JPWO2006038741A1 - チオエーテル化合物の製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、医薬品又は医薬品の製造中間体として有用な、チオエーテル化合物又はチオール化合物に関する、工業的な製法として効率的かつ適用範囲の広い製造方法に関するものである。すなわち、本発明は、一般式［ＩＩＩ］：［式中、Ｘは、臭素原子、塩素原子、トリフルオロメチルスルフォニルオキシ基を、環Ａは、アリール基又はヘテロアリール環基を意味する。］で表される化合物又はその塩を、Ｐｄ２（ｄｂａ）３等のパラジウム化合物、ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ等の塩基、等のリン化合物の存在下で、一般式［ＩＩ］：で表されるチオール化合物又はその塩と反応させることを特徴とする、一般式［Ｉ］：で表されるチオエーテル化合物又はその塩の製造方法に関する。

Description

本発明は、医薬品又は医薬品の製造中間体として有用な、チオエーテル化合物またはチオール化合物の効率的、且つ新規な製造方法に関するものである。
チオエーテル化合物が、医薬品として有用であると開示されている。例えば、以下の化学構造式で表される、チオエーテル化合物であるＶｉｒａｃｅｐｔ（ＡＧ１３４３）が、ＨＩＶ−１プロテアーゼの阻害作用を有し、エイズの治療剤として実用化されていることが開示されている。（ステフェン ダブリュウ．カルドール（Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｗ． Ｋａｌｄｏｒ）ら，ジャーナル オブ メディシナル ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）第４０巻 第３９７９ページ〜第３９８５ページ（１９９７年）参照）
Figure 2006038741
国際公開番号ＷＯ ２００４／０８１００１公報には、糖尿病の治療薬及び／又は予防薬として、さらに糖尿病の合併症の治療薬及び／又は予防薬として有用なチオエーテル化合物が開示されている。
一方、チオエーテル化合物の製造方法として、以下の製造方法が知られている。（ナン ゼング（Ｎａｎ Ｚｈｅｎｇ）ら，ジャーナル オブ オーガニック ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）第６３巻 第９６０６ページ〜第９６０７ページ（１９９８年）参照）。
当該非特許文献において、塩基性の弱い塩基としてＫ２ＣＯ３、ＮａＨＣＯ３及びトリエチルアミンを使用して反応が行われているが、目的とするチオエーテル化合物の収率は、低く、工業的な製造方法としては不適当である。さらに、当該非特許文献２に開示されたチオエーテル化合物の製造方法では、ベンゼンチオールのようなチオール求核試薬には、適用できない旨開示されている。すなわち、当該製法は、ジアリールスフィドを製造できない製法であるといえる。
Figure 2006038741
さらに、ＰＯＰＤ１、ＰＯＰＤ２及びＰＯＰＤというパラジウム化合物、及びＫＯｔＢｕというような強塩基を用いて、チオエーテル化合物を製造することが知られている。（ジョージ ワイ．（Ｇｅｏｒｇｅ Ｙ．Ｌｉ）ら，ジャーナル オブ オーガニック ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）第６６巻 第８６７７ページ〜第８６８１ページ（２００１年）参照）
当該パラジウム化合物は、汎用性が乏しく、高価であるので、当該製造方法によるチオエーテル化合物の製造方法は、工業的な製造方法としては、不適当である。
Figure 2006038741
さらに、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、ＤＰＥｐｈｏｓ、及び塩基としてＣｓＣＯ３を使用するチオエーテル化合物の製造方法が知られている。（ウルリッチ ショッファー（Ｕｌｒｉｃｈ Ｓｃｈｏｐｆｅｒ）ら，テトラヘドロン（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ）第５７巻 第３０６９ページ〜第３０７３ページ（２００１年）参照）当該製造方法の場合、目的とするチオエーテル化合物の収率が低いため、工業的に使用するには不適である。
Figure 2006038741
さらに、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４及びｔ−ＢｕＯＮａ（強塩基）を使用するチオエーテル化合物の製造方法が知られている。（トシヒコ ミギタ（Ｔｏｓｈｉｈｉｋｏ Ｍｉｇｉｔａ）ら，ブルテン オブ ザ ケミカル ソサエティ オブ ジャパン（Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ）第５３巻 第１３８５ページ〜第１３８９ページ（１９８０年）参照）
Figure 2006038741
さらに、ＣｕＩ及びＫ２ＣＯ３を使用するチオエーテル化合物の製造方法が知られている。（フク イー クウォング（Ｆｕｋ Ｙｅｅ Ｋｗｏｎｇ）ら，オルガニック レターズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第４巻 第３５１７ページ〜第３５２０ページ（２００２年）参照）
Figure 2006038741
さらに、ヨード化合物を原料に用いて、アルキルチオエーテル化合物を製造した例が開示されている。（シャアマラ ラジャゴパラン（Ｓｈｙａｍａｌａ Ｒａｊａｇｏｐａｌａｎ）ら，シンセティック コミニュケーションズ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）第２６巻 第７号 第１４３１ページ〜第３５２１４４０ページ（１９９６年）参照）当該製造法は、ヨード化合物を原料としている点で汎用性が乏しい製造法である。
Figure 2006038741
さらに、以下の反応例のみが、実施例として開示されている。（公開特許公報 特開２００２−４７２７８参照）当該反応例の収率は、工業的な製造方法としては低くすぎるので、工業的な製法としては、不適当である。
Figure 2006038741
チオール基に結合したベンジル基又はフェニル基を除去する方法としては、以下の方法が知られている。
（ａ）液体アンモニア中での金属ナトリウムによる処理（ジェイ．イー．ティー．コリー（Ｊ．Ｅ．Ｔ．Ｃｏｒｒｉｅ）ら ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサエティ，パーキン トランスアクション（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ）Ｉ １４２１ページ（１９７７）参照）
（ｂ）アニソール中でのフッ化水素による処理（エス．サカキバラ（Ｓ．Ｓａｋａｋｉｂａｒａ）ら ブルテン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ）第４０巻，４１２６頁（１９６７）参照）
（ｃ）電気分解（ディー．エー．ジェイ．アイベス（Ｄ．Ａ．Ｊ．Ｉｖｅｓ）カナディアン・ジャーナル・オブ・ケミストリー（Ｃａｎａｄｉａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）第４７巻３６９７（１９６９）参照）
以上のように、大量に取り扱うことが必要となる工業的な製造では、危険性が高いので不向きな試薬を使用したり、電解槽というような特殊な製造設備が必要となったり、工業的に不適当な点がある。
本発明は、例えばステフェン ダブリュウ．カルドール（Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｗ．Ｋａｌｄｏｒ）ら，ジャーナル オブ メディシナル ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）第４０巻 第３９７９ページ〜第３９８５ページ（１９９７年）や国際公開番号ＷＯ ２００４／０８１００１公報に開示されているように、医薬品又は医薬品の製造中間体として有用な、チオエーテル化合物又はチオール化合物を効率よく製造することができる、製造方法を開発することにある。
そこで、本発明者らは、チオエーテル化合物の製造方法について、鋭意検討した結果、リン化合物、パラジウム化合物、及び弱塩基を使用することにより、原料として確保しやすい臭化物、塩化物又はスルフォネート化合物を使用し、温和な塩基性条件下、チオエーテル化合物を高収率で製造できる、チオエーテル化合物の新規な製造方法を見出して、本発明を完成した。
さらに、当該新規なチオエーテル化合物の製造方法を利用することにより、アリール環又はヘテロアリール環への、効率的なチオール基の導入法をも併せて見出して、本発明を完成した。
すなわち、本発明の、チオエーテル化合物の製造方法及びチオール化合物の製造方法は、以下の点で工業的な製造法として、優れた点を有する。
（ａ）本発明のチオエーテル化合物の製造方法は、温和な塩基性条件で実施できるので、強塩基性条件で不安定な化合物に適用できる。
（ｂ）本発明のチオエーテル化合物の製造方法の場合、ヨード化合物に比べて、反応性の低い臭化物、塩化物又はスルフォネート化合物を原料として、チオエーテル化合物の製造に利用できる。
（ｃ）本発明のチオエーテル化合物の製造方法は、原料として臭化物、塩化物又はスルフォネート化合物を使用できるので、ヨード化合物を利用する公知の製法にくらべ、適用範囲が広く、且つ原料の確保が容易である。
（ｄ）本発明のチオエーテル化合物の製造方法により、除去できる基が置換したチオール化合物と、塩素基、臭素基又は置換スルフォニル基を有する、アリール又はヘテロアリール化合物と反応させて、チオエーテル化合物を効率よく製造し、ついで当該除去できる基を除去することにより、当該アリール環又は当該ヘテロアリール環にチオール基を効率よく導入することができる。
（ｅ）当該除去できる基として、置換又は非置換ベンジル基、および置換又は非置換フェネチル基の場合、従来法に比べ、通常の設備で実施可能で、簡便かつ穏和な条件で脱離できる。
すなわち、本発明は、（１）〜（２１）に関するものである。
（１） 一般式［ＩＩＩ］：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基を、
Ｙ１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基を、
Ｘは、臭素原子、塩素原子、トリフルオロメタンスルフォニルオキシ基、メチルスルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、トルエンスルフォニルオキシ基又はニトロベンゼンスルフォニルオキシ基を、
ｎ１は、０又は１を、
一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、アリール環基又はヘテロアリール環基を意味する。ただし、Ｘが、塩素原子である場合には、一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、ｎ１及びＹ１は前記の意味を有する。］で表される基は、電子吸引基である。］で表されるアリール若しくはヘテロアリール化合物、又はその塩を、酢酸パラジウム、Ｐｄ２（ｄｂａ）３及びＰｄ（ｄｂａ）２からなる群から選ばれるパラジウム化合物、
炭酸セシウム、一般式
Figure 2006038741
［式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１ないし６アルキル基、ベンジル基、フェニル基又はピリジル基を示す。］で表されるアミン誘導体、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンからなる群から選ばれる塩基、及び式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物及び式：
Figure 2006038741
で表される化合物からなる群から選ばれるリン化合物の存在下で、
一般式［ＩＩ］：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ６又はＲ７は、同一又は異なっていてもよく、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、アミノ基又はフェニル基を、ｎ２は、０ないし６を、Ｒ８は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、トリメチルシリル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基、
又は一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｙ２は、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ７は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基を、
ｎ３は、０又は１を、
Ｒ９は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基を示す。］で表される基を、
一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、アリール環基又はヘテロアリール環基を意味する。］で表されるチオール化合物又はその塩と反応させることを特徴とする
一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、Ｙ１、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、ｎ１、ｎ２及び一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
（２） 一般式［ＩＩ］で表されるチオール化合物が、一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒｅは、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
Figure 2006038741
（式中、ｎａは、１又は２を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基、（２−ナフチル）メチル基、４−アセトキシフェニル基、４−アセトキシフェニル基、フェニル基、トリチル基、ジアミノメチル基、２−トリメチルシリルエチル基又は２−（２−エチルヘキシルオキシカルボニル）エチル基を示す。］で表されるチオール化合物又はその塩であることを特徴とする（１）記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
（３） Ｒｅが、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
Figure 2006038741
（式中、ｎａは、１又は２を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基であることを特徴とする（２）記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
（４） 一般式［ＩＩ］で表されるチオール化合物が、一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒｆは、４−ピリジルエチル基、４−メトキシフェニル基、４−ピリジルメチル基、ベンジル基、４−アセトキシベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−アセトキシフェニル基、フェニル基、トリチル基、ジアミノメチル基、２−トリメチルシリルエチル基又は２−（２−エチルヘキシルオキシカルボニル）エチル基を示す。］で表されるチオール化合物又はその塩であることを特徴とする（１）記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
（５） パラジウム化合物が、Ｐｄ２（ｄｂａ）３であることを特徴とする（１）記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
（６） リン化合物が、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物又は式：
Figure 2006038741
で表される化合物であることを特徴とする（１）記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
