JPWO2005085498A1 - 金属の表面処理剤 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩の1種もしくは2種以上を合計で0.01g/L以上含むことを特徴とする金属の表面処理剤。
(2)一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩の1種もしくは2種以上を合計で0.01g/L以上含み、溶液のpHを5以下に調整したことを特徴とする金属の表面処理剤。
(3)更に界面活性剤を0.01g/L〜10g/L含有することを特徴とする前記(2)に記載の金属の表面処理剤。
(6)前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の金属の表面処理剤による表面処理方法。
(7)電子部品もしくは基板の接続端子部の導体表面に、またはその表面にめっきを施した後に、前記(6)に記載の表面処理方法により表面処理を行ったことを特徴とする電子部品もしくは基板。
(8)前記(6)に記載の表面処理方法により表面処理を行ったSn合金を用いたことを特徴とするはんだボールもしくははんだ粉末。
(9)前記(8)に記載のはんだボールを電気的接続部材として用いたことを特徴とするボールグリッドアレイ。
(10)前記(8)に記載のはんだボールを電子部品に配置し、これを回路基板に接続したことを特徴とする実装品。
(11)前記(8)に記載のはんだ粉末を用いたことを特徴とするはんだペースト。
(12)前記(11)に記載のはんだペーストを用いたことを特徴とする実装品。
本発明の表面処理剤で処理される金属としては、Fe、Ni、Co、Cr、Cu、Zn、Sn、Al、Mg、Ti、Ag、Au等が挙げられ、これらは合金であってもよい。特にSn及びSn合金が好ましく、Sn合金としては、環境汚染等の問題から鉛を含まないSn合金がより好ましい。鉛を含まないSn合金としては、SnにZn、Bi、Cu、In、Ag、Sbのいずれか一つもしくは二つ以上を含むはんだ合金等が挙げられる。
一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩の量が0.01g/L未満であるとその効果が小さい。また、逆に添加量が多過ぎても特性が劣化することはないため、添加量の上限はないが、コスト的な問題から、添加量は0.01〜500g/Lが望ましく、より好ましくは0.1〜100g/Lである。
一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩としては、例えば下記一般式(I)、(II)、(III)で示される化合物、及び/又はそのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン化合物との塩が挙げられる。
同様に、上記一般式(II)で表される化合物としては、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタキスメチレンホスホン酸等が特に好ましく、上記一般式(III)で表される化合物としては、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸等が特に好ましい。
界面活性剤としては、市販のアニオン系、カチオン系、ノニオン系、及び両性界面活性剤の1種もしくは2種以上を適宜選択して使用することができる。
アニオン系界面活性剤としては、硫酸エステル塩型、スルホン酸塩型、リン酸エステル塩型、スルホサクシネート型等が、カチオン系界面活性剤としては、四級アンモニウム塩型、アミン塩型等が、ノニオン系界面活性剤としては、高級アルコールエチレンオキサイド付加物、アルキルフェノールエチレンオキサイド付加物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、エチレンジアミンのポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、高級脂肪族アミンのエチレンオキサイド付加物、脂肪族アミドのエチレンオキサイド付加物等が、両性界面活性剤としては、アミノ酸型、ベタイン型等が好ましい。
pHを5以下の範囲で使用する際は、アニオン系、ノニオン系の1種もしくは2種以上を適宜選択して使用することが好ましい。中でも、ノニオン系界面活性剤では、ポリエチレングリコール型が特に好ましく、高級アルコールエチレンオキサイド付加物、アルキルフェノールエチレンオキサイド付加物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー等を特に好ましく用いることができる、また、アニオン系界面活性剤では、硫酸エステル塩型、リン酸エステル塩型が特に好ましい。
