KR20150099850A - 전자 부품 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자 부품 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150099850A
KR20150099850A KR1020157020118A KR20157020118A KR20150099850A KR 20150099850 A KR20150099850 A KR 20150099850A KR 1020157020118 A KR1020157020118 A KR 1020157020118A KR 20157020118 A KR20157020118 A KR 20157020118A KR 20150099850 A KR20150099850 A KR 20150099850A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alloy
plated film
copper
plating
treatment
Prior art date
Application number
KR1020157020118A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101688756B1 (ko
Inventor
도루 이모리
다카시 오우치
루이 난바
Original Assignee
제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 filed Critical 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤
Publication of KR20150099850A publication Critical patent/KR20150099850A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101688756B1 publication Critical patent/KR101688756B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D13/00—Electrophoretic coating characterised by the process
    • C25D13/04—Electrophoretic coating characterised by the process with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/623—Porosity of the layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

본 발명은, 기재로서 티탄 구리나 코르손 합금을 이용하고, Au 또는 Au 합금 도금막을 가지는 전자 부품에 있어서, Au 또는 Au 합금 도금막이 얇아도 핀홀의 발생이 적고, 티탄 구리나 코르손 합금의 부식이나 변색이 발생하기 어려워, 내식성이 우수한 전자 부품, 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.　
본 발명의 전자 부품은, 티탄 구리 또는 코르손 합금으로 이루어지는 기재상에, Ni도금막, Pd-Ni도금막, Au 또는 Au 합금 도금막의 3층을 순서로 가지고, 또한 Au 또는 Au 합금 도금막 표면이, 인히비터로서, 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품이다.

Description

전자 부품 및 그 제조 방법{ELECTRONIC COMPONENT AND PROCESS FOR PRODUCING SAME}
본 발명은 전자기기용 접속 부품인 커넥터 등의 전자 부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자기기용 접속 부품인 커넥터에는, 황동이나 인청동에 니켈 하지(下地) 도금을 실시하고, 또한 그 위에 금 도금을 실시한 재료가 일반적으로 사용된다. 그러나, 금은 고가이기 때문에, 커넥터 제조 비용을 낮추는 목적으로 여러 가지 방법이 채용되고 있다. 그 대표적인 방법이 금 도금의 두께를 얇게 하는 방법이지만, 금 도금 두께를 얇게 하는 것에 수반하여, 피막의 핀홀(pinhole)이 지수함수적으로 증가하여, 내식성이 현저하게 저하된다고 하는 문제를 안고 있다.
이 문제를 해결하는 방법의 하나로 봉공(pore-filling) 처리가 있다. 즉, 각종 무기 혹은 유기성 약품으로 금 도금 표면을 처리하고, 핀홀을 메워, 내식성을 향상시키려고 하는 것이다. 봉공 처리액에는 유기계와 수계의 2 종류가 있다. 유기계에서는 용매로서 할로겐계 유기용제가 일반적으로 사용되고 있기 때문에, 오존층 파괴 등의 문제로 현재 유기계 봉공 처리액의 사용은 크게 제한되고 있다. 한편, 수계에서는 용매로서 물을 사용하기 때문에 환경오염의 점에서 문제는 없지만, 종래의 유기계 봉공 처리액으로 사용되고 있는, 물에 난용성인 파라핀 등의 윤활제를 사용할 수 없기 때문에, 수계로 처리한 도금은 윤활성이 낮고, 커넥터의 내구성이 유기계보다 뒤떨어진다고 하는 문제가 있었다.
그래서, 환경 오염성에 문제없고, 또, 종래와 동등 혹은 그 이상의 봉공 처리 효과를 가지는 봉공 처리제로서, 인히비터(inhibitor)로서 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 이용한 봉공 처리제가 특허 문헌 1~3에, 인히비터로서 특정의 트리아진계 화합물을 가지는 봉공 처리제가 특허 문헌 4~5에 기재되어 있다.
인청동 기재는, 스위치나 커넥터부에 사용되는 경향이 있고, 스프링성이나 내마모성이 보다 요구되는 배터리 단자용 커넥터 등에는 베릴륨 구리가 사용되고 있다.
