JPWO2004105128A1 - 半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
特開2000−232197は高速信号電極の回りをグランド電極で取り囲んだ構成を有する半導体パッケージを開示している。高速信号電極の回りをグランド電極で取り囲むことによって、高速信号接続部のインダクタンスを低減し、高速信号の劣化の少ないパッケージを実現している。この公開公報に記載された半導体パッケージでは、高速信号接続部のインダクタンスの低減はできるものの完全に0にすることはできず、20GHz以上の信号伝送時には信号劣化を引き起こすという問題がある。また、ソルダーボールから構成されたボール・グリッド・アレイ(BGA)のボール径を小さくすることによっても接続部のインダクタンスは低減可能であるが、この場合には半導体パッケージをプリント配線板に実装するときの機械的な信頼性低下が問題となる。
本発明の一側面によると、実装部分及び延長部分を有するフレキシブルテープと、該フレキシブルテープの前記実装部分に設けられた複数のアレイ状接続電極と、前記フレキシブルテープの前記実装部分に搭載された半導体チップと、前記フレキシブルテープの前記延長部分の先端に形成された高速信号用電極と、前記半導体チップと前記高速信号用電極を接続する前記フレキシブルテープに設けられた伝送線路と、を具備したことを特徴とする半導体パッケージが提供される。
好ましくは、半導体パッケージはフレキシブルテープの実装部分に搭載されたスティフナを更に含んでいる。スティフナはセラミック又は樹脂から形成される。好ましくは、半導体パッケージはスティフナ上に搭載された放熱フィンを更に含んでいる。
好ましくは、半導体パッケージは高速信号用電極を間に挟んでフレキシブルテープの延長部分の先端に形成された一対のグランド電極を更に含んでいる。フレキシブルテープは伝送線路の両側に第1グランドパターンを有しており、各グランド電極は第1グランドパターンに接続されている。好ましくは、フレキシブルテープは伝送線路が形成された面と反対側の面の少なくとも伝送線路及び第1グランドパターンに対応する部分に第2グランドパターンを有している。
半導体チップはフレキシブルテープの実装部分にフリップチップボンディングされている。代替案として、半導体チップはフレキシブルテープの実装部分にTAB接続されている。
フレキシブルテープに形成されたアレイ状接続電極とプリント配線板はボールグリッドアレイにより接続される。好ましくは、プリント配線板は伝送線路とインピーダンス整合された配線パターンと、グランドパターンを有しており、高速信号用電極は配線パターンに接続され、グランド電極はプリント配線板のグランドパターンに接続される。
図2はプリント配線板上に実装された本発明第2実施形態の半導体パッケージの斜視図;
図3はスティフナ及び放熱フィンを搭載した状態の第1実施形態の半導体パッケージの断面図;
図4は図3に類似しており、放熱フィンが半導体チップに直接接触している第1実施形態の断面図;
図5は第2実施形態の高速信号用電極及びグランド電極と、プリント配線板の配線パターン及びグランドパターンとの接続の様子を示す平面図;
図6は半導体チップとフレキシブルテープがTAB接続された本発明第3実施形態の半導体パッケージの断面図;
図7は高速信号用電極が形成された面の裏面にグランドパターンを有する実施形態の一部断面図;
図8は図5に類似しており、図7に示した実施形態の高速信号用電極及びグランド電極と、プリント配線板の配線パターン及びグランドパターンとの接続の様子を示す平面図;
図9はフレキシブルテープの延長部分にコネクタを接続した実施形態の一部断面正面図;
図10はフレキシブルテープの延長部分に高周波デバイスを接続した実施形態の一部断面正面図;
図11はフレキシブルテープの延長部分に接続された高周波部品がプリント配線板と段差を有する実施形態の一部断面正面図である。
図3はスティフナ18及ぶ放熱フィン22を搭載した状態の第1実施形態の半導体パッケージ2の断面図を示している。半導体チップ6は接続部のインダクタンスの少ない複数の半田ボール16を使用したフリップチップボンディングによりフレキシブルテープ4の実装部4a上に実装されている。フレキシブルテープ4の実装部分4a上には、例えば放熱特性のよいセラミックから形成されたスティフナ(硬直剤)18が搭載され、接着剤により固着されている。符号20はスティフナ18を半導体チップ6に固着する接着剤を示している。スティフナ18上には、例えばアルミニウムから形成された放熱フィン22が搭載され、接着剤により固着されている。アレイ状に配置された各接続電極8に対応して半田ボールからなるボールグリッドアレイ(BGA)24が設けられている。