本発明の表面処理剤を用い、電子部品もしくは基板の接続端子部の導体表面を表面処理する、またはその導体表面にめっきを施した後に、表面処理することにより、耐酸化性に優れ、はんだ濡れ性が改善された電子部品もしくは基板とすることができる。
本発明の表面処理剤で処理されたSn合金を用いたはんだボールは、耐酸化性に優れ、電気的接続部材であるボールグリッドアレイとして、また、電子部品に配置し、これを回路基板に接続した実装品として良好に用いることができる。
実施例1〜14、及び比較例1〜5
一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物又はその塩を有効成分とする水溶液を15種類調製した(実施例1〜14、比較例1)。内訳を表1に示す。
アルカリ電解脱脂(常温、15A/dm2、約30秒程度処理)→水洗→酸浸漬(10%硫酸、常温、5秒)→水洗→化学研磨(CPB−40、常温、1分浸漬)→水洗→酸浸漬(10%硫酸、常温、5秒)→水洗
この基材に対し、膜厚約5μmのSnめっきを行った(めっき浴:ティンコートK(日鉱メタルプレーティング(株)製)、めっき条件:陰極電流密度2A/dm2、温度20℃、液流動及びカソード揺動めっき)。
耐熱酸化性
これらの試験基板を、220℃に保持した電気炉において、大気雰囲気で1時間熱処理した後、鉛フリーはんだとのはんだ付け性(ゼロクロスタイム)をメニスコグラフ法で以下の測定条件に基づき測定した。
装置;ソルダーチェッカー SAT−2000(レスカ製)
はんだ槽;すず:銀:銅=96.5:3:0.5(浴温245℃)
フラックス;NA−200(タムラ化研製)
浸漬深さ;2mm
浸漬速度;4mm/sec.
浸漬時間;5sec.
これらの試験基板に対し、PCT処理(温度105℃、湿度100%の密閉釜内にて16時間放置)を施した後、鉛フリーはんだとのはんだ付け性(ゼロクロスタイム)をメニスコグラフ法で耐熱酸化性の項と同様に測定した。
前記実施例1〜14、及び比較例1〜5と同様な前処理を行った銅材(C1020P、10mm×25mm×0.2tmm)に対し、膜厚約5μmのSn−Znめっきを行った(めっき浴:日鉱メタルプレーティング(株)製、めっき条件:陰極電流密度3A/dm2、温度35℃、pH4.0、液流動及びカソード揺動めっき)。
このSn−Znめっきを施した基材(以下Sn−Zn基材)を、前記実施例1〜14、比較例1〜3、及び比較例5にて調製した溶液に、浴温60℃で10秒間浸漬した後、水洗し、乾燥させたもの、及び未処理のものを試験基板とした。
これらの試験基板に対し、前記実施例1〜14、及び比較例1〜5と同様に、エージングを行った後、はんだ付け性の測定を行った。試験結果を表2に示す。
実施例29ではSnめっきに対し表面処理したもののウィスカー発生が、表面処理しなかったものと比べて、著しく抑制された結果を示す。
前記実施例7と同等の処理をしたSnめっき基板と、表面処理をしなかった基板を、温度85℃、湿度85%の恒温恒湿雰囲気下において、24時間放置した。その後、基板を充分に乾燥した後、走査型電子顕微鏡(SEM)にて表面観察したところ、表面処理をしなかったものは、ウィスカーが多く観察された(比較例12)のに対し、表面処理をしたものからは、ウィスカーが全く観察されなかった(実施例29)。
である。
【特許文献1】特願2002−304554号
【特許文献2】特開平7−188942号公報
【発明の開示】
本発明は、金属、特にSn及びSn合金に耐酸化性を付与し、はんだ濡れ性を改善する表面処理剤を提供することを目的とする。更に、本発明は、Sn及びSn合金のウィスカーの発生を抑制する表面処理剤を提供することを目的とする。
本発明者らは、金属、特にSn及びSn合金表面の酸化抑制に対し、鋭意研究を重ねた結果、一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩の1種もしくは2種以上を合計で0.01g/L以上含む表面処理剤で表面処理することにより、耐酸化性を付与し、はんだ濡れ性を改善することができることを見出した。また、この表面処理を施したSn合金はんだ粉末を含むはんだペーストは、その保存安定性に顕著な改善効果が見られた。更に、この表面処理を施したSn及びSn合金は、ウィスカーの発生が大幅に抑制されることがわかった。
即ち本発明は、以下のとおりである。
(1)金属の表面処理剤であって、その有効成分が一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩の1種もしくは2種以上からなり、それを合計で0.01g/L以上含み、更に界面活性剤を0.01g/L〜10g/L含有することを特徴とする金属の表面処理剤。
