JPWO2004093191A1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
電気的に接続されるとともに、配線層数が互いに異なる第1の領域と第2の領域とからなるパッド(4,5)を、入出力回路(2)の上方に配置するようにして、半導体装置にてパッドピッチが縮小されパッドの長さが長くなったとしてもチップ面積の増大を抑制することができるようにする。
Description
本発明は、半導体装置に関し、詳しくは半導体装置におけるパッドの配置及び構造に関する。
従来の半導体装置の構成について図6に基づいて説明する。
図6は、従来の半導体装置の構成例を模式的に示す図であり、図6においては半導体装置が形成される半導体チップ11の外周部分の一部を示している。
図6において、12は半導体チップ11の中央部分に形成された図示しない内部回路に対して電気信号を入出力するための入出力回路であり、13は半導体装置と外部機器等とを例えばワイヤボンディングにより電気的に接続するためのパッドである。
図6に示すように従来の半導体装置においては、入出力回路12は半導体チップ11の外周部に配列して配置形成され、パッド13は入出力回路12と半導体チップ11のエッジ14との間に配置形成される。これは、後述するプローブ検査によりパッド13にクラック等が発生した場合に、クラック等を介して入出力回路12等に水分が浸入するなどの不都合が生ずるのを防止するためである。なお、入出力回路12とパッド13とは下層の配線及び異なる層間の配線を接続するビア部により電気的に接続されている。
また、半導体装置は、プロセス完了後、形成された半導体装置の電気的特性を検査するためのプローブ検査が行われる。プローブ検査は、パッド13にプローブ針を接触させて電気信号を入出力することにより行う。プローブ検査では、カンチレバーを利用する方法とフォトリソグラフィーを利用する方法とがある。
従来の半導体装置とそのプローブ検査方法の一例が、特開平8−29451号公報(特許文献1)に開示されている。
プローブ検査にフォトリソグラフィーを利用する場合には、パッドにてプローブ針を接触させる領域の面積を縮小することができるが、製造コスト及びランニングコストは非常に高い。
一方、プローブ検査にカンチレバーを利用する場合には、製造コスト及びランニングコストは、フォトリソグラフィーを利用する場合に比べて非常に安価である。しかしながら、カンチレバーを利用する場合には、プロセス技術の進展等によりパッドピッチ(パッド間隔)が縮小すると、パッドにてプローブ針が接触する領域の面積が増大してしまう。
図7A〜図7Dは、パッドピッチの縮小化に伴うプローブ針が接触する領域面積の増大について説明するための図である。図7A〜図7Dにおいて、13はパッドであり、14はカンチレバー・プローブ針15を備えたプローブ基板である。
図7Aに示すようにパッドピッチ(パッド13の間隔)が広い場合には、プローブ針15の間隔は十分確保され、図7Bに示すようにパッド13にてプローブ針15が接触する領域の長さLPは短い。図7Bは、図7AのC矢視図である。
それに対して、図7Cに示すようにパッドピッチが狭い場合には、プローブ針15の太さは決まっているので、プローブ針15の間隔を確保するためにプローブ基板14内に入れ込む量を大きくする必要がある。そのため、図7CのD矢視図である図7Dに示すように、パッド13にてプローブ針15が接触する領域の長さLPは長くなる。
上述のようにパッド13にてプローブ針15を接触させる領域の長さLPが長くなるとパッド13が長くなり、半導体装置にて無駄なチップ面積が大きくなる。したがって、半導体装置の製造コストやランニングコストが増大してしまう。また、パッド13はプローブ針15の接触により表面に凹凸が生じ、このような箇所はワイヤボンディングの強度が低下する。したがって、パッド13にてプローブ針15が接触する領域が広くなるのに伴って、パッド13にてワイヤボンディングに使用できる領域が狭くなり、ワイヤボンディングする位置を探すのが非常に困難になる。
特開平8−29451号公報
図6は、従来の半導体装置の構成例を模式的に示す図であり、図6においては半導体装置が形成される半導体チップ11の外周部分の一部を示している。
図6において、12は半導体チップ11の中央部分に形成された図示しない内部回路に対して電気信号を入出力するための入出力回路であり、13は半導体装置と外部機器等とを例えばワイヤボンディングにより電気的に接続するためのパッドである。
図6に示すように従来の半導体装置においては、入出力回路12は半導体チップ11の外周部に配列して配置形成され、パッド13は入出力回路12と半導体チップ11のエッジ14との間に配置形成される。これは、後述するプローブ検査によりパッド13にクラック等が発生した場合に、クラック等を介して入出力回路12等に水分が浸入するなどの不都合が生ずるのを防止するためである。なお、入出力回路12とパッド13とは下層の配線及び異なる層間の配線を接続するビア部により電気的に接続されている。
また、半導体装置は、プロセス完了後、形成された半導体装置の電気的特性を検査するためのプローブ検査が行われる。プローブ検査は、パッド13にプローブ針を接触させて電気信号を入出力することにより行う。プローブ検査では、カンチレバーを利用する方法とフォトリソグラフィーを利用する方法とがある。
従来の半導体装置とそのプローブ検査方法の一例が、特開平8−29451号公報(特許文献1)に開示されている。
プローブ検査にフォトリソグラフィーを利用する場合には、パッドにてプローブ針を接触させる領域の面積を縮小することができるが、製造コスト及びランニングコストは非常に高い。
