JP2717062B2 - 金めっき材の封孔処理方法 - Google Patents
金めっき材の封孔処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は銅合金、鉄、ステンレス
鋼、高ニッケル合金等の金属材料を基材とし、これにニ
ッケルまたはニッケル含有合金めっきを付したものを下
地として具備する金または金合金めっき材の封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタ接触子に関する。特に金
及び金合金めっき厚が薄くても高耐食性、電気的接触性
能の長期安定性を示し、かつ潤滑性に優れる封孔処理
液、封孔処理方法及び封孔処理された接触子に関するも
のである。
鋼、高ニッケル合金等の金属材料を基材とし、これにニ
ッケルまたはニッケル含有合金めっきを付したものを下
地として具備する金または金合金めっき材の封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタ接触子に関する。特に金
及び金合金めっき厚が薄くても高耐食性、電気的接触性
能の長期安定性を示し、かつ潤滑性に優れる封孔処理
液、封孔処理方法及び封孔処理された接触子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器用接続部品としてコネクタは最
も代表的なものであり、多種多様のコネクタが実用化さ
れている。電算機や通信用機器等高度の信頼性が要求さ
れる、いわゆる産業用電子機器に使用されるコネクタ
は、りん青銅、ベリリウム銅等のバネ用銅合金を母材と
し、金めっきをしたものが一般に使用されている。しか
し、金は高価であるため、コネクタ製造コストを下げる
目的で様々な方法が採られている。その代表的な方法が
金めっきの厚みを薄くする方法であるが、金めっき厚を
薄くするとともに、皮膜のピンホールが指数関数的に増
え、耐食性が著しく低下するという問題を抱えている。
この問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。す
なわち、各種の無機性あるいは有機性の薬品で金めっき
表面を処理し、ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させよう
とするものである。封孔処理には有機系と水系がある。
有機系は一般にはハロゲン系有機溶剤が溶媒に使用され
ることから環境汚染の問題が生じる。水系はクロメート
法が代表的なものであり、効果があるが接触抵抗が上昇
するという場合があり、また環境汚染の問題がある。さ
らに水系ではパラフィン等の従来の有機系封孔処理液に
添加されていた潤滑成分の溶解度が低いため、水系で処
理しためっきは潤滑性が低く、コネクタの挿抜性を損な
うものであった。
も代表的なものであり、多種多様のコネクタが実用化さ
れている。電算機や通信用機器等高度の信頼性が要求さ
れる、いわゆる産業用電子機器に使用されるコネクタ
は、りん青銅、ベリリウム銅等のバネ用銅合金を母材と
し、金めっきをしたものが一般に使用されている。しか
し、金は高価であるため、コネクタ製造コストを下げる
目的で様々な方法が採られている。その代表的な方法が
金めっきの厚みを薄くする方法であるが、金めっき厚を
薄くするとともに、皮膜のピンホールが指数関数的に増
え、耐食性が著しく低下するという問題を抱えている。
この問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。す
なわち、各種の無機性あるいは有機性の薬品で金めっき
表面を処理し、ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させよう
とするものである。封孔処理には有機系と水系がある。
有機系は一般にはハロゲン系有機溶剤が溶媒に使用され
ることから環境汚染の問題が生じる。水系はクロメート
法が代表的なものであり、効果があるが接触抵抗が上昇
するという場合があり、また環境汚染の問題がある。さ
らに水系ではパラフィン等の従来の有機系封孔処理液に
添加されていた潤滑成分の溶解度が低いため、水系で処
理しためっきは潤滑性が低く、コネクタの挿抜性を損な
うものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、環境汚染性に
問題がなく、かつ従来と同等もしくはそれ以上の封孔処
理効果を有する封孔処理液及び封孔処理方法が必要とな
っている。本発明はこのような要求を満たすことのでき
る改善された封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法
を提供することを目的とし、あわせてそれによって処理
されたコネクタを提供することを目的としたものであ
る。
問題がなく、かつ従来と同等もしくはそれ以上の封孔処
理効果を有する封孔処理液及び封孔処理方法が必要とな
っている。本発明はこのような要求を満たすことのでき
る改善された封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法
を提供することを目的とし、あわせてそれによって処理
されたコネクタを提供することを目的としたものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かかる状況に鑑み、本発
明者等は鋭意研究を行った結果、以下に示す封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタ接触子を発明するに至っ
た。すなわち、本発明は（１）基材金属にニッケルまた
はニッケルを含有する合金めっきを施した材料を下地と
して具備する金または金合金めっき材の封孔処理方法に
おいて、インヒビターとして下記式（１）で表わされる
メルカプトベンゾチアゾール誘導体を１種もしくは２種
以上を合計で１０〜１０００ｐｐｍ含有する封孔処理水
溶液中で、該メッキ材を陽極として、極間電圧Ｅが０．
１〜５．０Ｖの範囲で直流電解することを特徴とする金
または金合金めっき材の封孔処理方法、（２）上記
（１）記載の封孔処理水溶液に、さらに潤滑剤として下
