WO2004085383A1 - 2-シアノ-3-ヒドロキシ-n-(4-トリフルオロメチルフェニル)ヘプタ-2-エン-6-インアミドの製造法およびその結晶多形の製造法 - Google Patents

2-シアノ-3-ヒドロキシ-n-(4-トリフルオロメチルフェニル)ヘプタ-2-エン-6-インアミドの製造法およびその結晶多形の製造法 Download PDF

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stirring
crystals
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Hiroki Omori
Ariyoshi Kubota
Takeshi Kawakami
Yosuke Fujii
Ikuo Matsumoto
Masato Kitayama
Shunsuke Goto
Satoshi Hirabayashi
Original Assignee
Astellas Pharma Inc.
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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C253/00Preparation of carboxylic acid nitriles
    • C07C253/30Preparation of carboxylic acid nitriles by reactions not involving the formation of cyano groups

Definitions

  • the present invention provides a compound of formula (I):
  • the present invention provides a novel method for producing compound (I) having immunosuppressive activity, and a selective method for crystal polymorph comprising compound A, form B and form C crystals of compound (I).
  • a novel method for producing compound (I) having immunosuppressive activity and a selective method for crystal polymorph comprising compound A, form B and form C crystals of compound (I).
  • a selective method for crystal polymorph comprising compound A, form B and form C crystals of compound (I).
  • Compound (I) is useful in the treatment of rheumatoid arthritis and chronic inflammatory diseases, immune or non-immune, such as graft-versus-host disease, reactions in transplantation, uveitis, etc., and cancer.
  • the method is described in JP-A-5-310672 (Patent Document 1).
  • the uniformity of the physical properties of a drug is essential for producing safe and effective drugs.
  • Different crystalline forms of the same compound may have different physical properties. If the crystal form cannot be controlled, ie, a single crystal form cannot be stably formed, the quality of the drug obtained will vary irregularly from batch to batch. Therefore, producing a substance with uniform physical properties, that is, controlling the crystal form, is a very important issue for quality control of drugs.
  • the present invention has been made to solve the above problems and problems, and is further based on the finding that compound (I) has a polymorph. Therefore, the present invention provides a method for producing compound (I) suitable for production on an industrial scale and a method for selectively producing a crystalline polymorph of compound (I).
  • a method for producing a compound (I) comprising obtaining a compound (I) represented by the formula: Further, according to the present invention, by controlling the recrystallization temperature when recrystallizing the compound (I), the A-form crystal, the B-form crystal and the C-form crystal of the compound (I) can be selected individually.
  • a process for the selective production of Form A, Form B and Form C crystals of compound (I), comprising the steps of: BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1 shows an IR spectrum of a form crystal of the compound (I).
  • FIG. 2 is an IR spectrum of Form 8 crystal of compound (I).
  • FIG. 3 is an IR spectrum of a square crystal of the compound (I).
  • FIG. 4 shows the results of a DSC endothermic test of the A-form crystal of compound (I).
  • Fig. 5 shows the results of the DSC endothermic test of the B-form crystal of compound (I).
  • Fig. 6 shows the results of the compound (I).
  • FIG. 7 is an X-ray diffraction diagram of an octagonal crystal of compound (I), which is a measurement result of a C-type crystal of the compound by DSC endothermic test.
  • FIG. 8 is an X-ray diffraction diagram of Form 8 crystal of compound (I).
  • FIG. 9 is an X-ray diffraction pattern of a ⁇ 3 type crystal of the compound (: I).
  • the reaction of the first step is carried out by reacting compound (I 1) with compound (1 I I) or a reactive derivative at the carboxy group thereof.
  • Examples of the reactive derivative at the carboxy group of the compound (III) include an acid halide, an acid azide, an acid anhydride, a mixed acid anhydride, an active amide, an active ester, and the like.
  • reactive derivatives include: acid halides; acid azides; symmetric acid anhydrides; substituted phosphoric acids (eg, dialkyl phosphoric acid, phenyl phosphoric acid, diphenyl phosphoric acid, dibenzyl phosphoric acid, or halogens).
  • substituted phosphoric acids eg, dialkyl phosphoric acid, phenyl phosphoric acid, diphenyl phosphoric acid, dibenzyl phosphoric acid, or halogens.
  • Phosphoric acid dialkyl phosphorous acid, sulfurous acid, thiosulfuric acid, sulfuric acid, sulfonic acid (for example, methanesulfonic acid), aliphatic carboxylic acid (for example, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, pipelaric acid, sulfuric acid)
  • Asymmetric acid anhydrides with acids such as acetic acid, isopenic acid, 2-ethylbutyric acid or trichloroacetic acid) or aromatic carboxylic acids (eg, benzoic acid);
  • Any of the above reactive derivatives can be obtained by a conventional method.
  • the reaction of the first step is usually performed in a solvent under cooling to heating.
  • Solvents used in this reaction include esters such as ethyl acetate, ethers such as tetrahydrofuran, geethylether and dioxane, aprotic polar solvents such as acetone, acetonitrile, ⁇ , ⁇ -dimethylformamide and pyridine. , 1,2-dichloroethane, halogenated hydrocarbons such as chloroform and benzene, saturated or unsaturated hydrocarbons such as hexane, benzene and toluene, and mixtures of these solvents.
  • compound (III) when compound (III) is used in the form of a free acid, for example, ⁇ , ⁇ , -dicyclohexylcarbodiimide, ⁇ -cyclohexyl- ⁇ , -morpholinoethyl Carbodiimide, ⁇ -cyclohexyl- ⁇ ,-(4-getylaminocyclohexyl) carbodiimide, ⁇ , ⁇ , -jetyl carbodiimide, ⁇ , ⁇ , -di To propyl carbodiimide, N-ethyl-N '-(3-dimethylaminopropyl) carbodiimide, ⁇ , ⁇ , -carbonylbis- (2-methylimidazole), pentamethylene ketene- ⁇ -cyclo Xylimine, diphenylketene- ⁇ -cyclohexylimin, ethoxyacetylene, 1-alkoxy-1-cycloethylene, trialky
  • the reaction is preferably performed in the presence of the Vilsmeier reagent.
  • this reaction can also be carried out in the presence of an acid such as an inorganic acid, an organic acid and a Lewis acid.
  • Examples of the inorganic acid include sulfuric acid and hydrochloric acid
  • examples of the organic acid include ⁇ -toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, and sulfosalicylic acid.
  • boron trifluoride getyl ether complex, tin tetrachloride, titanium tetrachloride, yttrium triflate, scantium triflate and the like.
  • Particularly preferred is di-toluenesulfonic acid.
  • Reactions in the presence of acids usually involve, for example, benzene, toluene, xylene.
  • the reaction is carried out in a non-polar solvent such as lorobenzene, which is immiscible with water, while heating and removing water generated as the reaction proceeds outside the reaction system, or in the presence of a dehydrating agent such as molecular sieve. Is preferably performed.
  • this reaction involves the use of inorganic bases such as alkali metal bicarbonates, alkali metal carbonates and alkali metal hydroxides or tri (lower) alkylamines, pyridine, N- (lower) alkylmorpholines, N, N-di (lower)
  • inorganic bases such as alkali metal bicarbonates, alkali metal carbonates and alkali metal hydroxides or tri (lower) alkylamines, pyridine, N- (lower) alkylmorpholines, N, N-di (lower)
  • any organic base such as alkylaminopyridine, N, N-di (lower) alkylaniline and N, N-di (lower) alkylbenzylamine.
  • the reaction in the second step is carried out by reacting the compound (IV) obtained above with a mixed acid anhydride of the compound (V) in a solvent.
  • a mixed acid anhydride with (lower) alkyl carbonate or cycloalkyl cyclocarbonate is preferable.
  • (lower) alkyl carbonate include methyl methyl carbonate, ethyl methyl carbonate, n-propyl carbonate, isopropyl carbonate, n-butyl carbonate, and s-butyl carbonate.
  • Examples of carbonic acid-1-butyl and isoamyl carbonate include cycloalkyl carbonates such as cyclopentyl carbonate and cyclohexyl carbonate. In addition, those in which these chromates are replaced with bromide, fluoride, and iodide may be used.
  • the mixed acid anhydride of the compound (V) is usually prepared in the presence of an inorganic base or an organic base in an organic solvent under cooling to heating.
  • examples of the inorganic base, the organic base, and the organic solvent include those exemplified in the first step.
  • the mixed acid anhydride of compound (V) thus obtained is isolated and purified by a conventional method. Can be used for the reaction with compound (IV) without isolation or purification
  • the reaction in the second step is usually performed in a solvent under cooling to heating, as in the first step.
  • the compound (I) thus obtained can be isolated and purified by a conventional method, but is preferably purified by recrystallization.