一方、プローブ検査にカンチレバーを利用する場合には、製造コスト及びランニングコストは、フォトリソグラフィーを利用する場合に比べて非常に安価である。しかしながら、カンチレバーを利用する場合には、プロセス技術の進展等によりパッドピッチ(パッド間隔)が縮小すると、パッドにてプローブ針が接触する領域の面積が増大してしまう。
図7A〜図7Dは、パッドピッチの縮小化に伴うプローブ針が接触する領域面積の増大について説明するための図である。図7A〜図7Dにおいて、13はパッドであり、14はカンチレバー・プローブ針15を備えたプローブ基板である。
図7Aに示すようにパッドピッチ(パッド13の間隔)が広い場合には、プローブ針15の間隔は十分確保され、図7Bに示すようにパッド13にてプローブ針15が接触する領域の長さLPは短い。図7Bは、図7AのC矢視図である。
それに対して、図7Cに示すようにパッドピッチが狭い場合には、プローブ針15の太さは決まっているので、プローブ針15の間隔を確保するためにプローブ基板14内に入れ込む量を大きくする必要がある。そのため、図7CのD矢視図である図7Dに示すように、パッド13にてプローブ針15が接触する領域の長さLPは長くなる。
上述のようにパッド13にてプローブ針15を接触させる領域の長さLPが長くなるとパッド13が長くなり、半導体装置にて無駄なチップ面積が大きくなる。したがって、半導体装置の製造コストやランニングコストが増大してしまう。また、パッド13はプローブ針15の接触により表面に凹凸が生じ、このような箇所はワイヤボンディングの強度が低下する。したがって、パッド13にてプローブ針15が接触する領域が広くなるのに伴って、パッド13にてワイヤボンディングに使用できる領域が狭くなり、ワイヤボンディングする位置を探すのが非常に困難になる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、半導体装置にてパッドピッチを縮小したとしても、チップ面積が増大することを抑制できるようにすることを目的とする。
本発明の半導体装置は、電気的に接続されるとともに、配線層数が互いに異なる第1の領域と第2の領域とからなるパッドを、入出力回路の上方に配置する。本発明によれば、半導体装置にてパッドピッチが縮小されパッドの長さが長くなったとしても、従来とは異なりパッドが入出力回路の上方に配置されるのでチップ面積の増大を抑制することができる。したがって、カンチレバーを利用したプローブ検査を行うことができ、製造コストを従来と比較して低減することができる。また、第1の領域と第2の領域の少なくとも一方の配線層数は複数になるので、プローブ検査等に配線層数が複数の一方の領域を用い、他方の領域をボンディングに用いることで、プローブ検査等により不都合が生ずることを防止できるとともに、ワイヤボンディングの強度低下を防止することができる。
本発明の半導体装置は、電気的に接続されるとともに、配線層数が互いに異なる第1の領域と第2の領域とからなるパッドを、入出力回路の上方に配置する。本発明によれば、半導体装置にてパッドピッチが縮小されパッドの長さが長くなったとしても、従来とは異なりパッドが入出力回路の上方に配置されるのでチップ面積の増大を抑制することができる。したがって、カンチレバーを利用したプローブ検査を行うことができ、製造コストを従来と比較して低減することができる。また、第1の領域と第2の領域の少なくとも一方の配線層数は複数になるので、プローブ検査等に配線層数が複数の一方の領域を用い、他方の領域をボンディングに用いることで、プローブ検査等により不都合が生ずることを防止できるとともに、ワイヤボンディングの強度低下を防止することができる。
図1A、図1Bは、本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成例を示す図である。
図2は、第1の実施形態による半導体装置の他の構成例を示す図である。
図3A、図3Bは、カバー膜開口領域を示す図である。
図4A、図4Bは、本発明の第2の実施形態による半導体装置の構成例を示す図である。
図5は、第2の実施形態による半導体装置の他の構成例を示す図である。
図6は、従来の半導体装置の構成を示す図である。
図7A〜図7Dは、従来技術における問題点を説明するための図である。
図2は、第1の実施形態による半導体装置の他の構成例を示す図である。
図3A、図3Bは、カバー膜開口領域を示す図である。
図4A、図4Bは、本発明の第2の実施形態による半導体装置の構成例を示す図である。
図5は、第2の実施形態による半導体装置の他の構成例を示す図である。
図6は、従来の半導体装置の構成を示す図である。
図7A〜図7Dは、従来技術における問題点を説明するための図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
(第1の実施形態)
図1A、図1Bは、本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成例を示す図であり、半導体装置が形成される半導体チップ1の外周部分の一部を示している(以下の第2の実施形態についても同様)。
図1Aは、第1の実施形態による半導体装置の上面を模式的に示している。図1Aにおいて、2は半導体チップ1の中央部分に形成された図示しない内部回路に対して電気信号を入出力するための入出力回路であり、4はパッドにてプローブ検査時にプローブ針を接触させるプロービング領域であり、5はパッドにて半導体装置と外部機器等とを電気的に接続するためのワイヤボンディングに使用するボンディング領域である。つまり、第1の実施形態では、パッドは、電気的に接続されたプロービング領域4とボンディング領域5とで構成される。なお、6は半導体チップ1のエッジである。
