JP2002016167A

JP2002016167A - 半導体素子収納用パッケージ部品及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ

Info

Publication number: JP2002016167A
Application number: JP2000194392A
Authority: JP
Inventors: Saeki Nakamura; 才恵樹中村; Koji Enokida; 功治榎田; Saburo Tachibana; 三郎橘
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-06-28
Filing date: 2000-06-28
Publication date: 2002-01-18

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体素子収納用パッケージ部品を電磁波抑制
体で形成し、半導体素子収納用パッケージからの放射妨
害波、異常共振等の電磁波障害の抑制と、耐熱性を向上
させる。【解決手段】半導体素子を収納するためのパッケージを
構成するリッド、ウォール、キャップ、スティフナーな
どの部品において、合成樹脂に磁性材料を６０〜９９体
積％含有し、且つ前記磁性材料が無配向である電磁波抑
制体で形成し、その表面あるいは内部に導電層を設けて
半導体素子収納用パッケージ部品を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体素子か
ら発生する放射妨害波の漏洩防止、あるいは性能劣化、
異常共振等の電磁波障害を抑止する機能をもった半導体
素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージと記
す。）に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器はますます高速化・高密
度化・デジタル化が進み、小型・多機能化も加速傾向に
ある。機器の小型多機能化の要求から配線基板への部品
実装密度は非常に高まり、電子デバイスのピン間、周辺
回路、他電子デバイス等に電磁波障害が発生するといっ
た問題がある。この原因は、これら電子デバイスを構成
する多数の半導体素子であり、半導体素子から発生する
妨害波により、線間結合の増大や放射ノイズによる電磁
干渉に起因する性能劣化や異常共振等が誘起され、電磁
波障害が発生するのである。従来このようないわゆる電
磁波障害に対しては、回路にノイズフィルタを挿入した
り、金属板や導電メッキ等の導電体で囲むといったシー
ルディング、或いは電波吸収シートを回路基板表面、パ
ッケージ表面に接着剤で貼り付けるといった手段を講じ
て電磁波障害を抑制してきた。

【０００３】また、図７に示すように、針状あるいは扁
平状であって表面に酸化被膜を有する軟磁性粉末と有機
結合剤等とを含む複合磁性体で構成されているＥＭＩ対
策部品１７を、パッケージ１９の上面に配置して電磁波
障害を抑制することが提案されている（特開平１０−６
４７１４号公報参照）。

【０００４】また、図８に示すように、セラミック積層
筐体２、半導体素子３、リードフレーム１８、ワイヤー
２１、内部リード２２、メタルリッド２３よりなる半導
体装置において、樹脂に電磁波吸収物質（例えばフェラ
イト等）を混入した電磁波吸収膜２０、２０′、２０″
を半導体素子３の表面およびメタルキャップ２３の内面
にさらにパッケージ外面のリードフレーム１８の側面に
コートすることが提案されている（特開昭６０−５５６
４４号公報参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示されるようにＥＭＩ対策部品１７を、パッケージ１９
上面に配置すると、全体の厚さが厚くなり、機器の小型
化の要求には不利である。

【０００６】また、このEMI対策部品１７として用いら
れる扁平状、針状の軟磁性体粉末を用いた複合磁性体
は、成形方法として一般的なインジェクション成形、鋳
込み成形、ロール成形等によって成形されるため、成形
材料の流動性を確保する必要がある。よって、樹脂量を
少なくとも５０体積％程度添加する必要があるため、成
形体の耐熱性、寸法安定性に劣るといった問題があっ
た。従って、この複合磁性体をパッケージの構成部品と
して用いると、熱硬化性樹脂、低融点金属、低融点ガラ
スによる接合が出来ないといった問題があった。

【０００７】また、図８に示すような電磁波吸収膜２０
では、フェライトを主成分とする樹脂膜を塗布すること
から、樹脂量を増やして、流動性を高くする必要があ
る。従って、充填材の添加量を高めることが出来ないこ
とから、電波吸収特性は不十分である。また、樹脂量が
多いことから、メタルリッド２３の線膨張係数より大き
くなりすぎてしまい、メタルキャップ２３から剥離する
といった問題があった。

