JPWO2004077889A1 - 有機電界発光素子 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 111
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 26
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 25
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 8
- 150000003967 siloles Chemical group 0.000 claims description 7
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 35
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 11
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 description 4
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 4
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 0 Cc1cc(N(c(cc2)ccc2-c2ccc(*(c3ccccc3)c(cc3)ccc3-c(cc3)ccc3N(c3ccccc3)c(cc3)ccc3-c(cc3)ccc3N(c3cccc(C)c3)c3cccc(C)c3)cc2)c2cccc(C)c2)ccc1 Chemical compound Cc1cc(N(c(cc2)ccc2-c2ccc(*(c3ccccc3)c(cc3)ccc3-c(cc3)ccc3N(c3ccccc3)c(cc3)ccc3-c(cc3)ccc3N(c3cccc(C)c3)c3cccc(C)c3)cc2)c2cccc(C)c2)ccc1 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical class C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- RGKMZNDDOBAZGW-UHFFFAOYSA-N aluminum calcium Chemical compound [Al].[Ca] RGKMZNDDOBAZGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 150000001562 benzopyrans Chemical class 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEQHIRFAKIASBK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylmethane Chemical class C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PEQHIRFAKIASBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003574 thionaphthenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[3-(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenylsilol-1-yl)propyl]azanium;iodide Chemical compound [I-].C[N+](C)(C)CCC[Si]1(C)C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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Abstract
本発明の有機EL素子は、陰極と陽極との間に設けられた複数の有機化合物含有層を備える。互いに隣接する二つの有機化合物含有層のうち、陽極寄りに位置する一方は、陰極寄りに位置する他方よりも低い電子移動度を有している。これにより、本発明の有機EL素子は、高い発光効率を有し、且つ、長い初期輝度半減寿命を有する。
Description
本発明は有機電界発光素子(有機EL素子)に関する。
有機EL素子は、次世代ディスプレイ用の素子として注目されている。有機EL素子は、一般に、ガラス基板上にインジウムスズ酸化物(ITO)等の透明導電材料からなる陽極を形成し、その陽極上にホール注入領域、ホール輸送領域、発光領域、電子輸送領域及び陰極を順番に積層することによって形成されている。このように構成された有機EL素子は、陽極と陰極との間に直流電圧を印加することによって発光する。すなわち、陽極と陰極との間に直流電圧を印加すると、陽極からはホールが注入され、陰極からは電子が注入される。ホールはホール注入領域及びホール輸送領域を介して発光領域に移動し、電子は電子輸送領域を介して発光領域に移動する。そして、発光領域においてホールと電子とが再結合することにより、光が発せられる。
有機EL素子は、高効率かつ長寿命であることを望まれている。そうした中、電子輸送領域用の材料として、例えば、特開平09−87616号公報及び特開平09−194487号公報に開示されるシロール誘導体、特開2001−267080号公報及び特開2001−155862号公報に開示さるフェナントロリン誘導体といった電子移動度の高い材料が注目されている。
シロール誘導体又はフェナントロリン誘導体を用いた有機EL素子は高効率であるが、電子移動度が高いために隣接層との間でエキサイプレックス(exciplex)あるいは電荷移動錯体を形成しやすいという問題がある。有機EL素子の有機化合物含有層の少なくとも一つの材料がエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成した場合、これらの励起子からの発光は弱いため、該有機EL素子の効率が低くなり、さらに初期輝度半減寿命は短くなる。初期輝度半減寿命とは、有機EL素子の寿命を表す一つの指標であって、一定の電流を有機EL素子に与え続けたときに、その有機EL素子の輝度が初期輝度の半分となるまでに要する時間をいう。一般に、初期輝度半減寿命の長い有機EL素子は寿命も長い。
有機EL素子は、高効率かつ長寿命であることを望まれている。そうした中、電子輸送領域用の材料として、例えば、特開平09−87616号公報及び特開平09−194487号公報に開示されるシロール誘導体、特開2001−267080号公報及び特開2001−155862号公報に開示さるフェナントロリン誘導体といった電子移動度の高い材料が注目されている。
シロール誘導体又はフェナントロリン誘導体を用いた有機EL素子は高効率であるが、電子移動度が高いために隣接層との間でエキサイプレックス(exciplex)あるいは電荷移動錯体を形成しやすいという問題がある。有機EL素子の有機化合物含有層の少なくとも一つの材料がエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成した場合、これらの励起子からの発光は弱いため、該有機EL素子の効率が低くなり、さらに初期輝度半減寿命は短くなる。初期輝度半減寿命とは、有機EL素子の寿命を表す一つの指標であって、一定の電流を有機EL素子に与え続けたときに、その有機EL素子の輝度が初期輝度の半分となるまでに要する時間をいう。一般に、初期輝度半減寿命の長い有機EL素子は寿命も長い。
本発明の目的は、高い発光効率を有し、且つ、長い初期輝度半減寿命を有する有機EL素子を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の一態様では、以下の有機EL素子が提供される。その有機EL素子は、陰極と、陽極と、陰極及び陽極の間に設けられた複数の有機化合物含有層とを備える。互いに隣接する二つの有機化合物含有層に関して、陽極寄りに位置する有機化合物含有層は、陰極寄りに位置する有機化合物含有層よりも低い電子移動度を有する。
有機EL素子の有機化合物含有層の構成を上記のような構成にすることにより、長い初期輝度半減寿命を有し、且つ、高い発光効率を有する有機EL素子を得ることができる。このような有機電界発光素子と類似するものとして、特開2001−155862号公報に記載された発明が知られている。この発明は、有機発光層が電子輸送性能と正孔輸送性能の両者のキャリア輸送性能を有するとともに、層の厚さ方向に正孔輸送性能の高い領域から電子輸送性能の高い領域に徐々に変化していることを主旨とする。しかし、特開2001−155862号公報に記載の発明において、キャリア輸送性能が問題となるのは、有機発光層に限られる。これに対して、本願発明においては、一対の電極間に狭持された有機化合物含有層全体における電子移動度に着目している点で大きく異なる。