図1Aに示すように入出力回路2は半導体チップ1の外周部に配列して配置され、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、ボンディング領域5が入出力回路2の上方に(基板法線方向から見て重なるようにして)入出力回路2と半導体チップ1のエッジ6との間に配置される。
図1Bは、図1AにおけるI−I間の断面を模式的に示している。
図1Bに示すように、パッドのプロービング領域4とボンディング領域5とは、パッド積層数(配線層数)が異なる。プロービング領域4は、最上層である第1配線層L1に形成した第1パッドと、その1つ下層の第2配線層L2に形成した第2パッドとからなり、この第1パッドと第2パッドはビア部7により電気的に接続されている。
また、ボンディング領域5は、第1配線層L1に形成した第1パッドからなる。ボンディング領域5の第1パッドは、下層の第2配線層L2に形成した入出力回路2を構成する金属配線層の一部の上方に形成され、入出力回路2を構成する金属配線層とビア部7により電気的に接続されている。
また、プロービング領域4の第1パッドとボンディング領域5の第1パッドは、電気的に接続されており、例えば一つの金属膜で構成される。なお、第2配線層L2に形成したプロービング領域4の第2パッドと、同一の配線層L2に形成した入出力回路2を構成する金属配線層とは絶縁膜を介して電気的に絶縁されている。ここで、プロービング領域4の第1及び第2のパッド、ボンディング領域5の第1パッドは、例えばアルミ層で構成され、ビア部7は例えばタングステンで構成される。
以上、説明したように、電気的に接続され、パッド積層数が互いに異なるプロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドを、ボンディング領域5と入出力回路2とが基板法線方向から見て重なるように配置し、ボンディング領域5の下層であり、プロービング領域4の第2のパッドが形成される第2配線層L2に入出力回路2の一部を形成する。
これにより、パッドのピッチが縮小されたとしても、ボンディング領域5を入出力回路2の上方に重なるように配置するので、パッドピッチの縮小によるチップ面積の増大を抑制することができる。また、パッドをプロービング領域4とボンディング領域5とに分けて、プロービング領域4を異なる層の複数のパッドで形成することで、機械的なストレスに対する耐性を向上させ、クラックの発生を抑制することができるとともに、プローブ検査等によりクラック等が発生しても、その影響が入出力回路2等に及ぶことを防止することができる。また、ボンディング領域5を個別に設けたことでワイヤボンディングの強度が低下することを防止し、十分な強度で接合することができる。したがって、パッドのピッチが縮小されたとしても、チップ規模が増大するのを抑制して、カンチレバーを利用したプローブ検査を行うことができ、製造コスト等を従来と比較して低減することができる。
なお、上述した説明では、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、入出力回路2と半導体チップ1のエッジ6との間に配置するようにしているが、図2に示すようにプロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドを、入出力回路2の半導体チップ1中央側に配置するようにしても良い。
図2Aは、第1の実施形態による半導体装置の他の構成例を上面から模式的に示した図である。プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドが、ボンディング領域5が入出力回路2の上方に位置するように配置される。また、入出力回路2は、プロービング領域4よりも半導体チップ1の外周部に形成される。このように配置した場合には、さらにチップ面積を小さくすることができる。
なお、上記図1A、図1B及び図2においては、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドを、ボンディング領域5が入出力回路2の上方に位置するように配置しているが、これに限らずボンディング領域5の一部が入出力回路2の上方に位置するように配置しても良い。
ここで、プロービング領域4とボンディング領域5からなるパッドの上部に設けられるカバー膜の開口領域について説明する。
図3A、図3Bは、カバー膜の開口領域の一例を示す図であり、図3Aはプロービング領域4とボンディング領域5からなるパッドの外周にカバー膜8を設けた例を示している。
また、図3Bは、プロービング領域4及びボンディング領域5の外周にそれぞれカバー膜8を設けた例を示しており、上面から見てプロービング領域4とボンディング領域5との間がカバー膜8により仕切られる。図3Bに示したようにカバー膜開口領域を2つ設けると、プロービング領域4へのプローブ針の接触による衝撃等のプローブ検査の影響が、ボンディング領域5に完全に及ばなくなり、ボンディングする際に十分な強度でのボンディングを行うことができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
上述した第1の実施形態では、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、ボンディング領域5のみを入出力回路2の上方に配置している。以下に説明する第2の実施形態では、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッド全体を入出力回路2の上方に配置する。
