するとともに、前記ポリシリコン層のエッジ部の酸化膜厚を増加させ、
    前記第2の酸化処理工程では、前記ポリシリコン層の側壁の酸化膜の膜厚をさらに増加させる、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記第1の酸化処理工程で形成される酸化膜の膜厚は3〜5nmであり、前記第2の酸化処理工程で形成される酸化膜の膜厚は10〜15nmである、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記半導体装置はトランジスタである、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 前記金属層は、タングステン層、またはタングステンシリサイド層である、請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記ポリシリコン層をプラズマにより選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法であって、
    アンテナにて処理室内に電磁波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行なう、プラズマ酸化処理方法。
  13. 少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記ポリシリコン層をプラズマにより選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法であって、
    アンテナにて処理室内に電磁波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minでプラズマ処理を行なう、プラズマ酸化処理方法。
  14. 処理圧力が、400〜1333Paで、処理温度が400℃〜600℃である、請求項12または請求項13に記載のプラズマ酸化処理方法。
  15. 少なくとも、シリコンを主成分とするシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記シリコン層をプラズマにより選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法であって、
    アンテナにて処理室内に電磁波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度400〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いて前記被処理体にプラズマ処理を行なう第1の酸化処理工程と、
    前記プラズマ処理装置により、処理圧力1.3〜13.3Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いて前記被処理体にプラズマ処理を行なう第2の酸化処理工程と、
    を含む、プラズマ酸化処理方法。
  16. 前記シリコン層は、ポリシリコン、アモルファスシリコンまたは導電体がドープされたシリコンにより構成される、請求項15に記載のプラズマ酸化処理方法。
  17. 前記第1の酸化処理工程並びに前記第2の酸化処理工程では、処理ガス中の水素ガス流量が10〜500ml/min、酸素ガス流量が10〜500ml/minおよび希ガス流量が0〜2000ml/minで処理を行なう、請求項15または請求項16に記載のプラズマ酸化処理方法。
  18. 前記第1の酸化処理工程では、前記ポリシリコン層の側壁を酸化して酸化膜を形成するとともに、前記ポリシリコン層のエッジ部の酸化膜厚を増加させ、
    前記第2の酸化処理工程では、前記ポリシリコン層の側壁の酸化膜の膜厚をさらに増加させる、請求項17に記載のプラズマ酸化処理方法。
  19. 前記第1の酸化処理工程で形成される酸化膜の膜厚は3〜5nmであり、前記第2の酸化処理工程で形成される酸化膜の膜厚は10〜15nmである、請求項18に記載のプラズマ酸化処理方法。
  20. 前記金属層は、タングステン層、またはタングステンシリサイド層である、請求項12から請求項19のいずれか1項に記載のプラズマ酸化処理方法。
  21. コンピュータ上で動作し、実行時に、
    少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、を有する積層体に対し、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を酸化する工程を含む半導体装置の製造方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御する、制御プログラム。
  22. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に、
    少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、を有する積層体に対し、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を酸化する工程を含む半導体装置の製造方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
  23. コンピュータ上で動作し、実行時に、
    少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記ポリシリコン層に対し、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御する、制御プログラム。
  24. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に、
    少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記ポリシリコン層に対し、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法が行なわれるように、前記プラズマ処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
  25. 被処理体を処理するための真空排気可能な処理室と、
    複数のスロットを有し、前記処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させる平面アンテナと、
    前記処理室内で、少なくとも、ポリシリコン層と、高融点金属を含む金属層と、が露出している被処理体中の前記ポリシリコン層に対し、処理圧力133.3〜1333Pa、処理温度250〜800℃で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行ない、前記ポリシリコン層を選択的に酸化するプラズマ酸化処理方法が行なわれるように制御する制御部と、
    を備えた、プラズマ処理装置。
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