베릴륨 구리에는 연성이 있어, 용접이나 기계 가공도 할 수 있는 금속재료이다. 또, 비산화성의 산(염산이나 탄산 등)·플라스틱을 분해하는 물질·어브레이시브 마모나 골링(galling)에 대해서도 견디는 소재이다. 또한, 열처리를 가하면 강도나 내구성, 전기 전도도를 증가시킬 수 있다. 베릴륨 구리는, 구리를 베이스로 한 합금 중에서 최고의 강도(~1400MPa)를 자랑하고 있다. 그러나, 베릴륨 화합물에는 독성이 있으므로, 베릴륨 구리합금에 대해서도 안전상 주의해야 할 점이 있다. 고체나 최종 제품에 대해서는, 베릴륨 구리가 건강에 특히 영향을 주지 않지만, 기계 가공이나 용접의 과정에서 나오는 베릴륨 구리의 분진을 들이마시면, 폐에 심각한 영향이 나타날 위험성이 있다. 또, 베릴륨 화합물은 IARC에 의하여 발암성이 있는 (Type 1)이라고 권고되고 있다. 그 결과, 니켈 청동(Cu-Ni-Sn계), 티탄 구리 등, 보다 위험성이 낮은 구리합금이 베릴륨 구리의 대체로서 이용되기도 한다. 그러나, 니켈 청동은 수율이 나쁘다고 하는 문제가 있다.
티탄 구리는 Ti를 주된 부성분으로 하는 특수 구리합금이다. 강도, 내응력 완화 특성, 굽힘 가공성에 있어서는, 고강도·고기능 구리합금의 대표격인 베릴륨 구리합금에 필적하는 특성을 가지고 있다. 이 때문에, PC나 휴대 전화 등의 전자기기의 주로 커넥터 단자, 배터리 단자, 번인 소켓 등의 기재의 용도로 베릴륨 구리합금을 바꾸어 티탄 구리의 사용이 근래 크게 성장해 오고 있다.
코르손 합금(Corson alloy)은 Ni, Si를 주된 부성분으로 하는 특수 구리합금의 일종이다. 강도, 전기 전도도가 높고, 굽힘 가공성이 우수하기 때문에 PC나 휴대 전화 등의 전자기기의 주로 커넥터 단자나 리드 프레임 등에 사용되고 있다.
그러나, 티탄 구리나 코르손 합금을 전자기기용 접속 부품인 커넥터의 기재로서 이용하고, 기재로서 인청동을 이용한 경우와 마찬가지로, 니켈 하지 도금을 실시하며, 또한 그 위에 금 도금을 실시하면, 티탄 구리는 티탄의 산화물이, 코르손 합금은 Si의 산화물이, 구리 기재 표면에 드러나기 때문에, 니켈 하지 도금의 밀착성이 나쁘고, 인청동을 이용한 경우보다 도금물의 내식성이 나빠진다. 따라서, 통상, 이들 산화물을 에칭하고 금 도금을 행하지만, 산화물을 완전히 없앨 수 없어, 도금물의 내식성이 나빠진다.
또한, 봉공 처리를 행해도, 피도금재가 산화된 점을 기인으로 핀홀이 다수 발생하고, 그 위에 형성한 금 도금막이나 봉공 처리제로는 핀홀을 완전히 막을 수 없어 부식이나 변색의 원인이 되고 있다.
또, 상기 금 도금막의 두께를 얇게 했을 때, 피막의 핀홀이 지수함수적으로 증가하여, 내식성이 현저하게 저하된다고 하는 문제를 해결하기 위해서, 도전성 기재 금속상에, 니켈층, 금-니켈 합금층 및 금층을 차례차례 적층하여 이루어지는 3층 구조의 전기 접점이 특허 문헌 6에 개시되어 있다. 또, 구리합금 상에, 니켈층, Pd-니켈 합금층 및 금층을 차례차례 적층하여 이루어지는 3층 구조의 전기 접점도 이미 알려져 있다. 그러나, 이들 기술에 있어서, 봉공 처리에 대해서는 기재되어 있지 않다.