（７） 塩基が、炭酸セシウム、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ジベンジルメチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、トリベンジルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン又は１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンであることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
（８） 塩基が、ジイソプロピルエチルアミンであることを特徴とする（１）記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
（９） パラジウム化合物が、Ｐｄ２（ｄｂａ）３であり、リン化合物が、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、又は式：
Figure 2006038741
で表される化合物であり、塩基が、炭酸セシウム、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、ジベンジルメチルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン又は１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンであることを特徴とする（１）記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
（１０） 一般式［ＩＩＩ］：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基を、
Ｙ１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基を、
Ｘは、臭素原子、塩素原子、トリフルオロメタンスルフォニルオキシ基、メチルスルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、トルエンスルフォニルオキシ基又はニトロベンゼンスルフォニルオキシ基を、
ｎ１は、０又は１を、
一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、アリール環基又はヘテロアリール環基を意味する。ただし、Ｘが、塩素原子である場合には、一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、ｎ１及びＹ１は前記の意味を有する。］で表される基は、電子吸引基である。］で表されるアリール若しくはヘテロアリール化合物、又はその塩を、酢酸パラジウム、Ｐｄ２（ｄｂａ）３及びＰｄ（ｄｂａ）２からなる群から選ばれるパラジウム化合物、
炭酸セシウム、一般式
Figure 2006038741
［式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基又はピリジル基を示す。］で表されるアミン誘導体、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンからなる群から選ばれる塩基、及び式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物及び式：
Figure 2006038741
で表される化合物からなる群から選ばれるリン化合物の存在下で、一般式［ＩＩ−ａ］：
Figure 2006038741
［式中、Ｒｅは、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
Figure 2006038741
（式中、ｎａは、１又は２を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基、（２−ナフチル）メチル基、４−アセトキシフェニル基、４−アセトキシフェニル基、フェニル基、トリチル基、ジアミノメチル基、２−トリメチルシリルエチル基又は２−（２−エチルヘキシルオキシカルボニル）エチル基を示す。］で表されるチオール化合物又はその塩と反応させ、一般式「Ｉ−ａ」：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、Ｙ１、Ｒｅ、ｎ１、一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオエーテル化合物又はその塩を得、次いで、得られた一般式［Ｉ−ａ］で表されるチオエーテル化合物の、Ｒｅで表される保護基を脱離することを特徴とする、一般式［Ｉ−ｂ］：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、Ｙ１、ｎ１、及び一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオール化合物又はその塩の製造方法。
（１１） 一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ７は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基が、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基又は一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｙは、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示し、ｎ４及びｎ５は１ないし６の整数を示し、両者の合計は６を超えない。］で表される基であることを特徴とする（１）又は（１０）記載の製造方法。
（１２） ｎ１が、０であることを特徴とする（１）又は（１０）記載の製造方法。
（１３） ｎ２が、０であることを特徴とする（１）又は（１０）記載の製造方法。
（１４） ｎ３が、０であることを特徴とする（１）又は（１０）記載の製造方法。
（１５） 塩基が、炭酸セシウム、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ジベンジルメチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、トリベンジルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン又は１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンであることを特徴とする（１０）記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
（１６） パラジウム化合物が、Ｐｄ２（ｄｂａ）３であり、リン化合物が、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、式：
Figure 2006038741
で表される化合物、又は式：
Figure 2006038741
で表される化合物であり、塩基が、炭酸セシウム、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ジベンジルメチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、トリベンジルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン又は１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンであることを特徴とする（１０）記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
（１７） Ｒｅで表される保護基が、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基であることを特徴とする（１０）記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
（１８） Ｒｅで表される保護基が、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表されるフェネチル基、Ｒｅで表される保護基の脱離工程が、カリウム アルコキシド又はナトリウム アルコキシドによる処理であることを特徴とする、（１０）記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
（１９） Ｒｅで表される保護基が、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基である場合、Ｒｅで表される保護基の脱離工程が、銅化合物、鉄化合物、コバルト化合物、銀化合物、チタン化合物又はそれらの水和物らなる群の添加物から選ばれる１種の添加物の存在下で、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｇは、ハロゲン原子又は炭素数１ないし１０のアルキル基を、Ｒｈは、炭素数１ないし１０のアルキル基を示す。）で表されるマグネシウム化合物による処理であることを特徴とする、（１０）記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
（２０） 添加物が、ＣｕＣｌ２、ＣｕＣｌ２・２Ｈ２Ｏ、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、ＴｉＣｌ２（ｉ−ＰｒＯ）２、Ｃｕ（ＣＦ３ＳＯ２Ｏ）２、ＣｏＣｌ２、ＡｇＮＯ３又はＣｐ２ＴｉＣｌ２であることを特徴とする、（１９）記載のチオール化合物又はその塩の製造方法
（２１） マグネシウム化合物が、ジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジ−ｎ−プロピルマグネシウム、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、ｎ−プロピルマグネシウムクロリド、ｎ−プロピルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムクロリド又はイソプロピルマグネシウムブロミドであることを特徴とする、（１９）記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
以下に、本明細書において用いられる用語の意味を記載し、本発明について更に詳細に説明する。
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を意味する。
「炭素数１ないし６のアルキル基」とは、炭素数１ないし６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を意味し、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基又はイソヘキシル基等が挙げられる。
「炭素数１ないし１０のアルキル基」とは、炭素数１ないし１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を意味し、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｎ−ノニル基、イソノニル基、又はデシル基等が挙げられる。
「炭素数１ないし６のアルキレン基」とは、炭素数１ないし６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を意味し、例えばメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、プロピレン基又はエチルエチレン基等が挙げられる。
「炭素数１ないし６のアルコキシ基」とは、炭素数１ないし６の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基を意味し、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基又はシクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
「炭素数１ないし１０のアルコキシ基」とは、炭素数１ないし１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基を意味し、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｎ−デカニルオキシ基又はイソデカニルオキシ基等が挙げられる。
「炭素数１ないし１０のアルキルチオ基」とは、炭素数１ないし１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルチオ基を意味し、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、イソヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、イソヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、イソオクチルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、イソノニルチオ基、ｎ−デカニルチオ基又はイソデカニルチオ基等が挙げられる。
「炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基」とは、炭素数１ないし１０の直鎖状又は分岐状のアルキルスフィニル基を意味し、例えばメチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｎ−プロピルスルフィニル基、イソプロピルスルフィニル基、ｎ−ブチルスルフィニル基、イソブチルスルフィニル基、ｓｅｃ−ブチルスルフィニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルフィニル基、ｎ−ペンチルスルフィニル基、イソペンチルスルフィニル基、ｎ−ヘキシルスルフィニル基、イソヘキシルスルフィニル基、ｎ−ヘプチルスルフィニル基、イソヘプチルスルフィニル基、ｎ−オクチルスルフィニル基、イソオクチルスルフィニル基、ｎ−ノニルスルフィニル基、イソノニルスルフィニル基、ｎ−デカニルスルフィニル基又はイソデカニルスルフィニル基等が挙げられる。
「炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基」とは、炭素数１ないし１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルフォニル基を意味し、例えばメチルスルフォニル基、エチルスルフォニル基、ｎ−プロピルスルフォニル基、イソプロピルスルフォニル基、ｎ−ブチルスルフォニル基、イソブチルスルフォニル基、ｓｅｃ−ブチルスルフォニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルフォニル基、ｎ−ペンチルスルフォニル基、イソペンチルスルフォニル基、シクロペンチルスルフォニル基、ｎ−ヘキシルスルフォニル基、イソヘキシルスルフォニル基、シクロヘキシルスルフォニル基、ｎ−ヘプチルスルフォニル基、イソヘプチルスルフォニル基、ｎ−オクチルスルフォニル基、イソオクチルスルフォニル基、ｎ−ノニルスルフォニル基、イソノニルスルフォニル基、ｎ−デカニルスルフォニル基又はイソデカニルスルフォニル基等が挙げられる。
「炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基」とは、炭素数１ないし１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基を意味し、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、イソヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、イソオクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基又はイソノニルオキシカルボニル基等が挙げられる。
「炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基」とは、炭素数２ないし１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルカノイルオキシ基を意味し、例えばホルミルオキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニル基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、ヘプタノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ノナノイルオキシ基又はデカノイルオキシ基等が挙げられる。