本発明の別の態様では、以下の有機EL素子が提供される。その有機EL素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられた発光領域及び電子輸送領域とを備える。発光領域と電子輸送領域とは互いに隣接している。電子輸送領域は複数の有機化合物含有層によって構成されている。その有機化合物含有層のうち発光領域と接する有機化合物含有層はキノリノラト系金属錯体を含有している。
なお、本明細書において、「電子移動度」、「ホール移動度」とは、予め定められた強度の電界を有機化合物に印加したときに測定される電子移動度、ホール移動度を意味する。ただし、電子移動度を測定する際に印加する電界の強度は、有機EL素子が実際に使用される際に印加される電界強度の範囲内にあることを条件とする。
「電子輸送領域」は、少なくとも電子輸送機能を有していればよい。
「ホール輸送性材料」とは、ホール移動度が電子移動度よりも50倍以上大きいか、あるいは、Time of Flight法(TOF法)でホール移動度のみが測定され、電子移動度が測定されない材料である。TOF法は、試料表面にパルス光を照射し、パルス光によって発生したキャリアが試料内を移動することによって生じた過渡電流を測定して電子移動度、ホール移動度を測定する方法である。
上記の目的を達成するために、本発明の一態様では、以下の有機EL素子が提供される。その有機EL素子は、陰極と、陽極と、陰極及び陽極の間に設けられた複数の有機化合物含有層とを備える。互いに隣接する二つの有機化合物含有層に関して、陽極寄りに位置する有機化合物含有層は、陰極寄りに位置する有機化合物含有層よりも低い電子移動度を有する。
有機EL素子の有機化合物含有層の構成を上記のような構成にすることにより、長い初期輝度半減寿命を有し、且つ、高い発光効率を有する有機EL素子を得ることができる。このような有機電界発光素子と類似するものとして、特開2001−155862号公報に記載された発明が知られている。この発明は、有機発光層が電子輸送性能と正孔輸送性能の両者のキャリア輸送性能を有するとともに、層の厚さ方向に正孔輸送性能の高い領域から電子輸送性能の高い領域に徐々に変化していることを主旨とする。しかし、特開2001−155862号公報に記載の発明において、キャリア輸送性能が問題となるのは、有機発光層に限られる。これに対して、本願発明においては、一対の電極間に狭持された有機化合物含有層全体における電子移動度に着目している点で大きく異なる。
本発明の別の態様では、以下の有機EL素子が提供される。その有機EL素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられた発光領域及び電子輸送領域とを備える。発光領域と電子輸送領域とは互いに隣接している。電子輸送領域は複数の有機化合物含有層によって構成されている。その有機化合物含有層のうち発光領域と接する有機化合物含有層はキノリノラト系金属錯体を含有している。
なお、本明細書において、「電子移動度」、「ホール移動度」とは、予め定められた強度の電界を有機化合物に印加したときに測定される電子移動度、ホール移動度を意味する。ただし、電子移動度を測定する際に印加する電界の強度は、有機EL素子が実際に使用される際に印加される電界強度の範囲内にあることを条件とする。
「電子輸送領域」は、少なくとも電子輸送機能を有していればよい。
「ホール輸送性材料」とは、ホール移動度が電子移動度よりも50倍以上大きいか、あるいは、Time of Flight法(TOF法)でホール移動度のみが測定され、電子移動度が測定されない材料である。TOF法は、試料表面にパルス光を照射し、パルス光によって発生したキャリアが試料内を移動することによって生じた過渡電流を測定して電子移動度、ホール移動度を測定する方法である。
図1は、本発明の一実施形態に係る有機EL素子を示す断面図である。
以下、図1を参照しながら本発明の一実施形態を説明する。
図1中、符号1は基板、符号2は陽極、符号3はホール注入領域、符号4はホール輸送領域、符号5は発光領域、符号6は電子輸送領域、符号6aは第1の電子輸送層、符号6bは第2の電子輸送層、符号7は陰極界面領域、符号8は陰極を表す。
ホール注入領域3やホール輸送領域4は必ずしも必要ではないが、これらの層の存在によって、有機EL素子の発光効率及び初期輝度半減寿命はより向上する。
基板1は、有機EL素子を支持するものであって、材料については特に制限されない。基板1は、例えば、ガラス板、プラスチックシート、プラスチックフィルム、金属板、又は金属箔であってもよいし、シリコン等のセラミック材料から形成されてもよい。プラスチックシート及びプラスチックフィルムは、防湿性、耐衝撃性、耐熱性及び表面平滑性に優れることから、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、又はポリメタクリレート製であることが好ましい。プラスチック製の基板1の場合、防湿性を向上させるために、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、又はシリコン酸化窒化膜を基板1の表面に設けてもよい。発光領域5から発せられる光が基板1を通じて出射されるボトムエミッション型の有機EL素子の場合、基板1は可視光領域の光を透過可能であることが必要である。
陽極2は、ホール注入領域3にホールを注入する役割を有する。陽極2用の材料は、電気抵抗が小さく且つ仕事関数が大きい任意の材料であって、金属、合金、電気伝導性の化合物及びこれらの混合物等、種類を問わない。陽極2用の材料としては、例えば、ITO、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化スズ,酸化亜鉛、酸化亜鉛と酸化インジウムの混合系、窒化チタン等の金属酸化物;金属窒化物;金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、鉛、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ等の金属;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン等の導電性高分子が挙げられる。陽極2は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。陽極2の厚さは、10nm〜1μm程度であり、好ましくは10nm〜300nmである。陽極2は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スピンコート法によって形成される。
ホール注入領域3は、陽極2から注入されたホールを効率よくホール輸送領域4へ注入する役割と、陽極2と有機化合物を含有する機能領域との間の密着性をあげる役割とを有する。ホール注入領域3に用いられる材料の条件は、陽極2との密着性がよいこと、イオン化ポテンシャルが低いこと、ガラス転移温度が高いことである。ホール注入領域3の電子移動度は、ホール輸送領域4の電子移動度よりも低いことが望ましい。ホール注入領域3用の材料としては、例えば、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、スターバーストアミン誘導体、ポリアニリン、及びポリチオフェンが挙げられる。これらの化合物の中でも上記条件を良好に満たす化合物としては、フタロシアニン誘導体である銅フタロシアニン(CuPc)及び無金属フタロシアニン、スターバーストアミン誘導体である4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニル−アミン)トリフェニルアミンが挙げられる。ホール注入領域3は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。ホール注入領域3の厚さは5nm〜100nm程度であり、好ましくは10nm〜50nmである。ホール注入領域3は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、ディップ法によって形成される。