  • Recrystallization solvents include alcohols such as methanol, ethanol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol and t-butyl alcohol; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; methyl acetate; acetic acid Ethyl, esters such as isopropyl acetate, nitriles such as acetonitrile, ethers such as tetrahydrofuran and dioxane, and a mixed solvent of the above solvent miscible with water and water as a poor solvent, and a mixture of the above solvent and poor solvent Aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, cyclopentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane or cycloheptane as solvents, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene or diisoprovire And a mixed solvent
  • the recrystallizing compound (I) when recrystallizing compound (I), controlling the recrystallization temperature and / or the crystallization time allows the A-form crystal of compound (I) Form B crystals and Form C crystals can be selectively obtained. That is, the crystals of compound (I) are dissolved in a solvent, and this solution is kept under stirring at about 55 ° C .; up to 95 ° C., and if necessary, a poor solvent is added. By filtration, the IR (KBr) spectrum of FIG. 1, the DSC endothermic curve of FIG. 4, and the X-ray diffraction pattern of FIG. 7 are shown. Form A crystal of compound (I) having a characteristic peak at about 21.5 ° can be obtained.
  • the compound (I) crystals are dissolved in a solvent, and the solution is kept under stirring at about 20 ° C to about 45 ° C, preferably at about 30 ° C to about 40 ° C. After the poor solvent was added, the precipitated crystals were collected by filtration to give the IR (KBr) spectrum in Fig. 2, the DSC endothermic curve in Fig. 5, and the X-ray diffraction pattern in Fig. 8.
  • Form B of compound (I) can be obtained, which has characteristic peaks at about 6.2, about 12.5, and about 20.8 ° in FIG.
  • Fig. 3 shows the IR (KBr) spectrum in Fig. 3, the DSC endothermic curve in Fig. 6, and the X-ray diffraction pattern in Fig. 9.The X-ray diffraction at 20 was approximately 6.2, 12.4, and 20.2 °. It is possible to obtain a C-type crystal of compound (I) characterized by having a peak. In the above method, the poor solvent is added when crystals are difficult to precipitate or crystallization must be promoted. If there is.
  • the solvents mentioned as the recrystallization solvent for the compound (I) can be used, but from the viewpoint of yield and the like.
  • Particularly preferred are alcohols such as methanol and isopropyl alcohol or acetone as a solvent and a combination of these solvents with water as a poor solvent or a combination of ethyl acetate as a solvent and n-heptane as a poor solvent.
  • Form A above is produced by crystallization in a temperature range of about 55 to about 95 ° C.
  • Form A crystals from crude crystals of Compound (I), for example,
  • methanol is used as the crystallization solvent
  • 0.8 to 80 times the amount of methanol (w / w) to the compound (I) and 0.5 to 50 times the amount of water as the poor solvent to methanol are used.
  • Amount (v / v) can be used.
  • the Form B crystal can be produced by crystallization in a temperature range of about 20 to about 45 ° C; preferably about 30 to about 40 ° C.
  • a B-type crystal from the crude crystal of the compound (I) for example, when methanol is used as a recrystallization solvent, 40 to 160 times the amount of the compound (I) ( (w / w) methanol and water as a poor solvent can be used in an amount of 0.2 to 10 times (v / v) methanol.
  • ethyl acetate When ethyl acetate is used as the recrystallization solvent, 4.5 to 18 times (w / w) of ethyl acetate to the compound (I) and n-heptane as the poor solvent are added to the ethyl acetate for 3 to 3 times. Up to 20 times (v / v) can be used.
  • the above-mentioned C ⁇ crystals can be produced by performing crystallization in a temperature range of about 0 to about 15 ° C.
  • the amount is 80 to 400 times the amount of the compound (I) ( (w / w) methanol and 0.1 to 5 times the volume of methanol as a poor solvent (v / v) can be used.
  • ethyl acetate When ethyl acetate is used as the recrystallization solvent, 10 to 45 times (w / w) of ethyl acetate with respect to the compound (I) and n-heptane as the poor solvent are added to the ethyl acetate at a concentration of 0.1 to 45 times. 1 to 5 times (v / v) can be used.
  • the compound (I) obtained by suspending the A-form, B-form or C-form crystals of the compound (I) as described above in a solvent and stirring the mixture under heating is controlled by heating the compound (I).
  • the A-form, B-form and C-form crystals of I) can be selectively converted to other crystal forms, respectively.
  • Form 8 crystal or Form C crystal of compound (I) or a mixture thereof is suspended in a solvent, and this suspension is maintained at about 55 ° C to 95 ° C with stirring, and then suspended. By filtering the crystals from the liquid, Form A crystals of compound (I) can also be obtained. Also, form A of compound (I) is suspended in a solvent, the suspension is kept at about 20 ° C to 45 ° C with stirring, and the crystals are collected by filtration from the suspension. Also, a B-type crystal of the compound (I) can be obtained.
  • the solvents listed as the solvent for recrystallizing the compound (I) can be used.
  • methanol or isopropyl is used as a solvent in terms of yield and the like.
  • Particularly preferred are alcohols such as alcohols or acetones, and combinations of these solvents with water as a poor solvent, or combinations of ethyl acetate as a solvent and n-heptane as a poor solvent.
  • the stirring time at a predetermined temperature required for the interconversion between the crystalline polymorphs is not particularly limited, but usually about 5 hours to about 72 hours is sufficient.
  • methanol or ethyl acetate can be used. That is, when methanol is used as the solvent, methanol is used in an amount of 8 to 80 times (w / w) the amount of the B-form or C-form crystals of the compound (I) or a mixture thereof, and water as the poor solvent is used. 0.5 to 5 with respect to methanol
  • ethyl acetate When using ethyl acetate, use 2.5 to 10 times (w / w) of ethyl acetate as the poor solvent with respect to the B-type crystal or C-type crystal of the compound (I) or a mixture thereof.
  • -Heptane can be used 2 to 50 times (v / v) the amount of ethyl acetate.
  • methanol or ethyl acetate can be used. That is, when methanol is used as the solvent, the amount of methanol is 40 to 160 times (w / w) the amount of the A-form crystal of compound (I), and the amount of water as the poor solvent is 0.2 to 0.2 to methanol. 10 times (v / V) can be used.
  • (lower) alkyl as used in this booklet means (Ci Cj alkyl.
  • each crystal form of compound (I) was examined based on the measurement results of the DSC endothermic test.
  • the stability of these polymorphs was stable in the order of B-type crystal> C-type crystal> A-type crystal. It turned out to be.
  • the mixture was concentrated again under reduced pressure until the liquid volume reached 400 L.
  • IR (ATR method) (cm ⁇ S S11 ⁇ 2217, 1627, 1626, 1589, 1554, 1415, 1321, 1263, 1243, 1160, 1113, 1072, 841, 658.
  • Example 2 The compound (IV) obtained in Example 1 was stirred under a nitrogen atmosphere at 25 to 30 ° C. 8
  • Example 5 was completely identical to those of the compound (I) obtained in Example 2.
  • This Form A crystal showed an endothermic reaction at 175 ° C in a DSC endothermic test, and exhibited characteristic beaks at 6.7, 13.4, and 21.5 ° in X-ray diffraction 20.
  • the IR (KBr) spectrum, DSC endothermic curve and X-ray diffraction pattern of this crystal are shown in Fig. 1, Fig. 4 and Fig. 7, respectively.
  • 5 g of crude crystals of the compound (I) obtained in Example 2 were dissolved in 5 OmL of acetone.
  • This Form B crystal shows an endothermic reaction at 92 and 175 ° C in the DSC endothermic test, and has a characteristic peak at 6.2, 12.5, and 20.8 ° in X-ray diffraction 20.
  • IR KBr (cm "1); 3311, 2217, 1635, 1614, 1594, 14 18, 1399, 1322, 1269, 1163 3 1125, 1116, 107 3 3 1020, 970, 843, 666 3 659, 592, 525.
  • IR (ATR method) (cm-l; 33 1 1, 2 217, 1 627, 16 26, 15 89, 15 54, 141 5, 1 32 1, 1 263, 1243, 1 1 60, 1 1 1 3, 1072, 841, 6 58.
  • This C-type crystal showed an endothermic reaction at 88 and 174.5 ° C in the DSC endothermic test, and showed characteristic peaks at 6.2, 12.4 and 20.2 ° in X-ray diffraction 26>.
  • the IR (KBr) spectrum, X-ray diffraction pattern and DSC endothermic curve of this crystal are shown in Fig. 3, Fig. 6 and Fig. 9, respectively.
  • IR KBr (cm " 1 ); 3309, 2221, 1590, 1554, 1417, 1388, 1328, 1162, 1118, 1072, 1018, 847, 664,
  • the present invention relates to a process for producing compound (I), wherein carbonic acid carbonates used as an activating reagent are decomposed into alcohols and carbon dioxide after the reaction, so that almost so-called industrial waste is generated. It has the feature that it does not. Furthermore, since the method for producing compound (I) according to the present invention does not require severe reaction conditions, general-purpose equipment can be used, and the method for producing compound (I) can be used on an industrial scale as compared with the conventional method for producing compound (I). More suitable for the production of compound (I).
  • the octamorphous crystal, the B-form crystal and the C-form of the compound (I) can be controlled by controlling the recrystallization temperature and / or the crystallization time. Crystals can be selectively and efficiently produced.