「アリールカルボニル基」とは、例えばベンゾイル基、１−ナフチルカルボニル基又は２−ナフチルカルボニル基等のアリールカルボニル基を意味する。
「アリールカルボニルオキシ基」とは、例えばベンゾイルオキシ基、１−ナフチルカルボニルオキシ基又は２−ナフチルカルボニルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基を意味する。
「ヘテロアリールカルボニル基」とは、例えば２−フリルカルボニル基、３−フリルカルボニル基、２−チエニルカルボニル基、３−チエニルカルボニル基、２−ピリジルカルボニル基、３−ピリジルカルボニル基、４−ピリジルカルボニル基、２−ピロリルカルボニル基、３−ピロリルカルボニル基、２−イミダゾリルカルボニル基、４−イミダゾリルカルボニル基、５−イミダゾリルカルボニル基、３−ピラゾリルカルボニル基、４−ピラゾリルカルボニル基、５−ピラゾリルカルボニル基、２−ピリミジニルカルボニル基、４−ピリミジニルカルボニル基、５−ピリミジニルカルボニル基、２−チアゾリルカルボニル基、２−オキサゾリルカルボニル基、３−ピリダジニルオキシ基、２−ピラジニルカルボニル基、２−キノリルカルボニル基、３−イソキノリル基、２−インドリルカルボニル基又は１，８−ナフチリジン−２−イルカルボニル基等のヘテロアリールカルボニル基を意味する。
「ヘテロアリールカルボニルオキシ基」とは、例えば２−フリルカルボニルオキシ基、３−フリルカルボニルオキシ基、２−チエニルカルボニルオキシ基、３−チエニルカルボニルオキシ基、２−ピリジルカルボニルオキシ基、３−ピリジルカルボニルオキシ基、４−ピリジルカルボニルオキシ基、２−ピロリルカルボニルオキシ基、３−ピロリルカルボニルオキシ基、２−イミダゾリルカルボニルオキシ基、４−イミダゾリルカルボニルオキシ基、５−イミダゾリルカルボニルオキシ基、３−ピラゾリルカルボニルオキシ基、４−ピラゾリルカルボニルオキシ基、５−ピラゾリルカルボニルオキシ基、２−ピリミジニルカルボニルオキシ基、４−ピリミジニルカルボニルオキシ基、５−ピリミジニルカルボニルオキシ基、２−チアゾリルカルボニルオキシ基、２−オキサゾリルカルボニルオキシ基、３−ピリダジニルカルボニルオキシ基、２−ピラジニルカルボニルオキシ基、２−キノリルカルボニルオキシ基、３−イソキノリルカルボニルオキシ基、２−インドリルカルボニルオキシ基又は１，８−ナフチリジン−２−イルカルボニルオキシ基等のヘテロアリールカルボニルオキシ基等を意味する。
「炭素数１ないし１０のアルカノイル基」とは、炭素数２ないし１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルカノイル基を意味し、例えばホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、シクロペンチルカルボニル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ジクロヘキシルカルボニル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ノナノイル基又はデカノイル基等が挙げられる。
「炭素数３ないし８のシクロアルキル基」とは、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基又はシクロオクチル基等の炭素数３ないし８のシクロアルキル基を意味する。
「ヘテロアリールカルボニルアミノ基」とは、例えば２−フリルカルボニルアミノ基、３−フリルカルボニルアミノ基、２−チエニルカルボニルアミノ基、３−チエニルカルボニルアミノ基、２−ピリジルカルボニルアミノ基、３−ピリジルカルボニルアミノ基、４−ピリジルカルボニルアミノ基、２−ピロリルカルボニルアミノ基、３−ピロリルカルボニルアミノ基、２−イミダゾリルカルボニルアミノ基、４−イミダゾリルカルボニルアミノ基、５−イミダゾリルカルボニルアミノ基、３−ピラゾリルカルボニルアミノ基、４−ピラゾリルカルボニルアミノ基、５−ピラゾリルカルボニルアミノ基、２−ピリミジニルカルボニルアミノ基、４−ピリミジニルカルボニルアミノ基、５−ピリミジニルカルボニルアミノ基、２−チアゾリルカルボニルアミノ基、２−オキサゾリルカルボニルアミノ基、３−ピリダジニルカルボニルアミノ基、２−ピラジニルカルボニルアミノ基、２−キノリルカルボニルアミノ基、３−イソキノリルカルボニルアミノ基、２−インドリルカルボニルアミノ基又は１，８−ナフチリジン−２−イルカルボニルアミノ基等のヘテロアリールカルボニルアミノ基等のヘテロアリールカルボニルアミノ基を意味する。
「アリールカルボニルアミノ基」とは、例えばベンゾイルアミノ基、１−ナフチルカルボニルアミノ基、２−ナフチルカルボニルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ基が挙げられる。
「炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基」とは、炭素数２ないし１０の直鎖状又は分岐状のアルカノイル基を意味し、例えばホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基、イソブチリルアミノ基、バレリルアミノ基、イソバレリルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ヘキサノイルアミノ基、ヘプタノイルアミノ基、オクタノイルアミノ基、ノナノイルアミノ基又はデカノイルアミノ基等が挙げられる。
「アリール基」とは、例えばフェニル基又はナフチル基等のアリール基を意味する。
「ヘテロアリール基」とは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子からなる群より、同一若しくは異なって選ばれる１若しくは２以上、好ましくは１ないし３の複素原子を含有する５員若しくは６員の単環式芳香族複素環基又は該単環式芳香族複素環基と前記アリール基が縮合した、若しくは同一若しくは異なる該単環式芳香族複素環基が互いに縮合した縮合環式芳香族複素環基を意味し、例えばピロリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、１，２，３−チアジアゾリル基、１，２，４−チアジアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、１，２，４−トリアジニル基、１，３，５−トリアジニル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾ［１，３］ジオキソール基、ジベンゾフラニル基、チアアンスレニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、インダゾリル基、プリニル基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、プテリジニル基、ピリド［３，２−ｂ］ピリジル基等が挙げられる。
「アリール環基」とは、「２個の置換基で置換されたアリール基」を意味する。
「ヘテロアリール環基」とは、「２個の置換基で置換されたヘテロアリール基」を意味する。
「炭素数１ないし６個のアルカノイル基」とは、炭素数１ないし６の直鎖状又は分岐状のアルカノイル基を意味し、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基又はピバロイル基等が挙げられる。
「アリールオキシ基」とは、例えばフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基又は２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
「硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基」とは、例えばメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基又は一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｙは、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基を示し、ｎ４及びｎ５は１ないし６の整数を示し、両者の合計は６を超えない。］等を意味する。
「電子吸引基」とは、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボニル基、カルボキシ基、シアノ基又はスルホ基等の、分子内でσ電子やπ電子を引き付ける基を意味する。
「塩」とは、官能基と酸又は塩基により形成される塩を意味し、例えば、カルボキシ基、又はスルホ基チオール基の場合は、例えばナトリウム、カリウム若しくはリチウム等のアルカリ金属、トリエチルアミン又はトリエチルアミン等の有機アミンとの塩が、アミノ基の場合には、塩酸、硫酸又は硝酸等の酸との塩が、チオール基の場合は、例えばナトリウム、カリウム若しくはリチウム等のアルカリ金属との塩が挙げられる。
「ｄｂａ」とは、ジベンジリデンアセトン（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）を意味する。
「Ｐｈ」は、フェニル基を意味する。
「ｉ−Ｐｒ」は、イソプロピル基を意味する。
「Ｍｅ」は、メチル基を意味する。
「ｔ−Ｂｕ」は、ｔｅｒｔ−ブチル基を意味する。
「Ｃｐ」は、シクロペンタジエニル基を示す。
次ぎに、本発明の製造方法ついて、具体的に説明する。
一般式［ＩＩＩ］：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基を、
Ｙ１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基を、
Ｘは、臭素原子、塩素原子、トリフルオロメタンスルフォニルオキシ基、メチルスルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、トルエンスルフォニルオキシ基又はニトロベンゼンスルフォニルオキシ基を、
ｎ１は、０又は１を、
一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、アリール環基又はヘテロアリール環基を意味する。ただし、Ｘが、塩素原子である場合には、一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、ｎ１及びＹ１は前記の意味を有する。］で表される基は、電子吸引基である。］で表されるアリール若しくはヘテロアリール化合物、又はその塩を、酢酸パラジウム、Ｐｄ２（ｄｂａ）３及びＰｄ（ｄｂａ）２からなる群から選ばれるパラジウム化合物、
炭酸セシウム、一般式
Figure 2006038741
［式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１ないし６アルキル基、ベンジル基、フェニル基又はピリジル基を示す。］で表されるアミン誘導体、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンからなる群から選ばれる塩基、及び式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：ＤＰＰＦ；［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）］［１，１’−Ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）ｆｅｒｒｏｃｅｎｅ］）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：１，１’−ビス（ジイソピルホスフィノ）フェロセン［１，１’−Ｂｉｓ（ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）ｆｅｒｒｏｃｅｎｅ］）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：１，１’−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン［１，１’−Ｂｉｓ（ｄｉ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）ｆｅｒｒｏｃｅｎｅ］）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：ＤＰＥｐｈｏｓ）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：ｈｏｍｏｘａｎｔｐｈｏｓ）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：ＤＥＦｐｈｏｓ）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：Ｘａｎｔｐｈｏｓ）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：ＭｅＸａｎｔｐｈｏｓ）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：ｔ−Ｂｕ−ｘａｎｔｐｈｏｓ）、式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：Ｔｈｉａｘａｎｔｐｈｏｓ）及び式：
Figure 2006038741
で表される化合物（別名：Ｎｉｘａｎｔｐｈｏｓ）からなる群から選ばれるリン化合物の存在下で、
一般式［ＩＩ］：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ６又はＲ７は、同一又は異なっていてもよく、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、アミノ基又はフェニル基を、ｎ２は、０ないし６を、Ｒ８は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、トリメチルシリル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基、
又は一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｙ２は、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ７は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基を、
ｎ３は、０又は１を、
Ｒ９は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基を示す。］で表される基を、
一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、アリール環基又はヘテロアリール環基を意味する。］で表されるチオール化合物又はその塩と反応させて、
一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、Ｙ１、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、ｎ１、ｎ２及び一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオエーテル化合物又はその塩を製造する工程は、反応に悪影響を及ぼさない溶媒中に、一般式［ＩＩＩ］で表されるアリール化合物、ヘテロアリール化合物又はその塩に対して、０．００５当量ないし０．１当量のリン化合物を、０．００５当量ないし０．１当量のパラジウム化合物を、１．５当量ないし２当量の塩基を、それぞれ加え、５０℃ないし１００℃で２時間ないし１５時間反応させることにより実施することができる。反応に悪影響を及ぼさない溶媒としては、例えばジオキサン、トルエン、２−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルエーテル又はジエチルエーテル等が挙げられる。
塩基としては、炭酸セシウム、一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１ないし６アルキル基、ベンジル基、フェニル基又はピリジル基を示す。］で表されるアミン誘導体、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンが挙げられる。