【０００８】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者は、上記
課題を解消するために鋭意研究を繰り返したところ、半
導体素子を収納するためのパッケージを構成するリッ
ド、ウォール、キャップ、スティフナーなどの部品にお
いて、合成樹脂に６０〜９９体積％の磁性材料を含有
し、かつ前記磁性材料が無配向である電磁波抑制体で形
成するとともに、その表面あるいは内部に導電層を備え
ることで、電磁波障害を抑制し、且つパッケージの構成
部品として機能することを見出した。

【０００９】また、前記電磁波抑制体は、荷重たわみ温
度を２００℃以上とすることによって、耐熱性、寸法安
定性に優れたパッケージの構成部品として機能すること
を見出した。

【００１０】また、前記電磁波抑制体の平均線膨張係数
を２５ｐｐｍ／℃以下とすることによって、前記リッ
ド、ウォール、キャップ、スティフナーの剥がれ、割
れ、反りが改善できることを見出した。

【００１１】また、上記パッケージの構成部品を用い
て、半導体素子収納用パッケージを構成することによっ
て、電磁波障害が抑制できることを見出した。

【００１２】

【作用】半導体素子を収納するパッケージの部品を電磁
波抑制体にすることによって、パッケージ内部の共振、
パッケージ表面の高周波電流を抑えることができること
から、パッケージからの放射ノイズを抑制することがで
きる。また、前記電磁波抑制体は、合成樹脂に、磁性材
料を６０〜９９体積％分散含有し、且つ前記磁性材料を
無配向とすることによって、荷重たわみ温度が著しく高
くなることから、リフロー工程後の反り変形量が小さく
なり、接着不良が無くなる。また、樹脂量が少ないこと
から、リフロー工程中の発ガス量が減少し、半導体素子
への悪影響を抑制することができる。

【００１３】また、前記電磁波抑制体の平均線膨張係数
を、２５ｐｐｍ／℃以下とすることで、パッケージのベ
ースとして頻繁に使用される酸化アルミニウム質焼結体
の平均線膨張係数７ｐｐｍ／℃、或いはガラエポ等の平
均線膨張係数１５ｐｐｍ／℃に近くなるため、線膨張係
数の差による剥離、割れ、反り変形が無くなる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。

【００１５】図１から図４に本発明の実施形態の例を示
す。

【００１６】例えば、図１に示すパッケージは、セラミ
ックス積層筐体２に、リッド１、ウォール５を接着剤４
によって接着したものであり、この内部に半導体素子を
収納することができる。リッド１とは平板状の蓋のこと
であり、ウォール５とは額縁状の壁のことで、セラミッ
クス積層筐体２とリッド１の間に配置する。ここで、パ
ッケージ部品であるリッド１、ウォール５の少なくとも
一種を、電磁波抑制体で形成し、その表面、あるいは内
部に導電層を設けたものを用いる。前記電磁波抑制体
は、合成樹脂に磁性材料を６０〜９９体積％含有し、且
つ前記磁性材料が無配向である複合材を用いることが重
要である。

【００１７】このようにリッド１、ウォール５の少なく
とも一種を電磁波抑制体で形成し、その表面、あるいは
内部に導電層を設けることによって、電磁妨害波の漏
洩、進入、あるいはパッケージ内の電磁結合、共振を防
止できることを見出した。

【００１８】次に本発明の他の実施形態を説明する。図
２に示すパッケージのセラミックス積層筐体２に、キャ
ップ６を接着剤４によって接着したものであり、ここで
いうキャップ６とは側面に段が付いたケース状の蓋のこ
とをいう。ここで、パッケージ部品であるキャップ６を
電磁波抑制体で形成し、その表面、あるいは内部に導電
層を設け、前記電磁波抑制体は、合成樹脂に磁性材料を
６０〜９９体積％含有し、且つ前記磁性材料が無配向で
ある複合材を用いる。

【００１９】このように、キャップ６を電磁波抑制体で
形成し、その外表面、内表面、あるいは内部に導電層を
設けることによって、電磁妨害波の漏洩、進入、あるい
はパッケージ内の電磁結合、共振を防止できることを見
出した。