図4A、図4Bは、本発明の第2の実施形態による半導体装置の構成例を示す図であり、半導体装置が形成される半導体チップ1の外周部分の一部を示している。なお、この図4A、図4Bにおいて、図1A、図1Bに示した構成要素等と同一の機能を有する構成要素等には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図4Aは、第2の実施形態による半導体装置の上面を模式的に示している。図4Aに示すように入出力回路2は半導体チップ1の外周部に配置され、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、パッド全体と入出力回路2とが基板法線方向から見て重なるように入出力回路2上方のエッジ6側に配置される。
図4Bは、図4AにおけるII−II間の断面を模式的に示している。
図4Bに示すように、パッドのプロービング領域4とボンディング領域5とはパッド積層数が異なり、プロービング領域4は、最上層である第1配線層L1に形成した第1パッドと、その1つ下層の第2配線層L2に形成した第2パッドとからなり、第1パッドと第2パッドはビア部7により電気的に接続されている。
また、ボンディング領域5は、第1配線層L1に形成した第1パッドからなる。プロービング領域4の第1パッドとボンディング領域5の第1パッドは、電気的に接続されており、例えば一つの金属膜で構成される。プロービング領域4の第1及び第2のパッド、ボンディング領域5の第1パッドは、例えばアルミ層で構成され、ビア部7は例えばタングステンで構成される。
入出力回路2は、ビア部7により電気的に接続された、第2配線層L2に形成した金属配線層と、その1つ下層の第3配線層L3に形成した金属配線層とを含み形成される。
ここで、プロービング領域4の第1及び第2のパッドと、ボンディング領域5の第1パッドが、入出力回路2を構成する金属配線層の上方に形成される。また、プロービング領域4の第2のパッドは、入出力回路2を構成する第3配線層L3に形成した金属配線層とビア部7により電気的に接続されている。なお、第2配線層L2に形成したプロービング領域4の第2パッドと、同一の配線層L2に形成した入出力回路2を構成する金属配線層とは絶縁膜を介して電気的に絶縁されている。
以上、説明したように第2の実施形態によれば、上述した第1の実施形態で得られる効果に加え、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッド全体を入出力回路2の上方に配置することで、チップ面積をさらに小さくすることができる。
ここで、第2の実施形態では、第1の実施形態と比較してパッドの下方に形成された回路を含めてパッド部分の総配線層数が1層増加するが、パッドの下方に形成される回路の層数やコストに応じて、第1の実施形態と第2の実施形態とを適切に使い分ければ良い。
なお、上述した説明では、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、パッド全体が入出力回路2の上方に位置するとともに、プロービング領域4をエッジ6側にして配置しているが、図5に示すようにボンディング領域5をエッジ6側にして配置するようにしても良い。
なお、上記第1及び第2の実施形態では、プロービング領域4の配線層数が1層で、ボンディング領域5の配線層数が2層の場合を一例として示したが、本発明はこれに限らず、ボンディング領域5の配線層数がプロービング領域4の配線層数よりも少なければ良く、プロービング領域4及びボンディング領域5の配線層数はそれぞれ任意である。また、プロービング領域4及びボンディング領域5からなるパッドの形状も一例であり、例えばボンディングの方法に応じて適宜変形しても良い。
また、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
(第1の実施形態)
図1A、図1Bは、本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成例を示す図であり、半導体装置が形成される半導体チップ1の外周部分の一部を示している(以下の第2の実施形態についても同様)。
図1Aは、第1の実施形態による半導体装置の上面を模式的に示している。図1Aにおいて、2は半導体チップ1の中央部分に形成された図示しない内部回路に対して電気信号を入出力するための入出力回路であり、4はパッドにてプローブ検査時にプローブ針を接触させるプロービング領域であり、5はパッドにて半導体装置と外部機器等とを電気的に接続するためのワイヤボンディングに使用するボンディング領域である。つまり、第1の実施形態では、パッドは、電気的に接続されたプロービング領域4とボンディング領域5とで構成される。なお、6は半導体チップ1のエッジである。
図1Aに示すように入出力回路2は半導体チップ1の外周部に配列して配置され、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、ボンディング領域5が入出力回路2の上方に(基板法線方向から見て重なるようにして)入出力回路2と半導体チップ1のエッジ6との間に配置される。
図1Bは、図1AにおけるI−I間の断面を模式的に示している。
図1Bに示すように、パッドのプロービング領域4とボンディング領域5とは、パッド積層数(配線層数)が異なる。プロービング領域4は、最上層である第1配線層L1に形成した第1パッドと、その1つ下層の第2配線層L2に形成した第2パッドとからなり、この第1パッドと第2パッドはビア部7により電気的に接続されている。
また、ボンディング領域5は、第1配線層L1に形成した第1パッドからなる。ボンディング領域5の第1パッドは、下層の第2配線層L2に形成した入出力回路2を構成する金属配線層の一部の上方に形成され、入出力回路2を構成する金属配線層とビア部7により電気的に接続されている。
また、プロービング領域4の第1パッドとボンディング領域5の第1パッドは、電気的に接続されており、例えば一つの金属膜で構成される。なお、第2配線層L2に形成したプロービング領域4の第2パッドと、同一の配線層L2に形成した入出力回路2を構成する金属配線層とは絶縁膜を介して電気的に絶縁されている。ここで、プロービング領域4の第1及び第2のパッド、ボンディング領域5の第1パッドは、例えばアルミ層で構成され、ビア部7は例えばタングステンで構成される。