ここにおいて、一般式：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１ないし６アルキル基、ベンジル基、フェニル基又はピリジル基を示す。］で表されるアミン誘導体としては、例えばジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ジベンジルメチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン又はトリベンジルアミン等の３級アミンが挙げられる。
次に、一般式「Ｉ−ａ」：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、Ｙ１、Ｒｅ、ｎ１、一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオエーテル化合物又はその塩を得、次いで、得られた一般式［Ｉ−ａ］で表されるチオエーテル化合物の、Ｒｅで表される保護基を脱離することを特徴とする、一般式［Ｉ−ｂ］：
Figure 2006038741
［式中、Ｒ１、Ｙ１、ｎ１、及び一般式：
Figure 2006038741
で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオール化合物又はその塩を製造する工程は、以下の公知文献に開示されたチオール基に結合した置換基（保護基）の脱離方法及びそれに準ずる脱離方法により実施することができる。
アラン アール キャトリツキー（Ａｌａｎ Ｒ．ｋａｔｒｉｔｚｋｙ）ら、テトラヘドロン レターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第２５巻第１２号１２２３ページ〜１２２６ページ（１９８４年）
ダニエル エー パーソン（Ｄａｎｉｅｌ Ａ．Ｐｅａｒｓｏｎ）ら、テトラヘドロン レターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第３０巻第２１号２７３９ページ〜２７４２ページ（１９８９年）
コンチタンチノース ジー スクレッタス（Ｃｏｎｓｔａｎｔｉｎｏｓ Ｇ．Ｓｃｒｅｔｔａｓ）ら、テトラヘドロン レターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第４４巻５６３３ページ〜５６３５ページ（２００３年）
オースチン ケイ フラット（Ａｕｓｔｉｎ Ｋ．Ｆｌａｔｔ）ら、テトラヘドロン レターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第４４巻第６６９９ページ〜６７０２ページ（２００３年）
ジーン−マイケル ベクト（Ｊｅａｎ−Ｍｉｃｈｅｌ Ｂｅｃｈｔ）ら、ジャーナル オブ オルガニック ケミストリーズ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）第６８巻第５７５８ページ〜５７６１ページ（２００３年）
ブルテン オブ ザ ケミカル ソサエティ オブ ジャパン（Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ）第３７巻 第４３３ページ〜第４３４ページ（１９６４年）
ただし、Ｒｅで表される保護基が、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基である場合、
およびＲｅで表される保護基が、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基である場合には、本発明者らにより見出された方法により、当該Ｒｅで表される保護基を、簡便に且つ効率的に除去できる。
すなわち、Ｒｅで表される保護基が、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基である場合、当該Ｒｅで表される保護基の脱離工程が、カリウム アルコキシド又はナトリウム アルコキシドの処理により実施される場合、反応に悪影響を及ぼさない溶媒中で、原料１当量に対して、カリウム アルコキシド又はナトリウム アルコキシドを１．５〜５当量、好ましくは２〜３当量使用して、−１０℃〜１２０℃で、１時間〜２４時間、好ましくは２時間〜６時間作用させることにより、実施することができる。
「カリウム アルコキシド又はナトリウム アルコキシド」としては、例えば、カリウム メトキシド、カリウム エトキシド、カリウム ｎ−プロポキシド、カリウム イソプロポキシド、カリウム ｎ−ブトキシド、カリウム イソブトキシド、カリウム ｔ−ブトキシド、カリウム ｎ−ペントキシド、カリウム ｎ−ヘキソシド、ナトリウム メトキシド、ナトリウム エトキシド、ナトリウムｎ−プロポキシド、ナトリウム イソプロポキシド、ナトリウム ｎ−ブトキシド、ナトリウム イソブトキシド、ナトリウム ｔ−ブトキシド、ナトウム ｎ−ペントキシド又はナトウム ｎ−ヘキソシド、ナトリウム メトキシドが挙げられ、好ましくはカリウム ｎ−ブトキシド、カリウム イソブトキシド、カリウム ｔ−ブトキシド、ナトリウム ｎ−ブトキシド、ナトリウム イソブトキシド又はナトリウム ｔ−ブトキシドである。
本工程で使用される「反応に悪影響を及ぼさない溶媒」としては、ジグリム、トリグリム、テトラグリム、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン、シクロペンチル メチル エーテル、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はＮ，Ｎ−ジメチルアセタミドが挙げられ、好ましくは、ジグリム又はＮ，Ｎ−ジメチルアセタミドである。
一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基としては、例えばフェネチル基、４−ニトロフェネチル基、４−メトキシフェネチル基、２，４−ジニトロフェネチル基又は３，４−ジメトキシフェネチル基が挙げられ、好ましくはフェネチル基である。
さらに、Ｒｅで表される保護基が、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基である場合、当該Ｒｅで表される保護基の脱離工程が、銅化合物、鉄化合物、コバルト化合物、銀化合物及びチタン化合物からなる群の添加物から選ばれる１種の添加物の存在下で、一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒｇは、ハロゲン原子又は炭素数１ないし１０のアルキル基を、Ｒｈは、炭素数１ないし１０のアルキル基を示す。）で表されるマグネシウム化合物により処理する場合、反応に悪影響を及ぼさない溶媒中で、原料１モルに対して、添加物を０．０５〜１当量、好ましくは０．０５〜０．５当量の存在下、マグネシウム化合物を、原料１当量に対して、１．５〜５当量、好ましくは２〜３当量使用して、−１０℃〜１００℃で、好ましくは、−１０℃〜５０℃で、１時間〜３６時間、好ましくは２時間〜２４時間作用させることにより、実施することができる。
一般式：
Figure 2006038741
（式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す）で表される基としては、例えばベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，４−ジニトロベンジル基又は３，４−ジメトキシベンジル基が挙げられ、好ましくはベンジル基である。
本工程で使用される「反応に悪影響を及ぼさない溶媒」としては、例えばジグリム、トリグリム、テトラグリム、エチルエーテル、ジオキサン、メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロフラン又はメチル ｔ−ブチル エーテルが挙げられ、好ましくは、ジグリムである。
本工程で使用される「添加物」としては、例えばＣｕＣｌ２、ＣｕＣｌ２・２Ｈ２Ｏ、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、ＴｉＣｌ２（ｉ−ＰｒＯ）２、Ｃｕ（ＣＦ３ＳＯ２Ｏ）２、ＣｏＣｌ２、ＡｇＮＯ３又はＣｐ２ＴｉＣｌ２（式中、Ｃｐはシクロペンタジエニル基を示す。）が挙げられ、好ましくはＣｕＣｌ２、ＣｕＣｌ２・２Ｈ２Ｏ又はＣｐ２ＴｉＣｌ２である。
本工程で使用される「マグネシウム化合物」が、例えばジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジ−ｎ−プロピルマグネシウム、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、ｎ−プロピルマグネシウムクロリド、ｎ−プロピルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムクロリド又はイソプロピルマグネシウムブロミドが挙げられ、好ましくはジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド又はｎ−ブチルマグネシウムブロミドである。
以上の工程で得られる生成物は、それ自体既知の方法、例えばシリカゲル又は吸着樹脂等を用いるカラムクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー、溶媒抽出又は再結晶・再沈殿等の常用の分離精製造方法を必要に応じて単独又は適宜組み合わせて用いることにより精製・単離することができる。
なお、本発明の製造方法の原料は、市販品または公知の製造法で製造したものを利用することができる。
以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらにより何ら限定されるものではない。
Ｐｄ２（ｄｂａ）３は、ジョンソン アンドマッセイ（Ｊｏｈｎｓｏｎ ＆ Ｍａｔｔｈｅｙ）より購入した。Ｘａｎｔｐｈｏｓは、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）より購入した。無水Ｋ３ＰＯ４、無水Ｋ２ＣＯ３、無水Ｎａ２ＣＯ３、無水Ｃｓ２ＣＯ３は、和光純薬より購入した。その他の本実施例で使用した試薬は、東京化成及びストレム（Ｓｔｒｅｍ）より購入した。チオール類、アリールハライド類、アリルトリフルオロスルフォネート有機溶媒は、東京化成より購入し、モレキュラー シーブ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｓｉｅｖｅｓ）４Åで乾燥後、脱気して使用した。
すべての実施例における反応は、乾燥窒素ガス雰囲気下で、乾燥器で乾燥したガラス容器を使用して実施した。
高速液体クロマトグラフィーは、日立製高速液体クロマトグラムＤ−７０００（ＹＭＣ ｂａｓｉｃ 逆相カラム）
カラムクロマトグラフィーは、ＥＭ シリカゲル６０（粒径：０．０４〜０．６３・ｍ）を担体として使用した。
ＮＭＲ データは、ブルカー（Ｂｒｕｋｅｒ）ＡＶ−５００により測定した。
実施例１〜実施例２７
以下の基本操作法に従い、実施例１〜実施例２７に関る化合物を製造した。
（基本操作法）
丸底フラスコにアリールハライド若しくはヘテロアリールハライド又はアリールスルフォネート、塩基及びチオール化合物を乾燥１，４−ジオキサンを入れ、得られた混合物を入れた丸底フラスコに対して窒素ガス置換を３回繰り得返して、窒素雰囲気下とした。次いで、触媒として Ｐｄ２（ｄｂａ）３、Ｘａｎｔｐｈｏｓ及びチオール化合物を加えた後、窒素ガス置換をさらに２回繰り返し、６時間〜１３時間加熱還流させた。高速液体クロマトグラフィーで反応が完了したことを確認後、得られた反応液を室温にまで冷却し、不溶物を濾去し、濾液を濃縮した。 得られた濃縮物を、シリカゲルを使用したフラッシュ カラムクロマトグラフィーにて分離精製すると、目的とするチオエーテル化合物を得る。可能ならば、適当な溶媒を用いて結晶化させて精製する。
実施例１
４−メトキシベンジル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
ブロモベンゼン（２１１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
４−メトキシベンジルチオール（２７９μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．２ｍＬ
４−メトキシベンジル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
淡黄色固体、収量：４１４ｍｇ，収率：９０％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝５：１
融点：７９℃−８０℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．１７−７．３１（ｍ，７Ｈ），６．８１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，６．５Ｈｚ），４．０７（ｓ，２Ｈ），３．７７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５９．１８，１３６．９７，１３０．３４，１３０．１８，１２９．８０，１２９．２２，１２６．６６，１１４．３１，５５．６６，３８．８６．
実施例２
ジフェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
ブロモベンゼン（２１１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基の使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．２ｍＬ
ジフェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：３１６ｍｇ、収率：８５％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：ヘキサン
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．２１−７．３５（ｍ，１０Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１３６．２１，１３１．４６，１２９．６０，１２７．４５．
実施例３
３−ニトロフェニル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
３−ニトロブロモベンゼン（４０４ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：８．１ｍＬ
３−ニトロフェニル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
淡黄色液体、収量：４１６ｍｇ、収率：９０％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝５：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．９９−８．０４（ｍ，４Ｈ），７．４７−７．５１（ｍ，３Ｈ），７．３９−７．４３（ｍ，２Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１３４．２６，１３３．４５，１３２．１４，１２９．８７，１２９．６８，１２８．９８，１２８．９６，１２８．４０，１２３．１７，１２０．９３．
実施例４
３−フェニルスルファミルベンズアルデヒドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
３−ブロモベンズアルデヒド（２３３μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．７ｍＬ
３−フェニルスルファニル ベンズアルデヒドの性状、収量及び収率：
無色液体、３６８ｍｇ，８６％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１５：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
９．９３（ｓ，１Ｈ），７．７６（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ），７．６９−７．７１（ｍ，１Ｈ），７．５０−７．５２（ｍ，１Ｈ），７．４２−７．４５（ｍ，３Ｈ），７．２６−７．３８（ｍ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ・ｐｐｍ：
１９２．１６，１３９．２２，１３７．５２，１３５．７６，１３４．０３，１３２．８９，１３１．０３，１３０．１１，１２９．９８，１２８．５７，１２８．０３．
実施例５
４−フェニルスルファニルアセトフェノンの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
４−ブロモアセトフェノン（３９８ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：８ｍＬ
