JPWO2004085383A1 - 2−シアノ−3−ヒドロキシ−n−(4−トリフルオロメチルフェニル)ヘプタ−2−エン−6−インアミドの製造法およびその結晶多形の製造法 - Google Patents

2−シアノ−3−ヒドロキシ−n−(4−トリフルオロメチルフェニル)ヘプタ−2−エン−6−インアミドの製造法およびその結晶多形の製造法 Download PDF

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Abstract

化合物(II)を、化合物(III)またはそのカルボキシ基における反応性誘導体と反応させ、得られる化合物(IV)を、化合物(V)の混合酸無水物と反応させて化合物(I)を製造する。化合物(I)を再結晶する際に、再結晶の温度および/または結晶析出時間を制御することにより化合物(I)のA形結晶、B形結晶およびC形結晶を選択的に製造する。

Description

本発明は、式(I):
Figure 2004085383
で表わされる、免疫抑制活性を有する2−シアノ−3−ヒドロキシ−N−(4−トリフルオロメチルフェニル)ヘプタ−2−エン−6−インアミド(以下、「化合物(I)」という)の新規な製造方法、およびその結晶多形の製造方法に関する。
より具体的には、本発明は、免疫抑制活性を有する化合物(I)の新規な製造方法、化合物(I)のA形結晶、B形結晶およびC形結晶からなる結晶多形の選択的製造方法に関する。
化合物(I)は、リウマチ様関節炎ならびに免疫性または非免疫性の慢性炎症性疾患、例えば、移植片対宿主病、移植における反応、ブドウ膜炎など、ならびに癌の治療において有用であり、その製造法は特開平5−310672号公報(特許文献1)に記載されている。
化合物(I)は、上記の特許文献1の製造例14に具体的に記載されているが、この化合物の結晶多形およびそれらの選択的製造方法は報告されていない。
特許文献1に記載の化合物(I)の製造方法では、極めて引火性が高いn−ブチルリチウムが、原料化合物に対して3当量も用いられており、しかも反応温度を−78℃にコントロールする必要があるなど、工業的な規模での製造に適していないという問題があった。
また、安全かつ有効な薬剤を製造するためには、薬剤の物理的特性の均一性が不可欠である。同じ化合物であっても結晶形が異なると、異なった物理的特性をもつ場合がある。結晶形の制御、すなわち単一の結晶形を安定的に作ることができなければ、得られた薬剤の品質はバッチごとに不規則に変化することになる。したがって、均一の物理的特性を有する物質を製造すること、すなわち結晶形の制御は薬剤の品質管理にとって極めて重要な課題となる。
本発明は、上記の問題および課題を解決すべくなされたものであり、さらに化合物(I)に結晶多形が存在することを見出したことに基づいている。したがって、本発明は、工業的な規模での製造に適した化合物(I)の製造方法および該化合物(I)の結晶多形の選択的製造方法を提供するものである。
本発明者らは、上記のような問題のない、化合物(I)の製造方法を確立すべく鋭意研究した結果、式:
Figure 2004085383
で表される化合物(IV)に、式:
Figure 2004085383
で表される化合物(V)の混合酸無水物を反応させることにより、上記のような問題を解消できることを見出し、本発明を完成した。
さらに、本発明者らは、化合物(I)の精製方法の研究過程で、化合物(I)を再結晶する際の温度を制御することにより、化合物(I)のA形結晶、B形結晶およびC形結晶が選択的に得られることを見出し、本発明を完成した。
本発明によれば、式:
Figure 2004085383
で表される化合物(II)を、式:
Figure 2004085383
で表わされるカルボン酸(III)またはそのカルボキシ基における反応性誘導体と反応させて、式:
Figure 2004085383
で表される化合物(IV)を得、この化合物を、式:
Figure 2004085383
で表される化合物(V)の混合酸無水物と反応させて、式(I):
Figure 2004085383
で表される化合物(I)を得ることからなる化合物(I)の製造方法が提供される。
さらに、本発明によれば、化合物(I)を再結晶する際に、再結晶の温度を制御することにより、化合物(I)のA形結晶、B形結晶およびC形結晶をそれぞれ選択的に得ることからなる、化合物(I)のA形結晶、B形結晶およびC形結晶の選択的製造方法が提供される。
図1は、化合物(I)のA形結晶のIRスペクトルである。
図2は、化合物(I)のB形結晶のIRスペクトルである。
図3は、化合物(I)のC形結晶のIRスペクトルである。
図4は、化合物(I)のA形結晶のDSC吸熱試験による測定結果である。
図5は、化合物(I)のB形結晶のDSC吸熱試験による測定結果である。
図6は、化合物(I)のC形結晶のDSC吸熱試験による測定結果である。
図7は、化合物(I)のA形結晶のX線回折図である。
図8は、化合物(I)のB形結晶のX線回折図である。
図9は、化合物(I)のC形結晶のX線回折図である。
上記の製造方法を反応式で示すと、次のとおりである。
Figure 2004085383
上記の製造方法を以下に説明する。
第1工程:
第1工程の反応は、化合物(II)に化合物(III)またはそのカルボキシ基における反応性誘導体を反応させることにより行なわれる。
化合物(III)のカルボキシ基における反応性誘導体としては、酸ハライド、酸アジド、酸無水物、混合酸無水物、活性アミド、活性エステルなどが挙げられる。
そのような反応性誘導体の具体的な例としては、酸ハライド;酸アジド;対称型酸無水物;置換されたリン酸(例えば、ジアルキルリン酸、フェニルリン酸、ジフェニルリン酸、ジベンジルリン酸もしくはハロゲン化リン酸)、ジアルキル亜リン酸、亜硫酸、チオ硫酸、硫酸、スルホン酸(例えばメタンスルホン酸)、脂肪族カルボン酸(例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ピバル酸、ペンタン酸、イソペンタン酸、2−エチル酪酸またはトリクロロ酢酸)または芳香族カルボン酸(例えば、安息香酸)のような酸との非対称型酸無水物;クロロ炭酸(低級)アルキルまたはクロロ炭酸シクロアルキルなどとから調製される混合酸無水物;イミダゾール、4−置換イミダゾール、ジメチルピラゾール、トリアゾールもしくはテトラゾールとの活性アミド;活性エステル(例えば、シアノメチルエステル、メトキシメチルエステル、ジメチルイミノメチル((CH=CH−)エステル、ビニルエステル、プロパルギルエステル、p−ニトロフェニルエステル、2,4−ジニトロフェニルエステル、トリクロロフェニルエステル、ペンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエステル、フェニルアゾフェニルエステル、フェニルチオエステル、p−ニトロフェニルチオエステル、p−クレジルチオエステル、カルボキシメチルチオエステル、ピラニルエステル、ピリジルエステル、ピペリジルエステルもしくは8−キノリルチオエステル);またはN−ヒドロキシ化合物(例えば、N,N−ジメチルヒドロキシルアミン、1−ヒドロキシ−2−(1H)−ピリドン、N−ヒドロキシスクシンイミド、N−ヒドロキシフタルイミドもしくは1−ヒドロキシ−1H−ベンゾトリアゾール)とのエステルなどが挙げられる。