記式（２）で表わされる脂肪酸石ケン、下記式（３）で
表わされるベタイン型両性界面活性剤、下記式（４）で
表わされるアミノカルボン酸、下記式（５）で表わされ
るイミダゾリン型化合物、下記式（６−１）〜（６−
３）で表わされるアルキルエーテル燐酸エステル（モノ
エステル、ジエステル、トリエステルのうちの１種又は
２種以上の混合物）、下記式（７−１）〜（７−３）で
表わされるアルキル燐酸エステル（モノエステル、ジエ
ステル、トリエステルのうちの１種又は２種以上の混合
物）、下記式（８）で表わされるフッ化炭素系化合物
（フッ素系界面活性剤）のうち１種類もしくは２種類以
上を合計で５０〜１００００ｐｐｍ含有することを特徴
とする上記（１）記載の封孔処理方法、（３）封孔処理
水溶液がさらにニッケルまたは基材金属とキレート化合
物を形成することができる環状窒素化合物の１種もしく
は２種以上を、メルカプトベンゾチアゾール誘導体と合
わせて１０〜１０００ｐｐｍ含有することを特徴とする
上記（１）または（２）記載の封孔処理方法および、
（４）上記方法で封孔処理されたコネクタ接触子であ
る。また、本発明の封孔処理方法は、これを換言すれ
ば、封孔処理されたコネクタ接触子などの金めっき材の
製造方法でもある。
明者等は鋭意研究を行った結果、以下に示す封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタ接触子を発明するに至っ
た。すなわち、本発明は（１）基材金属にニッケルまた
はニッケルを含有する合金めっきを施した材料を下地と
して具備する金または金合金めっき材の封孔処理方法に
おいて、インヒビターとして下記式（１）で表わされる
メルカプトベンゾチアゾール誘導体を１種もしくは２種
以上を合計で１０〜１０００ｐｐｍ含有する封孔処理水
溶液中で、該メッキ材を陽極として、極間電圧Ｅが０．
１〜５．０Ｖの範囲で直流電解することを特徴とする金
または金合金めっき材の封孔処理方法、（２）上記
（１）記載の封孔処理水溶液に、さらに潤滑剤として下
記式（２）で表わされる脂肪酸石ケン、下記式（３）で
表わされるベタイン型両性界面活性剤、下記式（４）で
表わされるアミノカルボン酸、下記式（５）で表わされ
るイミダゾリン型化合物、下記式（６−１）〜（６−
３）で表わされるアルキルエーテル燐酸エステル（モノ
エステル、ジエステル、トリエステルのうちの１種又は
２種以上の混合物）、下記式（７−１）〜（７−３）で
表わされるアルキル燐酸エステル（モノエステル、ジエ
ステル、トリエステルのうちの１種又は２種以上の混合
物）、下記式（８）で表わされるフッ化炭素系化合物
（フッ素系界面活性剤）のうち１種類もしくは２種類以
上を合計で５０〜１００００ｐｐｍ含有することを特徴
とする上記（１）記載の封孔処理方法、（３）封孔処理
水溶液がさらにニッケルまたは基材金属とキレート化合
物を形成することができる環状窒素化合物の１種もしく
は２種以上を、メルカプトベンゾチアゾール誘導体と合
わせて１０〜１０００ｐｐｍ含有することを特徴とする
上記（１）または（２）記載の封孔処理方法および、
（４）上記方法で封孔処理されたコネクタ接触子であ
る。また、本発明の封孔処理方法は、これを換言すれ
ば、封孔処理されたコネクタ接触子などの金めっき材の
製造方法でもある。
【０００５】本発明は被処理材の電極電位を下地めっき
であるニッケルの酸化領域に保持して直流電解すること
により、金めっきのピンホール内部の下地金属であるニ
ッケルを酸化させ、ニッケルとメルカプトベンゾチアゾ
ール誘導体とを反応させ、錯化合物をピンホールに充填
させることにより封孔処理効果を持たせる方法である。
陽極である被処理材と対極との電解電圧Ｅを０．１Ｖ以
上としたのは、それ未満の電圧では封孔処理効果が著し
く低くなるためである。また、５．０Ｖを越えると封孔
処理皮膜が厚くなり、接触抵抗が高くなるためである。
インヒビターの総量を１０〜１０００ｐｐｍとしたの
は、１０ｐｐｍ未満の濃度では封孔処理機能が低く、ま
た１０００ｐｐｍを越える濃度では接触抵抗が上昇する
ためである。本発明にて使用するインヒビターは、前記
したようにメルカプトベンゾチアゾール誘導体で、
であるニッケルの酸化領域に保持して直流電解すること
により、金めっきのピンホール内部の下地金属であるニ
ッケルを酸化させ、ニッケルとメルカプトベンゾチアゾ
ール誘導体とを反応させ、錯化合物をピンホールに充填
させることにより封孔処理効果を持たせる方法である。
陽極である被処理材と対極との電解電圧Ｅを０．１Ｖ以
上としたのは、それ未満の電圧では封孔処理効果が著し
く低くなるためである。また、５．０Ｖを越えると封孔
処理皮膜が厚くなり、接触抵抗が高くなるためである。
インヒビターの総量を１０〜１０００ｐｐｍとしたの
は、１０ｐｐｍ未満の濃度では封孔処理機能が低く、ま
た１０００ｐｐｍを越える濃度では接触抵抗が上昇する
ためである。本発明にて使用するインヒビターは、前記
したようにメルカプトベンゾチアゾール誘導体で、
【０００６】
【化７】
【０００７】（式中、Ｒ1は水素、アルキル、置換アル
キル、ハロゲンを表し、Ｒ2はアルカリ金属、水素、ア
ルキル、置換アルキル、置換アミンを表す）で表わされ
る。Ｒ1，Ｒ2で示されるアルキルとしては、例えば炭素
数１〜１０、好ましくは１〜３の直鎖状または分枝状ア
ルキルで、アルキルの置換基としては、カルボキシル
基、そのアルカリ金属塩、フッ化炭素などがある。また
置換アミノ基としては（Ｃ4Ｈ9）2Ｎ−などが好まし
い。アルカリ金属としては、ナトリウム、カリウム、リ
チウムが好ましい。式（１）で表わされるメルカプトベ
ンゾチアゾール誘導体としてとくに好ましいものを挙げ
ると、
キル、ハロゲンを表し、Ｒ2はアルカリ金属、水素、ア
ルキル、置換アルキル、置換アミンを表す）で表わされ
る。Ｒ1，Ｒ2で示されるアルキルとしては、例えば炭素
数１〜１０、好ましくは１〜３の直鎖状または分枝状ア
ルキルで、アルキルの置換基としては、カルボキシル
基、そのアルカリ金属塩、フッ化炭素などがある。また
置換アミノ基としては（Ｃ4Ｈ9）2Ｎ−などが好まし
い。アルカリ金属としては、ナトリウム、カリウム、リ
チウムが好ましい。式（１）で表わされるメルカプトベ