４−フェニルスルファニルアセトフェノンの性状、収量及び収率：
白色固体、収量：４１１ｍｇ、収率：９０％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１
融点：６６℃−６７℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．８２（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，６．７Ｈｚ），７．５０（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，７．８Ｈｚ），７．３８−７．４２（ｍ，３Ｈ），７．２１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，６．７Ｈｚ），２．５５（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１９７．１３，１４４，９２，１３４．５２，１３３．８７，１３２．１３，１２９．６９，１２８．９０，１２８．８０，１２７．５０，２６．４７．
実施例６
３−フェニルスルファニルアニソールの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：１５時間
アリールハライド及びその使用量：
４−ブロモアニソール（２５０μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：Ｃｓ２ＣＯ３（６５２ｍｇ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：５ｍＬ
４−フェニルスルファニルアニソールの性状、収量及び収率：
淡黄色液体、収量：３１１ｍｇ、収率 ７２％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１５：１
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ ｐｐｍ：
７．４１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，６．８Ｈｚ），７．１３−７．２４（ｍ，５Ｈ），６．８９（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，６．８Ｈｚ），３．８１（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１６０．２５，１３９．０１，１３５．７６，１２９．３３，１２８．６４，１２６．１８，１２４．７５，１１５．４０，５５．７７．
実施例７
４−（４−メトキシフェニル）スルファニルアニソールの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：８時間
アリールハライド及びその使用量：
４−ブロモアニソール（２５０μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
４−メトキシチオフェノール（２４６μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：８．１ｍＬ
４−（４−メトキシフェニル）スルファニルアニソールの性状、収量及び収率：
淡黄色液体、収量：３８９ｍｇ、収率：７９％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝５：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ
７．２７（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，６．７Ｈｚ），６．８３（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，６．８Ｈｚ），３．７８（ｓ，６Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５８．９９，１３２．７３，１２７．４５，１１４．７６，５５．３５．
実施例８
２−トリル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：７時間
アリールハライド及びその使用量：
２−ブロモトルエン（２４１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．８ｍＬ
２−トリル フェニル スルフィドの性状：淡黄色液体
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１５：１
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ ｐｐｍ：
７．１９−７．２９（ｍ，９Ｈ），２．３８（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）・・ｐｐｍ：
１３３．４３，１３１．０１，１３０．０５，１２９．５４，１２９．４８，１２８．３２，１２７．９５，１２７．５７，１２７．１３，１２６．７５，２１．００．
実施例９
２−イソプロピルフェニル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
ブロモベンゼン（２１１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
２−イソプロピルベンゼンチオール（３０３μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．２ｍＬ
イソプロピル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：４０２ｍｇ、収率：８８％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．１１−７．３６（ｍ，９Ｈ），３．５６（ｈｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），１．２１（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５０．５１，１３７．３７，１３３．９３，１３２．５０，１２９．３６，１２９．０４，１２８．４６，１２６．５８，１２６．１１，１２６．０９，３０．６４，２３．５４．
実施例１０
５−（２‘−イソプロピルフェニルスルファニル）−２−メチルピリジンの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
ヘテロアリールハライド及びその使用量：
５−ブロモ−２−メチルピリジン（３４４ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
２−イソプロピルベンゼンチオール（３０３μＬ，２ｍｍｏｌ
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：７．０ｍＬ
５−（２‘−イソプロピルフェニルスルファニル）−２−メチルピリジンの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：４４３ｍｇ、収率：９１％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１５：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．３９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．３Ｈｚ），７．４０（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，８．１Ｈｚ），７．３４（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，７．８Ｈｚ），７．２６−７．２９（ｍ，１Ｈ），７．２１（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，７．８Ｈｚ），７．０５−７．１２（ｍ，２Ｈ），３．５４（ｈｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），２．５２（ｓ，３Ｈ），１．２２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５６．６２，１５０．２９，１４９．８７，１３８．１６，１３２．９０，１３２．２７，１３０．４３，１２８．４０，１２６．７２，１２６．１６，１２３．６２，３０．６５，２３．９９，２３．４９．
実施例１１
５−フェニルスルファニルインドールの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
ヘテロアリールハライド及びその使用量：
５−ブロモインドール（３９２μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：８．０ｍＬ
５−フェニルスルファニルインドールの性状、収量及び収率：
白色固体、収量：４０５ｍｇ、収率：９０％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１
融点：９８℃−９９℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．１８（ｂｓ，１Ｈ），７．８５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝０．８Ｈｚ），７．３１−７．３６（ｍ，２Ｈ），７．１５−７．２３（ｍ，５Ｈ），７．０７−７．１１（ｍ，１Ｈ），６．５３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝０．８Ｈｚ，２．１Ｈｚ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．１４０．１２，１３６．０８，１２９．３１，１２９．２３，１２８．６４，１２８．１４，１２７．７７，１２５．７６，１２５．５５，１２
実施例１２
Figure 2006038741
加熱還流時間：８時間
アリールハライド及びその使用量：
ブロモベンゼン（２１１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
４−メルカプトフェノール（２５２ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．２ｍＬ
４−フェニルスルファニルフェノールの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：３５６ｍｇ、収率８８％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．３６（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，６．７Ｈｚ），７．２２−７．２５（ｍ，２Ｈ），７．１２−７．１８（ｍ，３Ｈ），６．８１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，６．７Ｈｚ），５．１８（ｂｓ，１Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５５．８１，１３８．３６，１３５．４９，１２８．９６，１２８．３５，１２５．８８，１２４．６６，１１６．４９
実施例１３
シクロヘキシル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：１３時間
アリールハライド及びその使用量：
ブロモベンゼン（２１１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
シクロヘキシルメルカプタン（２４５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．２ｍＬ
シクロヘキシル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：３０８ｍｇ、収率：８０％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．３８−７．４０（ｍ，２Ｈ），７．２６−７．２９（ｍ，２Ｈ），７．１９−７．２２（ｍ，１Ｈ），３．０７−３．１３（ｍ，１Ｈ），１．９７−２．００（ｍ，２Ｈ），１．７５−１．７９（ｍ，２Ｈ），１．６０−１．６３（ｍ，１Ｈ），１．２３−１．４１（ｍ，５Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１３５．５８，１３２．２７，１２９．１３，１２６．９７，４６．９８，３３．７５，２６．４６，２６．１７．・
実施例１４
ベンジル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：８時間
アリールハライド及びその使用量：
ブロモベンゼン（２１１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
ベンジルメルカプタン（２３５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ
１，４−ジオキサンの使用量：４．２ｍＬ
ベンジル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
黄色固体、収量：３６８ｍｇ、収率：９２％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１５：１
融点：４０℃−４１℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．１６−７．３１（ｍ，１０Ｈ），４．１０（ｓ，２Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１３７．８９，１３６．８０，１３０．２６，１２９．２５，１２８．９０，１２７．５９，１２６．７６，３９．４８．
実施例１５
フェニル ２−（４−ピリジル）エチル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
ブロモベンゼン（２１１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
４−ピリジンエタンチオール塩酸塩（３５１ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（１．０５ｍＬ，６ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．２ｍＬ
フェニル ２−（４−ピリジル）エチル スルフィドの性状、収量及び収率：
淡黄色液体、収量：３９６ｍｇ、収率：９２％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝５：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．５１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．６Ｈｚ），８．５０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．６Ｈｚ），７．２９−７．３７（ｍ，４Ｈ），７．２０−７．２３（ｍ，１Ｈ），７．１１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），３．１７（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，８．０Ｈｚ），２．９１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，８．０Ｈｚ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５０．２８，１４９．２６，１３５．９８，１３０．１７，１２９．４６，１２６．８７，１２４．２９，３５．２３，３４．５２．
実施例１６
３−フェニルスルファニルプロピオン酸 ２−エチルヘキシル エステルの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
ブロモベンゼン（２１１μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
３−メルカプトプロピオン酸 ２−エチルヘキシル エステル（４６０μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：４．２ｍＬ