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Description

2-シァノ -3-ヒドロキシ -N-(4-トリフルォロメチルフエニル)ヘプ夕- 2-ェ ン -6-インアミドの製造法おょぴその結晶多形の製造法 技術分野
本発明は、 式( I ):
Figure imgf000003_0001
で表わされる、 免疫抑制活性を有する 2-シァノ -3-ヒドロキシ -N-(4-トリフ ルォロメチルフエニル)ヘプ夕- 2-ェン -6-インアミ ド(以下、 「化合物(1)」 と いう)の新規な製造方法、 およびその結晶多形の製造方法に関する。
より具体的には、 本発明は、 免疫抑制活性を有する化合物( I )の新規な製造方 法、 化合物(I)の A形結晶、 B形結晶および C形結晶からなる結晶多形の選択的 製造方法に関する。 背景技術
化合物( I )は、 リゥマチ様関節炎ならびに免疫性または非免疫性の慢性炎症性 疾患、 例えば、 移植片対宿主病、 移植における反応、 ブドウ膜炎など、 ならびに 癌の治療において有用であり、 その製造法は特開平 5- 310672号公報 (特許 文献 1)に記載されている。
化合物( I )は、 上記の特許文献 1の製造例 14に具体的に記載されているが、 この化合物の結晶多形およびそれらの選択的製造方法は報告されていない。 発明の開示
特許文献 1に記載の化合物( I )の製造方法では、 極めて引火性が高い η-プチ ルリチウムが、 原料化合物に対して 3当量も用いられており、 しかも反応温度を - 7 8 °Cにコントロールする必要があるなど、 工業的な規模での製造に適してい ないという問題があった。
また、 安全かつ有効な薬剤を製造するためには、 薬剤の物理的特性の均一性が 不可欠である。 同じ化合物であっても結晶形が異なると、 異なった物理的特性を もつ場合がある。 結晶形の制御、 すなわち単一の結晶形を安定的に作ることがで きなければ、 得られた薬剤の品質はバツチごとに不規則に変化することになる。 したがって、 均一の物理的特性を有する物質を製造すること、 すなわち結晶形の 制御は薬剤の品質管理にとって極めて重要な課題となる。 本発明は、 上記の問題および課題を解決すべくなされたものであり、 さらに化 合物( I )に結晶多形が存在することを見出したことに基づいている。 したがって 、 本発明は、 工業的な規模での製造に適した化合物( I )の製造方法および該化合 物( I )の結晶多形の選択的製造方法を提供するものである。
本発明者らは、 上記のような問題のない、 化合物(I )の製造方法を確立すべく 鋭意研究した結果、 式:
Figure imgf000004_0001
で表される化合物( I V )に、 式:
OOH (V) で表される化合物(V )の混合酸無水物を反応させることにより、 上記のような問 題を解消できることを見出し、 本発明を完成した。
さらに、 本発明者らは、 化合物(I)の精製方法の研究過程で、 化合物(I)を再 結晶する際の温度を制御することにより、 化合物(I)の A形結晶、 B形結晶およ び C形結晶が選択的に得られることを見出し、 本発明を完成した。 本発明によれば、 式:
Figure imgf000005_0001
で表される化合物( I I)を、 式:
NCT "COOH (ΙΠ) で表わされるカルボン酸( I I I )またはそのカルボキシ基における反応性誘導体 と反応させて、 式:
Figure imgf000005_0002
で表される化合物( IV)を得、 この化合物を、 式:
≡ ~< 、COOH fV) で表される化合物(V)の混合酸無水物と反応させて、 式(I):
Figure imgf000005_0003
で表される化合物( I )を得ることからなる化合物( I )の製造方法が提供される。 さらに、 本発明によれば、 化合物( I )を再結晶する際に、 再結晶の温度を制御 することにより、 化合物( I )の A形結晶、 B形結晶および C形結晶をそれそれ選 択的に得ることからなる、 化合物( I )の A形結晶、 B形結晶および C形結晶の選 択的製造方法が提供される。 図面の簡単な説明
図 1は、 化合物 ( I )の 形結晶の I Rスぺクトルである。
図 2は、 化合物 ( I )の8形結晶の I Rスぺクトルである。
図 3は、 化合物 ( I )の〇形結晶の I Rスぺクトルである。
図 4は、 化合物 ( I )の A形結晶の D S C吸熱試験による測定結果である 図 5は、 化合物 ( I )のB形結晶の D S C吸熱試験による測定結果である 図 6は、 化合物 ( I )の C形結晶の D S C吸熱試験による測定結果である 図 7は、 化合物 ( I )の八形結晶の X線回折図である。
図 8は、 化合物 ( I )の8形結晶の X線回折図である。
図 9は、 化合物 ( : I )の<3形結晶の X線回折図である。 発明を実施するための最良の形態
上記の製造方法を反応式で示すと、 次のとおりである。
Figure imgf000007_0001
(IV)
(II)
(第 1工程)
≡— ^COOH (V) 一 1 H
' の混合酸無水物 NC it 、Ί
► ο
(第 2工程) の 上記の製造方法を以下に説明する。
第 1工程:
第 1工程の反応は、 化合物( I 1 )に化合物(1 I I )またはそのカルボキシ基に おける反応性誘導体を反応させることにより行なわれる。
化合物(I I I )のカルボキシ基における反応性誘導体としては、 酸ハライド、 酸アジド、 酸無水物、 混合酸無水物、 活性アミド、 活性エステルなどが挙げられ る
そのような反応性誘導体の具体的な例としては、 酸ハライド;酸アジド;対称 型酸無水物;置換されたリン酸 (例えば、 ジアルキルリン酸、 フヱニルリン酸、 ジフエ二ルリン酸、 ジベンジルリン酸もしくはハロゲン化リン酸)、 ジアルキル 亜リン酸、 亜硫酸、 チォ硫酸、 硫酸、 スルホン酸 (例えばメタンスルホン酸)、 脂 肪族カルボン酸 (例えば、 酢酸、 プロピオン酸、 酪酸、 イソ酪酸、 ピパル酸、 ぺ ン夕ン酸、 イソペン夕ン酸、 2 -ェチル酪酸またはトリクロ口酢酸)または芳香族 カルボン酸 (例えば、 安息香酸)のような酸との非対称型酸無水物;クロ口炭酸( 低級)アルキルまたはクロ口炭酸シクロアルキルなどとから調製される混合酸無 水物;ィミダゾール、 4 -置換ィミダゾ一ル、 ジメチルピラゾ一ル、 トリァゾー ルもしくはテトラゾールとの活性アミ ド ;活性エステル(例えば、 シァノメチル エステル、 メ トキシメチルエステル、 ジメチルイミノメチル((CH3)2N+=CH-
)エステル、 ビニルエステル、 プロパルギルエステル、 p-ニトロフエニルエステ ル、 2, 4-ジニトロフエニルエステル、 トリクロ口フエニルエステル、 ペンタク ロロフェニルエステル、 メシルフェニルエステル、 フエ二ルァゾフエニルエステ ル、 フエ二ルチオエステル、 p-ニトロフエ二ルチオエステル、 p-クレジルチオ エステル、 カルボキシメチルチオエステル、 ビラニルエステル、 ピリジルエステ ル、 ピペリジルエステルもしくは 8-キノリルチオエステル); または N-ヒドロ キシ化合物(例えば、 Ν,Ν-ジメチルヒドロキシルァミン、 1-ヒドロキシ- 2-( 1H)-ピリ ドン、 Ν-ヒドロキシスクシンイミ ド、 Ν-ヒドロキシフ夕ルイミ ドも しくは 1-ヒドロキシ -1 Η-ペンゾトリアゾール)とのエステルなどが挙げられる
0
上記の反応性誘導体は、 いずれも常法により得ることができる。 第 1工程の反応は、 通常、 冷却下〜加温下に溶媒中で行われる。
この反応で用いられる溶媒としては、 酢酸ェチルなどのエステル類、 テトラヒ ドロフラン、 ジェチルェ一テルおよびジォキサンなどのエーテル類、 アセトン、 ァセトニトリル、 Ν,Ν-ジメチルホルムアミ ドおよびピリジンなどの非プロトン 性極性溶媒、 1, 2-ジクロロェタン、 クロ口ホルムおよびクロ口ベンゼンなどの ハロゲン化炭化水素類、 へキサン、 ベンゼンおよびトルエンなどの飽和もしくは 不飽和炭化水素類など、 またはこれらの溶媒の混液が挙げられる。
