JP6192181B2 - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
この問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。すなわち、各種の無機あるいは有機性の薬品で金めっき表面を処理し、ピンホールを塞ぎ、耐食性を向上させようとするものである。封孔処理液には有機系と水系の2種類がある。有機系では溶媒としてハロゲン系有機溶剤が一般に使用されているため、オゾン層破壊などの問題で現在有機系封孔処理液の使用は大きく制限されている。一方、水系では溶媒として水を使用するため環境汚染の点で問題はないが、従来の有機系封孔処理液に使用されている水に難溶性のパラフィン等の潤滑剤が使用できないため、水系で処理しためっきは潤滑性が低く、コネクタの耐久性が有機系よりも劣るという問題があった。
ベリリウム銅には延性があり、溶接や機械加工もできる金属材料である。また、非酸化性の酸(塩酸や炭酸など)・プラスチックを分解する物質・アブレシブ摩耗やかじり傷に対しても耐える素材である。さらに、熱処理を加えれば強度や耐久性、電気伝導度を増すこともできる。ベリリウム銅は、銅をベースとした合金の中で最高の強度(〜1400MPa)を誇っている。しかし、ベリリウム化合物には毒性があるので、ベリリウム銅合金についても安全上注意すべき点がある。固体や最終製品については、ベリリウム銅が健康へ特に影響を与えることはないが、機械加工や溶接の過程で出るベリリウム銅の塵を吸い込むと、肺に深刻な影響の出る危険性がある。また、ベリリウム化合物はIARCによって発がん性がある(Type1)と勧告されている。その結果、ニッケル青銅(Cu−Ni−Sn系)、チタン銅など、より危険性の低い銅合金がベリリウム銅の代替として用いられることもある。しかし、ニッケル青銅は歩留りが悪いという問題がある。
コルソン合金はNi、Siを主な副成分とする特殊銅合金の1種である。強度、電気伝導度が高く、曲げ加工性に優れるためパソコンや携帯電話等の電子機器の主にコネクタ端子やリードフレーム等に使用されている。
更に、封孔処理を行っても、被めっき材の酸化された点を起因にピンホールが多数発生し、その上に形成した金めっき膜や封孔処理剤ではピンホールを完全に塞ぐことができず腐食や変色の原因となっていた。
即ち、本発明は以下のとおりである。
(1)チタン銅またはコルソン合金からなる基材上に、Niめっき膜、Pd−Niめっき膜、AuまたはAu合金めっき膜の3層を順に有し、さらにAuまたはAu合金めっき膜表面が、インヒビターとして、メルカプトベンゾチアゾール系化合物およびトリアジンチオール系化合物を含有する封孔処理剤を用いて電着処理されてなることを特徴とする電子部品。
(2)前記基材がチタン銅であることを特徴とする前記(1)に記載の電子部品。
(3)前記電着処理された後、リフロー処理されてなることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の電子部品。
(4)前記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法であって、チタン銅またはコルソン合金からなる基材上に、Niめっき膜、Pd−Niめっき膜、AuまたはAu合金めっき膜の3層を順に形成し、AuまたはAu合金めっき膜表面に、インヒビターとして、メルカプトベンゾチアゾール系化合物およびトリアジンチオール系化合物を含有する封孔処理剤を用いて電着処理することを特徴とする電子部品の製造方法。
本発明は、基材として、チタン銅またはコルソン合金を用いる。
チタン銅は銅にチタンを1.0〜4.0質量%添加した特殊銅合金であり、更に鉄等を含有していても良い。チタン銅は、強度、耐応力緩和特性、曲げ加工性においては、高強度・高機能銅合金の代表格であるベリリウム銅合金に匹敵する特性を有している。
コルソン合金は銅を主成分とし、Ni、Siを主な副成分とする特殊銅合金の1種であり、更にマグネシウム、スズ、亜鉛、コバルト、クロム、マンガン等を含有しても良い。コルソン合金は、強度、電気伝導度が高く、曲げ加工性に優れる。
本発明において、基材であるチタン銅またはコルソン合金の腐食/変色を防止する方法として、該基材上にNiめっき膜、Pd−Niめっき膜、AuまたはAu合金めっき膜の3層を形成する。
基材上に、Niめっき膜と、Pd−Niめっき膜を形成することにより、Pd−Ni膜中に存在するピンホールを減らすことができ、基材が露出することを防ぐことができる。また、AuまたはAu合金めっき膜の厚さを薄くすることができる。
封孔処理しない場合、また封孔処理が電着処理でない場合は、ピンホールを低減する効果が十分ではなく、基材が腐食、変色する。
特にチタン銅は、強度、耐応力緩和特性、曲げ加工性においては、高強度・高機能銅合金の代表格であるベリリウム銅合金に匹敵する特性を有している。このため、基材としてチタン銅を用いた本発明の電子部品は、パソコンや携帯電話等の電子機器の主にコネクタ端子、バッテリー端子、バーンインソケット等の用途で好適に用いることができる。
Niめっき条件も公知のめっき条件でよい。
Niめっき膜の厚さは0.5〜5μmが好ましい。
Pd−Niめっき膜は、Niを5〜50質量%含有することが好ましい。
Pd−Niめっき条件も公知のめっき条件でよい。
また、Pd−Niめっき膜の厚さは0.05〜1μmが好ましい。
Auめっき、Au合金めっきの条件も公知のめっき条件でよい。