図4は図3に示した第1実施形態のスティフナ18の変形例を示している。この実施形態では、放熱フィン22が直接半導体チップ6に接触している。よって、半導体チップ6の発熱は主に放熱フィン22を介して放熱されるため、スティフナ18´をセラミックに比較して放熱特性が劣る樹脂から形成することができる。半導体パッケージ2の半導体チップ6はボールグリッドアレイ24によりプリント配線板26の配線パターンに接続されると共に、伝送線路12及び高速信号用電極10を介してプリント配線板26の配線パターンに接続される。
本実施形態によれば、高速信号のプリント配線板26への接続を半導体パッケージの基材としてのフレキシブルテープ4の延長部4b上に設けた伝送線路12経由で行うことで、劣化の少ない高速信号の接続を実現している。テープ延長部4bはプリント配線板26から浮いているので、温度変化等により生ずるストレスを変形することにより吸収することができる。テープ延長部4bについては、パッケージの複数辺からテープ延長部を引き出し、それぞれの延長部に高速信号用の伝送線路を形成するようにしてもよい。
図2はプリント配線板26上に実装された本発明第2実施形態の半導体パッケージ2Aの斜視図を示している。本実施形態では、フレキシブルテープ4の延長部分4b´は実装部分4aの幅よりも狭い幅を有している。このように、延長部分4b´の幅をパッケージの一辺より狭くすることによって、テープ曲げに対する許容範囲が広がり、半導体パッケージ2Aのプリント配線板26への実装時に生じる機械的ストレスを解放することができ、機械的衝撃に対する信頼度の高い実装を実現することができる。
図5は図2に示した第2実施形態のテープ延長部分4b´とプリント配線板26との接続の様子を示している。テープ延長部分4b´の伝送線路12の両側にはグランドパターン13が形成されており、これらのグランドパターン13はグランド電極14にそれぞれ接続されている。高速信号用電極10は伝送線路12とインピーダンス整合されたプリント配線板26の配線パターン28に接続され、各グランド電極14はプリント配線板26のグランドパターン30にそれぞれ接続される。このように、テープ延長部分4b´とプリント配線板26との接続を、高速信号用電極10の両側にグランド電極14を配置したコプレーナ線路形態で実現しているため、高速信号の劣化要因であるグランドの不連続性を防止し、高速信号の劣化を抑制することができる。図5は1本の信号線の形態であるが、複数本の信号線についても同様の形態で接続できる。図1に示した第1実施形態でも、フレキシブルテープ4の延長部分4bとプリント配線板26との接続は、同様なコプレーナ接続を行っている。
図6は本発明第3実施形態の半導体パッケージ2Bの断面図を示している。本実施形態では、半導体チップ6とフレキシブルテープ4の配線パターンとは、テープ上の配線パターンをそのまま半導体チップ6に接続するテープ・オートメイティッド・ボンディング(TAB)32により接続されている。これにより、接続部のインダクタンスを最小にすることができ、安価で劣化の少ない接続を実現可能である。
図7を参照すると、フレキシブルテープ4の延長部分4b´は伝送線路12が形成された面と反対側の面にグランドパターン34を有している。伝送線路12の両側には、図8に示すように一対のグランドパターン13が形成されており、これらのグランドパターン13はそれぞれグランド電極14を介してプリント配線板26のグランドパターン30に接続されている。伝送線路12の背面に形成されたグランドパターン34は、少なくとも伝送線路12及び一対のグランドパターン13に対応する位置に形成されている。このように、テープ延長部分4b´の伝送線路12にグランデッド・コプレーナ線路を採用し、伝送線路12及びその両脇のグランドパターン13をそれぞれ高速信号用電極10及びグランド電極14を介してプリント配線板26の配線パターン28及びグランドパターン30に接続することによって、高速信号について劣化の少ない接続を実現することができる。
図9を参照すると、金属ブロック36上にプリント配線板26が搭載されており、金属ブロック36に形成した穴37中に挿入されたコネクタ38の端子40が伝送線路12に接続されている。この実施形態によれば、機械的衝撃に対する信頼性が高く、高速信号について劣化の少ない外部接続を実現することができる。