또한, 특허 문헌 7~8에는, 구리계 기재상에, Ni도금, Pd 또는 Pd합금 도금, Au 또는 Au 합금 도금을 한 재료에 킬레이트 형성성 환상 질소 화합물을 포함하는 봉공 처리제로 봉공 처리하는 것이 개시되어 있다. 봉공 처리제는, 유기용매 용액이며, 처리방법으로서는, 함침 처리, 도포 등이다. 특허 문헌 7~8에 있어서, 실시예에서는 구리계 기재로서 인청동을 이용하고 있다. 그러나, 본 발명자들이 검토한바, 기재로서, 티탄 구리나 코르손 구리를 이용한 경우, 상기 봉공 처리제를 이용한 함침 처리, 도포에 의한 봉공 처리에서는, 내식성 효과를 얻을 수 없었다.
일본 특허 공보 제 2804452 호 일본 특허 공보 제 2717062 호 일본 공개특허공보 2003-129257 호 일본 공개특허공보 평 5-311490 호 일본 공개특허공보 평 5-311491 호 일본 공개특허공보 2002-231357 호 일본 공개특허공보 평 4-193982 호 일본 공개특허공보 평 4-193990 호
본 발명은, 기재로서 티탄 구리나 코르손 합금을 이용하고, Au 또는 Au 합금 도금막을 가지는 전자 부품에 있어서, Au 또는 Au 합금 도금막이 얇아도 핀홀의 발생이 적고, 티탄 구리나 코르손 합금의 부식이나 변색이 발생하기 어려워, 내식성이 우수한 전자 부품, 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 예의 검토를 행한 결과, 이하에 의해 상기 과제가 해결되는 것을 찾아내어, 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명은 이하와 같다.
(1) 티탄 구리 또는 코르손 합금으로 이루어지는 기재상에, Ni도금막, Pd-Ni도금막, Au 또는 Au 합금 도금막의 3층을 순서로 가지고, 또한 Au 또는 Au 합금 도금막 표면이, 인히비터로서, 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
(2) 상기 기재가 티탄 구리인 것을 특징으로 하는 상기 (1)에 기재된 전자 부품.
(3) 상기 전착 처리된 후, 리플로우 처리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 전자 부품.
(4) 상기 (1)~(3) 중 어느 한 항에 기재된 전자 부품의 제조 방법으로서, 티탄 구리 또는 코르손 합금으로 이루어지는 기재상에, Ni도금막, Pd-Ni도금막, Au 또는 Au 합금 도금막의 3층을 순서로 형성하고, Au 또는 Au 합금 도금막 표면에, 인히비터로서, 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 기재로서 티탄 구리나 코르손 합금을 이용하여 Au 또는 Au 합금 도금막을 가지는 전자 부품에 있어서, Au 또는 Au 합금 도금막이 얇아도 핀홀의 발생이 적고, 티탄 구리의 부식이나 변색이 발생하기 어려워, 내식성이 우수한 전자 부품, 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 실시예에서 행한 리플로우 처리의 프로파일을 나타내는 그래프이다.
본 발명의 전자 부품은, 티탄 구리 또는 코르손 합금으로 이루어지는 기재상에, Ni도금막, Pd-Ni도금막, Au 또는 Au 합금 도금막의 3층을 가지고, 또한 Au 또는 Au 합금 도금막 표면이, 인히비터로서 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리 되어서 이루어진다.
본 발명은, 기재로서, 티탄 구리 또는 코르손 합금을 이용한다.
티탄 구리는 구리에 티탄을 1.0~4.0 질량% 첨가한 특수 구리합금이며, 또한 철 등을 함유하고 있어도 좋다. 티탄 구리는, 강도, 내응력 완화 특성, 굽힘 가공성에 있어서는, 고강도·고기능 구리합금의 대표격인 베릴륨 구리합금에 필적하는 특성을 가지고 있다.
코르손 합금은 구리를 주성분으로 하고, Ni, Si를 주된 부성분으로 하는 특수 구리합금의 1종이며, 또한 마그네슘, 주석, 아연, 코발트, 크롬, 망간 등을 함유해도 좋다. 코르손 합금은, 강도, 전기 전도도가 높고, 굽힘 가공성이 우수하다.