この第 1工程の反応において、 化合物(I I I)を遊離酸の形態で用いるときは 、 例えば Ν,Ν,-ジシクロへキシルカルボジィミ ド、 Ν-シクロへキシル -Ν,-モ ルホリノェチルカルボジィミ ド、 Ν -シクロへキシル -Ν,-( 4-ジェチルアミノシ クロへキシル)カルボジィミ ド、 Ν,Ν,-ジェチルカルボジィミ ド、 Ν,Ν,-ジィ ソプロピルカルボジイミ ド、 N-ェチル -N' -( 3 -ジメチルァミノプロピル)カル ポジイミ ド、 Ν , Ν,-カルボニルビス-( 2 -メチルイミダゾ一ル)、 ペンタメチレ ンケテン- Ν-シクロへキシルイミン、 ジフエ二ルケテン- Ν-シクロへキシルイミ ン、 ェトキシアセチレン、 1 -アルコキシ - 1 -クロ口エチレン、 トリアルキルホ スフアイ ト、 ェチルポリホスフェート、 ィソプロピルポリホスフエ一ト、 ォキシ 塩ィ匕リン(ホスホリルクロライ ド)、 三塩化リン、 ジフエニルホスホリルアジド、 塩化チォニル、 塩化ォキサリル、 低級アルキルハロホルメート(例えば、 ェチル クロ口ホルメート、 イソプロピルクロ口ホルメートなど)、 トリフエニルホスフ イン、 2 -ェチル - 7 -ヒドロキシベンズィソォキサゾリゥム塩、 2 -ェチル - 5 -( m-スルホフエニル) -イソォキサゾリゥムヒドロキシド分子内塩、 ベンゾトリア ゾール - 1 -ィルォキシ-トリス(ジメチルァミノ)ホスホニゥムへキサフルォロホ スフエ一ト、 l -( p-クロ口ベンゼンスルホ二ルォキシ)- 6 -クロ口 - 1 H-ベンゾ トリアゾ一ルなどの通常の縮合剤の存在下、 あるいは Ν , Ν-ジメチルホルムアミ ドと塩化チォニル、 ホスゲン、 トリクロロメチルクロ口ホルメート、 ォキシ塩化 リンなどとの反応により得られるいわゆるフィルスマイヤー試薬の存在下に反応 を行うのが好ましい。 また、 化合物に I I )を遊離酸の形態で用いるとき、 この反応は無機酸、 有機 酸およびルイス酸のような酸の存在下に行なうこともできる。
無機酸としては、 硫酸、 塩酸などが挙げられ、 有機酸としては Ρ-トルエンス ルホン酸、 ベンゼンスルホン酸、 メタンスルホン酸、 エタンスルホン酸、 スルホ サリチル酸などが挙げられ、 ルイス酸としては塩ィ匕アルミニウム、 三フッ化ホウ 素ジェチルエーテル錯体、 四塩化スズ、 四塩化チタン、 イットリウムトリフラー ト、 スカンチウムトリフラ一トなどが挙げられるが、 特に好ましいのは Ρ -トル エンスルホン酸である。
酸の存在下における反応は、 通常、 例えばベンゼン、 トルエン、 キシレン、 ク ロロベンゼンなどの水と混和しない非極性溶媒中、 加熱下に、 反応の進行ととも に生成する水を反応系外に除きながら行うか、 あるいはモレキュラーシ一ブのよ うな脱水剤の存在下に反応を行うのが好ましい。
さらに、 この反応は、 炭酸水素アルカリ金属、 炭酸アルカリ金属および水酸化 アル力リ金属のような無機塩基またはトリ(低級)アルキルァミン、 ピリジン、 N- (低級)アルキルモルホリン、 N,N-ジ(低級)アルキルアミノビリジン、 N , N -ジ(低級)アルキルァニリンおよび N, N -ジ(低級 )アルキルベンジルァミンな どのような有機塩基の存在下に行ってもよい。
上記のようにして得られる化合物( I V)は、 常法により単離、 精製できるが、 特に単離、 精製しないで次の第 2工程の反応に用いてもよい。 第 2工程:
第 2工程の反応は、 上記で得られる化合物( I V )に化合物(V )の混合酸無水物 を溶媒中で反応させることにより行なわれる。
化合物(V )の混合酸無水物としてはクロ口炭酸 (低級)アルキルまたはクロ口炭 酸シクロアルキルとの混合酸無水物が好ましい。 クロ口炭酸 (低級)アルキルとし ては、 クロ口炭酸メチル、 クロ口炭酸ェチル、 クロ口炭酸- n-プロピル、 クロ口 炭酸イソプロピル、 クロ口炭酸- n-プチル、 クロ口炭酸- s -プチル、 クロ口炭 酸- 1 -プチル、 クロ口炭酸イソァミルなどが挙げられ、 クロ口炭酸シクロアルキ ルとしては、 クロ口炭酸シクロペンチル、 クロ口炭酸シクロへキシルなどが挙げ られる。 また、 これらのクロ口化物が臭化物、 フッ化物、 ヨウ化物に代わったも のも用いられ得る。
化合物(V )の混合酸無水物の調製は、 通常、 無機塩基または有機塩基の存在下 に、 有機溶媒中、 冷却下〜加温下で行われる。 無機塩基、 有機塩基および有機溶 媒としては、 前記の第 1工程で例示されたものが挙げられる。
このようにして得られる化合物(V)の混合酸無水物は、 常法により単離、 精製 できるが、 単離、 精製せずにそのまま化合物(I V )との反応に用いることもでき る
第 2工程の反応は、 前記の第 1工程と同様に、 通常、 冷却下〜加温下に溶媒中 で行われる。
このようにして得られる化合物( I )は、 常法により単離、 精製できるが、 再結 晶により精製するのが好ましい。
再結晶溶媒としては、 メタノール、 エタノール、 n -プロピルアルコール、 ィ ソプロピルアルコール、 n -ブチルアルコール、 t-ブチルアルコールなどのアル コール類、 アセトン、 メチルェチルケトンなどのケトン類、 酢酸メチル、 酢酸ェ チル、 酢酸ィソプロビルなどのエステル類、 ァセトニトリルなどの二トリル類、 テトラヒドロフラン、 ジォキサンなどのエーテル類ならびに水と混和し得る上記 の溶媒と貧溶媒としての水との混合溶媒、 および上記の溶媒と貧溶媒としての n -ペンタン、 シクロペンタン、 n-へキサン、 シクロへキサン、 n -ヘプタンま たはシクロヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、 ベンゼン、 トルエン、 キシレンな どの芳香族炭化水素類またはジィソプロビルェ一テルとの混合溶媒などが挙げら れる。 また、 本発明によれば、 以下に説明するように、 化合物(I )を再結晶する際に 、 再結晶の温度および/または結晶析出時間を制御することにより、 化合物(I ) の A形結晶、 B形結晶および C形結晶をそれそれ選択的に得ることができる。 すなわち、 化合物(I )の結晶を溶媒に溶解し、 この溶液を撹拌下に約 5 5 °C;〜 9 5 °Cに保持し、 必要に応じて貧溶媒を添加したのち、 析出する結晶をろ取する ことにより、 図 1の I R ( K B r )スペクトル、 図 4の D S C吸熱曲線および図 7 の X線回折図を示し、 X線回折の 2 Θにおいて約 6 . 7、 約 1 3 . 4、 約 2 1 . 5 ° に特徴的なピークを有することを特徴とする、 化合物(I )の A形結晶を得るこ とができる。 また、 化合物( I )の結晶を溶媒に溶解し、 この溶液を撹拌下に約 20°C〜約 4 5°C、 好ましくは約 30°C〜約 40°Cで保持し、 必要に応じて貧溶媒を添加した のち、 析出する結晶をろ取することにより、 図 2の I R(KB r )スぺクトル、 図 5の D S C吸熱曲線および図 8の X線回折図を示し、 X線回折の 2 Θにおいて約 6.2、 約 12.5、 約 20.8° に特徴的なピークを有することを特徴とする、 化合物( I )の B形結晶を得ることができる。
さらに、 化合物( I)を溶媒に溶解し、 この溶液を撹拌下に約 0°Cから約 15°C で保持し、 必要に応じて貧溶媒を添加したのち、 析出する結晶をろ取することに より、 図 3の I R(KB r)スペクトル、 図 6の D S C吸熱曲線および図 9の X線 回折図を示し、 X線回折の 20において約 6.2、 約 12.4、 約 20.2° に特 徴的なピークを有することを特徴とする、 化合物( I)の C形結晶を得ることがで なお、 上記の方法において貧溶媒が添加されるのは、 結晶が析出しにくいとき または結晶化を促進させる必要がある場合である。
しかしながら、 本発明の結晶多形の選択的製造方法では、 結晶化の温度制御が 重要であるので、 通常の再結晶よりも、 むしろ、 化合物(I)を溶媒に溶解し、 上 記のいずれかの温度に保持しつつ、 貧溶媒を加え、 目的とする結晶形を選択的に 得るのが好ましい。
上記の A形結晶、 B形結晶または C形結晶の製造で用いられる溶媒としては、 前記の化合物( I )の再結晶溶媒として挙げられた溶媒を用いることができるが、 収率などの点から溶媒としてメ夕ノール、 イソプロピルアルコールのようなアル コール類またはアセトンおよびこれらの溶媒と貧溶媒として水との組合せまたは 溶媒として酢酸ェチルと貧溶媒として n-ヘプタンとの組合せが特に好ましい。 上記の A形結晶は、 約 55〜約 95 °Cの温度範囲で結晶化を行うことによって 製造される。
より具体的には、 化合物(I )の粗結晶から A形結晶を得るために、 例えば再結 晶溶媒としてメタノールを用いる場合は、 化合物( I )に対して 0 . 8〜 8 0倍量( w/w)のメタノールと、 貧溶媒としての水をメタノールに対して 0 . 5〜 5 0倍 量(v/v )用いることができる。
再結晶溶媒としてァセトンを用いる場合は、 化合物(I )に対して 0 . 6 ~ 4 0 倍量(w/w)のアセトンを用い、 貧溶媒としての水をアセトンに対して 0 . 7〜 1 0倍量( v/v )用いることができる。
再結晶溶媒として酢酸ェチルを用いる場合は、 化合物( I )に対して 2 . 5〜 1 0倍量( w/w)の酢酸ェチルと、 貧溶媒としての n-ヘプ夕ンを酢酸ェチルに対し て 2〜5 0倍量(v/v )用いることができる。
次に、 上記の B形結晶は、 約 2 0〜約 4 5 °C;、 好ましくは約 3 0〜約 4 0 °Cの 温度範囲で結晶化することによって製造できる。
より具体的には、 化合物(I )の粗結晶から B形結晶を得るために、 例えば再結 晶溶媒としてメタノールを用いる場合は、 化合物(I )に対して 4 0〜1 6 0倍量 (w/w)のメタノールと、 貧溶媒としての水をメタノールに対して 0 . 2〜 1 0倍 量(v/v )用いることができる。