ンゾチアゾール誘導体としてとくに好ましいものを挙げ
ると、
【０００８】
【化８】
【０００９】等がある。また本発明はこれら封孔処理液
中に、下記式（２）で表わされる脂肪酸石ケン、下記式
（３）で表わされるベタイン型両性界面活性剤、下記式
（４）で表わされるアミノカルボン酸塩、下記式（５）
で表わされるイミダゾリン型化合物、下記式（６−１）
〜（６−３）で表わされるアルキルエーテル燐酸エステ
ル（モノエステル、ジエステル、トリエステルうちの１
種又は２種以上の混合物）、下記式（７−１）〜（７−
３）で表わされるアルキル燐酸エステル（モノエステ
ル、ジエステル、トリエステルのうちの１種又は２種以
上の混合物）、下記式（８）で表わされるフッ化炭素系
化合物（フッ素系界面活性剤）のうち１種類もしくは２
種類以上を、潤滑成分として添加し、これら潤滑成分で
ある界面活性剤が金めっき表面に吸着し、金めっき材の
潤滑性を向上させる封孔処理方法でもある。 ＲＣＯＯＭ （２） （式中、Ｒはアルキル、アルケン、アルキンを、Ｍはア
ルカリ金属を表わす）
中に、下記式（２）で表わされる脂肪酸石ケン、下記式
（３）で表わされるベタイン型両性界面活性剤、下記式
（４）で表わされるアミノカルボン酸塩、下記式（５）
で表わされるイミダゾリン型化合物、下記式（６−１）
〜（６−３）で表わされるアルキルエーテル燐酸エステ
ル（モノエステル、ジエステル、トリエステルうちの１
種又は２種以上の混合物）、下記式（７−１）〜（７−
３）で表わされるアルキル燐酸エステル（モノエステ
ル、ジエステル、トリエステルのうちの１種又は２種以
上の混合物）、下記式（８）で表わされるフッ化炭素系
化合物（フッ素系界面活性剤）のうち１種類もしくは２
種類以上を、潤滑成分として添加し、これら潤滑成分で
ある界面活性剤が金めっき表面に吸着し、金めっき材の
潤滑性を向上させる封孔処理方法でもある。 ＲＣＯＯＭ （２） （式中、Ｒはアルキル、アルケン、アルキンを、Ｍはア
ルカリ金属を表わす）
【００１０】
【化９】
【００１１】（式中、Ｒ1はアルキル、アルケンを、
Ｒ2，Ｒ3は水素、アルキル、アルケンを、Ｘは−ＣＯＯ
-，−ＳＯ3 -をｎは１〜２を表わす）
Ｒ2，Ｒ3は水素、アルキル、アルケンを、Ｘは−ＣＯＯ
-，−ＳＯ3 -をｎは１〜２を表わす）
【００１２】
【化１０】
【００１３】（式中、Ｒはアルキル、置換アルキル、ア
ルケン、ｎは１〜２を表わす）
ルケン、ｎは１〜２を表わす）
【００１４】
【化１１】
【００１５】（式中、Ｒはアルキル、アルケンを表わ
す）
す）
【００１６】
【化１２】
【００１７】（式中、Ｒはアルキル、置換アルキルを表
わし、Ｍは水素、アルカリ金属をｎは酸化エチレンの平
均付加モル数を表わす）
わし、Ｍは水素、アルカリ金属をｎは酸化エチレンの平
均付加モル数を表わす）
【００１８】
【化１３】
【００１９】（式中、Ｒはアルキル、置換アルキルを表
わし、Ｍは水素、アルカリ金属を表わす） ＲF−Ｘ （８） （式中、ＲFはフッ化炭素、ＸはＩ-、ＣＯＯ-、Ｓ
Ｏ3 -、ＯＨ、Ｃ6Ｈ5を表わす） 前記式（２）で表わされる脂肪酸石けんにおけるＲで示
されるアルキル、アルケン又はアルキンとしては、例え
ば炭素数６〜３０、好ましくは１１〜１７の直鎖状また
は分枝状のアルキルまたはアルケンが用いられる。Ｍと
してはナトリウム、カリウム、リチウムが好ましい。と
くに好ましい脂肪酸石けんの具体例としては、例えばオ
レイン酸カリウムＣ17Ｈ33ＣＯＯＫ、ステアリン酸ナト
リウムＣ17Ｈ35ＣＯＯＮａ、ステアロール酸ナトリウム
Ｃ17Ｈ31ＣＯＯＮａなどがある。前記式（３）で表わさ
れるベタイン型両性界面活性剤におけるＲ1，Ｒ2，Ｒ3
で示されるアルキル又はアルケンとしては、例えば炭素
数１〜３０、好ましくは１〜１７の直鎖状又は分枝状の
アルキル又はアルケンが用いられる。とくに好ましいベ
タイン型両性界面活性剤の具体例としては、例えば式
（３）においてＲ1がＣ12Ｈ25、Ｒ2，Ｒ3がＣＨ3、ｎが
１のもの、Ｒ1がＣ17Ｈ35，Ｒ2，Ｒ3がＣＨ3、ｎが２の
ものなどがある。
わし、Ｍは水素、アルカリ金属を表わす） ＲF−Ｘ （８） （式中、ＲFはフッ化炭素、ＸはＩ-、ＣＯＯ-、Ｓ
Ｏ3 -、ＯＨ、Ｃ6Ｈ5を表わす） 前記式（２）で表わされる脂肪酸石けんにおけるＲで示
されるアルキル、アルケン又はアルキンとしては、例え
ば炭素数６〜３０、好ましくは１１〜１７の直鎖状また
は分枝状のアルキルまたはアルケンが用いられる。Ｍと
してはナトリウム、カリウム、リチウムが好ましい。と
くに好ましい脂肪酸石けんの具体例としては、例えばオ
レイン酸カリウムＣ17Ｈ33ＣＯＯＫ、ステアリン酸ナト
リウムＣ17Ｈ35ＣＯＯＮａ、ステアロール酸ナトリウム
Ｃ17Ｈ31ＣＯＯＮａなどがある。前記式（３）で表わさ
れるベタイン型両性界面活性剤におけるＲ1，Ｒ2，Ｒ3
で示されるアルキル又はアルケンとしては、例えば炭素
数１〜３０、好ましくは１〜１７の直鎖状又は分枝状の
アルキル又はアルケンが用いられる。とくに好ましいベ
タイン型両性界面活性剤の具体例としては、例えば式
（３）においてＲ1がＣ12Ｈ25、Ｒ2，Ｒ3がＣＨ3、ｎが
１のもの、Ｒ1がＣ17Ｈ35，Ｒ2，Ｒ3がＣＨ3、ｎが２の
ものなどがある。
【００２０】前記式（４）で表わされるアミノカルボン
酸におけるＲで示されるアルキル、アルケンとしては、
例えば炭素数６〜３０、好ましくは１１〜１７の直鎖状
又は分枝状のアルキル、アルケンが用いられる。アミノ
カルボン酸塩のとくに好ましい具体例としては、例えば
式（４）においてＲがＣ12Ｈ25でｎが１のもの、ＲがＣ
17Ｈ35でｎが２のものなどがある。前記式（５）で表わ
されるイミダゾリン型化合物におけるＲで示されるアル
カン、アルケンとしては、例えば炭素数６〜３０、好ま
しくは１１〜１７の直鎖状又は分枝状のアルキル又はア
ルケンが用いられる。イミダゾリン型化合物のとくに好
ましい具体例としては、例えば式（５）におけるＲがＣ
10Ｈ21、Ｃ12Ｈ25などのものがある。
酸におけるＲで示されるアルキル、アルケンとしては、
例えば炭素数６〜３０、好ましくは１１〜１７の直鎖状
又は分枝状のアルキル、アルケンが用いられる。アミノ