３−フェニルスルファニルプロピオン酸 ２−エチルヘキシル エステルの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：５１８ｍｇ、収率：８８％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：ヘキサン
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．３５−７．３８（ｍ，２Ｈ），７．３１−７．２８（ｍ，２Ｈ），７．１９−７．２３（ｍ，１Ｈ），４．０１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ，５．７Ｈｚ），３．１７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝４．３Ｈｚ，７．４Ｈｚ），２．６３（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝４．３Ｈｚ，７．４Ｈｚ），１．５７（ｍ，１Ｈ），１．３６（ｍ，２Ｈ），１．３０（ｍ，６Ｈ），０．８７−０．９０（ｍ，６Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１７１．９２，１３５．３２，１３０．０７，１２９．０２，１２６．５４，６７．２１，３８．７３，３４．４９，３０．４１，２９．１４，２８．９２，２３．７９，２２．９７，１４．０５，１１．００
実施例１７
５−（４−メトキシベンジルスルファニル）−２−メチルピリジンの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：７時間
アリールハライド及びその使用量：
５−ブロモ−２−メチルピリジン（３４４ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
４−メトキシフェニルメルカプタン（２７９μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：１３．８ｍＬ
５−（４−メトキシベンジルスルファニル）−２−メチルピリジンの性状、収量及び収率：
白色固体、収量：４１７ｍｇ、収率：８５％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝２：１
融点：５９℃−６０℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．４１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．２Ｈｚ），７．４５（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，８．１Ｈｚ），７．１３（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，６．７Ｈｚ），７．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），６．８０（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，６．７Ｈｚ），４．００（ｓ，２Ｈ），３．７８（ｓ，３Ｈ），２．５１（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５９．２５，１５７．３４，１５１．７８，１３９．８５，１３０．３７，１２９．５６，１２３．５９，１１４．３４，５５．６４，３９．８１，２４．４２．
実施例１８
２−メチル−５−フェネチルスルファニルピリジンの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールハライド及びその使用量：
５−ブロモ−２−メチルピリジン（３４４ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
ベンゼンエタンチオール（２６８μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：６．９ｍＬ
２−メチル−５−フェネチルスルファニルピリジンの性状、収量及び収率：
淡黄色液体、収量：３８１ｍｇ、収率：８３％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝５：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．５０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．３Ｈｚ），７．５７（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，８．１Ｈｚ），７．２９（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，７．６Ｈｚ），７．２２（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，７．６Ｈｚ），７．１７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，７．１Ｈｚ），７．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），３．１２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，８．１Ｈｚ），２．８９（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，８．１Ｈｚ），２．５３（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５６．６１，１５０．６２，１３９．７８，１３８．５３，１２９．５２，１２８．５５，１２８．５１，１２６．５５，１２３．３８，３６．０６，３５．７８，２３．９８．
実施例１９
４−ニトロフェニル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：７時間
アリールスルフォネート及びその使用量：
４−ニトロベンゼン トリフルオロメタンスルフォネート（５４２ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：１０．８ｍＬ
４−ニトロフェニル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
淡黄色固体、収量：４２５ｍｇ、収率：９２％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１
融点：５４℃−５５℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．０６（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，７．０Ｈｚ），７．５３−７．５５（ｍ，２Ｈ），７．４６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．４Ｈｚ），７．４５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ），７．１８（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，７．０Ｈｚ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１４８．９０，１４５．７８，１３５．１５，１３０．８８，１３０．４４，１３０．０７，１２７．１１，１２４．４４．
実施例２０
４−トリル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：１５時間
アリールスルフォネート及びその使用量：
４−トリル トリフロオロメタンスルフォネート（３５８μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：７．２ｍＬ
４−トリル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
淡黄色オイル、収量：３１６ｍｇ、収率：７９％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝５：１
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．４５−６．９０（ｍ，Ａｒ−Ｈ），２．２６（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１３７．５２，１３６．９８，１３２．０９，１３１．２０，１３０．１０，１２９．６８，１２８．８９，１２６．３３，２１．０５．
実施例２１
ジフェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールスルフォネート及びその使用量：
ベンゼン トリフルオロスルフォネート（３２４μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ）
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：６．５ｍＬ
ジフェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：３３５ｍｇ、収率：９０％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：ヘキサン
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．２１−７．３５（ｍ，１０Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１３６．２１，１３１．４６，１２９．６０，１２７．４５
実施例２２
１−ナフチル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：７時間
アリールスルフォネート及びその使用量：
１−ナフチル トリフロオロメタンスルフォネート（３９３μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：７．９ｍＬ
１−ナフチル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：４３５ｍｇ、収率：９２％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：ヘキサン
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．３７−８．３９（ｍ，１Ｈ），７．８３−７．８７（ｍ，２Ｈ），７．６６（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．１Ｈｚ，７．２Ｈｚ），７．４９−７．５２（ｍ，２Ｈ），７．４１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，８．２Ｈｚ），７．１４−７．２２（ｍ，５Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：・
１３７．３５，１３４．６６，１３４．０２，１３２．９８，１３１．６６，１２９．６３，１２９．５０，１２９．４１，１２８．９８，１２７．３７，１２６．８５，１２６．５５，１２６．２５，１２６．０６
実施例２３
４−メトキシフェニルスルファニルアニソールの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：１５時間
アリールスルフォネート及びその使用量：
４−メトキシフェニル トリフルオロメタンスルフォネート（３６２μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：Ｃｓ２ＣＯ３（６５２ｍｇ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：７．２ｍＬ
４−メトキシフェニルスルファニルアニソール性状、収量及び収率：
淡黄色液体、収量：２６８ｍｇ、収率：６２％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１５：１
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ ｐｐｍ：
７．４１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２．１Ｈｚ），７．１３−７．２４（ｍ，５Ｈ），６．８９（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２．１Ｈｚ），３．８１（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１６０．２５，１３９．０１，１３５．７６，１２９．３３，１２８．６４，１２６．１８，１２４．７５，１１５．４０，５５．７７
実施例２４
４−ニトロフェニル フェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：１３時間
アリールハライド及びその使用量：
４−ニトロクロロベンゼン（３１５ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
チオフェノール（２０５μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：Ｃｓ２ＣＯ３（６５２ｍｇ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：６．３ｍＬ
４−ニトロフェニル フェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
淡黄色固体、収量：４２５ｍｇ、収率：９２％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１
融点：５４℃−５５℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．０６（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２．０Ｈｚ），７．５３−７．５５（ｍ，２Ｈ），７．４６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．４Ｈｚ），７．４５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ），７．１８（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２．０Ｈｚ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１４８．９０，１４５．７８，１３５．１５，１３０．８８，１３０．４４，１３０．０７，１２７．１１，１２４．４４．
実施例２５
４−ニトロフェニル ２−イソプロピルフェニル スルフィドの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：８時間
アリールハライド及びその使用量：
４−ニトロクロロベンゼン（３１５ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
２−イソプロピルベンゼンチオール（３０３μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：Ｃｓ２ＣＯ３（６５２ｍｇ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：６．３ｍＬ
４−ニトロフェニル イソプロピルフェニル スルフィドの性状、収量及び収率：
淡黄色固体、収量：４１０ｍｇ、収率７５％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝５：１
融点：９１℃−９２℃
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．０３−８．０６（ｍ，２Ｈ），７．５０−７．５４（ｍ，１Ｈ），７．４６−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．２５−７．２８（ｍ，１Ｈ），７．０５−７．０８（ｍ，２Ｈ），３．４７（ｈｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），１．１９（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１５３．３４，１４９．８４，１４５．４６，１３７．３２，１３１．３１，１２８．３５，１２７．７３，１２７．４４，１２６．２１，１２４．４０，３１．４８，２４．１５．