再結晶溶媒としてァセトンを用いる場合は、 化合物( I )に対して 3 . 5〜6 0 倍量(w/w)のァセトンを用い、 貧溶媒としての水をァセトンに対して 0 . 2〜5 倍量( v/v )用いることができる。
再結晶溶媒として酢酸ェチルを用いる場合は、 化合物( I )に対して 4 . 5〜 1 8倍量(w/w)の酢酸ェチルと、 貧溶媒としての n-ヘプタンを酢酸ェチルに対し て 3〜2 0倍量(v/v )用いることができる。
さらに、 上記の C ^結晶は、 約 0〜約 1 5 °Cの温度範囲で結晶化を行うことに よって製造することができる。
より具体的には、 化合物(I )の粗結晶から C形結晶を得るために、 例えば再結 晶溶媒としてメタノールを用いる場合は、 化合物( I )に対して 8 0〜4 0 0倍量 (w/w)のメタノールと、 貧溶媒としての水をメタノールに対して 0 . 1〜5倍量 ( v/v )用いることができる。
再結晶溶媒としてアセトンを用いる場合は、 化合物( I )に対して 7〜 8 0倍量 (w/w)のァセトンを用い、 貧溶媒としての水をァセトンに対して 0 . 1〜5倍量 ( v / v )用いることができる。
再結晶溶媒として酢酸ェチルを用いる場合は、 化合物( I )に対して 1 0〜4 5 倍量(w/w)の酢酸ェチルと、 貧溶媒としての n-ヘプタンを酢酸ェチルに対して 0 . 1〜 5倍量(v/v )用いることができる。
また、 上記のようにして得られる化合物( I )の A形結晶、 B形結晶または C形 結晶を溶媒中に懸濁し、 加熱下に撹拌する際に、 加熱温度を制御することより、 化合物(I )の A形結晶、 B形結晶および C形結晶をそれぞれ他の結晶形に選択的 に変換することもできる。
すなわち、 化合物( I )の8形結晶もしくは C形結晶またはそれらの混合物を溶 媒に懸濁し、 この懸濁液を撹拌下に約 5 5 °C~ 9 5 °Cに保持したのち、 懸濁液か ら結晶をろ取することにより、 化合物(I )の A形結晶を得ることもできる。 また、 化合物( I )の A形結晶を溶媒に懸濁し、 この懸濁液を撹拌下に約 2 0 °C ~ 4 5 °Cに保持したのち、 懸濁液から結晶をろ取することにより、 化合物( I )の B形結晶を得ることもできる。
上記の結晶多形間の相互変換で用いられる溶媒としては、 前記の化合物( I )の 再結晶溶媒として挙げられた溶媒を用いることができるが、 収率などの点から溶 媒としてメタノール、 イソプロピルアルコールのようなアルコール類またはァセ トンおよびこれらの溶媒と貧溶媒としての水との組合せ、 または溶媒としての酢 酸ェチルと貧溶媒としての n-ヘプタンとの組合せが特に好ましい。
なお、 上記の結晶多形間の相互変換に必要な所定の温度での撹拌時間は、 特に 限定されないが、 通常、 約 5時間〜約 7 2時間程度で十分である。
より具体的には、 例えば化合物( I )の8形結晶もしくは C形結晶またはそれら の混合物から A形結晶に変換するためには、 例えばメ夕ノールまたは酢酸ェチル を用いることができる。 すなわち、 溶媒としてメタノールを用いる場合は、 化合 物( I )の B形結晶もしくは C形結晶またはそれらの混合物に対して 8〜 80倍量 (w/w)のメタノールを用い、 貧溶媒としての水をメタノールに対して 0.5〜5
0倍量(v/v- )用いることができる。
また、 酢酸ェチルを用いる場合には、 化合物( I )の B形結晶もしくは C形結晶 またはそれらの混合物に対して 2.5〜10倍量(w/w)の酢酸ェチルを用い、 貧 溶媒としての II-ヘプタンを酢酸ェチルに対して 2〜50倍量(v/v)用いること ができる。
次に、 例えば化合物( I )の A形結晶から B形結晶を得るためには、 例えばメタ ノールまたは酢酸ェチルを用いることができる。 すなわち、 溶媒としてメタノ一 ルを用いる場合、 化合物( I )の A形結晶に対して 40〜 160倍量(w/w)のメ 夕ノールと、 貧溶媒としての水をメタノールに対して 0.2 ~ 10倍量( v/ V )用 いることができる。
また、 酢酸ェチルを用いる場合には、 化合物( I)の A形結晶に対して 4.5〜 18倍量(w/w)の酢酸ェチルと、 貧溶媒としての n-ヘプタンを酢酸ェチルに対 して 3〜20倍量(v/v)用いることができる。
なお、 本明細書中の温度に関して用いられている用語 「約」 は、 示された温度 の ± 2°Cを意味する。
また、 本明棚書中で用いられる用語 「(低級)アルキル」 は、 (Ci Cjアル キルを意味する。
化合物( I )の各結晶形の安定性を、 D S C吸熱試験による測定結果に基づいて 検討したところ、 これら結晶多形の安定性は、 B形結晶 >C形結晶 >A形結晶の 順に安定であることが判明した。
以下の実施例は本発明をより詳細に説明するためのものであり、 本発明の範囲 を限定するものではない。
実施例 実施例 1
4-トリフルォロメチルシアノアセトァニリ ド(化合物( IV))の製造
窒素雰囲気下、 室温で撹拌下に、 シァノ酢酸 63.4 kgをテトラヒドロフラ ン 700 Lに溶解した。 この溶液を 0〜10°Cに冷却した後、 同温度で撹拌下に N-メチルモルホリンを約 1時間に亘り滴下し、 次いで 4-トリフルォロメチルァ ニンリン 100.0kgを滴下した。 この反応混合物に、 同温度で撹拌下にクロ 口炭酸ィソプロピル 91.3 k gを 1時間に亘り滴下した後、 さらに 1〜 2時間 撹拌を継続した。
反応終了後、 反応混合物に水 200 Lを加え、 撹拌後静置して分液した。 有機 層(上層)を 16.7%食塩水で洗浄後、 イソプロピルアルコール 400 Lを加え
、 液量が 400 Lになるまで減圧濃縮した。 この濃縮液に、 イソプロピルアルコ
—ル 400 Lを加えて、 液量が 400 Lになるまで再度減圧濃縮した。
この濃縮液に、 20〜30°Cで撹拌下に、 イソプロピルアルコール 100 Lを 加え、 次いで水 500 Lを約 1時間に亘り滴下し、 同温度でさらに 1時間撹拌を 継続した。 この混合物を、 撹拌下に 0~10°Cに冷却し、 同温度で 1時間撹拌し た。 析出した結晶をろ取し、 乾燥して、 標記の化合物(IV)134.5kgを収 率 95.0%で得た。
実施例 2
化合物( I V)から 2-シァノ -3-ヒドロキシ- N- (4-トリフルォロメチルフエ二 ル)ヘプ夕- 2-ェン -6-ィンアミ ド(化合物( I ))の製造
窒素雰囲気下、 室温で撹拌下に、 4-ペンチン酸 61.9 kgをアセトン 420 Lに溶解した。 この溶液を 10〜15°Cに冷却し、 撹袢下に炭酸カリウム 174 .4kgを加えた。 この混合物を 40〜45。Cに加熱し、 同温度で撹拌下に、 さ らに実施例 1で得られた化合物( I V ) 120 kgのァセトン( 540 L)溶液を加 え、 次いでクロ口炭酸イソプロピル 64.5 kgを約 1時間に亘り滴下し、 滴下 終了後、 同温度でさらに 30分間撹拌した。 この反応液に、 10〜45°Cで撹拌下に水 840 Lに加え、 次いで 17.5 % 塩酸溶液 (水 90Lと濃塩酸 90Lとの混液)を 20〜35°Cで 30分間に亘り滴 下した。 析出物が溶解した後、 同温度でさらに 30分間撹拌した。
次いで、 この溶液に、 同温度で撹拌下に、 17.5 %塩酸溶液 (水 45 Lと濃塩 酸 45 Lとの混液)を 1時間に亘り滴下し、 35〜45 °Cに加熱し、 同温度で約 1時間撹拌を維持した。 この混合物を 20〜30。Cまで冷却し、 同温度で約 2時 間維持した。 この混合物に、 さらに 17.5 %塩酸溶液 (水 45 Lと濃塩酸 45 L との混液)を 20〜35°Cで 1時間に亘り滴下し、 35~45°Cに加熱し、 同温 度で約 1時間撹拌し、 さらに 20〜30°Cで約 2時間維持した。 析出した結晶を ろ取し、 標記の化合物(1)136.2 kgを収率 84.0%で得た。
NMR(CDC13、 200MHz) ^: 2.07(t, J = 2.7Hz, 1 H )、 2.64(dt、 J = 2.7および 7.0Hz、 2H)ヽ 2.88(t、 J = 7.0 Hz、 2H)ヽ 7.65(s、 4H)ヽ 7.77(br.s、 1H)ヽ 15.59(br. s、 1 H)o
IR(ATR法) (cm^ S S l l^ 2217、 1627、 1626、 158 9、 1554、 1415、 1321、 1263、 1243、 1160、 1113 、 1072、 841、 658。
実施例 3
化合物( I V)から 2-シァノ -3-ヒドロキシ- N- ( 4-トリフルォロメチルフエ二 ル)ヘプ夕- 2-ヱン -6-ィンアミド(化合物( I ))の製造
窒素雰囲気下、 25〜 30 °Cで撹拌下に、 実施例 1で得られた化合物( I V) 8
7.0 k gおよび 4-ペンチン酸 56. lkgを、 テトラヒドロフラン 618.7k gに溶解した。 この溶液に、 同温度で撹拌下に、 粉砕した炭酸カリウム 158.