ホール輸送領域4は、ホール注入領域3から注入されたホールを効率よく発光領域5へ輸送する役割を有する。ホール輸送領域4に用いられる材料の条件は、ホール注入領域3からのホール注入が容易なこと、及び注入されたホールを発光領域5へ効率よく輸送することである。ホール輸送領域4の電子移動度は、発光領域5の電子移動度よりも低いことが好ましい。ホール輸送領域4形成用の材料としては、例えば、トリアリールアミン誘導体、トリフェニルアミン構造を主鎖並びに/若しくは側鎖として繰り返し構造を持つ化合物、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フルオレニルジフェニルアミン誘導体、ベンジジン誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体、スチリルアミン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、カルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スピロ系化合物が挙げられる。ホール輸送領域4形成用の材料はさらに、ホール注入領域3用の材料として上記した材料であってもよい。これらの化合物の中でも上記条件を良好に満たす化合物としては、トリアリールアミン誘導体であるトリフェニルアミン、トリフェニルアミンの2量体、3量体、4量体、5量体;ベンジジン誘導体であるN,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニルベンジジン;カルバゾール誘導体である4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル、ポリ(N−ビニルカルバゾール)が挙げられる。ホール輸送領域4は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。ホール輸送領域4の厚さは5nm〜100nm程度であり、好ましくは10nm〜50nmである。ホール輸送領域4は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、ディップ法によって形成される。
発光領域5では、有機材料が発光する。すなわち、ホール注入領域3及びホール輸送領域4中を移動してきたホールと、陰極界面領域7及び電子輸送領域6中を移動してきた電子とが発光領域5において再結合して励起子が形成され、それが基底状態に戻るときに発光が起きる。発光領域5に用いられる材料に求められる条件は、高い蛍光量子効率を示すこと、ホール並びに/若しくは電子を効率よく輸送することができること、ガラス転移温度が高いことである。発光領域5形成用の材料は、上記条件を満たすものであれば特に制限されるものでなく、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、キノリノラト系金属錯体、トリアリールアミン誘導体、アゾメチン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、シロール誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジカルバゾール誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、クマリン誘導体、ピレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ベンゾピラン誘導体、ユーロピウム錯体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体が挙げられる。これらの化合物の中でも上記条件を良好に満たす化合物としては、キノリノラト系金属錯体であるトリス−(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(p−フェニルフェノラト)アルミニウム(BAlq);トリアリールアミン誘導体であるトリフェニルアミンの4量体;ジスチリルアリーレン誘導体である4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)が挙げられる。発光領域5は単独の有機化合物含有層によって構成されてもよいし、複数の有機化合物含有層によって構成されてもよい。また、発光領域5を構成する各有機化合物含有層は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。有機EL素子の発光効率や初期輝度半減寿命を向上させる目的で、ホスト化合物にゲスト化合物を数%ドーピングすることが通常行われるが、必ずしもドーピングしなくてもよい。ドーピングするときは、発光領域5内におけるゲスト化合物の濃度は一定でなくてもよい。例えば、ゲスト化合物の濃度を有機化合物含有層の厚さ方向に傾斜させることにより、この有機化合物含有層内において、陰極側の電子移動度が陽極側の電子移動度よりも大きくなるように、ゲスト化合物の濃度を変化させてもよい。発光領域5の膜さは1nm〜100nm程度であり、好ましくは10〜50nm程度である。発光領域5は、例えば真空蒸着法によって形成される。
電子輸送領域6は、陰極8から注入された電子を発光領域5へ効率よく輸送する役割、及び発光領域5で生成した励起子が拡散して陰極8で消光するのを防ぐ役割を有する。本実施形態では、電子輸送領域6は、第1の電子輸送層6aと第2の電子輸送層6bの二つの有機化合物含有層から構成されている。つまり、本実施形態の有機電界発光素子では、複数の有機化合物含有層のうちの二つの層が電子輸送領域を構成している。
以下、第1の電子輸送層6a及び第2の電子輸送層6bについて詳細に説明する。
第1の電子輸送層6aは発光領域5に密着して配置され、発光領域5へ電子を輸送する役割を有する。第1の電子輸送層6a用の材料としては、発光領域5とエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成しない化合物が好ましく、また、発光領域5の電子移動度よりも高い電子移動度を有することが好ましい。このような材料として、特にキノリノラト系金属錯体が望ましい。
キノリノラト系金属錯体としては、配位子として8−キノリノラト、2−メチル−8−キノリノラト、4−メチル−8−キノリノラト、5−メチル−8−キノリノラト、3,4−ジメチル−8−キノリノラト、4−エチル−8−キノリノラト、4,5−ジメチル−8−キノリノラト、4,6−ジメチル−8−キノリノラト、4−メトキシ−8−キノリノラト、10−ベンゾ[h]キノリノラト、ベンゾ[f]−8−キノリノラト、8−キノリノラトの2量体、7−プロピル−8−キノリノラトなどを持つ錯体であって、中心金属としてアルミニウム、ベリリウム、亜鉛、マグネシウム、ガリウム、インジウム、銅、カルシウム、錫、鉛を含むものが好ましく用いられる。より具体的なキノリノラト系金属錯体としては、Alq3、BAlq、トリス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、モノ(4−メチル−8−キノリノラト)ビス(8−キノリノラト)アルミニウム、モノ(4−エチル−8−キノリノラト)モノ(4−メチル−8−キノリノラト)モノ(8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(3,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(4−メトキシ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(4,5−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−ブロモ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−シアノ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−スルホニル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−プロピル−8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−5−クロロ−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(3,4−ジメチル−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(5,7−ジクロロ−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(ベンゾ[f]−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−5−クロロ−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(3,4−ジメチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラト)ベリリウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メチル−5−クロロ−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(3,4−ジメチル−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(5,7−ジクロロ−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(10−ベンゾ[h]キノリノラト)マグネシウム、トリス(8−キノリノラト)インジウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)カルシウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(ジフェニルメチルシラノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(tert−ブチルジフェニルシラノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリス−(4,4−ビフェニル)シラノラト)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナフトラト)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2−ナフトラト)ガリウム、ビス(8−キノリノラト)銅が挙げられる。