上記の反応性誘導体は、いずれも常法により得ることができる。
第1工程の反応は、通常、冷却下〜加温下に溶媒中で行われる。
この反応で用いられる溶媒としては、酢酸エチルなどのエステル類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびジオキサンなどのエーテル類、アセトン、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミドおよびピリジンなどの非プロトン性極性溶媒、1,2−ジクロロエタン、クロロホルムおよびクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類、ヘキサン、ベンゼンおよびトルエンなどの飽和もしくは不飽和炭化水素類など、またはこれらの溶媒の混液が挙げられる。
この第1工程の反応において、化合物(III)を遊離酸の形態で用いるときは、例えばN,N’−ジシクロヘキシルカルボジイミド、N−シクロヘキシル−N’−モルホリノエチルカルボジイミド、N−シクロヘキシル−N’−(4−ジエチルアミノシクロヘキシル)カルボジイミド、N,N’−ジエチルカルボジイミド、N,N’−ジイソプロピルカルボジイミド、N−エチル−N’−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド、N,N’−カルボニルビス−(2−メチルイミダゾール)、ペンタメチレンケテン−N−シクロヘキシルイミン、ジフェニルケテン−N−シクロヘキシルイミン、エトキシアセチレン、1−アルコキシ−1−クロロエチレン、トリアルキルホスファイト、エチルポリホスフェート、イソプロピルポリホスフェート、オキシ塩化リン(ホスホリルクロライド)、三塩化リン、ジフェニルホスホリルアジド、塩化チオニル、塩化オキサリル、低級アルキルハロホルメート(例えば、エチルクロロホルメート、イソプロピルクロロホルメートなど)、トリフェニルホスフィン、2−エチル−7−ヒドロキシベンズイソオキサゾリウム塩、2−エチル−5−(m−スルホフェニル)−イソオキサゾリウムヒドロキシド分子内塩、ベンゾトリアゾール−1−イルオキシ−トリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、1−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシ)−6−クロロ−1H−ベンゾトリアゾールなどの通常の縮合剤の存在下、あるいはN,N−ジメチルホルムアミドと塩化チオニル、ホスゲン、トリクロロメチルクロロホルメート、オキシ塩化リンなどとの反応により得られるいわゆるフィルスマイヤー試薬の存在下に反応を行うのが好ましい。
また、化合物(III)を遊離酸の形態で用いるとき、この反応は無機酸、有機酸およびルイス酸のような酸の存在下に行なうこともできる。
無機酸としては、硫酸、塩酸などが挙げられ、有機酸としてはp−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、スルホサリチル酸などが挙げられ、ルイス酸としては塩化アルミニウム、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、四塩化スズ、四塩化チタン、イットリウムトリフラート、スカンチウムトリフラートなどが挙げられるが、特に好ましいのはp−トルエンスルホン酸である。
酸の存在下における反応は、通常、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの水と混和しない非極性溶媒中、加熱下に、反応の進行とともに生成する水を反応系外に除きながら行うか、あるいはモレキュラーシーブのような脱水剤の存在下に反応を行うのが好ましい。
さらに、この反応は、炭酸水素アルカリ金属、炭酸アルカり金属および水酸化アルカリ金属のような無機塩基またはトリ(低級)アルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アルキルモルホリン、N,N−ジ(低級)アルキルアミノピリジン、N,N−ジ(低級)アルキルアニリンおよびN,N−ジ(低級)アルキルベンジルアミンなどのような有機塩基の存在下に行ってもよい。
上記のようにして得られる化合物(IV)は、常法により単離、精製できるが、特に単離、精製しないで次の第2工程の反応に用いてもよい。
第2工程:
第2工程の反応は、上記で得られる化合物(IV)に化合物(V)の混合酸無水物を溶媒中で反応させることにより行なわれる。
化合物(V)の混合酸無水物としてはクロロ炭酸(低級)アルキルまたはクロロ炭酸シクロアルキルとの混合酸無水物が好ましい。クロロ炭酸(低級)アルキルとしては、クロロ炭酸メチル、クロロ炭酸エチル、クロロ炭酸−n−プロピル、クロロ炭酸イソプロピル、クロロ炭酸−n−ブチル、クロロ炭酸−s−ブチル、クロロ炭酸−t−ブチル、クロロ炭酸イソアミルなどが挙げられ、クロロ炭酸シクロアルキルとしては、クロロ炭酸シクロペンチル、クロロ炭酸シクロヘキシルなどが挙げられる。また、これらのクロロ化物が臭化物、フッ化物、ヨウ化物に代わったものも用いられ得る。
化合物(V)の混合酸無水物の調製は、通常、無機塩基または有機塩基の存在下に、有機溶媒中、冷却下〜加温下で行われる。無機塩基、有機塩基および有機溶媒としては、前記の第1工程で例示されたものが挙げられる。
このようにして得られる化合物(V)の混合酸無水物は、常法により単離、精製できるが、単離、精製せずにそのまま化合物(IV)との反応に用いることもできる。
第2工程の反応は、前記の第1工程と同様に、通常、冷却下〜加温下に溶媒中で行われる。
このようにして得られる化合物(I)は、常法により単離、精製できるが、再結晶により精製するのが好ましい。