カルボン酸塩のとくに好ましい具体例としては、例えば
式（４）においてＲがＣ12Ｈ25でｎが１のもの、ＲがＣ
17Ｈ35でｎが２のものなどがある。前記式（５）で表わ
されるイミダゾリン型化合物におけるＲで示されるアル
カン、アルケンとしては、例えば炭素数６〜３０、好ま
しくは１１〜１７の直鎖状又は分枝状のアルキル又はア
ルケンが用いられる。イミダゾリン型化合物のとくに好
ましい具体例としては、例えば式（５）におけるＲがＣ
10Ｈ21、Ｃ12Ｈ25などのものがある。
【００２１】前記式（６−１）〜（６−３）で表わされ
るアルキルエーテル燐酸エステルにおけるＲで示される
アルキルとしては、例えば炭素数６〜３０、好ましくは
８〜１８の直鎖状又は分枝状のアルキルが用いられる。
その置換基としては、例えばアルキルフェニル基が好ま
しい。Ｍがアルカリ金属を示す場合、ナトリウム、カリ
ウム、リチウムが好ましい。アルキルエーテル燐酸エス
テルの特に好ましい具体例としては、例えば式６−２に
おけるＲがＣ8Ｈ17で、ＭがＨ，ｎが１のもの、式６−
１におけるＲがＣ12Ｈ25でＭがＨ、ｎが４のものなどが
ある。前記式（７−１）〜（７−３）で表わされるアル
キル燐酸エステルにおけるＲで示されるアルキルとして
は、例えば炭素数１〜１８、好ましくは４〜１２の直鎖
状又は分枝状のアルキルが用いられる。その置換基とし
ては例えばアルキルフェニル基などが好ましい。またＭ
で示されるアルカリ金属はナトリウム、カリウム、リチ
ウムが好ましい。アルキル燐酸エステルの特に好ましい
具体例としては、例えば式７−２において、ＲがＣ
4Ｈ9、ＭがＨのもの、ＲがＣ10Ｈ21、ＭがＮａのものな
どがある。
るアルキルエーテル燐酸エステルにおけるＲで示される
アルキルとしては、例えば炭素数６〜３０、好ましくは
８〜１８の直鎖状又は分枝状のアルキルが用いられる。
その置換基としては、例えばアルキルフェニル基が好ま
しい。Ｍがアルカリ金属を示す場合、ナトリウム、カリ
ウム、リチウムが好ましい。アルキルエーテル燐酸エス
テルの特に好ましい具体例としては、例えば式６−２に
おけるＲがＣ8Ｈ17で、ＭがＨ，ｎが１のもの、式６−
１におけるＲがＣ12Ｈ25でＭがＨ、ｎが４のものなどが
ある。前記式（７−１）〜（７−３）で表わされるアル
キル燐酸エステルにおけるＲで示されるアルキルとして
は、例えば炭素数１〜１８、好ましくは４〜１２の直鎖
状又は分枝状のアルキルが用いられる。その置換基とし
ては例えばアルキルフェニル基などが好ましい。またＭ
で示されるアルカリ金属はナトリウム、カリウム、リチ
ウムが好ましい。アルキル燐酸エステルの特に好ましい
具体例としては、例えば式７−２において、ＲがＣ
4Ｈ9、ＭがＨのもの、ＲがＣ10Ｈ21、ＭがＮａのものな
どがある。
【００２２】さらに前記式（８）で表わされるフッ化炭
素系化合物におけるＲFで示されるフッ化炭素として
は、例えば炭素数２〜３０、好ましくは８〜１８の直鎖
状、または分枝状のパーフルオロアルキルが用いられ
る。フッ化炭素系化合物の特に好ましい具体例として
は、例えばＲFがＣ7Ｆ15、ＸがＣＯＯＨのもの、ＲFが
Ｃ12Ｆ25、ＸがＳＯ3Ｈのものなどがある。これら潤滑
成分としての界面活性剤の添加量は、５０〜１００００
ｐｐｍが好ましい。５０ｐｐｍ未満の濃度では潤滑性の
向上がみられず、また１００００ｐｐｍを越える濃度で
は接触抵抗が増加するためである。また、界面活性剤の
添加はインヒビターの溶解促進剤としても有効である。
素系化合物におけるＲFで示されるフッ化炭素として
は、例えば炭素数２〜３０、好ましくは８〜１８の直鎖
状、または分枝状のパーフルオロアルキルが用いられ
る。フッ化炭素系化合物の特に好ましい具体例として
は、例えばＲFがＣ7Ｆ15、ＸがＣＯＯＨのもの、ＲFが
Ｃ12Ｆ25、ＸがＳＯ3Ｈのものなどがある。これら潤滑
成分としての界面活性剤の添加量は、５０〜１００００
ｐｐｍが好ましい。５０ｐｐｍ未満の濃度では潤滑性の
向上がみられず、また１００００ｐｐｍを越える濃度で
は接触抵抗が増加するためである。また、界面活性剤の
添加はインヒビターの溶解促進剤としても有効である。
【００２３】さらに本発明は上記封孔処理液に、銅など
の基材金属又はニッケルとキレート化合物を形成するこ
とができる環状窒素化合物の１種もしくは２種以上をイ
ンヒビターとして添加し、封孔処理効果（防錆効果）を
さらに高める方法でもある。このような環状窒素化合物
としては、例えば下記式（９）で表わされるベンゾトリ
アゾール系化合物、下記式（１０）で表わされるインダ
ゾール系化合物、下記式（１１）で表わされるベンズイ
ミダゾール系化合物、下記式（１２）で表わされるイン
ドール系化合物、下記式（１３）で表わされる１，３，
５−トリアジンチオール系化合物等が有効である。
の基材金属又はニッケルとキレート化合物を形成するこ
とができる環状窒素化合物の１種もしくは２種以上をイ
ンヒビターとして添加し、封孔処理効果（防錆効果）を
さらに高める方法でもある。このような環状窒素化合物
としては、例えば下記式（９）で表わされるベンゾトリ
アゾール系化合物、下記式（１０）で表わされるインダ
ゾール系化合物、下記式（１１）で表わされるベンズイ
ミダゾール系化合物、下記式（１２）で表わされるイン
ドール系化合物、下記式（１３）で表わされる１，３，
５−トリアジンチオール系化合物等が有効である。
【００２４】
【化１４】
【００２５】（式中、Ｒ1は水素、アルキル、置換アル
キルを表わし、Ｒ2はアルカリ金属、水素、アルキル、
置換アルキルを表わす）
キルを表わし、Ｒ2はアルカリ金属、水素、アルキル、
置換アルキルを表わす）
【００２６】
【化１５】
【００２７】（式中、Ｒ1は水素、アルキル、置換アル
キルを表わし、Ｒ2はアルカリ金属、水素、アシル、ア
ルキル、置換アルキルを表わす）
キルを表わし、Ｒ2はアルカリ金属、水素、アシル、ア
ルキル、置換アルキルを表わす）
【００２８】
【化１６】
【００２９】（式中、Ｒ1は水素、アルキル、置換アル
キルを表わし、Ｒ2はアルカリ金属、水素、アシル、ア
ルキル、置換アルキルを表わす）
キルを表わし、Ｒ2はアルカリ金属、水素、アシル、ア
ルキル、置換アルキルを表わす）