第1の電子輸送層6aは、キノリノラト系金属錯体を少なくとも含有すれば良く、例えば、他の材料と共蒸着して形成されても良い。共蒸着により第1の電子輸送層6aを形成する場合には、第1の電子輸送層6aの厚み方向において、キノリノラト系金属錯体の濃度が変化してもよいし、一様であってもよい。第1の電子輸送層6aの厚さは0.1〜20nm程度であり、好ましくは0.5〜4nm程度である。第1の電子輸送層6aは、例えば、真空蒸着法によって形成される。
第2の電子輸送層6bは、第1の電子輸送層6aへ効率よく電子を輸送する役割を有する。第2の電子輸送層6bに用いられる材料に求められる条件は、電子移動度が第1の電子輸送層6aよりも高いことである。第2の電子輸送層6b用の好ましい材料としては、例えば、シロール誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾピロール誘導体、テトラフェニルメタン誘導体、ピラゾール誘導体、チアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、チオナフテン誘導体、スピロ系化合物、イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体が挙げられる。より好ましい材料としては、特開平09−87616号公報又は特開平09−194487号公報に記載のシロール誘導体、それらの中でも特に、2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロールや2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ビス(2−メチルフェニル)シロールが挙げられる。また、フェナントロリン誘導体であるバソクプロイン及びバソフェナントロリン、特開2001−267080号公報に記載のフェナントロリン誘導体も、第2の電子輸送層6b用の材料として、より好ましい。第2の電子輸送層6bの厚さは1〜100nm程度であり、好ましくは1〜50nm程度である。第2の電子輸送層6bは、例えば真空蒸着法によって形成される。
電子輸送領域6は、必ずしも二つの有機化合物含有層によって構成される必要は無く、3以上の有機化合物含有層によって構成されても良い。
陰極界面領域7は、陰極8から第2の電子輸送層6bへの電子の注入性を上げたり、陰極8と電子輸送層領域6との密着性を良くする役割を有する。陰極界面領域7用の材料は、以上の性能を付与する材料であれば特に制限されるものでなく、公知の材料を用いることができる。すなわち、陰極界面領域7用の材料としては、例えば、フッ化リチウム、酸化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物、塩化物、及び硫化物が挙げられる。陰極界面領域7は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。陰極界面領域7の厚さは0.1nm〜10nm程度であり、好ましくは0.3nm〜3nmである。陰極界面領域7は、陰極界面領域7の全体にわたって均一な厚さを有するものであっても、不均一な厚さを有するものであってもよい。陰極界面領域7はまた、島状に形成されてもよい。陰極界面領域7は、例えば真空蒸着法によって形成される。
陰極8は、陰極界面領域7に電子を注入する役割を有する。陰極8に用いられる材料は、電気抵抗が小さく且つ仕事関数が低い任意の材料であって、金属、合金、電気伝導性の化合物及びこれらの混合物等、種類を問わない。陰極8用の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、カルシウム、スズ等の金属;アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−リチウム合金等のアルミニウム合金、あるいはマグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金等のマグネシウム合金といった合金が挙げられる。陰極8用の材料はさらに、陽極2用の材料として上記した材料であってもよい。陰極8は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。陰極8の厚さは、5nm〜1μm程度であり、好ましくは10nm〜500nmである。陰極8は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法によって形成される。
陽極2及び陰極8のうち、発光領域5よりも光の取り出し側にある電極、すなわち、発光領域5よりも有機EL素子の光出射面の近くに位置する電極は、透明又は半透明であることが必要である。透明又は半透明の電極は、可視光領域で10%以上の光透過率を有することが好ましい。
図1に示す有機EL素子は、本発明の実施形態の一例であり、本発明は、その要旨を超えない限り、何ら図1に示す有機EL素子に限定されるものではない。例えば、有機EL素子は、以下の(1)〜(4)に示す層を基板1上に備えるものであってもよい。(1)〜(4)に示す層は、左から順に基板1上に設けられてもよいし、右から順に基板1上に設けられてもよい。
(1)陽極/ホール注入領域/発光領域/電子輸送領域/陰極界面領域/陰極
(2)陽極/ホール注入領域/ホール輸送領域/発光領域/電子輸送領域/陰極
(3)陽極/発光領域/電子輸送領域/陰極界面領域/陰極
(4)陽極/発光領域/電子輸送領域/陰極
図1中、符号1は基板、符号2は陽極、符号3はホール注入領域、符号4はホール輸送領域、符号5は発光領域、符号6は電子輸送領域、符号6aは第1の電子輸送層、符号6bは第2の電子輸送層、符号7は陰極界面領域、符号8は陰極を表す。
ホール注入領域3やホール輸送領域4は必ずしも必要ではないが、これらの層の存在によって、有機EL素子の発光効率及び初期輝度半減寿命はより向上する。
基板1は、有機EL素子を支持するものであって、材料については特に制限されない。基板1は、例えば、ガラス板、プラスチックシート、プラスチックフィルム、金属板、又は金属箔であってもよいし、シリコン等のセラミック材料から形成されてもよい。プラスチックシート及びプラスチックフィルムは、防湿性、耐衝撃性、耐熱性及び表面平滑性に優れることから、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、又はポリメタクリレート製であることが好ましい。プラスチック製の基板1の場合、防湿性を向上させるために、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、又はシリコン酸化窒化膜を基板1の表面に設けてもよい。発光領域5から発せられる光が基板1を通じて出射されるボトムエミッション型の有機EL素子の場合、基板1は可視光領域の光を透過可能であることが必要である。
陽極2は、ホール注入領域3にホールを注入する役割を有する。陽極2用の材料は、電気抵抗が小さく且つ仕事関数が大きい任意の材料であって、金属、合金、電気伝導性の化合物及びこれらの混合物等、種類を問わない。陽極2用の材料としては、例えば、ITO、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化スズ,酸化亜鉛、酸化亜鉛と酸化インジウムの混合系、窒化チタン等の金属酸化物;金属窒化物;金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、鉛、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ等の金属;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン等の導電性高分子が挙げられる。陽極2は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。陽極2の厚さは、10nm〜1μm程度であり、好ましくは10nm〜300nmである。陽極2は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スピンコート法によって形成される。