再結晶溶媒としては、メタノール、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピルなどのエステル類、アセトニトリルなどのニトリル類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類ならびに水と混和し得る上記の溶媒と貧溶媒としての水との混合溶媒、および上記の溶媒と貧溶媒としてのn−ペンタン、シクロペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタンまたはシクロヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類またはジイソプロピルエーテルとの混合溶媒などが挙げられる。
また、本発明によれば、以下に説明するように、化合物(I)を再結晶する際に、再結晶の温度および/または結晶析出時間を制御することにより、化合物(I)のA形結晶、B形結晶およびC形結晶をそれぞれ選択的に得ることができる。
すなわち、化合物(I)の結晶を溶媒に溶解し、この溶液を撹拌下に約55℃〜95℃に保持し、必要に応じて貧溶媒を添加したのち、析出する結晶をろ取することにより、図1のIR(KBr)スペクトル、図4のDSC吸熱曲線および図7のX線回折図を示し、X線回折の2θにおいて約6.7、約13.4、約21.5°に特徴的なピークを有することを特徴とする、化合物(I)のA形結晶を得ることができる。
また、化合物(I)の結晶を溶媒に溶解し、この溶液を撹拌下に約20℃〜約45℃、好ましくは約30℃〜約40℃で保持し、必要に応じて貧溶媒を添加したのち、析出する結晶をろ取することにより、図2のIR(KBr)スペクトル、図5のDSC吸熱曲線および図8のX線回折図を示し、X線回折の2θにおいて約6.2、約12.5、約20.8°に特徴的なピークを有することを特徴とする、化合物(I)のB形結晶を得ることができる。
さらに、化合物(I)を溶媒に溶解し、この溶液を撹拌下に約0℃から約15℃で保持し、必要に応じて貧溶媒を添加したのち、析出する結晶をろ取することにより、図3のIR(KBr)スペクトル、図6のDSC吸熱曲線および図9のX線回折図を示し、X線回折の2θにおいて約6.2、約12.4、約20.2°に特徴的なピークを有することを特徴とする、化合物(I)のC形結晶を得ることができる。
なお、上記の方法において貧溶媒が添加されるのは、結晶が析出しにくいときまたは結晶化を促進させる必要がある場合である。
しかしながら、本発明の結晶多形の選択的製造方法では、結晶化の温度制御が重要であるので、通常の再結晶よりも、むしろ、化合物(I)を溶媒に溶解し、上記のいずれかの温度に保持しつつ、貧溶媒を加え、目的とする結晶形を選択的に得るのが好ましい。
上記のA形結晶、B形結晶またはC形結晶の製造で用いられる溶媒としては、前記の化合物(I)の再結晶溶媒として挙げられた溶媒を用いることができるが、収率などの点から溶媒としてメタノール、イソプロピルアルコールのようなアルコール類またはアセトンおよびこれらの溶媒と貧溶媒として水との組合せまたは溶媒として酢酸エチルと貧溶媒としてn−ヘプタンとの組合せが特に好ましい。
上記のA形結晶は、約55〜約95℃の温度範囲で結晶化を行うことによって製造される。
より具体的には、化合物(I)の粗結晶からA形結晶を得るために、例えば再結晶溶媒としてメタノールを用いる場合は、化合物(I)に対して0.8〜80倍量(w/w)のメタノールと、貧溶媒としての水をメタノールに対して0.5〜50倍量(v/v)用いることができる。
再結晶溶媒としてアセトンを用いる場合は、化合物(I)に対して0.6〜40倍量(w/w)のアセトンを用い、貧溶媒としての水をアセトンに対して0.7〜10倍量(v/v)用いることができる。
再結晶溶媒として酢酸エチルを用いる場合は、化合物(I)に対して2.5〜10倍量(w/w)の酢酸エチルと、貧溶媒としてのn−ヘプタンを酢酸エチルに対して2〜50倍量(v/v)用いることができる。
次に、上記のB形結晶は、約20〜約45℃、好ましくは約30〜約40℃の温度範囲で結晶化することによって製造できる。
より具体的には、化合物(I)の粗結晶からB形結晶を得るために、例えば再結晶溶媒としてメタノールを用いる場合は、化合物(I)に対して40〜160倍量(w/w)のメタノールと、貧溶媒としての水をメタノールに対して0.2〜10倍量(v/v)用いることができる。
再結晶溶媒としてアセトンを用いる場合は、化合物(I)に対して3.5〜60倍量(w/w)のアセトンを用い、貧溶媒としての水をアセトンに対して0.2〜5倍量(v/v)用いることができる。
再結晶溶媒として酢酸エチルを用いる場合は、化合物(I)に対して4.5〜18倍量(w/w)の酢酸エチルと、貧溶媒としてのn−ヘプタンを酢酸エチルに対して3〜20倍量(v/v)用いることができる。
さらに、上記のC形結晶は、約0〜約15℃の温度範囲で結晶化を行うことによって製造することができる。
より具体的には、化合物(I)の粗結晶からC形結晶を得るために、例えば再結晶溶媒としてメタノールを用いる場合は、化合物(I)に対して80〜400倍量(w/w)のメタノールと、貧溶媒としての水をメタノールに対して0.1〜5倍量(v/v)用いることができる。
再結晶溶媒としてアセトンを用いる場合は、化合物(I)に対して7〜80倍量(w/w)のアセトンを用い、貧溶媒としての水をアセトンに対して0.1〜5倍量(v/v)用いることができる。
再結晶溶媒として酢酸エチルを用いる場合は、化合物(I)に対して10〜45倍量(w/w)の酢酸エチルと、貧溶媒としてのn−ヘプタンを酢酸エチルに対して0.1〜5倍量(v/v)用いることができる。
また、上記のようにして得られる化合物(I)のA形結晶、B形結晶またはC形結晶を溶媒中に懸濁し、加熱下に撹拌する際に、加熱温度を制御することより、化合物(I)のA形結晶、B形結晶およびC形結晶をそれぞれ他の結晶形に選択的に変換することもできる。
すなわち、化合物(I)のB形結晶もしくはC形結晶またはそれらの混合物を溶媒に懸濁し、この懸濁液を撹拌下に約55℃〜95℃に保持したのち、懸濁液から結晶をろ取することにより、化合物(I)のA形結晶を得ることもできる。
また、化合物(I)のA形結晶を溶媒に懸濁し、この懸濁液を撹拌下に約20℃〜45℃に保持したのち、懸濁液から結晶をろ取することにより、化合物(I)のB形結晶を得ることもできる。
上記の結晶多形間の相互変換で用いられる溶媒としては、前記の化合物(I)の再結晶溶媒として挙げられた溶媒を用いることができるが、収率などの点から溶媒としてメタノール、イソプロピルアルコールのようなアルコール類またはアセトンおよびこれらの溶媒と貧溶媒としての水との組合せ、または溶媒としての酢酸エチルと貧溶媒としてのn−ヘプタンとの組合せが特に好ましい。