以上、説明したように、電気的に接続され、パッド積層数が互いに異なるプロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドを、ボンディング領域5と入出力回路2とが基板法線方向から見て重なるように配置し、ボンディング領域5の下層であり、プロービング領域4の第2のパッドが形成される第2配線層L2に入出力回路2の一部を形成する。
これにより、パッドのピッチが縮小されたとしても、ボンディング領域5を入出力回路2の上方に重なるように配置するので、パッドピッチの縮小によるチップ面積の増大を抑制することができる。また、パッドをプロービング領域4とボンディング領域5とに分けて、プロービング領域4を異なる層の複数のパッドで形成することで、機械的なストレスに対する耐性を向上させ、クラックの発生を抑制することができるとともに、プローブ検査等によりクラック等が発生しても、その影響が入出力回路2等に及ぶことを防止することができる。また、ボンディング領域5を個別に設けたことでワイヤボンディングの強度が低下することを防止し、十分な強度で接合することができる。したがって、パッドのピッチが縮小されたとしても、チップ規模が増大するのを抑制して、カンチレバーを利用したプローブ検査を行うことができ、製造コスト等を従来と比較して低減することができる。
なお、上述した説明では、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、入出力回路2と半導体チップ1のエッジ6との間に配置するようにしているが、図2に示すようにプロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドを、入出力回路2の半導体チップ1中央側に配置するようにしても良い。
図2Aは、第1の実施形態による半導体装置の他の構成例を上面から模式的に示した図である。プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドが、ボンディング領域5が入出力回路2の上方に位置するように配置される。また、入出力回路2は、プロービング領域4よりも半導体チップ1の外周部に形成される。このように配置した場合には、さらにチップ面積を小さくすることができる。
なお、上記図1A、図1B及び図2においては、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドを、ボンディング領域5が入出力回路2の上方に位置するように配置しているが、これに限らずボンディング領域5の一部が入出力回路2の上方に位置するように配置しても良い。
ここで、プロービング領域4とボンディング領域5からなるパッドの上部に設けられるカバー膜の開口領域について説明する。
図3A、図3Bは、カバー膜の開口領域の一例を示す図であり、図3Aはプロービング領域4とボンディング領域5からなるパッドの外周にカバー膜8を設けた例を示している。
また、図3Bは、プロービング領域4及びボンディング領域5の外周にそれぞれカバー膜8を設けた例を示しており、上面から見てプロービング領域4とボンディング領域5との間がカバー膜8により仕切られる。図3Bに示したようにカバー膜開口領域を2つ設けると、プロービング領域4へのプローブ針の接触による衝撃等のプローブ検査の影響が、ボンディング領域5に完全に及ばなくなり、ボンディングする際に十分な強度でのボンディングを行うことができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
上述した第1の実施形態では、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、ボンディング領域5のみを入出力回路2の上方に配置している。以下に説明する第2の実施形態では、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッド全体を入出力回路2の上方に配置する。
図4A、図4Bは、本発明の第2の実施形態による半導体装置の構成例を示す図であり、半導体装置が形成される半導体チップ1の外周部分の一部を示している。なお、この図4A、図4Bにおいて、図1A、図1Bに示した構成要素等と同一の機能を有する構成要素等には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図4Aは、第2の実施形態による半導体装置の上面を模式的に示している。図4Aに示すように入出力回路2は半導体チップ1の外周部に配置され、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、パッド全体と入出力回路2とが基板法線方向から見て重なるように入出力回路2上方のエッジ6側に配置される。
図4Bは、図4AにおけるII−II間の断面を模式的に示している。
図4Bに示すように、パッドのプロービング領域4とボンディング領域5とはパッド積層数が異なり、プロービング領域4は、最上層である第1配線層L1に形成した第1パッドと、その1つ下層の第2配線層L2に形成した第2パッドとからなり、第1パッドと第2パッドはビア部7により電気的に接続されている。
また、ボンディング領域5は、第1配線層L1に形成した第1パッドからなる。プロービング領域4の第1パッドとボンディング領域5の第1パッドは、電気的に接続されており、例えば一つの金属膜で構成される。プロービング領域4の第1及び第2のパッド、ボンディング領域5の第1パッドは、例えばアルミ層で構成され、ビア部7は例えばタングステンで構成される。