【００２０】さらに、本発明の他の実施形態を図３、４
に示す。

【００２１】例えば、図３に示すパッケージは、半田ボ
ール９を備えたプリント基板１０の上方部分にかけて、
電磁波抑制体から形成されるスティフナー８を配設して
いる。ここでいうスティフナー８とは、プリント基板１
０とCuヒートスプレッダ７の間に配置され、Cuヒートス
プレッダ７の支持台、或いは半導体素子３の熱を逃がす
ための放熱板として機能する部品である。ここで、ステ
ィフナー８を電磁波抑制体で形成し、その表面、あるい
は内部に導電層を設け、前記電磁波抑制体は、合成樹脂
に磁性材料を６０〜９９体積％含有し、且つ前記磁性材
料が無配向である複合材を用いる。

【００２２】すなわち、Cuヒートスプレッダ７に、表
面、あるいは内部に導電層を設けた電磁波抑制体から形
成されるスティフナー８を密着させることで、Cuヒート
スプレッダ７近傍の高周波磁界を吸収し、Cuヒートスプ
レッダ７表層の高周波電流を抑えることができる。その
ため、Cuヒートスプレッダ７からの放射ノイズを抑制す
ることができる。

【００２３】また、図４に示すように、半田ボール９、
プリント基板１０の側面を覆うようにスティフナー８を
取り付けることにより、さらに、半田ボール９、プリン
ト基板１０からの放射ノイズを抑制することができる。

【００２４】これの実施形態において、リッド１、ウォ
ール５、キャップ６、スティフナー８のパッケージ部品
をなす前記電磁波抑制体は、磁性材料を６０〜９９体積
％含有し、且つ無配向としていることから、従来のEMI
対策部品１１と比較して、耐熱性、寸法安定性に優れて
いる。よって、リフロー工程において、熱硬化性樹脂、
低融点金属、または低融点ガラス系の接着剤を用いた場
合でも、反り変形、強度劣化が少なく、また発ガス量も
少ないことから、好適に使用することができる。

【００２５】本発明のパッケージ部品の製造方法は以下
の通りである。例えば、合成樹脂として用いるエポキシ
樹脂を適当な溶媒に溶解させ、パーマロイ等の磁性材料
を６０〜９９体積％分散混合し、所定の温度で乾燥し粒
状の磁性材料を樹脂で被覆、溶媒を蒸発させると共に、
樹脂の重合度を上げて造粒体を作製する。図５に示すよ
うに、この造粒体の粉体１１を上パンチ１２ａ、下パン
チ１２ｂ、ダイス１２ｃからなる金型１２へ充填して加
圧成形し、離型した後、所定の温度で一定時間加熱して
成形する粉末加圧成型法で作製する。この製法によれ
ば、磁性材料が無配向で、且つ高充填することが可能で
ある。

【００２６】また、電磁波抑制体の表面又は内部に備え
る導電層は、例えば、金属系であれば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、又はその合金類、炭素系であれ
ば、カーボンファイバー、カーボンビーズ、黒鉛、カー
ボンマイクロコイル等の少なくとも一種を、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂
中に充填されたものを塗布、印刷する。または、金属メ
ッキ、金属蒸着等により形成する。導電層の厚さは、１
μｍ以上あれば良い。

【００２７】尚、電磁波抑制体中の磁性材料の配合比と
しては６０〜９９体積％、好ましくは７０〜９０体積％
であることが重要である。６０体積％未満では、上記の
ような製造方法では、残部である合成樹脂の配合比が大
きくなりすぎて、湿式法で造粒する場合、乾燥工程で溶
媒が合成樹脂に残留し易く、加熱硬化後に、成形体の変
形、膨れが発生し形状不良が発生する為である。

【００２８】尚、他の成型法、すなわちインジェクショ
ン成形、トランスファー成形、熱ロール成形、圧延法、
熱間プレス法、鋳込み成型法等の所定の金型内あるいは
ロールで、合成樹脂を溶融した状態で成形すると、上記
のようなダレ、膨れ等の成形体の変形といった不具合は
避けられるが、一方、磁性材料の充填量を増やすことが
出来ないことから、耐熱性、寸法安定性等が高められな
いため適切な方法でない。

【００２９】逆に磁性材料の配合量が９９体積％より多
くなると、磁性材料を分散するマトリックスである残部
の樹脂が少なくなりすぎて、成形体の強度が著しく低下
するため実用的ではない。