なお、上記の結晶多形間の相互変換に必要な所定の温度での撹拌時間は、特に限定されないが、通常、約5時間〜約72時間程度で十分である。
より具体的には、例えば化合物(I)のB形結晶もしくはC形結晶またはそれらの混合物からA形結晶に変換するためには、例えばメタノールまたは酢酸エチルを用いることができる。すなわち、溶媒としてメタノールを用いる場合は、化合物(I)のB形結晶もしくはC形結晶またはそれらの混合物に対して8〜80倍量(w/w)のメタノールを用い、貧溶媒としての水をメタノールに対して0.5〜50倍量(v/v)用いることができる。
また、酢酸エチルを用いる場合には、化合物(I)のB形結晶もしくはC形結晶またはそれらの混合物に対して2.5〜10倍量(w/w)の酢酸エチルを用い、貧溶媒としてのn−ヘプタンを酢酸エチルに対して2〜50倍量(v/v)用いることができる。
次に、例えば化合物(I)のA形結晶からB形結晶を得るためには、例えばメタノールまたは酢酸エチルを用いることができる。すなわち、溶媒としてメタノールを用いる場合、化合物(I)のA形結晶に対して40〜160倍量(w/w)のメタノールと、貧溶媒としての水をメタノールに対して0.2〜10倍量(v/v)用いることができる。
また、酢酸エチルを用いる場合には、化合物(I)のA形結晶に対して4.5〜18倍量(w/w)の酢酸エチルと、貧溶媒としてのn−ヘプタンを酢酸エチルに対して3〜20倍量(v/v)用いることができる。
なお、本明細書中の温度に関して用いられている用語「約」は、示された温度の±2℃を意味する。
また、本明細書中で用いられる用語「(低級)アルキル」は、(C〜C)アルキルを意味する。
化合物(I)の各結晶形の安定性を、DSC吸熱試験による測定結果に基づいて検討したところ、これら結晶多形の安定性は、B形結晶>C形結晶>A形結晶の順に安定であることが判明した。
以下の実施例は本発明をより詳細に説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
4−トリフルオロメチルシアノアセトアニリド(化合物(IV))の製造
窒素雰囲気下、室温で撹拌下に、シアノ酢酸63.4kgをテトラヒドロフラン700Lに溶解した。この溶液を0〜10℃に冷却した後、同温度で撹拌下にN−メチルモルホリンを約1時間に亘り滴下し、次いで4−トリフルオロメチルアニンリン100.0kgを滴下した。この反応混合物に、同温度で撹拌下にクロロ炭酸イソプロピル91.3kgを1時間に亘り滴下した後、さらに1〜2時間撹拌を継続した。
反応終了後、反応混合物に水200Lを加え、撹拌後静置して分液した。有機層(上層)を16.7%食塩水で洗浄後、イソプロピルアルコール400Lを加え、液量が400Lになるまで減圧濃縮した。この濃縮液に、イソプロピルアルコール400Lを加えて、液量が400Lになるまで再度減圧濃縮した。
この濃縮液に、20〜30℃で撹拌下に、イソプロピルアルコール100Lを加え、次いで水500Lを約1時間に亘り滴下し、同温度でさらに1時間撹拌を継続した。この混合物を、撹拌下に0〜10℃に冷却し、同温度で1時間撹拌した。析出した結晶をろ取し、乾燥して、標記の化合物(IV)134.5kgを収率95.0%で得た。
化合物(IV)から2−シアノ−3−ヒドロキシ−N−(4−トリフルオロメチルフェニル)ヘプタ−2−エン−6−インアミド(化合物(I))の製造
窒素雰囲気下、室温で撹拌下に、4−ペンチン酸61.9kgをアセトン420Lに溶解した。この溶液を10〜15℃に冷却し、撹拌下に炭酸カリウム174.4kgを加えた。この混合物を40〜45℃に加熱し、同温度で撹拌下に、さらに実施例1で得られた化合物(IV)120kgのアセトン(540L)溶液を加え、次いでクロロ炭酸イソプロピル64.5kgを約1時間に亘り滴下し、滴下終了後、同温度でさらに30分間撹拌した。
この反応液に、10〜45℃で撹拌下に水840Lに加え、次いで17.5%塩酸溶液(水90Lと濃塩酸90Lとの混液)を20〜35℃で30分間に亘り滴下した。析出物が溶解した後、同温度でさらに30分間撹拌した。
次いで、この溶液に、同温度で撹拌下に、17.5%塩酸溶液(水45Lと濃塩酸45Lとの混液)を1時間に亘り滴下し、35〜45℃に加熱し、同温度で約1時間撹拌を維持した。この混合物を20〜30℃まで冷却し、同温度で約2時間維持した。この混合物に、さらに17.5%塩酸溶液(水45Lと濃塩酸45Lとの混液)を20〜35℃で1時間に亘り滴下し、35〜45℃に加熱し、同温度で約1時間撹拌し、さらに20〜30℃で約2時間維持した。析出した結晶をろ取し、標記の化合物(I)136.2kgを収率84.0%で得た。
H NMR(CDCl、200MHz)δ:2.07(t、J=2.7Hz、1H)、2.64(dt、J=2.7および7.0Hz、2H)、2.88(t、J=7.0Hz、2H)、7.65(s、4H)、7.77(br.s、1H)、15.59(br.s、1H)。
IR(ATR法)(cm−1);3311、2217、1627、1626、1589、1554、1415、1321、1263、1243、1160、1113、1072、841、658。
化合物(IV)から2−シアノ−3−ヒドロキシ−N−(4−トリフルオロメチルフェニル)ヘプタ−2−エン−6−インアミド(化合物(I))の製造
窒素雰囲気下、25〜30℃で撹拌下に、実施例1で得られた化合物(IV)87.0kgおよび4−ペンチン酸56.1kgを、テトラヒドロフラン618.7kgに溶解した。この溶液に、同温度で撹拌下に、粉砕した炭酸カリウム158.1kgを加えた。この混合物に、35〜50℃で撹拌下に、クロロ炭酸イソプロピル93.5kgおよびテトラヒドロフラン77.3kgの混液を、2時間に亘り滴下した。滴下終了後、反応混合物を同温度でさらに2時間撹拌した。反応終了後、反応混合物にトルエン677.3kgを加え、10〜15℃に冷却した。この反応混合物に、塩酸207.1kgおよび水783Lの混液を、反応混合物の温度を25℃以下に維持しながら撹拌下に滴下した。滴下終了後さらに5分間撹拌し、撹拌を停止して静置した。2層に分離した後、分液し、上層に16.7%食塩水435Lを加え、室温で5分間撹拌し、撹拌を停止して静置した。2層に分離した後、分液し、上層を減圧濃縮し、435Lの濃縮物を得た。この濃縮物にトルエン376.3kgを加え、再度減圧濃縮して435Lの濃縮物を得た。この濃縮物に、液温を40℃以下に保ちながらトルエン376.3kgを加え、次いで20〜30℃で1時間撹拌し、さらに0〜10℃で1時間撹拌して、同温度で2時間静置した。析出した結晶をろ取し、トルエン150.5kg、50%イソプロピルアルコール水溶液174Lおよび水174Lで順次洗浄し、真空中40℃で乾燥した。標記の化合物(I)の粗結晶98.7kgを得た。収率84.0%。