【００３０】
【化１７】
【００３１】（式中、Ｒ1は水素、アルキル、置換アル
キルを表わし、Ｒ2はカルボキシル基、アルカリ金属、
水素、アルキル、置換アルキルを表わす）
キルを表わし、Ｒ2はカルボキシル基、アルカリ金属、
水素、アルキル、置換アルキルを表わす）
【００３２】
【化１８】
【００３３】（式中、Ｒ1は−ＳＨ、またはアルキル基
又はアリール基で置換されたアミノ基を表わし、Ｍ1，
Ｍ2は水素、アルカリ金属を表わす。） 前記式（９）で表わされるベンゾトリアゾール系化合物
におけるＲ1またはＲ2で示されるアルキルとしては例え
ば炭素数１〜１０、好ましくは１〜３の直鎖状または分
枝状のアルキルが用いられる。その置換基としては例え
ばカルボキシル基、そのアルカリ金属塩が好ましい。Ｒ
2がアルカリ金属を示す場合は、ナトリウム、カリウ
ム、リチウムが好ましい。特に好ましい具体例を挙げる
と例えば
又はアリール基で置換されたアミノ基を表わし、Ｍ1，
Ｍ2は水素、アルカリ金属を表わす。） 前記式（９）で表わされるベンゾトリアゾール系化合物
におけるＲ1またはＲ2で示されるアルキルとしては例え
ば炭素数１〜１０、好ましくは１〜３の直鎖状または分
枝状のアルキルが用いられる。その置換基としては例え
ばカルボキシル基、そのアルカリ金属塩が好ましい。Ｒ
2がアルカリ金属を示す場合は、ナトリウム、カリウ
ム、リチウムが好ましい。特に好ましい具体例を挙げる
と例えば
【００３４】
【化１９】
【００３５】などがある。前記式（１０）で表わされる
インダゾール系化合物におけるＲ1またはＲ2で示される
アルキルとしては、例えば炭素数１〜１０、好ましくは
１〜３の直鎖状または分枝状のアルキルが用いられる。
その置換基としては、例えばフェニル、カルボキシル基
などが好ましい。Ｒ2がアシル基を示す場合、好ましく
はアセチル基、ベンゾイル基である。またＲ2がアルカ
リ金属を示す場合はナトリウム、カリウム、リチウムが
好ましい。インダゾール系化合物の特に好ましい具体例
を挙げれば、例えば
インダゾール系化合物におけるＲ1またはＲ2で示される
アルキルとしては、例えば炭素数１〜１０、好ましくは
１〜３の直鎖状または分枝状のアルキルが用いられる。
その置換基としては、例えばフェニル、カルボキシル基
などが好ましい。Ｒ2がアシル基を示す場合、好ましく
はアセチル基、ベンゾイル基である。またＲ2がアルカ
リ金属を示す場合はナトリウム、カリウム、リチウムが
好ましい。インダゾール系化合物の特に好ましい具体例
を挙げれば、例えば
【００３６】
【化２０】
【００３７】などがある。
【００３８】前記式（１１）で表わされるベンズイミダ
ゾール系化合物におけるＲ1，Ｒ2で示されるアルキルと
しては、例えば炭素数１〜１０、好ましくは１〜３の直
鎖状または分枝状のアルキルが用いられる。その置換基
としては、カルボキシル基、そのアルカリ金属塩などが
好ましい。Ｒ2がアシル基を示す場合、好ましくはアセ
チル基、ベンゾイル基などである。Ｒ2がアルカリ金属
を示す場合はナトリウム、カリウム、リチウムが好まし
い。ベンズイミダゾール系化合物の特に好ましい具体例
を挙げれば、例えば
ゾール系化合物におけるＲ1，Ｒ2で示されるアルキルと
しては、例えば炭素数１〜１０、好ましくは１〜３の直
鎖状または分枝状のアルキルが用いられる。その置換基
としては、カルボキシル基、そのアルカリ金属塩などが
好ましい。Ｒ2がアシル基を示す場合、好ましくはアセ
チル基、ベンゾイル基などである。Ｒ2がアルカリ金属
を示す場合はナトリウム、カリウム、リチウムが好まし
い。ベンズイミダゾール系化合物の特に好ましい具体例
を挙げれば、例えば
【００３９】
【化２１】
【００４０】などがある。
【００４１】前記式（１２）で表わされるインドール系
化合物におけるＲ1，Ｒ2で示されるアルキルとしては、
例えば炭素数１〜１０、好ましくは１〜３の直鎖状また
は分枝状のアルキルが用いられる。その置換基として
は、カルボキシル基、そのアルカリ金属塩などが好まし
い。Ｒ2がアルカリ金属を示す場合は、好ましくはナト
リウム、カリウム、リチウムである。インドール系化合
物の特に好ましい具体例を挙げれば、
化合物におけるＲ1，Ｒ2で示されるアルキルとしては、
例えば炭素数１〜１０、好ましくは１〜３の直鎖状また
は分枝状のアルキルが用いられる。その置換基として
は、カルボキシル基、そのアルカリ金属塩などが好まし
い。Ｒ2がアルカリ金属を示す場合は、好ましくはナト
リウム、カリウム、リチウムである。インドール系化合
物の特に好ましい具体例を挙げれば、
【００４２】
【化２２】
【００４３】などがある。
【００４４】前記式（１３）で表わされる１，３，５−
トリアジンチオール系化合物におけるＲ1で示される置
換アミノ基のアルキル置換基は、例えば炭素数１〜３
０、好ましくは４〜１８の直鎖状または分枝状のアルキ
ルが用いられる。またアリール置換基としては、例えば
フェニル、トリルなどが好ましい。Ｍ1，Ｍ2がアルカリ
金属を示す場合、好ましいのはナトリウム、カリウム、
リチウムである。１，３，５−トリアジンチオール系化
合物の特に好ましい具体例を挙げると、
トリアジンチオール系化合物におけるＲ1で示される置
換アミノ基のアルキル置換基は、例えば炭素数１〜３
０、好ましくは４〜１８の直鎖状または分枝状のアルキ
ルが用いられる。またアリール置換基としては、例えば
フェニル、トリルなどが好ましい。Ｍ1，Ｍ2がアルカリ
金属を示す場合、好ましいのはナトリウム、カリウム、
リチウムである。１，３，５−トリアジンチオール系化
合物の特に好ましい具体例を挙げると、
【００４５】
【化２３】
【００４６】などがある。
【００４７】これらインヒビターの添加量は、メルカプ
トベンゾチアゾール誘導体と合わせて１０〜１０００ｐ
ｐｍが好ましい。１０ｐｐｍ未満の濃度ではその添加効
果が低く、１０００ｐｐｍをこえる濃度では接触抵抗が
上昇するためである。封孔処理は線材、板材、条材など
素材の段階でめっき後行う場合は、めっき品をプレス加
工後に本発明の封孔処理液及び封孔処理方法で封孔処理
することも有効である。めっき後封孔処理した金属材料
であっても、その後のプレス加工で付着したプレス油等