1 kg、を加えた。 この混合物に、 35-50°Cで撹拌下に、 クロ口炭酸イソプロ ピル 93.5k gおよびテトラヒドロフラン 77.3k gの混液を、 2時間に亘り 滴下した。 滴下終了後、 反応混合物を同温度でさらに 2時間撹拌した。 反応終了
5 後、 反応混合物にトルエン 677.3 kgを加え、 10〜 15°Cに冷却した。 この反応混合物に、 塩酸 207.1kgおよび水 78'3Lの混液を、 反応混合物 の温度を 25 °C以下に維持しながら撹拌下に滴下した。 滴下終了後さらに 5分間 撹拌し、 撹拌を停止して静置した。 2層に分離した後、 分液し、 上層に 16.7 %食塩水 435 Lを加え、 室温で 5分間撹拌し、 撹拌を停止して静置した。 2層 に分離した後、 分液し、 上層を減圧濃縮し、 435 Lの濃縮物を得た。 この濃縮 物にトルエン 376.3 k gを加え、 再度減圧濃縮して 435 Lの濃縮物を得た この濃縮物に、 液温を 40°C以下に保ちながらトルエン 376.3 kgを加え 、 次いで 20〜30。Cで 1時間撹拌し、 さらに 0〜10°Cで 1時間撹拌して、 同 温度で 2時間静置した。 析出した結晶をろ取し、 トルエン 150.5 k g、 50 %ィソプロピルアルコール水溶液 174 Lおよび水 174 Lで順次洗浄し、 真空 中 40 °Cで乾燥した。 標記の化合物( I )の粗結晶 98.7kgを得た。 収率 84. 0%。
本化合物の1 HNMRスぺクトルおよび I Rスぺクトルを測定したところ、 実施 例 2で得られた化合物のそれらと完全に一致した。
実施例 4
2-シァノ -3-ヒドロキシ -N-(4-トリフルォロメチルフエニル)ヘプ夕- 2-ェ ン- 6-インアミ ド(化合物(1))の製造
窒素雰囲気下、 室温で撹拌下に、 シアン酢酸 33. 3kgをアセトン 420 L に溶解した。 この溶液に、 0〜10°Cで撹拌下に、 N-メチルモルホリン 39.
6 kgを約 1時間に亘り滴下し、 次いで 4-トリフルォロメチルァ二リン 60.0 kgを滴下した。 さらにこの溶液に、 同温度で撹拌下にクロ口炭酸イソプロピル
52. 5 kgを 1時間に亘り滴下した後、 同温度で 1〜 2時間撹拌して化合物 (
I V)を含む反応生成物を得た。
窒素雰囲気下、 25〜30°Cで撹拌下に、 4-ペンチン酸 43. 8kgをァセ トン 780 Lに溶解した。 この溶液に、 同温度で撹拌下に、 粉砕した炭酸力リウ
6 ム 221. 3kg、 上記で得られた化合物(IV)を含む生成物およびクロ口炭酸 イソプロピル 68. 5 kgを加えた後、 温度を 40°C〜55°Cに保持して 1〜2 時間撹拌した。
反応終了後、 反応混合物に水 1200 Lを撹拌下に加え、 20〜35。Cに冷却 した。 この反応混合物に、 塩酸 214. 2 k gおよび水 180 Lの混液を、 反応 混合物の温度を 20〜30°Cに維持しながら撹拌下に滴下した。 滴下終了後、 こ の反応混合物に、 さらに塩酸 107. Ik gおよび水 90 Lの混液を 20〜 35 °Cに維持しながら、 撹拌下に滴下した。 次いで反応混合物の温度を 35〜45°C に維持しながら 1時間撹拌した後、 20〜30°Cでさらに 1時間撹拌した。 析出 した結晶をろ取し、 70%アセトン水溶液 180 Lおよび 30%アセトン水溶液 300 Lで順次洗浄した。 化合物(I)のゥヱヅト粗結晶 126 kgを得た。 このゥェヅト結晶の一部を乾燥して、 iHNMRスぺクトルおよび I Rスぺクト ルを測定したところ、 実施例 2で得られた化合物( I )のそれらと完全に一致した 実施例 5
化合物(I)の A形結晶の製造
5一 1
実施例 2で得られた化合物(I)の粗結晶 5 gをァセトン 5 OmLに溶解した。 この溶液を撹拌下に 55°Cに加熱し、 同温度で水 5 OmLを約 1時間に亘り滴下 した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ 取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物( I)の A形結晶 4.35 gを収率 87.0% で得た。
この A形結晶は、 DSC吸熱試験において 175°Cで吸熱反応を示し、 さらに X線回折の 20において 6.7、 13.4、 21.5° に特徴的なビークを示した 。 本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図をそれそ れ図 1、 図 4および図 7に示す。 I RKBr( cm-1); 33 10, 2220, 1 634, 1 592, 1 5 56, 14 17, 1329, 1 1 5 9, 1 1 18, 107 1, 9 58, 844, 658, 6 48。 実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをァセトン 5 OmLに溶解した。 この溶液を撹拌下に 57 °Cに加熱還流した。 次いで、 同温度で水 5 OmLを約 1 時間に亘り滴下しながら、 60°Cまで加熱した。 滴下終了後、 この混合物を同温 度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物 ( I )の A形結晶 4.12 gを収率 82.4%で得た。
この結晶の IR(KB r)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 上 記の実施例 5— 1で得られた化合物( I )の八形結晶のそれらと完全に一致した。
5 - 3
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをアセトン 5 OmLに溶解した。 この溶液を撹拌下に 57°Cに加熱還流した。 次いで、 同温度で水 5 OmLを約 1 時間に亘り滴下しながら、 65 °Cまで加熱した。 滴下終了後、 この混合物を同温 度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物 ( I )の A形結晶 3.99 gを収率 79.8%で得た。
この結晶の IR(KB r)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 上 記の実施例 5― 1で得られた化合物( I )の八形結晶のそれらと完全に一致した。
5 -4
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 1 6 gをシクロへキサン 32 OmLに 懸濁し、 この懸濁液を撹拌下に 75°C〜沸点の間の温度で 2時間加熱撹拌した。 結晶をろ取し、 シクロへキサン 32mLで洗浄し、 減圧乾燥して、 化合物( I )の A形結晶 1 5.2 gを収率 95.0%で得た。
この結晶の IR(KB r)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実 施例 5— 1で得られた化合物( I )の A形結晶のそれらと完全に一致した。
8 5-5
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 3 gを酢酸ェチル 2 OmLに 40°Cで 加熱下に溶解した。 この溶液を撹拌下に 60°Cに加熱し、 次いで、 同温度で n— ヘプタン 20 OmLを約 1時間に亘り滴下した。 滴下終了後、 この混合物を同温 度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物 ( I )の八形結晶 1.20 gを収率 40 %で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 上 記の実施例 5一 1で得られた化合物 ( I )の A形結晶のそれらと完全に一致した。
5-6
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをメタノール 50 OmLに溶解し た。 この溶液を撹拌下に 60°Cに加熱し、 次いで、 同温度で水 50 OmLを約 1 時間に亘り滴下した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析 出した結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の A形結晶 2.79 g を収率 55.8%で得た。 '
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 上 記の実施例 5 1で得られた化合物( I )の A形結晶のそれらと完全に一致した。 実施例 6
化合物(I)の B形結晶の製造
6一 1
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 10.0 gをイソプロピルアルコール 30 OmLに加え、 78°Cに加熱して溶解した。 この溶液を撹拌下に 25 まで 冷却した後、 同温度(22〜25°C)で 19時間撹拌を継続した。 析出した結晶を 同温度でろ取し、 イソプロピルアルコール 12 OmLで洗浄し、 減圧乾燥して、 化合物( I )の8形結晶 8.87 gを得た。 収率 88.7 %。
この B形結晶は、 DSC吸熱試験において 92および 175°Cで吸熱反応を示 し、 さらに X線回折の 20において 6.2、 12.5、 20.8° に特徴的なピ一
9 クを示した。 本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折 図をそれそれ図 2、 図 5および図 8に示す。
I RKBr( cm"1) ; 3311, 2217, 1635, 1614, 1594, 14 18, 1399, 1322, 1269 , 11633 1125 , 1116, 107 33 1020, 970, 843, 6663 659, 592, 525。
6-2
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをァセトン 5 OmLに溶解した。 この溶液を撹拌下に 25°Cで保持し、 同温度で水 5 OmLを約 1時間に亘り滴下 した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ 取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の B形結晶 4.7 l gを収率 94.2% で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実 施例 6 _ 1で得られた化合物( I )の:8形結晶のそれらと完全に一致した。
6-3