本化合物のHNMRスペクトルおよびIRスペクトルを測定したところ、実施例2で得られた化合物のそれらと完全に一致した。
2−シアノ−3−ヒドロキシ−N−(4−トリフルオロメチルフェニル)ヘプタ−2−エン−6−インアミド(化合物(I))の製造
窒素雰囲気下、室温で撹拌下に、シアン酢酸33.3kgをアセトン420Lに溶解した。この溶液に、0〜10℃で撹拌下に、N−メチルモルホリン39.6kgを約1時間に亘り滴下し、次いで4−トリフルオロメチルアニリン60.0kgを滴下した。さらにこの溶液に、同温度で撹拌下にクロロ炭酸イソプロピル52.5kgを1時間に亘り滴下した後、同温度で1〜2時間撹拌して化合物(IV)を含む反応生成物を得た。
窒素雰囲気下、25〜30℃で撹拌下に、4−ペンチン酸43.8kgをアセトン780Lに溶解した。この溶液に、同温度で撹拌下に、粉砕した炭酸カリウム221.3kg、上記で得られた化合物(IV)を含む生成物およびクロロ炭酸イソプロピル68.5kgを加えた後、温度を40℃〜55℃に保持して1〜2時間撹拌した。
反応終了後、反応混合物に水1200Lを撹拌下に加え、20〜35℃に冷却した。この反応混合物に、塩酸214.2kgおよび水180Lの混液を、反応混合物の温度を20〜30℃に維持しながら撹拌下に滴下した。滴下終了後、この反応混合物に、さらに塩酸107.1kgおよび水90Lの混液を20〜35℃に維持しながら、撹拌下に滴下した。次いで反応混合物の温度を35〜45℃に維持しながら1時間撹拌した後、20〜30℃でさらに1時間撹拌した。析出した結晶をろ取し、70%アセトン水溶液180Lおよび30%アセトン水溶液300Lで順次洗浄した。化合物(I)のウェット粗結晶126kgを得た。
このウェット結晶の一部を乾燥して、HNMRスペクトルおよびIRスペクトルを測定したところ、実施例2で得られた化合物(I)のそれらと完全に一致した。
化合物(I)のA形結晶の製造
5−1
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをアセトン50mLに溶解した。この溶液を撹拌下に55℃に加熱し、同温度で水50mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶4.35gを収率87.0%で得た。
このA形結晶は、DSC吸熱試験において175℃で吸熱反応を示し、さらにX線回折の2θにおいて6.7、13.4、21.5°に特徴的なピークを示した。本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図をそれぞれ図1、図4および図7に示す。
IRKBr(cm−1);3310,2220,1634,1592,1556,1417,1329,1159,1118,1071,958,844,658,648。
5−2
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをアセトン50mLに溶解した。この溶液を撹拌下に57℃に加熱還流した。次いで、同温度で水50mLを約1時間に亘り滴下しながら、60℃まで加熱した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶4.12gを収率82.4%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、上記の実施例5−1で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
5−3
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをアセトン50mLに溶解した。この溶液を撹拌下に57℃に加熱還流した。次いで、同温度で水50mLを約1時間に亘り滴下しながら、65℃まで加熱した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶3.99gを収率79.8%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、上記の実施例5−1で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
5−4
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶16gをシクロヘキサン320mLに懸濁し、この懸濁液を撹拌下に75℃〜沸点の間の温度で2時間加熱撹拌した。結晶をろ取し、シクロヘキサン32mLで洗浄し、減圧乾燥して、化合物(I)のA形結晶15.2gを収率95.0%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例5−1で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
5−5
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶3gを酢酸エチル20mLに40℃で加熱下に溶解した。この溶液を撹拌下に60℃に加熱し、次いで、同温度でn−ヘプタン200mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶1.20gを収率40%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、上記の実施例5−1で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
5−6
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをメタノール500mLに溶解した。この溶液を撹拌下に60℃に加熱し、次いで、同温度で水500mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶2.79gを収率55.8%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、上記の実施例5−1で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
化合物(I)のB形結晶の製造
6−1
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶10.0gをイソプロピルアルコール300mLに加え、78℃に加熱して溶解した。この溶液を撹拌下に25℃まで冷却した後、同温度(22〜25℃)で19時間撹拌を継続した。析出した結晶を同温度でろ取し、イソプロピルアルコール120mLで洗浄し、減圧乾燥して、化合物(I)のB形結晶8.87gを得た。収率88.7%。