を洗浄する工程において、封孔処理の効果が低下するこ
とがある。そこで再度の封孔処理が有効となる。プレス
加工後にめっきと封孔処理を施すこともできる。
トベンゾチアゾール誘導体と合わせて１０〜１０００ｐ
ｐｍが好ましい。１０ｐｐｍ未満の濃度ではその添加効
果が低く、１０００ｐｐｍをこえる濃度では接触抵抗が
上昇するためである。封孔処理は線材、板材、条材など
素材の段階でめっき後行う場合は、めっき品をプレス加
工後に本発明の封孔処理液及び封孔処理方法で封孔処理
することも有効である。めっき後封孔処理した金属材料
であっても、その後のプレス加工で付着したプレス油等
を洗浄する工程において、封孔処理の効果が低下するこ
とがある。そこで再度の封孔処理が有効となる。プレス
加工後にめっきと封孔処理を施すこともできる。
【００４８】その後のコネクタの加工工程においても、
最終の電子機器組立まで、めっき品の洗浄工程があれば
同様に封孔処理効果は低下するため、適宜本発明により
封孔処理することが有効である。従って、本発明は本発
明封孔処理方法によって処理されたコネクタも包含する
ものである。なお、本発明におけるめっき母材となる金
属材料は、銅、黄銅、りん青銅、チタン銅、ベリリウム
銅等の各種銅合金、鉄、ステンレス鋼、高ニッケル合金
等のコネクタの要求特性に従い適宜選択でき、何等制限
されない。めっき材のめっき方法については、電気メッ
キ、無電解めっき、あるいはＣＶＤ、ＰＶＤ等の乾式め
っき等の公知のものを適用でき、制限されない。さらに
めっき条件は公知の方法が適用できる。金合金めっきと
しては金をベースとする合金めっきであって、用途によ
り適宜選ばれる。コネクタ用途では耐摩耗性を向上する
ために、コバルトを微量含む硬質めっきが広く使用され
ている。下地めっきはニッケル、ニッケルにパラジウム
を８０〜９０％合金化したもの、あるいはニッケルにコ
バルトを６０〜８０％合金化したもの等が一般的である
が、ニッケルを含有する合金であれば本発明は有効であ
る。
最終の電子機器組立まで、めっき品の洗浄工程があれば
同様に封孔処理効果は低下するため、適宜本発明により
封孔処理することが有効である。従って、本発明は本発
明封孔処理方法によって処理されたコネクタも包含する
ものである。なお、本発明におけるめっき母材となる金
属材料は、銅、黄銅、りん青銅、チタン銅、ベリリウム
銅等の各種銅合金、鉄、ステンレス鋼、高ニッケル合金
等のコネクタの要求特性に従い適宜選択でき、何等制限
されない。めっき材のめっき方法については、電気メッ
キ、無電解めっき、あるいはＣＶＤ、ＰＶＤ等の乾式め
っき等の公知のものを適用でき、制限されない。さらに
めっき条件は公知の方法が適用できる。金合金めっきと
しては金をベースとする合金めっきであって、用途によ
り適宜選ばれる。コネクタ用途では耐摩耗性を向上する
ために、コバルトを微量含む硬質めっきが広く使用され
ている。下地めっきはニッケル、ニッケルにパラジウム
を８０〜９０％合金化したもの、あるいはニッケルにコ
バルトを６０〜８０％合金化したもの等が一般的である
が、ニッケルを含有する合金であれば本発明は有効であ
る。
【００４９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
る。バネ用りん青銅（Ｃ５２１０−Ｈ）の厚み０．２ｍ
ｍの冷間圧延材を用い、雄及び雌の連続端子をそれぞれ
プレス成形した。これらをリール・ツウ・リールの連続
電気めっきラインを通して電気めっきを施した。めっき
ラインにおいては脱脂、酸洗後、ワット浴による１μｍ
のニッケルめっき、あるいはアンモニア系のめっき液に
よる０．５μｍのＰｄ８０％−Ｎｉ２０％合金めっきを
行い、その上に金あるいは金−コバルト合金を０．１μ
ｍの厚みで接点部に部分めっきした。また、連続めっき
ラインでは、金めっき後に封孔処理工程を設け、連続端
子を通入することにより封孔処理を施した。こうして表
面処理をした雄と雌の端子をキャリアー部から切断しリ
ード線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試験に供し
た。
る。バネ用りん青銅（Ｃ５２１０−Ｈ）の厚み０．２ｍ
ｍの冷間圧延材を用い、雄及び雌の連続端子をそれぞれ
プレス成形した。これらをリール・ツウ・リールの連続
電気めっきラインを通して電気めっきを施した。めっき
ラインにおいては脱脂、酸洗後、ワット浴による１μｍ
のニッケルめっき、あるいはアンモニア系のめっき液に
よる０．５μｍのＰｄ８０％−Ｎｉ２０％合金めっきを
行い、その上に金あるいは金−コバルト合金を０．１μ
ｍの厚みで接点部に部分めっきした。また、連続めっき
ラインでは、金めっき後に封孔処理工程を設け、連続端
子を通入することにより封孔処理を施した。こうして表
面処理をした雄と雌の端子をキャリアー部から切断しリ
ード線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試験に供し
た。
【００５０】接触抵抗は直流１０ｍＡ、開放電圧２００
ｍＶで測定した。潤滑性は処理後のコネクタ端子の挿抜
力の測定で評価した。腐食条件は次の条件で行った。 ガス組成：Ｈ2Ｓ ３ｐｐｍ ＳＯ2 １０ｐｐｍ 温度：４０±２℃ 湿度：８０±５％ＲＨ 時間：２４０時間 結果を表１〜２に示す。
ｍＶで測定した。潤滑性は処理後のコネクタ端子の挿抜
力の測定で評価した。腐食条件は次の条件で行った。 ガス組成：Ｈ2Ｓ ３ｐｐｍ ＳＯ2 １０ｐｐｍ 温度：４０±２℃ 湿度：８０±５％ＲＨ 時間：２４０時間 結果を表１〜２に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【表２】
【００５３】
【表３】
【００５４】注１）ただし、表中封孔処理液の略号は以
下のとおりである。 Ａ−１〜３：前記式（１）で表わされるメルカプトベン
ゾチアゾール誘導体 Ａ−１：Ｒ1＝Ｈ，Ｒ2＝Ｎａ Ａ−２：Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ Ａ−３：Ｒ1＝ＣＨ3，Ｒ2＝Ｈ Ｂ−１〜７：潤滑成分としての界面活性剤 Ｂ−１：前記式（２）で表わされる脂肪酸石ケン（オレ