그러나, 이들의 구리합금을 기재로서 이용하고, 그 위에 Ni도금막, Au도금막을 형성하면, 티탄 구리는 티탄의 산화물이, 코르손 합금은 Si의 산화물이 구리 기재 표면에 드러나기 때문에, 니켈 하지 도금의 밀착성이 나빠, 도금물의 내식성이 나빠졌다.
본 발명에 있어서, 기재인 티탄 구리 또는 코르손 합금의 부식/변색을 방지하는 방법으로서, 상기 기재상에 Ni도금막, Pd-Ni도금막, Au 또는 Au 합금 도금막의 3층을 형성한다.
기재상에, Ni도금막과 Pd-Ni도금막을 형성함으로써, Pd-Ni막 중에 존재하는 핀홀을 줄일 수 있어 기재가 노출하는 것을 방지할 수 있다. 또, Au 또는 Au 합금 도금막의 두께를 얇게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 부품은, Au 또는 Au 합금 도금막 표면이, 인히비터로서, 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리되어 이루어지는 것이 중요하다. 특정 인히비터를 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리함으로써, 한층 핀홀을 저감할 수 있어, 기재의 부식, 변색을 보다 확실히 방지할 수 있다.
봉공 처리하지 않는 경우, 또 봉공 처리가 전착 처리가 아닌 경우는, 핀홀을 저감하는 효과가 충분하지 않아, 기재가 부식, 변색한다.
또, 상기 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 트리아진티올계 화합물 이외의 인히비터를 이용한 봉공 처리제나, 상기 인히비터를 이용한 처리제라도 침지 처리를 행한 경우는, 리플로우 처리를 행하면 봉공 처리의 효과가 없어진다. 그러나, 상기 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리함으로써, 보다 핀홀의 내부에의 처리가 가능해지기 때문에, 리플로우 처리해도 봉공 처리의 효과가 없어지는 것은 아니다. 리플로우 처리에 있어서, 최고 온도가 240℃ 이상으로 가열되어도 봉공 처리의 효과가 유지된다. 본 발명에서는, 280℃까지, 봉공 처리의 효과가 있는 것을 확인하고 있다.
본 발명의 전자 부품의 제조 방법은, 티탄 구리 또는 코르손 합금으로 이루어지는 기재상에, Ni도금막, Pd-Ni도금막, Au 또는 Au 합금 도금막의 3층을 순서로 형성하고, Au 또는 Au 합금 도금막 표면을, 인히비터로서 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리한다.
특히 티탄 구리는, 강도, 내응력 완화 특성, 굽힘 가공성에 있어서는, 고강도·고기능 구리합금의 대표격인 베릴륨 구리합금에 필적하는 특성을 가지고 있다. 이 때문에, 기재로서 티탄 구리를 이용한 본 발명의 전자 부품은, PC나 휴대 전화 등의 전자기기의 주로 커넥터 단자, 배터리 단자, 번인 소켓 등의 용도로 적합하게 이용할 수 있다.
상기 Ni도금막은, 전해 도금에 의해 형성하는 것이 바람직하고, 전해 Ni도금액으로서는, 전자 부품의 제조에 이용되는 공지의 도금액을 이용할 수 있다. 예를 들면, 설파민산 욕, 와트 욕(Watt bath) 등의 Ni도금액을 바람직하게 이용할 수 있다.
Ni도금 조건도 공지의 도금 조건으로 좋다.
Ni도금막의 두께는 0.5~5㎛가 바람직하다.
Pd-Ni도금막은, 전해 도금에 의해 형성하는 것이 바람직하고, 전해 Pd-Ni도금액으로서는, 전자 부품의 제조에 이용되는 공지의 도금액을 이용할 수 있다. 예를 들면, 암모니아 욕 등의 Pd-Ni도금액을 바람직하게 이용할 수 있다.
Pd-Ni도금막은, Ni를 5~50질량% 함유하는 것이 바람직하다.
Pd-Ni도금 조건도 공지의 도금 조건으로 좋다.
또, Pd-Ni도금막의 두께는 0.05~1㎛가 바람직하다.