【００３０】さらに、本発明の電磁波抑制体は、磁性材
料が無配向であることが重要である。通常、インジェク
ション成形、トランスファー成形、熱ロール成形、圧延
法、熱間プレス法、鋳込み成型法等で成形すると、例え
ば、図６（ａ）に示すように、有機結合剤１４の流動方
向への軟磁性粉末１３の配向が発生する。配向は、特に
アスペクト比が大きいフレーク状、針状、繊維状の磁性
粉末で顕著に現れ、材料特性の異方性の問題、熱による
ソリ変形が発生するといった問題があった。

【００３１】これに対し、本発明では、図６（ｂ）に示
すように、粒状の磁性材料１５を湿式法で表面に合成樹
脂１６をコーティングするように造粒し乾燥することで
樹脂の重合度を制御できる為、図５に示すような加圧成
形によって配向を無くすことができ、磁性材料１５の配
向を無くすことが出来る。

【００３２】さらに、本発明の電磁波抑制体は、セラミ
ックス積層筐体２等で構成されるベース、Cuヒートスプ
レッダ７、あるいはプリント基板１０と、それぞれ接着
剤を介して熱圧着あるいはリフロー槽を通す必要がある
ことから、耐熱性を著しく向上させる必要がある。この
ため、接着剤として熱硬化性樹脂系、あるいは低融点金
属系のものを用いる場合、前記電磁波抑制体の荷重たわ
み温度を２００℃以上とすることが好ましい。さらに、
接着剤として低融点ガラス系のものを用いる場合、前記
電磁波抑制体の荷重たわみ温度を３００℃以上とするこ
とが好ましい。このような電磁波抑制体では、熱による
反り変形、ダレ等が発生しないため、好適である。

【００３３】さらに、本発明の電磁波抑制体からなるリ
ッド１、ウォール５、キャップ６、スティフナー８は、
セラミックス積層筐体２等で構成されるベース、Cuヒー
トスプレッダ７、あるいはプリント基板１０と、それぞ
れを接着する必要があることから、接着性を著しく向上
させる必要がある。このため、電磁波抑制体の平均線膨
張係数は、２５ｐｐｍ／℃以下とすることが好ましい。
パッケージのベース、プリント基板として頻繁に使用さ
れる酸化アルミニウム質焼結体、或いはガラスエポキシ
樹脂等の平均線膨張係数に近くなるため、線膨張係数の
差による剥離、割れ、反り変形が無くなるため、好適で
ある。

【００３４】このような電磁波抑制体を構成する合成樹
脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
ポリイミド樹脂等が使用でき、これらの中でも耐熱性、
寸法安定性、強度、コスト等の点からエポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂が特に好適である。

【００３５】一方、磁性材料としては、例えば、アモル
ファス磁性金属合金類であれば、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系、Ｆ
ｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃｒ系、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ系、Ｃｏ−Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ−Ｓｉ系、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ−
Ｓｉ系等、Ｎｉ−Ｆｅ系合金類であれば、３６−パーマ
ロイ、４５−パーマロイ、μ−メタル、７８−パーマロ
イ、Ｃｒ−パーマロイ、Ｍｏ−パーマロイ、スーパーマ
ロイ等、純鉄、軟鋼、Ｆｅ−Ｓｉ合金類、Ｆｅ−Ａｌ合
金類、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金類、Ｃｏ−Ｆｅ系合金類、
カーボニル鉄が好適に使用される。また、金属酸化物で
あれば、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ
系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ−
Ｍｇフェライト、Ｍｎ−Ｍｇ−Ａｌフェライト、Ｙ型六
方晶フェライト、Ｚ型六方晶フェライト、Ｍ型六方晶フ
ェライト、Ｗ型六方晶フェライト等が用いられる。本発
明においてはこれらの磁性材料のうち少なくとも一種類
以上混合して用いることが出来るが、特にアモルファス
磁性金属合金類、Ｎｉ−Ｆｅ系合金類は好結果が得られ
る。

【００３６】また、リッド、ウォール、キャップ、ステ
ィフナーの表面あるいは内部にセラミックス、または、
金属メッキ処理したセラミックスを設けることも可能で
ある。すなわち、セラミックス、または、金属メッキ処
理したセラミックスを設けることによって、熱伝導率を
向上させることができ、なお一層の放熱特性が得られ
る。