入出力回路2は、ビア部7により電気的に接続された、第2配線層L2に形成した金属配線層と、その1つ下層の第3配線層L3に形成した金属配線層とを含み形成される。
ここで、プロービング領域4の第1及び第2のパッドと、ボンディング領域5の第1パッドが、入出力回路2を構成する金属配線層の上方に形成される。また、プロービング領域4の第2のパッドは、入出力回路2を構成する第3配線層L3に形成した金属配線層とビア部7により電気的に接続されている。なお、第2配線層L2に形成したプロービング領域4の第2パッドと、同一の配線層L2に形成した入出力回路2を構成する金属配線層とは絶縁膜を介して電気的に絶縁されている。
以上、説明したように第2の実施形態によれば、上述した第1の実施形態で得られる効果に加え、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッド全体を入出力回路2の上方に配置することで、チップ面積をさらに小さくすることができる。
ここで、第2の実施形態では、第1の実施形態と比較してパッドの下方に形成された回路を含めてパッド部分の総配線層数が1層増加するが、パッドの下方に形成される回路の層数やコストに応じて、第1の実施形態と第2の実施形態とを適切に使い分ければ良い。
なお、上述した説明では、プロービング領域4とボンディング領域5とからなるパッドは、パッド全体が入出力回路2の上方に位置するとともに、プロービング領域4をエッジ6側にして配置しているが、図5に示すようにボンディング領域5をエッジ6側にして配置するようにしても良い。
なお、上記第1及び第2の実施形態では、プロービング領域4の配線層数が1層で、ボンディング領域5の配線層数が2層の場合を一例として示したが、本発明はこれに限らず、ボンディング領域5の配線層数がプロービング領域4の配線層数よりも少なければ良く、プロービング領域4及びボンディング領域5の配線層数はそれぞれ任意である。また、プロービング領域4及びボンディング領域5からなるパッドの形状も一例であり、例えばボンディングの方法に応じて適宜変形しても良い。
また、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
以上、説明したように本発明によれば、電気的に接続されるとともに、配線層数が互いに異なる第1の領域と第2の領域とからなるパッドを、入出力回路の上方に配置することで、パッドピッチが縮小されてもチップ面積の増大を抑制することができる。したがって、パッドピッチが縮小されても、チップ規模が増大するのを抑制して、カンチレバーを利用したプローブ検査を行うことができ、製造コストを従来と比較して低減することができる。
Claims (12)
- 入出力回路を備えた半導体装置であって、
電気的に接続されるとともに、配線層数が互いに異なる第1の領域と第2の領域とからなるパッドを有し、
上記パッドを上記入出力回路の上方に配置することを特徴とする半導体装置。 - 上記パッドの一部を上記入出力回路の上方に配置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記パッドが、上記入出力回路よりも上記半導体装置が形成される半導体チップのエッジ側に配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 上記入出力回路が、上記パッドよりも上記半導体装置が形成される半導体チップのエッジ側に配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 上記パッドの第1の領域を上記入出力回路の上方に配置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記パッドの第1の領域の配線層数は、上記パッドの第2の領域の配線層数より少ないことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 上記パッドの第1の領域は1つの層に形成され、上記パッドの第2の領域は上記第1の領域が形成される層及びその1つ下層の層に形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 上記パッドの第1の領域はボンディングを行うための領域であり、上記第2の領域は検査を行うための領域であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 上記パッドの第2の領域と上記入出力回路とがそれぞれ形成される層のうち、少なくとも1層が同じであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 上記パッドのカバー膜の開口領域が、上記第1及び第2の領域に対して共通であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記パッドのカバー膜の開口領域が、上記第1及び第2の領域に対してそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記パッド全体を上記入出力回路の上方に配置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2003/004617 WO2004093191A1 (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004093191A1 true JPWO2004093191A1 (ja) | 2006-07-06 |
Family