このB形結晶は、DSC吸熱試験において92および175℃で吸熱反応を示し、さらにX線回折の2θにおいて6.2、12.5、20.8°に特徴的なピークを示した。本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図をそれぞれ図2、図5および図8に示す。
IRKBr(cm−1);3311,2217,1635,1614,1594,1418,1399,1322,1269,1163,1125,1116,1073,1020,970,843,666,659,592,525。
6−2
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをアセトン50mLに溶解した。この溶液を撹拌下に25℃で保持し、同温度で水50mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶4.71gを収率94.2%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6−1で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
6−3
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをアセトン50mLに溶解した。この溶液を撹拌下に30℃で保持し、同温度で水50mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶4.69gを収率93.8%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6−1で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
6−4
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをアセトン50mLに溶解した。この溶液を撹拌下に35℃で保持し、同温度で水50mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶4.64gを収率92.8%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6−1で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
6−5
実施例4で得られた化合物(I)のウェット粗結晶126kgをアセトン900Lに加え、室温で撹拌して溶解した。この溶液に、30〜40℃で撹拌下に、水900Lを1時間に亘り滴下した。次いでこの混合物を同温度で1時間撹拌し、20〜30℃に冷却した。析出した結晶をろ取し、50%アセトン水溶液120Lで洗浄し、真空中40℃で乾燥し、化合物(I)のB形結晶86.1kgを収率75.0%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
H NMR(CDCl、200MHz)δ:2.07(t、J=2.7Hz、1H)、2.64(dt、J=2.7および7.0Hz、2H)、2.88(t、J=7.0Hz、2H)、7.65(s、4H)、7.77(br.s、1H)、15.59(br.s、1H)。
IR(ATR法)(cm−1);3311、2217、1627、1626、1589、1554、1415、1321、1263、1243、1160、1113、1072、841、658。
6−6
実施例3で得られた化合物(I)の粗結晶135.5kgを、室温で撹拌下にアセトン1084Lに溶解し、ろ過して、残渣をアセトン271Lで洗浄して、ろ液と洗液を合わせた。この溶液に、30〜40℃で撹拌下に、水1355Lを約1時間に亘り滴下した。次いで混合物を同温度で1時間撹拌した後、20〜30℃に冷却した。析出した結晶をろ取し、50%アセトン水溶液270Lで洗浄し、40℃で真空乾燥し、化合物(I)のB形結晶125.4kgを得た。収率92.5%。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
6−7
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶3gを酢酸エチル30mLに溶解した。この溶液を撹拌下に30℃で保持し、次いで、同温度でn−ヘプタン120mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶1.88gを収率62.7%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、上記の実施例6−1で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
6−8
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをメタノール500mLに溶解した。この溶液を撹拌下に30℃で保持し、次いで、同温度で水500mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶4.23gを収率84.6%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、上記の実施例6−1で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
化合物(I)のC形結晶の製造
7−1
実施例2で得られた粗結晶10gを、室温で撹拌下にアセトン100mLに溶解した。この溶液に、14〜15℃で撹拌下に水100mLを滴下した後、同温度(15℃)でさらに2時間撹拌を継続した。析出した結晶を同温度でろ取し、アセトン−水の混液20mLで洗浄し、減圧乾燥して、化合物(I)のC形結晶9.35gを得た。収率93.5%。
このC形結晶は、DSC吸熱試験において88および174.5℃で吸熱反応を示し、さらにX線回折の2θにおいて6.2、12.4、20.2°に特徴的なピークを示した。本結晶のIR(KBr)スペクトル、X線回折図およびDSC吸熱曲線をそれぞれ図3、図6におよび図9に示す。
IRKBr(cm−1);3309,2221,1590,1554,1417,1388,1328,1162,1118,1072,1018,847,664,647。
7−2