Au 또는 Au 합금 도금막은, 전해 도금에 의해 형성하는 것이 바람직하고, 전해 Au도금액, Au 합금 도금액으로서는, 전자 부품의 제조에 이용되는 공지의 도금액을 이용할 수 있다. 약산성 타입의 Au도금액, Au-Co계 합금(Co　0.2~0.5질량%) 도금이 바람직하고, 예를 들면, 구연산 욕의 도금액을 바람직하게 이용할 수 있다.
Au도금, Au 합금 도금의 조건도 공지의 도금 조건으로 좋다.
Au 또는 Au 합금 도금막의 두께는 0.01~0.1㎛가 바람직하다.
본 발명의 전자 부품은, Au도금막 상에 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리를 행한 것이다. 봉공 처리제로서는, 인히비터로서 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용한다.
상기 벤조트리아졸계 화합물은 하기 일반식(1)
Figure pct00001
(식 중, R1은 수소, 알킬, 치환 알킬을 표시하고, R2는 알칼리 금속, 수소, 알킬, 치환 알킬을 표시한다)
로 표시된다.
이 일반식(1)로 표시되는 화합물 중 바람직한 것을 들면, 예를 들면, 1H 벤조트리아졸(R1, R2 모두 수소), 1-메틸벤조트리아졸(R1이 수소, R2가 메틸), 트릴트리아졸(R1이 메틸, R2가 수소), 1-(N, N-디옥틸아미노메틸) 벤조트리아졸(R1이 수소, R2가 N, N-디옥틸아미노메틸) 등이다.
상기 메르캅토벤조티아졸계 화합물은 일반식(2)
Figure pct00002
(식 중, R3는 알칼리 금속 또는 수소를 표시한다)
로 표시된다.
이 일반식(2)로 표시되는 화합물 중 바람직한 것을 들면, 예를 들면 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조티아졸의 나트륨염, 2-메르캅토벤조티아졸의 칼륨염 등이 있다.
일반식(2)에 있어서 R3가 알칼리 금속의 경우 메르캅토벤조티아졸계 화합물이 물로의 용해가 용이하게 된다.
트리아진티올계 화합물은 일반식(3)
Figure pct00003
〔식 중, R4는 -SH, 알킬기나 아릴기로 치환된 아미노기, 또는 알킬 치환 이미다졸알킬, R5, R6는 -NH2, -SH 또는 -SM(M은 알칼리 금속을 표시한다)을 표시한다. 다만, 상기 R4, R5, R6 중 적어도 어느 하나는 -SH 또는 -SM이다.〕
로 표시된다.
이 일반식(3)으로 표시되는 화합물 중 바람직한 것을 들면 예를 들면 이하의 것이 있다.
Figure pct00004
혹은 이들 Na 또는 K 등의 알칼리 금속염이 있다. 일반식(3)에 있어서 R5, R6가 -SM인 경우에는 트리아진티올계 화합물이 물로의 용해가 용이하게 된다.
인히비터의 첨가량은 0.001~1wt%의 범위이며, 0.001wt% 미만에서는 봉공 처리 효과가 인정되지 않고, 1wt%를 초과하면 접촉 저항에의 악영향이 인정된다.
본 발명의 봉공 처리에 이용하는 처리제는, 윤활제를 더 함유해도 좋다. 윤활제로서는, 지방산이 바람직하고, 봉공 처리제로 첨가함으로써, 금 도금재의 윤활성 향상에 기여한다.
상기 지방산으로서는, 예를 들면 라우린산, 미리스틴산, 팔미틴산, 스테아린산, 올레인산, 리놀산 등을 들 수 있다.
윤활제의 첨가량은 0.05wt%~2wt%의 범위가 바람직하다. 0.05wt% 미만에서는 윤활 효과를 얻기 어렵고, 2wt%를 초과하면 봉공 처리 후의 재료의 외관에의 악영향이 인정된다.
본 발명의 봉공 처리에 이용하는 처리제는, 유화제를 함유해도 좋고, 유화제로서는, 모노알킬인산 에스테르, 디알킬인산 에스테르가 바람직하다. 유화제는, 처리제로 첨가되고, 윤활제의 유화제로서의 기능을 다한다. 또한 유화제에는 윤활 작용도 있다.