ホール注入領域3は、陽極2から注入されたホールを効率よくホール輸送領域4へ注入する役割と、陽極2と有機化合物を含有する機能領域との間の密着性をあげる役割とを有する。ホール注入領域3に用いられる材料の条件は、陽極2との密着性がよいこと、イオン化ポテンシャルが低いこと、ガラス転移温度が高いことである。ホール注入領域3の電子移動度は、ホール輸送領域4の電子移動度よりも低いことが望ましい。ホール注入領域3用の材料としては、例えば、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、スターバーストアミン誘導体、ポリアニリン、及びポリチオフェンが挙げられる。これらの化合物の中でも上記条件を良好に満たす化合物としては、フタロシアニン誘導体である銅フタロシアニン(CuPc)及び無金属フタロシアニン、スターバーストアミン誘導体である4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニル−アミン)トリフェニルアミンが挙げられる。ホール注入領域3は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。ホール注入領域3の厚さは5nm〜100nm程度であり、好ましくは10nm〜50nmである。ホール注入領域3は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、ディップ法によって形成される。
ホール輸送領域4は、ホール注入領域3から注入されたホールを効率よく発光領域5へ輸送する役割を有する。ホール輸送領域4に用いられる材料の条件は、ホール注入領域3からのホール注入が容易なこと、及び注入されたホールを発光領域5へ効率よく輸送することである。ホール輸送領域4の電子移動度は、発光領域5の電子移動度よりも低いことが好ましい。ホール輸送領域4形成用の材料としては、例えば、トリアリールアミン誘導体、トリフェニルアミン構造を主鎖並びに/若しくは側鎖として繰り返し構造を持つ化合物、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フルオレニルジフェニルアミン誘導体、ベンジジン誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体、スチリルアミン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、カルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スピロ系化合物が挙げられる。ホール輸送領域4形成用の材料はさらに、ホール注入領域3用の材料として上記した材料であってもよい。これらの化合物の中でも上記条件を良好に満たす化合物としては、トリアリールアミン誘導体であるトリフェニルアミン、トリフェニルアミンの2量体、3量体、4量体、5量体;ベンジジン誘導体であるN,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニルベンジジン;カルバゾール誘導体である4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル、ポリ(N−ビニルカルバゾール)が挙げられる。ホール輸送領域4は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。ホール輸送領域4の厚さは5nm〜100nm程度であり、好ましくは10nm〜50nmである。ホール輸送領域4は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、ディップ法によって形成される。
発光領域5では、有機材料が発光する。すなわち、ホール注入領域3及びホール輸送領域4中を移動してきたホールと、陰極界面領域7及び電子輸送領域6中を移動してきた電子とが発光領域5において再結合して励起子が形成され、それが基底状態に戻るときに発光が起きる。発光領域5に用いられる材料に求められる条件は、高い蛍光量子効率を示すこと、ホール並びに/若しくは電子を効率よく輸送することができること、ガラス転移温度が高いことである。発光領域5形成用の材料は、上記条件を満たすものであれば特に制限されるものでなく、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、キノリノラト系金属錯体、トリアリールアミン誘導体、アゾメチン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、シロール誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジカルバゾール誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、クマリン誘導体、ピレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ベンゾピラン誘導体、ユーロピウム錯体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体が挙げられる。これらの化合物の中でも上記条件を良好に満たす化合物としては、キノリノラト系金属錯体であるトリス−(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(p−フェニルフェノラト)アルミニウム(BAlq);トリアリールアミン誘導体であるトリフェニルアミンの4量体;ジスチリルアリーレン誘導体である4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)が挙げられる。発光領域5は単独の有機化合物含有層によって構成されてもよいし、複数の有機化合物含有層によって構成されてもよい。また、発光領域5を構成する各有機化合物含有層は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。有機EL素子の発光効率や初期輝度半減寿命を向上させる目的で、ホスト化合物にゲスト化合物を数%ドーピングすることが通常行われるが、必ずしもドーピングしなくてもよい。ドーピングするときは、発光領域5内におけるゲスト化合物の濃度は一定でなくてもよい。例えば、ゲスト化合物の濃度を有機化合物含有層の厚さ方向に傾斜させることにより、この有機化合物含有層内において、陰極側の電子移動度が陽極側の電子移動度よりも大きくなるように、ゲスト化合物の濃度を変化させてもよい。発光領域5の膜さは1nm〜100nm程度であり、好ましくは10〜50nm程度である。発光領域5は、例えば真空蒸着法によって形成される。
電子輸送領域6は、陰極8から注入された電子を発光領域5へ効率よく輸送する役割、及び発光領域5で生成した励起子が拡散して陰極8で消光するのを防ぐ役割を有する。本実施形態では、電子輸送領域6は、第1の電子輸送層6aと第2の電子輸送層6bの二つの有機化合物含有層から構成されている。つまり、本実施形態の有機電界発光素子では、複数の有機化合物含有層のうちの二つの層が電子輸送領域を構成している。
以下、第1の電子輸送層6a及び第2の電子輸送層6bについて詳細に説明する。
第1の電子輸送層6aは発光領域5に密着して配置され、発光領域5へ電子を輸送する役割を有する。第1の電子輸送層6a用の材料としては、発光領域5とエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成しない化合物が好ましく、また、発光領域5の電子移動度よりも高い電子移動度を有することが好ましい。このような材料として、特にキノリノラト系金属錯体が望ましい。
キノリノラト系金属錯体としては、配位子として8−キノリノラト、2−メチル−8−キノリノラト、4−メチル−8−キノリノラト、5−メチル−8−キノリノラト、3,4−ジメチル−8−キノリノラト、4−エチル−8−キノリノラト、4,5−ジメチル−8−キノリノラト、4,6−ジメチル−8−キノリノラト、4−メトキシ−8−キノリノラト、10−ベンゾ[h]キノリノラト、ベンゾ[f]−8−キノリノラト、8−キノリノラトの2量体、7−プロピル−8−キノリノラトなどを持つ錯体であって、中心金属としてアルミニウム、ベリリウム、亜鉛、マグネシウム、ガリウム、インジウム、銅、カルシウム、錫、鉛を含むものが好ましく用いられる。