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをアセトン60mLに溶解した。この溶液を撹拌下に5℃で保持し、同温度で水60mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のC形結晶4.86gを収率97.2%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例7−1で得られた化合物(I)のC形結晶のそれらと完全に一致した。
7−3
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶5gをアセトン50mLに溶解した。この溶液を撹拌下に10℃で保持し、同温度で水50mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のC形結晶4.84gを収率96.8%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例7−1で得られた化合物(I)のC形結晶のそれらと完全に一致した。
7−4
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶3gを酢酸エチル50mLに溶解した。この溶液を撹拌下に5℃で保持し、同温度でn−ヘプタン200mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のC形結晶2.10gを収率70.0%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例7−1で得られた化合物(I)のC形結晶のそれらと完全に一致した。
7−5
実施例2で得られた化合物(I)の粗結晶4gをメタノール1000mLに溶解した。この溶液を撹拌下に5℃で保持し、同温度で水1000mLを約1時間に亘り滴下した。滴下終了後、この混合物を同温度で更に1時間撹拌し、析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のC形結晶3.23gを収率80.8%で得た。
この結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例7−1で得られた化合物(I)のC形結晶のそれらと完全に一致した。
化合物(I)のB形結晶からA形結晶の製造
8−1
実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶50gをn−ヘプタン600mLに懸濁し、88℃に加熱し、同温度で約5時間撹拌を継続した。次いで、撹拌下に45℃まで冷却し、同温度で、約3時間撹拌を維持した。同温度で析出した結晶をろ取し、n−ヘプタン50mLで洗浄し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶48.7gを収率97.4%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
8−2
実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶20gを50%アセトン水溶液400mLに懸濁した。この懸濁液を撹拌下に65℃に加熱し、同温度で5時間撹拌を継続した。この懸濁液を同温度でろ過し、結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶15.96gを収率79.8%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
8−3
実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶30gをシクロヘキサン600mLに懸濁した。この懸濁液を撹拌下に72℃に加熱し、同温度で5時間撹拌を継続した。この懸濁液を同温度でろ過し、結晶をろ取し、シクロヘキサン150mLで洗浄し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶27.52gを収率91.7%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
8−4
実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶3gを酢酸エチル20mLとn−ヘプタン200mLとの混液に懸濁し、60℃に加熱し、同温度で約5時間撹拌を継続した。次いで、同温度で析出した結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶1.18gを収率39.3%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
化合物(I)のC形結晶からA形結晶の製造
9−1
実施例7で得られた化合物(I)のC形結晶10gを50%アセトン水溶液200mLに懸濁した。この懸濁液を撹拌下に65℃に加熱し、同温度で5時間撹拌を継続した。この懸濁液を同温度でろ過し、結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶7.98gを収率79.8%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
9−2
実施例7で得られた化合物(I)のC形結晶5gを50%メタノール水溶液100mLに懸濁した。この懸濁液を撹拌下に60℃に加熱し、同温度で15時間撹拌を継続した。この懸濁液を同温度でろ過し、結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のA形結晶3.91gを収率78.2%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶のそれらと完全に一致した。
化合物(I)のA形結晶からB形結晶の製造
10−1
実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶10gを50%アセトン水溶液100mLに懸濁した。この懸濁液を撹拌下に31℃で保持し、同温度で15時間撹拌を継続した。この懸濁液を同温度でろ過し、結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶9.38gを収率93.8%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
10−2