상기 모노알킬인산 에스테르, 디알킬인산 에스테르는, 인산과 지방족 알코올을 탈수 축합한 것이며, 상기 지방족 알코올로서는, 예를 들면 데실 알코올, 라우릴 알코올, 미리스틸 알코올, 세탄올, 스테아릴 알코올 등이 바람직하다.
이들은, 모노에스테르라도 디에스테르라도 좋고, 각각 단독으로 이용해도 좋지만, 모노에스테르와 디에스테르의 혼합물이나, 알코올 성분이 다른 복수의 인산 에스테르의 혼합물을 이용해도 좋고, 이들의 혼합비도 불문한다. 이들의 모노 알킬 인산 에스테르, 디알킬인산 에스테르로서는, 시판품을 이용할 수 있다.
유화제의 첨가량은 0.05wt~2wt%의 범위이며, 0.05wt% 미만에서는 유화 효과를 얻기 어렵고, 2wt%를 초과하면 납땜성에 악영향이 인정된다.
봉공 처리액은 상술한 성분을 가지는 수용액이지만, 용액의 온도는 10~80℃가 바람직하고, 30~50℃가 보다 바람직하다. 10~80℃로 함으로써, 성분의 물에 대한 유화가 보다 신속하게 진행되며, 또한 봉공 처리 후의 재료의 건조가 용이하게 된다.
처리방법으로서는, 도금품을 처리액 중에 침지시켜, 재료를 양극으로서 극간에 직류 또는 펄스 전류를 흘려 행한다. 도금품을 양극으로 함으로써, 용액 중의 인히비터는 도금품의 핀홀 내부의 하지 금속에 흡착하여, 그 부식을 방지한다. 전류 밀도는 0.1mA/d㎡ 이상인 것이 바람직하고, 1~100 mA/d㎡가 보다 바람직하다. 0.1mA/d㎡ 미만에서는 봉공 처리 효과를 얻을 수 없다. 처리 시간은 1~10초가 바람직하다. 또, 전류 밀도와 처리 시간의 곱이 10~1000mA·sec/d㎡인 것이 바람직하고, 20~200mA·sec/d㎡인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 전자 부품으로서는, 전자기기용 접속 부품인 커넥터 등을 들 수 있다. 특히 스프링성이나 내마모성이 보다 요구되는 배터리 단자용 커넥터에 적합하게 이용할 수 있다.
[실시예]
이하에 나타내는 실시예 및 비교예에 의해 더 본 발명을 설명한다.
실시예 1~5, 및 비교예 1~3：
티탄 구리재(NKT322, 25㎜×20㎜×0.2㎜t), 혹은 코르손 합금재(C7025, 25㎜×20㎜×0.2㎜t)에, 설파민산 욕에서, 전체 면에 전해 니켈 도금을 3㎛ 행한 후, 암모니아 욕에서, 전해 Pd-Ni합금 도금(Pd/Ni=8/2(질량비))을 0.2㎛ 행하며, 그 후, 구연산 욕에서, 전해 금 도금을 0.05㎛ 행한 도금 기판을 공시재로 했다.
티탄 구리를 기재로 한 도금 기판을 표 1의 실시예 1~4, 또는 비교예 3의 조건으로 전착에 의해 봉공 처리하고, 충분히 수세 한 후, 드라이어로 건조함으로써, 봉공 처리제 피막을 형성시켰다. 또, 코르손 합금을 기재로 한 도금 기판을 실시예 5의 조건으로 마찬가지로 전착에 의해 봉공 처리 피막을 형성시켰다. 비교예 1은 티탄 구리를 기재로 한 도금 기판에 봉공 처리를 행하지 않은 것이다. 비교예 2는, 티탄 구리를 기재로 한 도금 기판에 봉공 처리를 침지 처리에 의해 행한 것이다.
한편, 봉공 처리제의 용매에는 이온 교환수를 이용했다. 또, 봉공 처리제로 이용한 라우릴 인산 에스테르, 데실 인산 에스테르는, 모노 에스테르와 디에스테르와의 혼합물이다.
얻어진 기판에 대하여, 도 1에 나타내는 프로파일로 리플로우 처리(대기 분위기)를 행한 후, 염수 분무 시험(JIS Z2371 준거)을 72시간 행하고, 내식성의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
평가 기준：
○：거의 부식 없음.