より具体的なキノリノラト系金属錯体としては、Alq3、BAlq、トリス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、モノ(4−メチル−8−キノリノラト)ビス(8−キノリノラト)アルミニウム、モノ(4−エチル−8−キノリノラト)モノ(4−メチル−8−キノリノラト)モノ(8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(3,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(4−メトキシ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(4,5−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−ブロモ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−シアノ−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−スルホニル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−プロピル−8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−5−クロロ−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(3,4−ジメチル−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(5,7−ジクロロ−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(ベンゾ[f]−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−5−クロロ−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(3,4−ジメチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラト)ベリリウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メチル−5−クロロ−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(3,4−ジメチル−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(4,6−ジメチル−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(5,7−ジクロロ−8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(10−ベンゾ[h]キノリノラト)マグネシウム、トリス(8−キノリノラト)インジウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)カルシウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(ジフェニルメチルシラノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(tert−ブチルジフェニルシラノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリス−(4,4−ビフェニル)シラノラト)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナフトラト)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2−ナフトラト)ガリウム、ビス(8−キノリノラト)銅が挙げられる。
第1の電子輸送層6aは、キノリノラト系金属錯体を少なくとも含有すれば良く、例えば、他の材料と共蒸着して形成されても良い。共蒸着により第1の電子輸送層6aを形成する場合には、第1の電子輸送層6aの厚み方向において、キノリノラト系金属錯体の濃度が変化してもよいし、一様であってもよい。第1の電子輸送層6aの厚さは0.1〜20nm程度であり、好ましくは0.5〜4nm程度である。第1の電子輸送層6aは、例えば、真空蒸着法によって形成される。
第2の電子輸送層6bは、第1の電子輸送層6aへ効率よく電子を輸送する役割を有する。第2の電子輸送層6bに用いられる材料に求められる条件は、電子移動度が第1の電子輸送層6aよりも高いことである。第2の電子輸送層6b用の好ましい材料としては、例えば、シロール誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾピロール誘導体、テトラフェニルメタン誘導体、ピラゾール誘導体、チアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、チオナフテン誘導体、スピロ系化合物、イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体が挙げられる。より好ましい材料としては、特開平09−87616号公報又は特開平09−194487号公報に記載のシロール誘導体、それらの中でも特に、2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロールや2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ビス(2−メチルフェニル)シロールが挙げられる。また、フェナントロリン誘導体であるバソクプロイン及びバソフェナントロリン、特開2001−267080号公報に記載のフェナントロリン誘導体も、第2の電子輸送層6b用の材料として、より好ましい。第2の電子輸送層6bの厚さは1〜100nm程度であり、好ましくは1〜50nm程度である。第2の電子輸送層6bは、例えば真空蒸着法によって形成される。
電子輸送領域6は、必ずしも二つの有機化合物含有層によって構成される必要は無く、3以上の有機化合物含有層によって構成されても良い。
陰極界面領域7は、陰極8から第2の電子輸送層6bへの電子の注入性を上げたり、陰極8と電子輸送層領域6との密着性を良くする役割を有する。陰極界面領域7用の材料は、以上の性能を付与する材料であれば特に制限されるものでなく、公知の材料を用いることができる。すなわち、陰極界面領域7用の材料としては、例えば、フッ化リチウム、酸化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物、塩化物、及び硫化物が挙げられる。陰極界面領域7は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。陰極界面領域7の厚さは0.1nm〜10nm程度であり、好ましくは0.3nm〜3nmである。陰極界面領域7は、陰極界面領域7の全体にわたって均一な厚さを有するものであっても、不均一な厚さを有するものであってもよい。陰極界面領域7はまた、島状に形成されてもよい。陰極界面領域7は、例えば真空蒸着法によって形成される。
陰極8は、陰極界面領域7に電子を注入する役割を有する。陰極8に用いられる材料は、電気抵抗が小さく且つ仕事関数が低い任意の材料であって、金属、合金、電気伝導性の化合物及びこれらの混合物等、種類を問わない。陰極8用の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、カルシウム、スズ等の金属;アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−リチウム合金等のアルミニウム合金、あるいはマグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金等のマグネシウム合金といった合金が挙げられる。陰極8用の材料はさらに、陽極2用の材料として上記した材料であってもよい。陰極8は、単独の材料から形成されてもよいし、複数の材料から形成されてもよい。陰極8の厚さは、5nm〜1μm程度であり、好ましくは10nm〜500nmである。陰極8は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法によって形成される。
陽極2及び陰極8のうち、発光領域5よりも光の取り出し側にある電極、すなわち、発光領域5よりも有機EL素子の光出射面の近くに位置する電極は、透明又は半透明であることが必要である。透明又は半透明の電極は、可視光領域で10%以上の光透過率を有することが好ましい。
図1に示す有機EL素子は、本発明の実施形態の一例であり、本発明は、その要旨を超えない限り、何ら図1に示す有機EL素子に限定されるものではない。例えば、有機EL素子は、以下の(1)〜(4)に示す層を基板1上に備えるものであってもよい。(1)〜(4)に示す層は、左から順に基板1上に設けられてもよいし、右から順に基板1上に設けられてもよい。
(1)陽極/ホール注入領域/発光領域/電子輸送領域/陰極界面領域/陰極
(2)陽極/ホール注入領域/ホール輸送領域/発光領域/電子輸送領域/陰極
(3)陽極/発光領域/電子輸送領域/陰極界面領域/陰極
(4)陽極/発光領域/電子輸送領域/陰極
以下、本発明を実施例を用いて具体的に説明するが、本発明は実施例に限定して解釈されないのは当然である。
基板1として、透明のガラス基板を用いた。基板1上には陽極2を形成した。陽極2は、厚さ190nmのITOにより形成した。有機層を蒸着する前の基板洗浄として、基板1をアルカリ洗浄し、次いで純水洗浄し、乾燥した後、紫外線オゾン洗浄をした。基板1を真空蒸着装置へ移し、基板1上に設けたITOの上に、化学式1に示すCuPcを、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ10nmのホール注入領域3を形成した。