イン酸カリウム，Ｒ＝Ｃ17Ｈ33，Ｍ＝Ｋ） Ｂ−２：前記式（３）で表わされるベタイン型両性界面
活性剤（Ｒ1＝Ｃ12Ｈ25，Ｒ2＝Ｒ3＝ＣＨ3，ｎ＝１） Ｂ−３：前記式（４）で表わされるアミノカルボン酸塩
（Ｒ＝Ｃ12Ｈ25，ｎ＝１） Ｂ−４：前記式（５）で表わされるイミダゾリン型化合
物（Ｒ＝Ｃ10Ｈ21） Ｂ−５：前記式（６−２）で表わされるアルキルエーテ
ルリン酸エステル（Ｒ＝Ｃ8Ｈ17，Ｍ＝Ｈ，ｎ＝１） Ｂ−６：前記式（７−２）で表わされるアルキルりん酸
エステル（Ｒ＝Ｃ4Ｈ9，Ｍ＝Ｈ） Ｂ−７：前記式（８）で表わされるフッ化炭素系化合物
（ＲF＝Ｃ7Ｆ15，Ｘ＝ＣＯＯＨ） Ｃ−１〜５：メルカプトベンゾチアゾール誘導体以外の
インヒビター Ｃ−１：前記式（９）で表わされるベンゾトリアゾール
系化合物（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ） Ｃ−２：前記式（１０）で表わされるインダゾール系化
合物（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ） Ｃ−３：前記式（１１）で表わされるベンズイミダゾー
ル系化合物（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ） Ｃ−４：前記式（１２）で表わされるインドール系化合
物（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ） Ｃ−５：前記式（１３）で表わされる１，３，５−トリ
アジンチオール系化合物〔Ｒ1＝Ｎ（Ｃ4Ｈ9），Ｍ1＝
Ｈ，Ｍ2＝Ｎａ〕 注２）試験の判定基準は次のとおりである。
下のとおりである。 Ａ−１〜３：前記式（１）で表わされるメルカプトベン
ゾチアゾール誘導体 Ａ−１：Ｒ1＝Ｈ，Ｒ2＝Ｎａ Ａ−２：Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ Ａ−３：Ｒ1＝ＣＨ3，Ｒ2＝Ｈ Ｂ−１〜７：潤滑成分としての界面活性剤 Ｂ−１：前記式（２）で表わされる脂肪酸石ケン（オレ
イン酸カリウム，Ｒ＝Ｃ17Ｈ33，Ｍ＝Ｋ） Ｂ−２：前記式（３）で表わされるベタイン型両性界面
活性剤（Ｒ1＝Ｃ12Ｈ25，Ｒ2＝Ｒ3＝ＣＨ3，ｎ＝１） Ｂ−３：前記式（４）で表わされるアミノカルボン酸塩
（Ｒ＝Ｃ12Ｈ25，ｎ＝１） Ｂ−４：前記式（５）で表わされるイミダゾリン型化合
物（Ｒ＝Ｃ10Ｈ21） Ｂ−５：前記式（６−２）で表わされるアルキルエーテ
ルリン酸エステル（Ｒ＝Ｃ8Ｈ17，Ｍ＝Ｈ，ｎ＝１） Ｂ−６：前記式（７−２）で表わされるアルキルりん酸
エステル（Ｒ＝Ｃ4Ｈ9，Ｍ＝Ｈ） Ｂ−７：前記式（８）で表わされるフッ化炭素系化合物
（ＲF＝Ｃ7Ｆ15，Ｘ＝ＣＯＯＨ） Ｃ−１〜５：メルカプトベンゾチアゾール誘導体以外の
インヒビター Ｃ−１：前記式（９）で表わされるベンゾトリアゾール
系化合物（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ） Ｃ−２：前記式（１０）で表わされるインダゾール系化
合物（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ） Ｃ−３：前記式（１１）で表わされるベンズイミダゾー
ル系化合物（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ） Ｃ−４：前記式（１２）で表わされるインドール系化合
物（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｈ） Ｃ−５：前記式（１３）で表わされる１，３，５−トリ
アジンチオール系化合物〔Ｒ1＝Ｎ（Ｃ4Ｈ9），Ｍ1＝
Ｈ，Ｍ2＝Ｎａ〕 注２）試験の判定基準は次のとおりである。
【００５５】初期接触抵抗、腐食試験後の接触抵抗
（ｎ＝５の平均値） ○：１０ｍΩ以下 △：１０〜２０ｍΩ ×：２０ｍΩ以上 腐食試験後の外観 ○：腐食生成物なし △：腐食生成物点在 ×：腐食点が全面に認められる 潤滑性（挿抜力） ○：コンタクト１ピンあたりの挿入力２９０ｇ以下 抜
去力２２０ｇ以下 △：コンタクト１ピンあたりの挿入力２９０〜３００ｇ
抜去力２２０〜２３０ｇ ×：コンタクト１ピンあたりの挿入力３００ｇ以上 抜
去力２３０ｇ以上
（ｎ＝５の平均値） ○：１０ｍΩ以下 △：１０〜２０ｍΩ ×：２０ｍΩ以上 腐食試験後の外観 ○：腐食生成物なし △：腐食生成物点在 ×：腐食点が全面に認められる 潤滑性（挿抜力） ○：コンタクト１ピンあたりの挿入力２９０ｇ以下 抜
去力２２０ｇ以下 △：コンタクト１ピンあたりの挿入力２９０〜３００ｇ
抜去力２２０〜２３０ｇ ×：コンタクト１ピンあたりの挿入力３００ｇ以上 抜
去力２３０ｇ以上
【００５６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により封孔処
理された金めっき材は、封孔処理直後の接触抵抗が低
く、過酷な腐食環境においても接触性能の長期安定性
（高耐食性、低接触抵抗値）を示すという利点を有す
る。また、脂肪酸石ケン等の界面活性剤を添加した処理
液で封孔処理された金めっき材は、これらの利点に加え
て、さらに潤滑性が高いという特徴を有する。
理された金めっき材は、封孔処理直後の接触抵抗が低
く、過酷な腐食環境においても接触性能の長期安定性
（高耐食性、低接触抵抗値）を示すという利点を有す
る。また、脂肪酸石ケン等の界面活性剤を添加した処理
液で封孔処理された金めっき材は、これらの利点に加え
て、さらに潤滑性が高いという特徴を有する。
Claims (4)
- 【請求項１】 基材金属にニッケルまたはニッケルを含
有する合金めっき等を下地として具備する金または金合
金めっき材の封孔処理方法において、インヒビターとし
て下記式（１）で表わされるメルカプトベンゾチアゾー
ル誘導体の１種もしくは２種以上を合計で１０〜１００
０ｐｐｍ含有する封孔処理水溶液中で該めっき材を陽極
として、極間電圧Ｅが０．１〜５．０Ｖの範囲で直流電
解することを特徴とする金または金合金めっき材の封孔
処理方法。 【化１】 （式中、Ｒ1は水素、アルキル、置換アルキル、ハロゲ