【００３７】

【実施例】実施例１表１、２に示すように、図１に示すパッケージにおい
て、リッド１、ウォール５のうちいずれか一種を電磁波
抑制体で作製した。また、図２に示すキャップ６、図３
に示すスティフナー８を電磁波抑制体で作製した。

【００３８】電磁波抑制体は、パーマロイとフェノール
樹脂を所定の割合で混合造粒し、粉末加圧成形法により
成形、金型から離型後、１５０℃〜１８０℃で加熱硬化
させ、作製した。セラミックス積層筐体２は酸化アルミ
ニウム質焼結体で、ヒートスプレッダ７は銅板で、プリ
ント基板１０はガラスエポキシ樹脂で作製した。

【００３９】次に、リッド１、ウォール５、キャップ６
の接合部にエポキシ樹脂系の接着剤４を印刷し、各種パ
ッケージを組み合わせた状態で、炉内温度１５０℃以上
のリフロー糟に通す。リフロー糟内では、エポキシ樹脂
が溶融し、セラミックス積層筐体２とウォール５とリッ
ド１、又はキャップ６とセラミックス積層筐体２を固定
する。また、スティフナー８については、エポキシ樹脂
系の接着剤を用いて、熱圧着しながら、スティフナー８
とプリント基板１０を固定する。

【００４０】得られたサンプルについては、パーマロイ
の配向度、寸法変化率、接着強度、電磁波減衰効果を測
定した。

【００４１】尚、パーマロイの配向度は、リッド１、ウ
ォール５、キャップ６、スティフナー８のＸ軸、Ｙ軸、
Ｚ軸方向のそれぞれの断面を少なくとも２箇所づつ、反
射電子像の写真を画像解析するか、写真をトレースし、
写真画面において、任意の基準線からパーマロイの長辺
軸の角度を測定する。任意の基準線からパーマロイの長
辺軸の角度が全て０度以上１８０度未満の範囲内にある
とすると、０度以上４５度未満の範囲内に２０％〜３０
％、且つ９０度以上１３５度未満の範囲内に２０％〜３
０％の確率でパーマロイが存在しているものを○、これ
以外のものを×とした。

【００４２】寸法変化率については、リフロー前後での
パッケージの最大寸法変化率を測定した。

【００４３】接着強度の測定は、リッド１の上面とセラ
ミックス積層筐体２の下面を所定の荷重で引っ張り試験
を行い、接合部で剥がれなかったものを○、これ以外の
ものを×とした。

【００４４】電磁波減衰効果の測定は、ネットワークア
ナライザーを用いて、Ｓ１１、Ｓ２１の値から減衰量を
算出した。尚、パッケージ内には、マイクロストリップ
スルーラインを形成している。

【００４５】放射妨害波の減衰量は、リッド１、ウォー
ル５、キャップ６、スティフナー８から１ｍｍの距離に
磁界検出用のマイクロループアンテナを固定し測定し
た。尚、減衰量の測定は、電磁波抑制体、導電層がない
状態を基準とし、２０dB以上減衰したときを○、それ未
満のときを×とした。

【００４６】それぞれの結果を表１、表２に示す。

【００４７】表１、表２によれば、パーマロイが配向し
ているもの（Ｎｏ．６、Ｎｏ．１７、Ｎｏ．２９、Ｎ
ｏ．３９）については、リフロー後の寸法変化率が０．
３４％〜０．６４％と大きいため、セラミックス積層筐
体２、プリント基板１０からの剥離、接着不良があり、
実用的でなかった。

【００４８】また、パーマロイの充填量が６０体積％未
満のもの（Ｎｏ．７、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．３０、Ｎｏ．
４０）については、加熱時に、リッド１、ウォール５、
キャップ６、スティフナー８の角のダレ、膨れが発生
し、また荷重たわみ温度も低いため、実用的でなかっ
た。

【００４９】また、パーマロイの充填量が９９体積％よ
り多いもの（Ｎｏ．８、Ｎｏ．１９、Ｎｏ．３１、Ｎｏ
４１）については、結合材となるフェノール樹脂の割合
が少ないため、粉末加圧成形では強度が低下し、実用的
でなかった。