ホール注入領域3の上に、化学式2に示すトリフェニルアミンの4量体を、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ10nmのホール輸送領域4を形成した。なお、トリフェニルアミンの4量体の電子移動度は、ホール注入領域3の材料であるCuPcの電子移動度よりも高い。電子移動度は、被測定物質のみからなる薄膜を形成し、TOF法により測定した。
ホール輸送領域4の上に、化学式3に示すDPVBi(発光色青)を、蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ30nmの発光領域5を形成した。なお、DPVBiはTOF法によるホール移動度及び電子移動度の測定によると、ホール輸送性材料である。DPVBiの電子移動度は、ホール輸送領域4の材料であるトリフェニルアミンの4量体の電子移動度よりも高い。
発光領域5の上に、第1の電子輸送層6a及び第2の電子輸送層6bからなる電子輸送領域6を形成した。第1の電子輸送層6a及び第2の電子輸送層6bは、、発光領域5の上に同順で並んでいる。第1の電子輸送層6aは、キノリノラト系金属錯体である化学式4に示すAlq3を、カーボンるつぼにて蒸着速度0.01nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着することによって形成され、4.0nmの厚さを有する。なお、Alq3の電子移動度は発光領域5の材料であるDPVBiの電子移動度よりも大きい。
第2の電子輸送層6bは、シロール誘導体である化学式5に示す2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(ETM)を、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着することによって形成され、15nmの厚さを有する。
第1の電子輸送層6aを形成するAlq3と第2の電子輸送層6bを形成するETMの電子移動度を比較すると、ETMの方が電子移動度が高い。
第2の電子輸送層6bの形成が終了した後、フッ化リチウムをカーボンるつぼにて蒸着速度0.03nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ0.5nmの陰極界面領域7を形成した。その後、アルミニウムをタングステンボートにて蒸着速度1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ100nmの陰極8を形成した。
(比較例1)
比較例1では、ホール注入領域3をTPTEから形成し、ホール輸送領域4をCuPcから形成するようにしたことを除いては、実施例1と同様にして素子を作成した。ホール注入領域3は、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5PaでTPTEを蒸着することによって形成され、10nmの厚さを有する。ホール輸送領域4は、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5PaでCuPcを蒸着することによって形成され、10nmの厚さを有する。なお、CuPcの電子移動度は、TPTEの電子移動度よりも低い。
(比較例2)
比較例2では、第1の電子輸送層6aをETMから形成し、第2の電子輸送層6bをAlq3から形成するようにしたことを除いては、実施例1と同様にして素子を作成した。第1の電子輸送層6aは、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0PaでETMを蒸着することによって形成され、4.0nmの厚さを有する。第2の電子輸送層6bはは、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5PaでAlq3を蒸着することによって形成され、15nmの厚さを有する。なお、Alq3の電子移動度は、ETMの電子移動度よりも低い。
(比較例3)
比較例3では、発光領域5をAlq3から形成し、第1の電子輸送層6aをDPVBiから形成するようにしたことを除いては、実施例1と同様にして素子を作成した。発光領域5は、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5PaでAlq3を蒸着することによって形成され、30nmの厚さを有する。第1の電子輸送層6aは、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0PaでDPVBiを蒸着することによって形成され、4.0nmの厚さを有する。なお、DPVBiの電子移動度は、Alq3の電子移動度よりも低い。
実施例1及び比較例1〜3のそれぞれの有機EL素子の、輝度1000cd/m2における電力効率、電流効率と、色度x、色度y、および初期輝度半減寿命の測定結果を表1に示す。輝度および色度は輝度測定器(株式会社トプコンの輝度計BM7)を用いて測定した。なお、初期輝度半減寿命は、一定の電流を有機EL素子に与え続けたときに、その有機EL素子の輝度が初期輝度2400cd/m2の半分となるまでに要する時間を示す。
(評価)
一般的に、有機物を流れる電流は、有機物中の空間電荷に支配されるものと考えられている。互いに隣接する任意の2つの有機層において、陽極側に位置する有機層の電子移動度の方が陰極側に位置する有機層の電子移動度よりも大きくなるように並んでいると、有機物中の空間電荷が乱され、有機層全体としての移動度が減少し、発光効率が低下するものと考えられる。また、発光効率が低下すると、予め定めた輝度を実現するのに必要な電流が多くなるため、初期輝度半減寿命が短くなるものと考えられる。比較例1の有機EL素子では、ホール輸送領域4を形成するCuPcの電子移動度が、陽極側に隣接するホール注入領域3を形成するTPTEの電子移動度よりも低く、比較例2の有機EL素子では、第2の電子輸送層6bを形成するAlq3の電子移動度が、陽極側に隣接する第1の電子輸送層6aを形成するETMの電子移動度よりも低く、比較例3の有機EL素子では、第1の電子輸送層6aを形成するDPVBiの電子移動度が、陽極側に隣接する発光領域5を形成するAlq3の電子移動度よりも低い。そのため、互いに隣接する有機層の電子移動度が陰極側に位置する有機層の方が大きくなるように並んでいる実施例1の有機EL素子よりも、表1に示すように、比較例1〜3の有機EL素子の電力効率、電流効率は低く、初期輝度半減寿命が短いものと考えられる。
ホール注入領域3の上に、化学式2に示すトリフェニルアミンの4量体を、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ10nmのホール輸送領域4を形成した。なお、トリフェニルアミンの4量体の電子移動度は、ホール注入領域3の材料であるCuPcの電子移動度よりも高い。電子移動度は、被測定物質のみからなる薄膜を形成し、TOF法により測定した。
ホール輸送領域4の上に、化学式3に示すDPVBi(発光色青)を、蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ30nmの発光領域5を形成した。なお、DPVBiはTOF法によるホール移動度及び電子移動度の測定によると、ホール輸送性材料である。DPVBiの電子移動度は、ホール輸送領域4の材料であるトリフェニルアミンの4量体の電子移動度よりも高い。
発光領域5の上に、第1の電子輸送層6a及び第2の電子輸送層6bからなる電子輸送領域6を形成した。第1の電子輸送層6a及び第2の電子輸送層6bは、、発光領域5の上に同順で並んでいる。第1の電子輸送層6aは、キノリノラト系金属錯体である化学式4に示すAlq3を、カーボンるつぼにて蒸着速度0.01nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着することによって形成され、4.0nmの厚さを有する。なお、Alq3の電子移動度は発光領域5の材料であるDPVBiの電子移動度よりも大きい。
第2の電子輸送層6bは、シロール誘導体である化学式5に示す2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(ETM)を、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着することによって形成され、15nmの厚さを有する。
第1の電子輸送層6aを形成するAlq3と第2の電子輸送層6bを形成するETMの電子移動度を比較すると、ETMの方が電子移動度が高い。
第2の電子輸送層6bの形成が終了した後、フッ化リチウムをカーボンるつぼにて蒸着速度0.03nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ0.5nmの陰極界面領域7を形成した。その後、アルミニウムをタングステンボートにて蒸着速度1nm/s、真空度約5.0×10−5Paで蒸着して、厚さ100nmの陰極8を形成した。
(比較例1)