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをアセトン 5 OmLに溶解した。 この溶液を撹拌下に 30°Cで保持し、 同温度で水 5 OmLを約 1時間に亘り滴下 した。 滴下終了後、.この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ 取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(1)の6形結晶4.69 を収率93.8% で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実 施例 6— 1で得られた化合物( I )の8形結晶のそれらと完全に一致した。
6-4
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをァセトン 5 OmLに溶解した。 この溶液を撹拌下に 35°Cで保持し、 同温度で水 5 OmLを約 1時間に亘り滴下 した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ 取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の B形結晶 4.64 gを収率 92.8% で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実 施例 6 _ 1で得られた化合物( I )の3形結晶のそれらと完全に一致した。
6 - 5
実施例 4で得られた化合物 ( I )のウエット粗結晶 126 kgをァセトン 900 Lに加え、 室温で撹拌して溶解した。 この溶液に、 30〜40°Cで撹拌下に、 水 900 Lを 1時間に亘り滴下した。 次いでこの混合物を同温度で 1時間撹拌し、 20〜30°Cに冷却した。 析出した結晶をろ取し、 50%ァセトン水溶液 120 Lで洗浄し、 真空中 40°Cで乾燥し、 化合物(I )の B形結晶 86. 1 kgを収率 7 5.0%で得た。
本結晶の I R(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実施例 6で得られた化合物( I )の B形結晶のそれらと完全に一致した。
:H NMR(CDC 13、 200MHz) d : 2.07(t、 J = 2.7Hz、 1 H)ヽ 2.64(d t、 J = 2.7および 7.0 Hz、 2H)ヽ 2.88(t、 J = 7. 0 Hz、 2 H)ヽ 7.65( s、 4H)、 7.77(b r. s, 1 H)ヽ 1 5.5 9(b r . s、 1 H)o
IR(ATR法) (cm -リ; 33 1 1、 2 2 17、 1 627、 1 62 6、 1 5 89、 1 5 54、 141 5、 1 32 1、 1 263、 1243、 1 1 60、 1 1 1 3、 1072、 841、 6 58。
6 - 6
実施例 3で得られた化合物( I )の粗結晶 135. 5 k gを、 室温で撹拌下にァ セトン 1084 Lに溶解し、 ろ過して、 残渣をアセトン 27 1 Lで洗浄して、 ろ 液と洗液を合わせた。 この溶液に、 30-40 Cで撹拌下に、 水 135 5 Lを約 1時間に亘り滴下した。 次いで混合物を同温度で 1時間撹拌した後、 20〜30 °Cに冷却した。 析出した結晶をろ取し、 50%アセトン水溶液 270 Lで洗浄し 、 40°Cで真空乾燥し、 化合物(I)の B形結晶 125. 4kgを得た。 収率 92 .5%。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実施例
6で得られた化合物( I )の:6形結晶のそれらと完全に一致した。
6-7
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 3 gを酢酸ェチル 3 OmLに溶解した 。 この溶液を撹拌下に 30°Cで保持し、 次いで、 同温度で n—ヘプタン 12 Om Lを約 1時間に亘り滴下した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹 拌し、 析出した結晶をろ取し、 40。Cで真空乾燥して、 化合物(I)の B形結晶 1 .88 gを収率 62.7%で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 上 記の実施例 6— 1で得られた化合物( I )の8形結晶のそれらと完全に一致した。
6- 8
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをメタノール 500 m Lに溶解し た。 この溶液を撹拌下に 30°Cで保持し、 次いで、 同温度で水 50 OmLを約 1 時間に亘り滴下した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析 出した結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の B形結晶 4.23 g を収率 84.6%で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 上 記の実施例 6— 1で得られた化合物( I )の8形結晶のそれらと完全に一致した。 実施例 7
化合物(I)の C形結晶の製造
7- 1
実施例 2で得られた粗結晶 10 gを、 室温で撹拌下にァセトン 10 OmLに溶 解した。 この溶液に、 14〜15°Cで撐拌下に水 10 OmLを滴下した後、 同温 度(15°C)でさらに 2時間撹拌を継続した。 析出した結晶を同温度でろ取し、 ァ セトン-水の混液 2 OmLで洗浄し、 減圧乾燥して、 化合物(I)の C形結晶 9.3 5 gを得た。 収率 93.5%。
この C形結晶は、 D S C吸熱試験において 88および 174.5 °Cで吸熱反応 を示し、 さらに X線回折の 26>において 6.2、 12.4、 20.2° に特徴的な ピークを示した。 本結晶の IR(KBr)スペクトル、 X線回折図および DSC吸 熱曲線をそれそれ図 3、 図 6におよび図 9に示す。
I RKBr( cm"1) ; 3309, 2221, 1590, 1554, 1417, 13 88 , 1328, 1162, 1118, 1072, 1018, 847, 664,
647。
7-2
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをァセトン 60 mLに溶解した。 この溶液を撹拌下に 5 °Cで保持し、 同温度で水 6 OmLを約 1時間に亘り滴下し た。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ取 し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物( I )の〇形結晶4.86 gを収率 97.2 %で 得た。
この結晶の IR(KB r)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実 施例 7— 1で得られた化合物( I )の〇形結晶のそれらと完全に一致した。
7-3
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 5 gをアセトン 50 m Lに溶解した。 この溶液を撹拌下に 10°Cで保持し、 同温度で水 5 OmLを約 1時間に直り滴下 した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析出した結晶をろ 取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の C形結晶 4.84gを収率 96.8% で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実 施例 7— 1で得られた化合物( I )の C形結晶のそれらと完全に一致した。
7 -4
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 3 gを酢酸ェチル 5 OmLに溶解した 。 この溶液を撹拌下に 5 °Cで保持し、 同温度で n—ヘプタン 20 OmLを約 1時 間に亘り滴下した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析出 した結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の C形結晶 2.1 Ogを 収率 70.0%で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実 施例 7— 1で得られた化合物( I )の〇形結晶のそれらと完全に一致した。
7-5
実施例 2で得られた化合物( I )の粗結晶 4 gをメタノール 100 OmLに溶解 した。 この溶液を撹拌下に 5 °Cで保持し、 同温度で水 100 OmLを約 1時間に 亘り滴下した。 滴下終了後、 この混合物を同温度で更に 1時間撹拌し、 析出した 結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の C形結晶 3.23 gを収率 80.8%で得た。
この結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実 施例 7— 1で得られた化合物( I )の〇形結晶のそれらと完全に一致した。
実施例 8
化合物( I )の8形結晶から A形結晶の製造
8一 1
実施例 6で得られた化合物( I )の8形結晶 50 gを n-ヘプタン 60 OmLに 懸濁し、 88°Cに加熱し、 同温度で約 5時間撹袢を継続した。 次いで、 撹拌下に 45°Cまで冷却し、 同温度で、 約 3時間撹拌を維持した。 同温度で析出した結晶 をろ取し、 η-ヘプタン 5 OmLで洗浄し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物( I ) の A形結晶 48.7 gを収率 97.4%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 5で得られた化合物( I )の 形結晶のそれらと完全に一致した。
8— 2
実施例 6で得られた化合物( I )の3形結晶 20 gを 50%ァセトン水溶液 40 OmLに懸濁した。 この懸濁液を撹拌下に 65 °Cに加熱し、 同温度で 5時間撹拌 を継続した。 この懸濁液を同温度でろ過し、 結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥し て、 化合物( I )の 形結晶15.96 gを収率 79.8%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 5で得られた化合物( I )の A形結晶のそれらと完全に一致した。