△：곳곳에 흑점 형상의 부식이 보인다.
×：곳곳에 다갈색 및/또는 녹색의 부식 점이 보인다.
한편, 비교예 3은, 본 발명에 따른 봉공 처리제와는 다른 봉공 처리제를 이용한 예이다. 비교예 3에서 이용한 봉공 처리제는, 기재로서 인청동(C5210, 25㎜×20㎜×0.2㎜t)을 이용한 경우는, 내식성의 효과가 얻어지는 것을 확인하고 있다. 즉, 비교예 3은, 인청동 기재에 유효한 봉공 처리제가, 그대로 마찬가지로 티탄 구리 기재의 봉공 처리에 유효하다는 것은 아니라는 것을 나타내는 것이다.
Figure pct00005
Figure pct00006

Claims (4)

  1. 티탄 구리 또는 코르손 합금으로 이루어지는 기재상에, Ni도금막, Pd-Ni도금막, Au 또는 Au 합금 도금막의 3층을 순서로 가지고, 또한 Au 또는 Au 합금 도금막 표면이, 인히비터로서, 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재가 티탄 구리인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전착 처리된 후, 리플로우 처리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 전자 부품의 제조 방법으로서, 티탄 구리 또는 코르손 합금으로 이루어지는 기재상에, Ni도금막, Pd-Ni도금막, Au 또는 Au 합금 도금막의 3층을 순서로 형성하고, Au 또는 Au 합금 도금막 표면에, 인히비터로서, 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 또는 트리아진티올계 화합물을 함유하는 봉공 처리제를 이용하여 전착 처리하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
KR1020157020118A 2013-07-24 2014-07-23 전자 부품 및 그 제조 방법 KR101688756B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-153341 2013-07-24
JP2013153341 2013-07-24
PCT/JP2014/069435 WO2015012306A1 (ja) 2013-07-24 2014-07-23 電子部品およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150099850A true KR20150099850A (ko) 2015-09-01
KR101688756B1 KR101688756B1 (ko) 2016-12-21

Family

ID=52393339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157020118A KR101688756B1 (ko) 2013-07-24 2014-07-23 전자 부품 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6192181B2 (ko)
KR (1) KR101688756B1 (ko)
WO (1) WO2015012306A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020060677A (ja) * 2018-10-10 2020-04-16 株式会社リコー 加熱装置、定着装置及び画像形成装置
JP7216906B2 (ja) 2018-12-07 2023-02-02 株式会社リコー 温度検知部材、加熱装置、定着装置及び画像形成装置
JP6791276B2 (ja) * 2019-01-29 2020-11-25 ダイキン工業株式会社 冷媒配管の検査方法および冷媒配管
JP7289535B2 (ja) 2020-05-19 2023-06-12 株式会社アパード アキシャルギャップモータ

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04193990A (ja) 1990-11-28 1992-07-14 Nikko Kyodo Co Ltd 封孔処理液及び方法
JPH04193982A (ja) 1990-11-28 1992-07-14 Nikko Kyodo Co Ltd 封孔処理液及び方法
JPH05311490A (ja) 1991-12-25 1993-11-22 Nikko Kinzoku Kk 金めっき材の封孔処理方法
JPH05311491A (ja) 1991-12-25 1993-11-22 Nikko Kinzoku Kk 金めっき材封孔処理法
JPH07258894A (ja) * 1994-03-24 1995-10-09 Nikko Kinzoku Kk 金めっき材の封孔処理方法
JPH08260192A (ja) * 1995-03-24 1996-10-08 Nikko Kinzoku Kk 金めっき材の封孔処理方法
JP2717062B2 (ja) 1994-03-24 1998-02-18 日鉱金属株式会社 金めっき材の封孔処理方法
JPH11260981A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Matsushita Electric Works Ltd リードフレームの製造方法
JP2002231357A (ja) 2001-02-06 2002-08-16 Nagano Fujitsu Component Kk 電気接点およびコネクタ
JP2003129257A (ja) 2001-10-19 2003-05-08 Yuken Industry Co Ltd 金めっき封孔処理剤

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04193994A (ja) * 1990-11-28 1992-07-14 Nikko Kyodo Co Ltd 封孔処理液及び方法
JPH07173678A (ja) * 1993-12-21 1995-07-11 Nikko Kinzoku Kk リフローめっき材の表面処理方法