【００５０】これに対し、パーマロイが配向せずに、且
つパーマロイの充填率が本発明の範囲内（６０〜９９体
積％）のもの（Ｎｏ．１〜Ｎｏ５、Ｎｏ．９〜Ｎｏ．１
６、Ｎｏ．２０〜Ｎｏ．２８、Ｎｏ．３２〜Ｎｏ．３
８、Ｎｏ．４２、Ｎｏ．４３）については、いずれも荷
重たわみ温度が２００℃以上と高く、また、平均線膨張
係数が２５ｐｐｍ／℃以下であることから、寸法変化率
が小さく、接着強度、電磁波抑制効果が優れているた
め、好適に使用することが出来る。

【００５１】また、前記リッド１、ウォール５のうちい
ずれか一種、またはキャップ６、スティフナー８の表
面、あるいは内部に導電層がないもの（Ｎｏ．４４〜Ｎ
ｏ．４７）については、電磁波減衰効果が劣っているた
め、実用的でなかった。

【００５２】これに対し、本発明の範囲内のもの、すな
わち、前記リッド１、ウォール５のうちいずれか一種、
またはキャップ、スティフナーの表面、あるいは内部に
導電層があるもの（Ｎｏ．１〜Ｎｏ５、Ｎｏ．９〜Ｎ
ｏ．１６、Ｎｏ．２０〜Ｎｏ．２８、Ｎｏ．３２〜Ｎ
ｏ．３８、Ｎｏ．４２、Ｎｏ．４３）については、電磁
波減衰効果が優れているため、好適に使用することが出
来る。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【表２】

【００５５】

【発明の効果】半導体素子を収納するためのパッケージ
を構成するリッド、ウォール、キャップ、スティフナー
などの部品において、合成樹脂に磁性材料を６０〜９９
体積％含有し、且つ前記磁性材料が無配向である電磁波
抑制体で形成し、その表面あるいは内部に導電層を設け
ることで、電磁波を抑制する機能をもった半導体素子収
納用パッケージ部品及び半導体素子収納用パッケージを
提供できる。

【００５６】また、荷重たわみ温度が２００℃以上、さ
らには平均線膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以下とすること
で、耐熱性に優れた半導体素子収納用パッケージ部品及
び半導体素子収納用パッケージを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージを示す断
面図である。

【図２】本発明の半導体素子収納用パッケージの他の実
施形態を示す断面図である。

【図３】本発明の半導体素子収納用パッケージの構造を
説明するための断面図である。

【図４】本発明の半導体素子収納用パッケージの他の実
施形態を示す断面図である。

【図５】本発明の半導体素子収納用パッケージ部品をな
す電磁波抑制体の製造方法を説明する図である。

【図６】（ａ）は磁性材料が配向している成形体断面の
模式図であり、（ｂ）は磁性材料が無配向である成形体
断面の模式図である。

【図７】従来のパッケージを示す断面図である。

【図８】従来のパッケージを示す断面図である。

【符号の説明】

１：リッド２：セラミックス積層筐体３：半導体素子４：接着剤５：ウォール６：キャップ７：ヒートスプレッダ８、８ａ：スティフナー９：半田ボール１０：プリント基板１１：粉体１２：粉末プレス用金型１２ａ：上パンチ１２ｂ：下パンチ１２ｃ：ダイス１３：軟磁性粉末１４：有機結合剤１５：磁性材料１６：合成樹脂１７：ＥＭＩ対策部品１８：リードフレーム１９：パッケージ２０、２０'、２０"：電磁波吸収膜２１：ワイヤー２２：内部リード２３：メタルリッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4J002 CD001 DC006 FD116 GQ00 5E321 AA05 AA14 BB23 BB25 BB32 BB33 GG05 GG07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子を収納するためのパッケージを
構成するリッド、ウォール、キャップ、スティフナーな
どの部品において、合成樹脂に６０〜９９体積％の磁性
材料を含有し、かつ前記磁性材料が無配向である電磁波
抑制体で形成するとともに、その表面あるいは内部に導
電層を設けたことを特徴とする半導体素子収納用パッケ
ージ部品。
【請求項２】前記電磁波抑制体は、荷重たわみ温度が２
００℃以上であることを特徴とする請求項１記載の半導
体素子収納用パッケージ部品。
【請求項３】前記電磁波抑制体の平均線膨張係数が２５
ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１又は２
記載の半導体素子収納用パッケージ部品。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の半導体素
子収納用パッケージ部品を用いて構成したことを特徴と
する半導体素子収納用パッケージ。