8一 3
実施例 6で得られた化合物( I )の8形結晶 30 gをシクロへキサン 60 OmL に懸濁した。 この懸濁液を撹拌下に 72 °Cに加熱し、 同温度で 5時間撹拌を継続 した。 この懸濁液を同温度でろ過し、 結晶をろ取し、 シクロへキサン 15 OmL で洗浄し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の A形結晶 27.52 gを収率 9 1.7%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 5で得られた化合物( I )の八形結晶のそれらと完全に一致した。
8-4
実施例 6で得られた化合 ( I )の B形結晶 3 gを酢酸ェチル 20mLと n—へ プ夕ン 20 OmLとの混液に懸濁し、 60°Cにカロ熱し、 同温度で約 5時間撹拌を 継続した。 次いで、 同温度で析出した結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化 合物( I )の A形結晶 1.18 gを収率 39.3 %で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 5で得られた化合物( I )の 形結晶のそれらと完全に一致した。
実施例 9
化合物( I )の C形結晶から A形結晶の製造
9一 1
実施例 7で得られた化合物 ( I )の C形結晶 10 gを 50%ァセトン水溶液 20 OmLに懸濁した。 この懸濁液を撹拌下に 65 °Cに加熱し、 同温度で 5時間撹拌 を継続した。 この懸濁液を同温度でろ過し、 結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥し て、 化合物(I)の A形結晶 7.98 gを収率 79.8%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 5で得られた化合物( I )の八形結晶のそれらと完全に一致した。
9- 2
実施例 7で得られた化合物( I )の C形結晶 5 gを 50%メ夕ノ—ル水溶液 10 OmLに懸濁した。 この懸濁液を撹拌下に 60°Cに加熱し、 同温度で 15時間撹 拌を継続した。 この懸濁液を同温度でろ過し、 結晶をろ取し、 40 Cで真空乾燥 して、 化合物( I )の A形結晶 3.91 gを収率 78.2%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 5で得られた化合物( I)の A形結晶のそれらと完全に一致した。
実施例 10
化合物( I )の A形結晶から B形結晶の製造
10- 1
実施例 5で得られた化合物( I )の八形結晶 10 gを 50 %ァセトン水溶液 10 OmLに懸濁した。 この懸濁液を撹拌下に 3 leCで保持し、 同温度で 15時間撹 拌を継続した。 この懸濁液を同温度でろ過し、 結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥 して、 化合物( I ) B形結晶 9.38 gを収率 93.8%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 DSC吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 6で得られた化合物( I )の8形結晶のそれらと完全に一致した。
10-2
実施例 5で得られた化合物( I )©A形結晶 3 gをイソプロピルアルコール 10 OmLに懸濁した。 この懸濁液を撹袢下に 31°Cで保持し、 同温度で 15時間撹 拌を継続した。 この懸濁液を同温度でろ過し、 結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥 して、 化合物( I )©B形結晶 2.78 gを収率 92.7%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 6で得られた化合物 ( I )の:6形結晶のそれらと完全に一致した。 10- 3
実施例 5で得られた化合物( I )の八形結晶 3 gを酢酸ェチル 3 OmLと II一へ プ夕ン 12 OmLとの混液に懸濁した。 この懸濁液を撹拌下に 30°Cで保持し、 同温度で 1 '5時間撹拌を継続した。 この懸濁液を同温度でろ過し、 結晶をろ取し 、 40°Cで真空乾燥して、 化合物(I)の B形結晶 1.80 gを収率 60.0%で得
/し
本結晶の I R(KB r)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 6で得られた化合物 ( I )の8形結晶のそれらと完全に一致した。
実施例 11
化合物( I )の C形結晶から B形結晶の製造 実施例 7で得られた化合物( I )の C形結晶 5 gを 50%ァセトン水溶液 100 mLに懸濁した。 この懸濁液を撹拌下に 65 °Cに加熱し、 同温度で 5時間撹拌を 継続した後、 30°Cに冷却し、 同温度で約 15時間撹拌した。 この懸濁液をろ過 し、 結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物( I )の B形結晶 4.69 gを 収率 93.8%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 6で得られた化合物( I )の 形結晶のそれらと完全に一致した。
1 1 - 2
実施例 7で得られた化合物( I )の C形結晶 3 gを酢酸ェチル 20mLと n—へ プ夕ン 20 OmLとの混液に懸濁した。 この懸濁液を撹拌下に 60°Cに力!]熱し、 同温度で約 5時間撹拌を継続した後、 30°Cに冷却し、 同温度で約 5時間撹拌を 継続した。 この懸濁液をろ過し、 結晶をろ取し、 40°Cで真空乾燥して、 化合物 (1)の3形結晶2.18 gを収率 72.6%で得た。
本結晶の IR(KBr)スペクトル、 D S C吸熱曲線および X線回折図は、 実施 例 6で得られた化合物( I )の B形結晶のそれらと完全に一致した。 産業上の利用可能性
本発明は、 化合物( I )の製造法おいて、 活性化試薬として用いられるクロ口炭 酸エステル類が、 反応後にアルコール類と二酸化炭素に分解されるため、 いわゆ る産業廃棄物は殆ど発生しないという特長を有している。 さらに、 本発明による 化合物(I )の製造法は、 過酷な反応条件を必要としないため、 汎用設備を用いる ことができ、 従来の化合物 ( I )の製造法に比べて、 工業的規模での化合物 ( I )の 生産に、 より適している。
さらに、 本発明によれば、 例えば化合物(I )を再結晶する際に、 再結晶の温度 および/または結晶析出時間の制御により化合物( I )の八形結晶、 B形結晶およ び C形結晶を選択的に効率良く製造できる。

Claims

請 求 の 範 囲
Figure imgf000031_0001
で表される化合物( IV)を、 式:
Figure imgf000031_0002
で表される化合物(V)の混合酸無水物と反応させて、 式
Figure imgf000031_0003
で表される化合物( I )を得ることを特徴とする化合物( I)の製造方法 c
2. 式:
Figure imgf000031_0004
で表される化合物( I I)を、 式
NCへ COOH (ΠΙ) で表わされるカルボン酸(I I I)またはそのカルボキシ基における反応性誘導体 と反応させて、 式:
Figure imgf000032_0001
で表される化合物( IV)を得、 この化合物を式
-^^COOH (V) で表される化合物(V)の混合酸無水物と反応させて、 式
Figure imgf000032_0002
で表される化合物( I )を得ることを特徴とする化合物( I )の製造方法。
3. 化合物(V)の混合酸無水物が、 クロ口炭酸 (低級)アルキルとの混合酸無水 物である、 請求項 1または 2に記載の方法。
4. 請求項 1または 2に記載の化合物(I)を溶媒に溶解し、 この溶液を撹拌下 に約 55°C〜約 95°Cで保持し、 必要に応じ貧溶媒を添加したのち、 析出する結 晶を得ることを特徴とする化合物( I )の八形結晶の製造方法。
5. 請求項 1または 2に記載の化合物(I)を溶媒に溶解し、 この溶液を撹拌下 に約 20°C〜約 45°Cで保持し、 必要に応じ貧溶媒を添加したのち、 析出する結 晶を得ることを特徴とする、 化合物( I)の B形結晶の製造方法。
6. 請求項 1または 2に記載の化合物(I)を溶媒に溶解し、 この溶液を撹拌下 に約 0 °C〜約 1 5 °Cで保持し、 必要に応じ貧溶媒を添加したのち、 析出する結晶 を得ることを特徴とする、 化合物( I )の C形結晶の製造方法。
7 . 貧溶媒が、 n-ペンタン、 シクロペンタン、 n-へキサン、 シクロへキサン 、 n-ヘプ夕ンもしくはシクロヘプ夕ンなどの脂肪族炭化水素類、 ベンゼン、 ト ルェンもしくはキシレンなどの芳香族炭化水素類、 ジイソプロピルェ一テルなど のェ一テル類または水から選択される請求項 4〜 6のいずれかに記載の方法。
8 . 溶液を約 3 0 °C〜約 4 0 °Cで保持することを特徴とする請求項 5に記載の 方法。
9 . 溶媒がアセトンであり、 貧溶媒として水を添加する請求項 4〜6および 8 のいずれかに記載の方法。
1 0 . 溶媒がメタノールであり、 貧溶媒として水を添加する請求項 4〜6およ び 8のいずれかに言 3載の方法。
1 1 . 溶媒が酢酸ェチルであり、 貧溶媒として n-ヘプタンを添加する請求項 4〜 6および 8のいずれかに記載の方法。
1 2 . 溶媒がイソプロピルアルコールであり、 貧溶媒を添加しない請求項 5に 記載の方法。
1 3 . 請求項 5または 6に記載の化合物( I )の8形結晶もしくは C形結晶また はそれらの混合物を溶媒に懸濁し、 この懸濁液を約 5 5 °C〜約 9 5 °Cで撹拌する ことを特徴とする、 化合物( I )の8形結晶もしくは C形結晶またはそれらの混合 物から A形結晶への変換方法。
1 4 . 請求項 4に記載の化合物( I )の八形結晶を溶媒に懸濁し、 この懸濁液を 約 2 0 °C〜約 4 5 °Cで撹拌することを特徴とする化合物( I )の A形結晶から B形 結晶への変換方法。
1 5 . 溶媒が水性ァセトン、 水性メ夕ノール、 イソプロピルアルコール、 シク 口へキサン、 n-ヘプタンまたは酢酸ェチルと n-ヘプタンとの混液である請求項
1 3または 1 4に記載の方法。
16. 撹拌時間が約 5時間〜約 72時間である請求項 15に記載の方法。
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