実施例２６
３−フェニルスルファニルプロピオン酸 ２−エチルヘキシル エステルの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：６時間
アリールスルフォネート及びその使用量：
ベンゼン トリフルオロメタンスルフォネート（３２４μＬ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
３−メルカプトプロピオン酸 ２−エチルヘキシル エステル（４６０μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：６．５ｍＬ
３−フェニルスルファニルプロピオン酸 ２−エチルヘキシル エステルの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：５３０ｍｇ、収率：９０％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．３５−７．３８（ｍ，２Ｈ），７．３１−７．２８（ｍ，２Ｈ），７．１９−７．２３（ｍ，１Ｈ），４．０１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ，５．７Ｈｚ），３．１７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝４．３Ｈｚ，７．４Ｈｚ），２．６３（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝４．３Ｈｚ，７．４Ｈｚ），１．５７（ｍ，１Ｈ），１．３６（ｍ，２Ｈ），１．３０（ｍ，６Ｈ），０．８７−０．９０（ｍ，６Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１７１．９２，１３５．３２，１３０．０７，１２９．０２，１２６．５４，６７．２１，３８．７３，３４．４９，３０．４１，２９．１４，２８．９２，２３．７９，２２．９７，１４．０５，１１．００
実施例２７
３−（４−ニトロフェニルスルファニル）プロピオン酸 ２−エチルヘキシルエステルの製造
Figure 2006038741
加熱還流時間：１３時間
アリールハライド及びその使用量：
４−ニトロクロロベンゼン（３１５ｍｇ，２ｍｍｏｌ）
チオール化合物及びその使用量：
２−エチルヘキシル ３−スルファニルプロピオナート（４６０μＬ，２ｍｍｏｌ）
Ｐｄ２（ｄｂａ）３の使用量：４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ
Ｘａｎｔｐｈｏｓの使用量：５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ
塩基及びその使用量：Ｃｓ２ＣＯ３（６５２ｍｇ，４ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサンの使用量：６．３ｍＬ
３−（４−ニトロフェニルスルファニル）プロピオン酸 ２−エチルヘキシルエステルの性状、収量及び収率：
無色液体、収量：４７５ｍｇ、収率：７０％
フラッシュ カラムクロマトグラフィーの展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝１５：１
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
８．１４（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２．０Ｈｚ），７．３６（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，７．０Ｈｚ），４．０４（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，３．０Ｈｚ），３．３１（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），２．７２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．５９（ｍ，１Ｈ），１．３８−１．２８（ｍ，８Ｈ），０．８９（ｔ，６Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１７１．２９，１４６．３７，１２６．６５，１２４．１０，６７．５４，３８．７４，３３．６９，３０．４０，２８．９２，２７．１８，２３．７８，２２．９７，１４．０４，１０．９９
実施例２８
３−（４−メトキシフェニル）スルファニルベンゼンカルボン酸の製造
Figure 2006038741
丸底フラスコに３−ブロモベンゼンカルボン酸（４０２ｍｇ，２ｍｍｏｌ），ｉ−Ｐｒ２ＮＥｔ（７００μＬ，４ｍｍｏｌ），乾燥１，４−ジオキサン（８ｍＬ）を入れ、得られた混合物を入れた丸底フラスコに対して窒素ガスによる置換を３回繰り返した。次いで、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（４６ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ）、Ｘａｎｔｐｈｏｓ（５８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）及び４−メトキシチオフェノール（２４６μＬ，２ｍｍｏｌ）を加えた後窒素ガス置換を２回繰り返した後、６時間加熱還流した。次いで、高速液体クロマトグラフィーで反応の完了を確認後、室温に冷却し、酢酸にてｐＨ３〜４とし、不溶物を濾去し、濾液を濃縮した。得られた濃縮液を、シリカゲルを担体とするフラッシュ カラムクロマトクロマトグラフィー（展開剤：ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１）にて単離・精製すると、白色固体として３−（４−メトキシフェニル）スルファニルベンゼンカルボン酸４３２ｍｇ（収率：８３％）を得た。
融点：１２０℃−１２１℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
７．８９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．６Ｈｚ），７．８５（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，８．８Ｈｚ），７．４５（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，８．８Ｈｚ），７．３２−７．３５（ｍ，２Ｈ），６．９３（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，８．８Ｈｚ），３．８４（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５ＭＨｚ）δ ｐｐｍ：
１７１．２０，１６０．２８，１４０．１６，１３５．９５，１３２．７６，１２９．９７，１２９．１５，１２９．００，１２７．３１，１２２．９９，１１５．２７，５５．４０．
比較例１ないし６：
化合物（Ａ）（３５０ｍｇ，２ｍｍｏｌ）及び化合物（Ｂ）（４２０ｍｇ，３ｍｍｏｌ）をジメトキシエタン（１０．５ｍＬ）に加え、パラジウム化合物（１）（１０ｍｏｌ％）及びリン化合物（２）（１０ｍｏｌ％）、並びに塩基（３）を溶媒（４）に加え、２時間還流した。その結果を表−１に示す。
表−１から明らかな如く、本発明の原料化合物であるフェニルブロミドを用いて、公知のＳｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応に付したとしても、目的とするチオエーテル化合物（Ｃ）は得られないか、得られたとしても、その収率は、工業的な製法として不適当であることが判明した。
Figure 2006038741
Figure 2006038741
Figure 2006038741
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
ＫＯｔ−Ｂｕ：カリウム ｔ−ブトキサイド
Ｄ−ｔ−ＢＰＦ：１，１’−ビス（ジ−ターシャリー−ブチルホスフィノ）フェロセン（１，１’−ｂｉｓ（ｄｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）ｆｅｒｒｏｃｅｎｅ）
ＤＰＥｐｈｏｓ：
Figure 2006038741
Ｘａｎｔｐｈｏｓ：
Figure 2006038741
実施例２９
Figure 2006038741
窒素下、ベンジルフェニルチオエーテル（９２．５ｍｇ，０．４６２ｍｍｏｌ）および塩化銅（ＩＩ）二水和物（７．９ｍｇ、０．０４６３ｍｍｏｌ）をジグリム（１ｍＬ）に溶解し、ジブチルマグネシウム １．０Ｍヘキサン溶液（１．１６ｍＬ、１．１６ｍｍｏｌ）を加えた。５０℃に加熱した後、５時間攪拌し、高速液体クロマトグラフィーにて分析すると、目的のチオフェノール（３４．６ｍｇ，収率：６８％），およびジフェニルジスルフィド（１５．１ｍｇ，収率：３０％）をそれぞれ得た。 なお、原料のベンジルフェニルチオエーテルの回収率は２％（１．９ｍｇ）であった。
実施例３０〜４０
Figure 2006038741
窒素下、ベンジルフェニルチオエーテル（１当量）および添加物（１０ｍｍｏｌ％）をジグリム（１ｍＬ）に溶解し、マグネシウム化合物としてジ−ｎ−ブチルマグネシウム １．０Ｍヘキサン溶液（２．５当量）を加えた。表−２に示す反応条件で反応させ、得られた反応液を高速液体クロマトグラフィーにて分析すると、目的のチオフェノール（１）およびジフェニルジスルフィド（２）の収率、及び原料のベンジルフェニルチオエーテルの回収率を表−２に纏めた。
表−２から、添加物の使用により、ベンジル基が除去できることが判明した。
Figure 2006038741
Figure 2006038741
Ｔｆ：トリフルオロメチタンスルフォニル基を示す。
Ｃｐ：シクロペンタジエニル基を示す。
実施例４１
Figure 2006038741
窒素下、フェネチル フェニル チオエーテル（９９ｍｇ，０．４６２ｍｍｏｌ）およびカリウムｔ−ブトキシド（１０４ｍｇ，０．９２７ｍｍｏｌ），Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１．０ｍＬ）に懸濁した。室温にて２時間攪拌し、高速液体クロマトグラフィーにて分析すると、目的のチオフェノール（４５．３ｍｇ，収率：８９％）およびジフェニルジスルフィド（１ｍｇ，収率：２％）をそれぞれ得た。 なお、原料のフェネチル フェニル チオエーテルの回収率：０．２％（０．２ｍｇ）であった。
実施例４２〜４６
窒素下、フェネチル フェニル チオエーテル（１当量）および塩基（１）を溶媒（２）に懸濁した。表−３の反応条件で反応させた。得られた反応液について、高速液体クロマトグラフィーにて分析し、目的のチオフェノール（ａ）の収率および原料のフェネチル フェニル チオエーテルの回収率を纏めた。
表−３から、フェネチル基の脱離には、目的のチオフェノール（ａ）の収率から、カリウム ｔ−ブトキサイドが工業的に有用である。
Figure 2006038741
Figure 2006038741
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシドを示す。
ＫＯｔ−Ｂｕ：カリウム ｔ−ブトキシドを示す。
ＬｉＯｔ−Ｂｕ：リチウム ｔ−ブトキシドを示す。
ＤＭＩ：１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンを示す。
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドンを示す。
ＤＭＡ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを示す。
実施例４７
Figure 2006038741
窒素下、２−メチル−５−ベンジルチオピリジン（１当量）およびＣｐ２ＴｉＣｌ２（１０ｍｍｏｌ％）をジグリム（１ｍＬ）に溶解し、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム １．０Ｍヘキサン溶液（２．５当量）を加え、０℃で１時間反応させる。得られた反応液を高速液体クロマトグラフィーで分析すると２−メチル−５−メルカプトピリジンが、１００％の収率で得られることを確認した。
なお、実施例２９〜実施例４７及び比較例７〜比較例１０の反応液の分析に使用した、高速液体クロマトグラフィーの測定条件は、以下のとおりである。
カラム：ＹＭＣ ＡＭ−３０３（ＹＭＣ社製）
カラムサイズ：
直径 ４．６ｍｍ
長さ：２５０ｍｍ
粒子径（ｐａｒｔｉｃｌｅ ｓｉｚｅ）：５μｍ
カラム温度：４０°Ｃ
流速（Ｆｌｏｗ ｒａｔｅ）：１．０ｍＬ／分
検出波長（Ｄｅｔｅｃｔｏｒ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）：２２０ｎｍ
注入量（Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｖｏｌｕｍｅ）：１０μＬ
移動相（Ｍｏｂｉｌｅ ｐｈａｓｅ）：
Ａ：０．１％ リン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ ａｃｉｄ）
Ｂ：アセトニトリル（ＭｅＣＮ）
Ａ：Ｂ＝５０：５０（０分），
５０：５０（５分），
１０：９０（１３分），
１０：９０（２０分）
本発明のチオエーテル化合物の製造方法は、原料としては確保しやすい臭化物、塩化物又はスルフォネート化合物を使用して、弱い塩基性条件下でのＳｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応にて、目的とするチオエーテル化合物を高収率で製造できることに特徴がある。
したがって、本発明の製造方法を利用することにより、従来のＳｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応では製造できなかった、化成品及び医薬品についてもチオエーテル化合物を、工業的に効率よく安価に製造することができる。
加えて、本発明の製造方法により、除去できる置換基を有するチオール化合物を使用してチオールエーテル化合物を効率よく製造し、公知のチオール基の保護基の脱離法又は、本発明者により見出された、保護基としてベンジル基又はフェネチル基の脱離法を利用すれば、アリール環又はヘテロアリール環への、チオール基の導入を効率化できるので、有機合成の分野で有用である。

Claims (21)

  1. 一般式［ＩＩＩ］：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基を、
    Ｙ１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基を、
    Ｘは、臭素原子、塩素原子、トリフルオロメタンスルフォニルオキシ基、メチルスルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、トルエンスルフォニルオキシ基又はニトロベンゼンスルフォニルオキシ基を、
    ｎ１は、０又は１を、
    一般式：
    Figure 2006038741
    で表される基は、アリール環基又はヘテロアリール環基を意味する。ただし、Ｘが、塩素原子である場合には、一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ１、ｎ１及びＹ１は前記の意味を有する。］で表される基は、電子吸引基である。］で表されるアリール若しくはヘテロアリール化合物、又はその塩を、酢酸パラジウム、Ｐｄ２（ｄｂａ）３及びＰｄ（ｄｂａ）２からなる群から選ばれるバラジウム化合物、
    炭酸セシウム、一般式
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１ないし６アルキル基、ベンジル基、フェニル基又はピリジル基を示す。］で表されるアミン誘導体、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンからなる群から選ばれる塩基、及び式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物及び式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物からなる群から選ばれるリン化合物の存在下で、