(2)金属の表面処理剤であって、その有効成分が一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩の1種もしくは2種以上からなり、それを合計で0.01g/L以上含み、更に界面活性剤を0.01g/L〜10g/L含有し、溶液のpHを5以下に調整したことを特徴とする金属の表面処理剤。
(3)前記一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩が下記式(I)、(II)又は(III)で表される化合物、及び/又はそのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、又はアミン化合物との塩であることを特徴とする前記(1)又は(2)のいずれか一項に記載の金属の表面処理剤。
3
【化4】
(式(III)中、Xは水素原子、又は炭素数1〜5の低級アルキル基を表し、Yは水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル基、水酸基、又はアミノ基を表す。)
(4)前記金属がSn又はSn合金であることを特徴とする前記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の金属の表面処理剤。
(5)前記(1)〜(4)のいずれか一項に記載の金属の表面処理剤による表面処理方法。
(6)電子部品もしくは基板の接続端子部の導体表面に、またはその表面にめっきを施した後に、前記(5)に記載の表面処理方法により表面処理を行ったことを特徴とする電子部品もしくは基板。
(7)前記(5)に記載の表面処理方法により表面処理を行ったSn合金を用いたことを特徴とするはんだボールもしくははんだ粉末。
(8)前記(7)に記載のはんだボールを電気的接続部材として用いたことを特徴とするボールグリッドアレイ。
(9)前記(7)に記載のはんだボールを電子部品に配置し、これを回路基板に接続したことを特徴とする実装品。
(10)前記(7)に記載のはんだ粉末を用いたことを特徴とするはんだペースト。
(11)前記(10)に記載のはんだペーストを用いたことを特徴とする実装品。
【発明を実施するための最良の形態】
以下に本発明の表面処理剤について詳述する。
本発明の表面処理剤で処理される金属としては、Fe、Ni、Co、Cr、Cu、Zn、Sn、Al、Mg、Ti、Ag、Au等が挙げられ、これらは合金であってもよい。特にSn及びSn合金が好ましく、Sn合金としては、環境汚染等の問題から鉛を含まないSn合金がより好ましい。鉛を含まないSn合金としては、SnにZn、Bi、Cu、In、Ag、Sbのいずれ
5
Claims (12)
- 一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩の1種もしくは2種以上を合計で0.01g/L以上含むことを特徴とする金属の表面処理剤。
- 一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩の1種もしくは2種以上を合計で0.01g/L以上含み、溶液のpHを5以下に調整したことを特徴とする金属の表面処理剤。
- 更に界面活性剤を0.01g/L〜10g/L含有することを特徴とする請求の範囲2記載の金属の表面処理剤。
- 前記一分子内に2個以上のホスホン酸基を持ち、分子内にエステル結合を含まない化合物、及び/又はその塩が下記式(I)、(II)又は(III)で表される化合物、及び/又はそのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、又はアミン化合物との塩であることを特徴とする請求の範囲1〜3のいずれか一項に記載の金属の表面処理剤。
- 前記金属がSn又はSn合金であることを特徴とする請求の範囲1〜4のいずれか一項に記載の金属の表面処理剤。
- 請求の範囲1〜5のいずれか一項に記載の金属の表面処理剤による表面処理方法。
- 電子部品もしくは基板の接続端子部の導体表面に、またはその表面にめっきを施した後に、請求の範囲6に記載の表面処理方法により表面処理を行ったことを特徴とする電子部品もしくは基板。
- 請求の範囲6に記載の表面処理方法により表面処理を行ったSn合金を用いたことを特徴とするはんだボール、又ははんだ粉末。
- 請求の範囲8記載のはんだボールを電気的接続部材として用いたことを特徴とするボールグリッドアレイ。
- 請求の範囲8に記載のはんだボールを電子部品に配置し、これを回路基板に接続したことを特徴とする実装品。
- 請求の範囲8に記載のはんだ粉末を用いたことを特徴とするはんだペースト。
- 請求の範囲11に記載のはんだペーストを用いたことを特徴とする実装品。
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