ンを表し、Ｒ2はアルカリ金属、水素、アルキル、置換
アルキル、置換アミノ基を表す） - 【請求項２】 封孔処理水溶液が、さらに潤滑剤として
下記式（２）で表わされる脂肪酸石ケン、下記式（３）
で表わされるベタイン型両性界面活性剤、下記式（４）
で表わされるアミノカルボン酸、下記式（５）で表わさ
れるイミダゾリン型化合物、下記式（６−１）〜（６−
３）で表わされるアルキルエーテルりん酸エステル（モ
ノエステル、ジエステル、トリエステルのうちの１種又
は２種以上の混合物）、下記式（７−１）〜（７−３）
で表わされるアルキルりん酸エステル（モノエステル、
ジエステル、トリエステルのうちの１種又は２種以上の
混合物）、下記式（８）で表わされるフッ化炭素系化合
物（フッ素系界面活性剤）のうち１種類もしくは２種類
以上を合計で５０〜１００００ｐｐｍ含有することを特
徴とする請求項１記載の封孔処理方法。 ＲＣＯＯＭ （２） （式中、Ｒはアルキル、アルケン、アルキンをＭはアル
カリ金属を表わす） 【化２】 （式中、Ｒ1はアルキル、アルケンを、Ｒ2，Ｒ3は水
素、アルキル、アルケンを、Ｘは−ＣＯＯ-、−ＳＯ3 -
を、ｎは１〜２を表す） 【化３】 （式中、Ｒはアルキル、アルケン、ｎは１〜２を表わ
す） 【化４】 （式中、Ｒはアルキル、アルケンを表わす） 【化５】 （式中、Ｒはアルキル、置換アルキルを表わし、Ｍは水
素、アルカリ金属をｎは酸化エチレンの平均付加モル数
を表わす） 【化６】 （式中、Ｒはアルキル、置換アルキルを表わし、Ｍは水
素、アルカリ金属を表わす） ＲF−Ｘ （８） （式中、ＲFはフッ化炭素、ＸはＩ-、ＣＯＯ-、Ｓ
Ｏ3 -、ＯＨ、Ｃ6Ｈ5等を表わす） - 【請求項３】 封孔処理水溶液がさらにニッケルまたは
基材金属とのキレート形成性環状窒素化合物の１種もし
くは２種以上を、メルカプトベンゾチアゾール誘導体と
合わせて１０〜１０００ｐｐｍ含有することを特徴とす
る請求項１または２記載の封孔処理方法。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の方法で封孔
処理されたコネクタ接触子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5383394A JP2717062B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 金めっき材の封孔処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5383394A JP2717062B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 金めっき材の封孔処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07258887A JPH07258887A (ja) | 1995-10-09 |
| JP2717062B2 true JP2717062B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=12953800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5383394A Expired - Fee Related JP2717062B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 金めっき材の封孔処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2717062B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218031B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-04-17 | Japan Aviation Electronics Industry, Ltd. | Method of forming an anticorrosive film for contacts for electronic parts |
| KR20150099850A (ko) | 2013-07-24 | 2015-09-01 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5740727B2 (ja) * | 2010-05-17 | 2015-06-24 | ユケン工業株式会社 | 封孔処理剤および封孔処理方法 |
| JP6327784B2 (ja) * | 2012-10-19 | 2018-05-23 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| EP4006201A4 (en) * | 2019-07-31 | 2023-11-29 | Resonac Corporation | LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP5383394A patent/JP2717062B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218031B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-04-17 | Japan Aviation Electronics Industry, Ltd. | Method of forming an anticorrosive film for contacts for electronic parts |
| KR20150099850A (ko) | 2013-07-24 | 2015-09-01 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07258887A (ja) | 1995-10-09 |
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