実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶3gをイソプロピルアルコール100mLに懸濁した。この懸濁液を撹拌下に31℃で保持し、同温度で15時間撹拌を継続した。この懸濁液を同温度でろ過し、結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶2.78gを収率92.7%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
10−3
実施例5で得られた化合物(I)のA形結晶3gを酢酸エチル30mLとn−ヘプタン120mLとの混液に懸濁した。この懸濁液を撹拌下に30℃で保持し、同温度で15時間撹拌を継続した。この懸濁液を同温度でろ過し、結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶1.80gを収率60.0%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
化合物(I)のC形結晶からB形結晶の製造
11−1
実施例7で得られた化合物(I)のC形結晶5gを50%アセトン水溶液100mLに懸濁した。この懸濁液を撹拌下に65℃に加熱し、同温度で5時間撹拌を継続した後、30℃に冷却し、同温度で約15時間撹拌した。この懸濁液をろ過し、結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶4.69gを収率93.8%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
11−2
実施例7で得られた化合物(I)のC形結晶3gを酢酸エチル20mLとn−ヘプタン200mLとの混液に懸濁した。この懸濁液を撹拌下に60℃に加熱し、同温度で約5時間撹拌を継続した後、30℃に冷却し、同温度で約5時間撹拌を継続した。この懸濁液をろ過し、結晶をろ取し、40℃で真空乾燥して、化合物(I)のB形結晶2.18gを収率72.6%で得た。
本結晶のIR(KBr)スペクトル、DSC吸熱曲線およびX線回折図は、実施例6で得られた化合物(I)のB形結晶のそれらと完全に一致した。
本発明は、化合物(I)の製造法おいて、活性化試薬として用いられるクロロ炭酸エステル類が、反応後にアルコール類と二酸化炭素に分解されるため、いわゆる産業廃棄物は殆ど発生しないという特長を有している。さらに、本発明による化合物(I)の製造法は、過酷な反応条件を必要としないため、汎用設備を用いることができ、従来の化合物(I)の製造法に比べて、工業的規模での化合物(I)の生産に、より適している。
さらに、本発明によれば、例えば化合物(I)を再結晶する際に、再結晶の温度および/または結晶析出時間の制御により化合物(I)のA形結晶、B形結晶およびC形結晶を選択的に効率良く製造できる。

Claims (16)

  1. 式:
    Figure 2004085383
    で表される化合物(IV)を、式:
    Figure 2004085383
    で表される化合物(V)の混合酸無水物と反応させて、式:
    Figure 2004085383
    で表される化合物(I)を得ることを特徴とする化合物(I)の製造方法。
  2. 式:
    Figure 2004085383
    で表される化合物(II)を、式:
    Figure 2004085383
    で表わされるカルボン酸(III)またはそのカルボキシ基における反応性誘導体と反応させて、式:
    Figure 2004085383
    で表される化合物(IV)を得、この化合物を式:
    Figure 2004085383
    で表される化合物(V)の混合酸無水物と反応させて、式:
    Figure 2004085383
    で表される化合物(I)を得ることを特徴とする化合物(I)の製造方法。
  3. 化合物(V)の混合酸無水物が、クロロ炭酸(低級)アルキルとの混合酸無水物である、請求項1または2に記載の方法。
  4. 請求項1または2に記載の化合物(I)を溶媒に溶解し、この溶液を撹拌下に約55℃〜約95℃で保持し、必要に応じ貧溶媒を添加したのち、析出する結晶を得ることを特徴とする化合物(I)のA形結晶の製造方法。
  5. 請求項1または2に記載の化合物(I)を溶媒に溶解し、この溶液を撹拌下に約20℃〜約45℃で保持し、必要に応じ貧溶媒を添加したのち、析出する結晶を得ることを特徴とする、化合物(I)のB形結晶の製造方法。
  6. 請求項1または2に記載の化合物(I)を溶媒に溶解し、この溶液を撹拌下に約0℃〜約15℃で保持し、必要に応じ貧溶媒を添加したのち、析出する結晶を得ることを特徴とする、化合物(I)のC形結晶の製造方法。
  7. 貧溶媒が、n−ペンタン、シクロペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタンもしくはシクロヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエンもしくはキシレンなどの芳香族炭化水素類、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類または水から選択される請求項4〜6のいずれかに記載の方法。
  8. 溶液を約30℃〜約40℃で保持することを特徴とする請求項5に記載の方法。
  9. 溶媒がアセトンであり、貧溶媒として水を添加する請求項4〜6および8のいずれかに記載の方法。
  10. 溶媒がメタノールであり、貧溶媒として水を添加する請求項4〜6および8のいずれかに記載の方法。
  11. 溶媒が酢酸エチルであり、貧溶媒としてn−ヘプタンを添加する請求項4〜6および8のいずれかに記載の方法。
  12. 溶媒がイソプロピルアルコールであり、貧溶媒を添加しない請求項5に記載の方法。
  13. 請求項5または6に記載の化合物(I)のB形結晶もしくはC形結晶またはそれらの混合物を溶媒に懸濁し、この懸濁液を約55℃〜約95℃で撹拌することを特徴とする、化合物(I)のB形結晶もしくはC形結晶またはそれらの混合物からA形結晶への変換方法。
  14. 請求項4に記載の化合物(I)のA形結晶を溶媒に懸濁し、この懸濁液を約20℃〜約45℃で撹拌することを特徴とする化合物(I)のA形結晶からB形結晶への変換方法。
  15. 溶媒が水性アセトン、水性メタノール、イソプロピルアルコール、シクロヘキサン、n−ヘプタンまたは酢酸エチルとn−ヘプタンとの混液である請求項13または14に記載の方法。
  16. 撹拌時間が約5時間〜約72時間である請求項15に記載の方法。
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