JPWO2005073182A1 - 含フッ素不飽和スルホニルフロライドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1. 化学式:RfSO2Cl(式中、Rfは、少なくとも一個の不飽和結合を有する含フッ素炭化水素基であり、該含フッ素炭化水素基には、酸素、窒素及びイオウから選ばれた少なくとも一個の元素が含まれていてもよい)で表される含フッ素不飽和スルホニルクロライドを、下記(i)〜(iii)項に示す化合物から選ばれた少なくとも一種のフッ素化剤と反応させることを特徴とする化学式:RfSO2F(式中、Rfは、上記に同じ)で表される含フッ素不飽和スルホニルフロライドの製造方法:
(i)化学式:
(ii)化学式:
(iii)化学式:
2. 化学式:RfSO2Clにおいて、Rfが、
式:CF2=CF−(CF2)p−X−Rg−
(式中、Xは、O、S又はNHであり、Rgは、置換基としてフッ素原子を有することのある二価の炭化水素基であり、pは、0〜4の整数である)で表される基である上記項1に記載の方法。
3. 化学式:RfSO2Clにおいて、Rfが、
式:CF2=CF−O−[CF2CF(CF3)O]qCF2CF2−
(式中、qは0〜3の整数である。)で表される基である上記項2に記載の方法。
4. フッ素化剤が、化学式:
5. 上記項1〜4のいずれかの方法によって含フッ素不飽和スルホニルフロライドを製造した後、反応粗生成物から該含フッ素不飽和スルホニルフロライドを分離し、次いで、残留するフッ素化剤の塩酸塩を無水HFと反応させてフッ酸塩に変換することを特徴とするフッ素化剤の再生方法。
CF2=CF−(CF2)p−X−Rg−
で表される基を例示できる。上記式において、Xは、O、S又はNHであり、Rgは、置換基としてフッ素原子を有することのある二価の炭化水素基であり、pは0〜4の整数である。
CF2=CF−O−[CF2CF(CF3)O]qCF2CF2−
で表される基を挙げることができる。上記式において、qは0〜3の整数である。
(i)化学式:
(ii)化学式:
(iii)化学式:
ジムロート及び滴下ロートを取り付けた100ml三つ口フラスコを用意し、このフラスコにトリエチルアミン3フッ酸塩(Et3N:(HF)3)を33.5g(208.1mmol)仕込み、滴下ロートにCF2=CFOCF2CF2SO2Clを20.0g(67.5mmol)仕込んだ(仕込みモル比3:1)。
上記方法で得られたEt3N:(HF)n(n=4〜6)(液相)/Et3N:HCl(固相)の二相からなる混合物34.6gを100mlのSUS製オートクレーブ(コンデンサ付き(−10℃に冷却))に仕込み、反応系内を真空置換した。その後、HFをガスとして10.8g(Et3N:HClに対して8倍当量)仕込んで反応させた。
トリエチルアミン3フッ酸塩(Et3N:(HF)3)5.4g(33.7mmol)とCF2=CFOCF2CF2SO2Cl 10.1g(33.7mmol)を原料として用い、実施例1と同様の条件で、CF2=CFOCF2CF2SO2Fの合成と単離を行った。この場合、仕込みモル比は1:1である。
100mlのPFA(テトラフルオロエチレンとパーフルオロプロピルビニルエーテルとの共重合体)製ボトルに、ピリジン3フッ酸(C6H5N:(HF)3)を5.3g(37.8mmol)仕込み、そこに純度82.5mass%のCF2=CFOCF2CF2SO2Clを4.7g(13.1mmol)を仕込んだ(仕込みモル比2.9:1)。この溶液を室温下(22℃)で17時間撹拌して反応を進行させた。
Claims (5)
- 化学式:RfSO2Cl(式中、Rfは、少なくとも一個の不飽和結合を有する含フッ素炭化水素基であり、該含フッ素炭化水素基には、酸素、窒素及びイオウから選ばれた少なくとも一個の元素が含まれていてもよい)で表される含フッ素不飽和スルホニルクロライドを、下記(i)〜(iii)項に示す化合物から選ばれた少なくとも一種のフッ素化剤と反応させることを特徴とする化学式:RfSO2F(式中、Rfは、上記に同じ)で表される含フッ素不飽和スルホニルフロライドの製造方法:
(i)化学式:
(ii)化学式:
(iii)化学式:
- 化学式:RfSO2Clにおいて、Rfが、
式:CF2=CF−(CF2)p−X−Rg−
(式中、Xは、O、S又はNHであり、Rgは、置換基としてフッ素原子を有することのある二価の炭化水素基であり、pは、0〜4の整数である)で表される基である請求項1に記載の方法。 - 化学式:RfSO2Clにおいて、Rfが、
式:CF2=CF−O−[CF2CF(CF3)O]qCF2CF2−
(式中、qは0〜3の整数である。)で表される基である請求項2に記載の方法。 - 請求項1〜4のいずれかの方法によって含フッ素不飽和スルホニルフロライドを製造した後、反応粗生成物から該含フッ素不飽和スルホニルフロライドを分離し、次いで、残留するフッ素化剤の塩酸塩を無水HFと反応させてフッ酸塩に変換することを特徴とするフッ素化剤の再生方法。
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