図10を参照すると、金属ブロック36A上にプリント配線板26及び高周波デバイス42が搭載されており、テープ延長部分4b´の伝送線路12と高周波デバイス42の信号電極44とはボンディングワイヤ48で接続され、延長部分4b´のグランドパターン34と高周波デバイス42のグランド電極46とは金属ブロック36Aを介して接続されている。高周波デバイス42に変えて、光デバイスを同様に接続するようにしてもよい。このように、半導体パッケージと高周波デバイス42又は光デバイスを直接接続することによって、機械的衝撃に対する信頼性が高く、高速信号について劣化の少ない接続を実現することができる。
図11を参照すると、金属ブロック36Bは段差37を有しており、プリント配線板26が搭載された位置より上部に高周波デバイス42が金属ブロック36B上に搭載されている。このように延長部分4b´がフレキシブルテープから形成されているため、段差のある接続も容易に達成することができ、実装面積を低減することができる。
高速信号以外の接続については、プリント配線板への搭載が容易なボールグリッドアレイ用のアレイ状接続電極8を有することによって、半導体パッケージの低コスト化が可能である。また、半導体パッケージの基材としてフレキシブルテープを使用することによって、高速用電極、アレイ状電極の接続部への機械的なストレスが解放され、実装時の機械的な信頼性について確保することができる。
Claims (16)
- 実装部分及び延長部分を有するフレキシブルテープと、
該フレキシブルテープの前記実装部分に設けられた複数のアレイ状接続電極と、
前記フレキシブルテープの前記実装部分に搭載された半導体チップと、
前記フレキシブルテープの前記延長部分の先端に形成された高速信号用電極と、
前記半導体チップと前記高速信号用電極を接続する前記フレキシブルテープに設けられた伝送線路と、
を具備したことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記フレキシブルテープの前記実装部分に搭載されたスティフナを更に具備した請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記スティフナはセラミックから形成されており、前記フレキシブルテープの前記実装部分に接着されている請求項2記載の半導体パッケージ。
- 前記スティフナは樹脂から形成されており、前記フレキシブルテープの前記実装部分に接着されている請求項2記載の半導体パッケージ。
- 前記延長部分は前記実装部分の幅より狭い幅を有している請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記高速信号用電極を間に挟んで前記フレキシブルテープの前記延長部分の先端に形成された一対のグランド電極を更に具備した請求項2記載の半導体パッケージ。
- 前記フレキシブルテープは前記伝送線路の両側に第1グランドパターンを有しており、前記各グランド電極は該第1グランドパターンに接続されている請求項6記載の半導体パッケージ。
- 前記フレキシブルテープは前記伝送線路が形成された面と反対側の面の少なくとも前記伝送線路及び前記第1グランドパターンに対応する部分に第2グランドパターンを有している請求項7記載の半導体パッケージ。
- 前記半導体チップは前記フレキシブルテープの実装部分にフリップチップボンディングされている請求項2記載の半導体パッケージ。
- 前記半導体チップは前記フレキシブルテープの前記実装部分にTAB接続されている請求項2記載の半導体パッケージ。
- 前記フレキシブルテープが実装されるプリント配線板を更に具備し、
前記複数のアレイ状接続電極と前記プリント配線板はボールグリッドアレイにより接続されている請求項6記載の半導体パッケージ。 - 前記プリント配線板は前記伝送線路とインピーダンス整合された配線パターンと、グランドパターンを有しており、前記高速信号用電極は前記配線パターンに接続され、前記グランド電極は前記グランドパターンに接続されている請求項11記載の半導体パッケージ。
- 前記高速信号用電極に接続されたコネクタを更に具備した請求項11記載の半導体パッケージ。
- 高速信号用電極に接続された高周波部品を更に具備した請求項11記載の半導体パッケージ。
- 前記プリント配線板及び前記高周波部品が搭載される金属ブロックを更に具備し、
該金属ブロックは該金属ブロック上に搭載された前記高周波部品の高さが前記プリント配線板より高くなるような段差を有している請求項14記載の半導体パッケージ。 - 前記スティフナ上に搭載された放熱フィンを更に具備した請求項2記載の半導体パッケージ。
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