ID=33193199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004570849A Pending JPWO2004093191A1 (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060022691A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2004093191A1 (ja) |
TW (1) | TWI221527B (ja) |
WO (1) | WO2004093191A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4717523B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2011-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5120868B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2013-01-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2009084100A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6215755B2 (ja) | 2014-04-14 | 2017-10-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6476000B2 (ja) * | 2015-02-17 | 2019-02-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5554940A (en) * | 1994-07-05 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Bumped semiconductor device and method for probing the same |
JPH1140754A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH11307601A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2001284394A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
US6429532B1 (en) * | 2000-05-09 | 2002-08-06 | United Microelectronics Corp. | Pad design |
JP3818826B2 (ja) * | 2000-05-18 | 2006-09-06 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
JP2002076075A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JP3523189B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2004-04-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6534853B2 (en) * | 2001-06-05 | 2003-03-18 | Chipmos Technologies Inc. | Semiconductor wafer designed to avoid probed marks while testing |
US6844631B2 (en) * | 2002-03-13 | 2005-01-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device having a bond pad and method therefor |
JP3724464B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2005-12-07 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
US6717270B1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-04-06 | Motorola, Inc. | Integrated circuit die I/O cells |
-
2003
- 2003-04-11 JP JP2004570849A patent/JPWO2004093191A1/ja active Pending
- 2003-04-11 TW TW092108420A patent/TWI221527B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-11 WO PCT/JP2003/004617 patent/WO2004093191A1/ja active Application Filing
-
2005
- 2005-10-04 US US11/242,082 patent/US20060022691A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI221527B (en) | 2004-10-01 |
US20060022691A1 (en) | 2006-02-02 |
TW200420887A (en) | 2004-10-16 |
WO2004093191A1 (ja) | 2004-10-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091117 |