AuまたはAu合金めっき膜の厚さは0.01〜0.1μmが好ましい。
で表わされる。
この一般式(1)で表わされる化合物のうち好ましいものを挙げると、例えば、1Hベンゾトリアゾール(R1,R2とも水素)、1−メチルベンゾトリアゾール(R1が水素、R2がメチル)、トリルトリアゾール(R1がメチル、R2が水素)、1−(N,N−ジオクチルアミノメチル)ベンゾトリアゾール(R1が水素、R2がN,N−ジオクチルアミノメチル)などである。
で表わされる。
この一般式(2)で表わされる化合物のうち好ましいものを挙げると、例えば2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールのナトリウム塩、2−メルカプトベンゾチアゾールのカリウム塩などがある。
一般式(2)においてR3がアルカリ金属の場合メルカプトベンゾチアゾール系化合物の水への溶解が容易となる。
で表わされる。
この一般式(3)で表わされる化合物のうち好ましいものを挙げると例えば以下のものがある。
前記脂肪酸としては、例えばラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸などが挙げられる。
潤滑剤の添加量は0.05wt%〜2wt%の範囲が好ましい。0.05wt%未満では潤滑効果が得られにくく、2wt%を越えると封孔処理後の材料の外観への悪影響が認められる。
前記モノアルキルリン酸エステル、ジアルキルリン酸エステルは、リン酸と脂肪族アルコールを脱水縮合したものであり、該脂肪族アルコールとしては、例えばデシルアルコール、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セタノール、ステアリルアルコールなどが好ましい。
これらは、モノエステルでもジエステルでも良く、それぞれ単独で用いても良いが、モノエステルとジエステルの混合物や、アルコール成分が異なる複数のリン酸エステルの混合物を用いても良く、これらの混合比も問わない。これらのモノアルキルリン酸エステル、ジアルキルリン酸エステルとしては、市販品を用いることができる。
乳化剤の添加量は0.05wt〜2wt%の範囲であり、0.05wt%未満では乳化効果が得られにくく、2wt%を越えるとはんだ付け性への悪影響が認められる。
処理方法としては、めっき品を処理液中に浸漬させ、材料を陽極として極間に直流またはパルス電流を流して行う。めっき品を陽極にすることにより、溶液中のインヒビターはめっき品のピンホール内部の下地金属に吸着し、その腐食を防止する。電流密度は0.1mA/dm2以上であることが好ましく、1〜100mA/dm2がより好ましい。0.1mA/dm2未満では封孔処理効果が得られない。処理時間は1〜10秒が望ましい。また、電流密度と処理時間の積が10〜1000mA・sec/dm2であることが好ましく、20〜200mA・sec/dm2であることがより好ましい。
参考例1、実施例1〜4、及び比較例1〜3:
チタン銅材(NKT322,25mm×20mm×0.2mmt)、もしくはコルソン合金材(C7025,25mm×20mm×0.2mmt)に、スルファミン酸浴により、全面に電解ニッケルめっきを3μm行なった後、アンモニア浴により、電解Pd−Ni合金めっき(Pd/Ni=8/2(質量比))を0.2μm行い、その後、クエン酸浴で、電解金めっきを0.05μm行なっためっき基板を供試材とした。
チタン銅を基材としためっき基板を表1の参考例1、実施例1〜3、または比較例3の条件で電着により封孔処理し、十分に水洗した後、ドライヤーで乾燥することにより、封孔処理剤被膜を形成させた。また、コルソン合金を基材としためっき基板を実施例4の条件で同様に電着により封孔処理被膜を形成させた。比較例1はチタン銅を基材としためっき基板に封孔処理を行わなかったものである。比較例2は、チタン銅を基材としためっき基板に封孔処理を浸漬処理により行ったものである。
なお、封孔処理剤の溶媒にはイオン交換水を用いた。また、封孔処理剤に用いたラウリルリン酸エステル、デシルリン酸エステルは、モノエステルとジエステルとの混合物である。
評価基準:
○:ほとんど腐食なし。
△:所々に黒点状の腐食が見られる。
×:所々に茶褐色及び/または緑色の腐食点が見られる。
Claims (4)
- チタン銅またはコルソン合金からなる基材上に、Niめっき膜、Pd−Niめっき膜、AuまたはAu合金めっき膜の3層を順に有し、さらにAuまたはAu合金めっき膜表面が、インヒビターとしては、メルカプトベンゾチアゾール系化合物およびトリアジンチオール系化合物からなる群から選ばれる化合物を使用する封孔処理剤を用いて電着処理されてなることを特徴とする電子部品。
- 前記基材がチタン銅であることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記電着処理された後、リフロー処理されてなることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法であって、チタン銅またはコルソン合金からなる基材上に、Niめっき膜、Pd−Niめっき膜、AuまたはAu合金めっき膜の3層を順に形成し、AuまたはAu合金めっき膜表面に、インヒビターとしては、メルカプトベンゾチアゾール系化合物およびトリアジンチオール系化合物からなる群から選ばれる化合物を使用する封孔処理剤を用いて電着処理することを特徴とする電子部品の製造方法。
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