    一般式［ＩＩ］：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ６又はＲ７は、同一又は異なっていてもよく、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、アミノ基又はフェニル基を、ｎ２は、０ないし６を、Ｒ８は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、トリメチルシリル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基、
    又は一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｙ２は、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ７は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基を、
    ｎ３は、０又は１を、
    Ｒ９は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基を示す。］で表される基を、
    一般式：
    Figure 2006038741
    で表される基は、アリール環基又はヘテロアリール環基を意味する。］で表されるチオール化合物又はその塩と反応させることを特徴とする
    一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ１、Ｙ１、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、ｎ１、ｎ２及び一般式：
    Figure 2006038741
    で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
  2. 一般式［ＩＩ］で表されるチオール化合物が、一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒｅは、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、ｎａは、１又は２を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基、（２−ナフチル）メチル基、４−メトキシフェニル基、４−アセトキシフェニル基、フェニル基、トリチル基、ジアミノメチル基、２−トリメチルシリルエチル基又は２−（２−エチルヘキシルオキシカルボニル）エチル基を示す。］で表されるチオール化合物又はその塩であることを特徴とする請求項１記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
  3. Ｒｅが、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、ｎａは、１又は２を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基であることを特徴とする請求項２記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
  4. 一般式［ＩＩ］で表されるチオール化合物が、一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒｆは、４−ピリジルエチル基、４−メトキシフェニル基、４−ピリジルメチル基、ベンジル基、４−アセトキシベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−アセトキシフェニル基、フェニル基、トリチル基、ジアミノメチル基、２−トリメチルシリルエチル基又は２−（２−エチルヘキシルオキシカルボニル）エチル基を示す。］で表されるチオール化合物又はその塩であることを特徴とする請求項１記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
  5. パラジウム化合物が、Ｐｄ２（ｄｂａ）３であることを特徴とする請求項１記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
  6. リン化合物が、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物又は式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
  7. 塩基が、炭酸セシウム、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ジベンジルメチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、トリベンジルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン又は１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンであることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
  8. 塩基が、ジイソプロピルエチルアミンであることを特徴とする請求項１記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
  9. パラジウム化合物が、Ｐｄ２（ｄｂａ）３であり、リン化合物が、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、又は式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物であり、塩基が、炭酸セシウム、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、ジベンジルメチルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン又は１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンであることを特徴とする請求項１記載のチオエーテル化合物又はその塩の製造方法。
  10. 一般式［ＩＩＩ］：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素数１ないし１０のアルコキシ基、炭素数１ないし１０のアルキルチオ基、炭素数１ないし１０のアルキルスフィニル基、炭素数１ないし１０のアルキルスルフォニル基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２ないし１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２ないし１０のアルカノイルオキシ基、アリール基、アリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、ニトロ基、炭素数１ないし１０のアルカノイルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、ヘテロアリールカルボニルアミノ基又は炭素数１ないし１０のアルカノイル基を、
    Ｙ１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基を、
    Ｘは、臭素原子、塩素原子、トリフルオロメタンスルフォニルオキシ基、メチルスルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、トルエンスルフォニルオキシ基又はニトロベンゼンスルフォニルオキシ基を、
    ｎ１は、０又は１を、
    一般式：
    Figure 2006038741
    で表される基は、アリール環基又はヘテロアリール環基を意味する。ただし、Ｘが、塩素原子である場合には、一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ１、ｎ１及びＹ１は前記の意味を有する。］で表される基は、電子吸引基である。］で表されるアリール若しくはヘテロアリール化合物、又はその塩を、酢酸パラジウム、Ｐｄ２（ｄｂａ）３及びＰｄ（ｄｂａ）２からなる群から選ばれるパラジウム化合物、
    炭酸セシウム、一般式
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１ないし６アルキル基、ベンジル基、フェニル基又はピリジル基を示す。］で表されるアミン誘導体、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンからなる群から選ばれる塩基、及び式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物及び式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物からなる群から選ばれるリン化合物の存在下で、一般式［ＩＩ―ａ］：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒｅは、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、ｎａは、１又は２を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基、（２−ナフチル）メチル基、４−メトキシフェニル基、４−アセトキシフェニル基、フェニル基、トリチル基、ジアミノメチル基、２−トリメチルシリルエチル基又は２−（２−エチルヘキシルオキシカルボニル）エチル基を示す。］で表されるチオール化合物又はその塩と反応させ、一般式「Ｉ−ａ」：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ１、Ｙ１、Ｒｅ、ｎ１、一般式：
    Figure 2006038741
    で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオエーテル化合物又はその塩を得、次いで、得られた一般式［Ｉ−ａ］で表されるチオエーテル化合物の、Ｒｅで表される保護基を脱離することを特徴とする、一般式［Ｉ−ｂ］：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ１、Ｙ１、ｎ１、及び一般式：
    Figure 2006038741
    で表される基は、前記の意味を有する。］で表されるチオール化合物又はその塩の製造方法。
  11. 一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ７は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示す。］で表される基からなる群から選ばれる基が、炭素鎖中に介在してもよい１ないし６のアルキレン基が、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基又は一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｙは、硫黄原子、スルフィニル基、スルフォニル基、酸素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基及び一般式：
    Figure 2006038741
    ［式中、Ｒ２は、水素原子、炭素数１ないし６のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基又はピリジル基を示し、ｎ４及びｎ５は１ないし６の整数を示し、両者の合計は６を超えない。］で表される基であることを特徴とする請求項１又は請求項１０記載の製造方法。
  12. ｎ１が、０であることを特徴とする請求項１又は請求項１０記載の製造方法。
  13. ｎ２が、０であることを特徴とする請求項１又は請求項１０記載の製造方法。
  14. ｎ３が、０であることを特徴とする請求項１又は請求項１０記載の製造方法。
  15. 塩基が、炭酸セシウム、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ジベンジルメチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、トリベンジルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン又は１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンであることを特徴とする請求項１０記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
  16. パラジウム化合物が、Ｐｄ２（ｄｂａ）３であり、リン化合物が、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物、又は式：
    Figure 2006038741
    で表される化合物であり、塩基が、炭酸セシウム、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ジベンジルメチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、トリベンジルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン又は１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンであることを特徴とする請求項１０記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
  17. Ｒｅで表される保護基が、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基であることを特徴とする請求項１０記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
  18. Ｒｅで表される保護基が、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒｃ又はＲｄは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基又はアルコキシ基を示す。）で表される基である場合、当該Ｒｅで表される保護基の脱離工程が、カリウム アルコキシド又はナトリウム アルコキシドによる処理であることを特徴とする、請求項１０記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
  19. Ｒｅで表される保護基が、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒａ又はＲｂは、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アセトキシ基、ニトロ基又は炭素数１ないし６のアルコキシ基を示す。）で表される基、（１−ナフチル）メチル基又は（２−ナフチル）メチル基である場合、当該Ｒｅで表される保護基の脱離工程が、銅化合物、鉄化合物、コバルト化合物、銀化合物、チタン化合物又はそれらの水和物らなる群の添加物から選ばれる１種の添加物の存在下で、一般式：
    Figure 2006038741
    （式中、Ｒｇは、ハロゲン原子又は炭素数１ないし１０のアルキル基を、Ｒｈは、炭素数１ないし１０のアルキル基を示す。）で表されるマグネシウム化合物による処理であることを特徴とする、請求項１０記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
  20. 添加物が、ＣｕＣｌ２、ＣｕＣｌ２・２Ｈ２Ｏ、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、ＴｉＣｌ２（ｉ−ＰｒＯ）２、Ｃｕ（ＣＦ３ＳＯ２Ｏ）２、ＣｏＣｌ２、ＡｇＮＯ３又はＣｐ２ＴｉＣｌ２であることを特徴とする、請求項１９記載のチオール化合物又はその塩の製造方法
  21. マグネシウム化合物が、ジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジ−ｎ−プロピルマグネシウム、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、ｎ−プロピルマグネシウムクロリド、ｎ−プロピルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムクロリド又はイソプロピルマグネシウムブロミドであることを特徴とする、請求項１９記載のチオール化合物又はその塩の製造方法。
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