JP2001181890A (ja) * 1999-12-21 2001-07-03 Nippon Mining & Metals Co Ltd 金または金合金めっき材の封孔処理方法
JP2010044983A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Alps Electric Co Ltd 接触子及びその製造方法、ならびに前記接触子を備える接続装置及びその製造方法
JP5740727B2 (ja) * 2010-05-17 2015-06-24 ユケン工業株式会社 封孔処理剤および封孔処理方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04193990A (ja) 1990-11-28 1992-07-14 Nikko Kyodo Co Ltd 封孔処理液及び方法
JPH04193982A (ja) 1990-11-28 1992-07-14 Nikko Kyodo Co Ltd 封孔処理液及び方法
JPH05311490A (ja) 1991-12-25 1993-11-22 Nikko Kinzoku Kk 金めっき材の封孔処理方法
JPH05311491A (ja) 1991-12-25 1993-11-22 Nikko Kinzoku Kk 金めっき材封孔処理法
JPH07258894A (ja) * 1994-03-24 1995-10-09 Nikko Kinzoku Kk 金めっき材の封孔処理方法
JP2717062B2 (ja) 1994-03-24 1998-02-18 日鉱金属株式会社 金めっき材の封孔処理方法
JPH08260192A (ja) * 1995-03-24 1996-10-08 Nikko Kinzoku Kk 金めっき材の封孔処理方法
JP2804452B2 (ja) 1995-03-24 1998-09-24 日鉱金属株式会社 金めっき材の封孔処理方法
JPH11260981A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Matsushita Electric Works Ltd リードフレームの製造方法
JP2002231357A (ja) 2001-02-06 2002-08-16 Nagano Fujitsu Component Kk 電気接点およびコネクタ
JP2003129257A (ja) 2001-10-19 2003-05-08 Yuken Industry Co Ltd 金めっき封孔処理剤

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015012306A1 (ja) 2015-01-29
KR101688756B1 (ko) 2016-12-21
JP6192181B2 (ja) 2017-09-13
JPWO2015012306A1 (ja) 2017-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100964063B1 (ko) 주석 및 주석 합금의 수계 산화 방지제
JP5667152B2 (ja) 表面処理めっき材およびその製造方法、並びに電子部品
KR101649847B1 (ko) 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품
KR101688756B1 (ko) 전자 부품 및 그 제조 방법
KR20150053262A (ko) 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품
KR101649846B1 (ko) 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품
CN110199054B (zh) 表面处理镀敷材料、连接器端子、连接器、ffc端子、ffc、fpc及电子零件
US20140098504A1 (en) Electroplating method for printed circuit board
EP3112393B1 (en) Surface treatment solutions for gold and gold alloys
EP2411559B1 (en) Organic polymer coatings for protection against creep corrosion
JP2014139345A (ja) 表面処理めっき材およびその製造方法、並びに電子部品
EP2878702B1 (en) Organic disulfide-containing surface treatment solution for gold or gold alloy plating and method thereof
JP5740727B2 (ja) 封孔処理剤および封孔処理方法
CA2769569C (en) Tin-containing alloy plating bath, electroplating method using same, and substrate with the electroplating deposited thereon
JP2015067853A (ja) 電子部品およびその製造方法
JP5117796B2 (ja) 化学研磨剤及びその化学研磨剤を用いてめっき前処理した銅又は銅合金を用いる金属めっき方法
JP6370658B2 (ja) 電子部品のＮｉめっき膜の酸化防止剤、電子部品、および電子部品の製造方法
JP2717062B2 (ja) 金めっき材の封孔処理方法
EP1232295A1 (en) Method and means for corrosion preventive surface treatment of metals
JP6004469B2 (ja) 金属の表面処理剤及び表面処理方法
JP2017179516A (ja) 外観保護剤及び該外観保護剤を用いて処理された金属体
TW202003927A (zh) 表面處理金屬材料、表面處理金屬材料之製造方法、及電子零件
JPH04160187A (ja) 封孔処理液及び方法
JPH04160186A (ja) 封孔処理液及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right