比較例1では、ホール注入領域3をTPTEから形成し、ホール輸送領域4をCuPcから形成するようにしたことを除いては、実施例1と同様にして素子を作成した。ホール注入領域3は、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5PaでTPTEを蒸着することによって形成され、10nmの厚さを有する。ホール輸送領域4は、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5PaでCuPcを蒸着することによって形成され、10nmの厚さを有する。なお、CuPcの電子移動度は、TPTEの電子移動度よりも低い。
(比較例2)
比較例2では、第1の電子輸送層6aをETMから形成し、第2の電子輸送層6bをAlq3から形成するようにしたことを除いては、実施例1と同様にして素子を作成した。第1の電子輸送層6aは、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0PaでETMを蒸着することによって形成され、4.0nmの厚さを有する。第2の電子輸送層6bはは、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5PaでAlq3を蒸着することによって形成され、15nmの厚さを有する。なお、Alq3の電子移動度は、ETMの電子移動度よりも低い。
(比較例3)
比較例3では、発光領域5をAlq3から形成し、第1の電子輸送層6aをDPVBiから形成するようにしたことを除いては、実施例1と同様にして素子を作成した。発光領域5は、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5PaでAlq3を蒸着することによって形成され、30nmの厚さを有する。第1の電子輸送層6aは、カーボンるつぼにて蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0PaでDPVBiを蒸着することによって形成され、4.0nmの厚さを有する。なお、DPVBiの電子移動度は、Alq3の電子移動度よりも低い。
実施例1及び比較例1〜3のそれぞれの有機EL素子の、輝度1000cd/m2における電力効率、電流効率と、色度x、色度y、および初期輝度半減寿命の測定結果を表1に示す。輝度および色度は輝度測定器(株式会社トプコンの輝度計BM7)を用いて測定した。なお、初期輝度半減寿命は、一定の電流を有機EL素子に与え続けたときに、その有機EL素子の輝度が初期輝度2400cd/m2の半分となるまでに要する時間を示す。
(評価)
一般的に、有機物を流れる電流は、有機物中の空間電荷に支配されるものと考えられている。互いに隣接する任意の2つの有機層において、陽極側に位置する有機層の電子移動度の方が陰極側に位置する有機層の電子移動度よりも大きくなるように並んでいると、有機物中の空間電荷が乱され、有機層全体としての移動度が減少し、発光効率が低下するものと考えられる。また、発光効率が低下すると、予め定めた輝度を実現するのに必要な電流が多くなるため、初期輝度半減寿命が短くなるものと考えられる。比較例1の有機EL素子では、ホール輸送領域4を形成するCuPcの電子移動度が、陽極側に隣接するホール注入領域3を形成するTPTEの電子移動度よりも低く、比較例2の有機EL素子では、第2の電子輸送層6bを形成するAlq3の電子移動度が、陽極側に隣接する第1の電子輸送層6aを形成するETMの電子移動度よりも低く、比較例3の有機EL素子では、第1の電子輸送層6aを形成するDPVBiの電子移動度が、陽極側に隣接する発光領域5を形成するAlq3の電子移動度よりも低い。そのため、互いに隣接する有機層の電子移動度が陰極側に位置する有機層の方が大きくなるように並んでいる実施例1の有機EL素子よりも、表1に示すように、比較例1〜3の有機EL素子の電力効率、電流効率は低く、初期輝度半減寿命が短いものと考えられる。
実施例2〜7では、第1の電子輸送層6a(Alq3)の厚さをそれぞれ3.0nm(実施例2)、2.5nm(実施例3)、2.0nm(実施例4)、1.5nm(実施例5)、1.0nm(実施例6)及び0.5nm(実施例7)とした。それ以外は、実施例1と同様に素子を作成した。
(比較例4)
比較例4では、第1の電子輸送層6aを省略して、実施例1と同様にして素子を作成した。
実施例1〜7及び比較例4の各有機EL素子の、輝度1000cd/m2における電力効率、電流効率、色度x、色度y、および初期輝度半減寿命(初期輝度2400cd/m2)の測定結果を表2に示す。
(評価)
表2に示すように、第1の電子輸送層6aをAlq3で形成した実施例1〜7の有機EL素子は、第1の電子輸送層6aを有さない比較例4の有機EL素子に比べて、電力効率、電流効率が向上している。一般に、電子移動度の高い材料とホール移動度の高い材料が密着配置されると、エキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成しやすいと考えられており、さらに、有機EL素子に含有されている化合物がエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成している場合、発光波長は長波長化する。色度yを実施例1〜7の有機EL素子と比較例4の有機EL素子を比較すると、比較例4の有機EL素子の方が高くなっている。青色発光素子で色度yが高くなるということは、発光波長が長波長化していることを意味する。このことから、比較例4の有機EL素子では第2の電子輸送層6bを形成するETMと発光領域5を形成するDPVBiとの界面付近においてエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体が形成されていると考えられる。一般に、エキサイプレックスあるいは電界移動錯体からの発光は弱い。一方、実施例1〜7の有機EL素子では、第1の電子輸送層6aを形成するAlq3と発光領域5を形成するDPVBiとの界面付近においてエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体の形成が抑制され、さらに、キノリノラト系金属錯体であるAlq3よりも電子移動度の高い材料を含む有機化合物含有層を陰極側に配置することにより、電子輸送領域6全体としての電子移動度が高くなっている。そのため、比較例4の有機EL素子に比べ実施例1〜7の有機EL素子は電力効率、電流効率が向上しているものと考えられる。特に、第1の電子輸送層6aの厚さが0.5nm〜4nmのとき、電力効率及び電流効率はよく向上している。
比較例4の有機EL素子の初期輝度半減寿命は、実施例1〜7の有機EL素子よりも短い。この理由は、エキサイプレックスを形成した比較例4の有機EL素子の電流効率が低いせいと考えられる。エキサイプレックスを形成していない実施例1〜7の有機EL素子と比べて、比較例4の有機EL素子では、所定の輝度を実現するためにはより多くの電流量が必要とされる。一般に、有機EL素子に流れる電流が増えると初期輝度半減寿命は短くなる。よって、比較例4の有機EL素子は、実施例1〜7の有機EL素子よりも初期輝度半減寿命が短いものと考えられる。特に、第1の電子輸送層6aの厚さが0.5nm〜4nmのとき、初期輝度半減寿命はよく改善されている。
(比較例4)
比較例4では、第1の電子輸送層6aを省略して、実施例1と同様にして素子を作成した。
実施例1〜7及び比較例4の各有機EL素子の、輝度1000cd/m2における電力効率、電流効率、色度x、色度y、および初期輝度半減寿命(初期輝度2400cd/m2)の測定結果を表2に示す。
(評価)
表2に示すように、第1の電子輸送層6aをAlq3で形成した実施例1〜7の有機EL素子は、第1の電子輸送層6aを有さない比較例4の有機EL素子に比べて、電力効率、電流効率が向上している。一般に、電子移動度の高い材料とホール移動度の高い材料が密着配置されると、エキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成しやすいと考えられており、さらに、有機EL素子に含有されている化合物がエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成している場合、発光波長は長波長化する。色度yを実施例1〜7の有機EL素子と比較例4の有機EL素子を比較すると、比較例4の有機EL素子の方が高くなっている。青色発光素子で色度yが高くなるということは、発光波長が長波長化していることを意味する。このことから、比較例4の有機EL素子では第2の電子輸送層6bを形成するETMと発光領域5を形成するDPVBiとの界面付近においてエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体が形成されていると考えられる。一般に、エキサイプレックスあるいは電界移動錯体からの発光は弱い。一方、実施例1〜7の有機EL素子では、第1の電子輸送層6aを形成するAlq3と発光領域5を形成するDPVBiとの界面付近においてエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体の形成が抑制され、さらに、キノリノラト系金属錯体であるAlq3よりも電子移動度の高い材料を含む有機化合物含有層を陰極側に配置することにより、電子輸送領域6全体としての電子移動度が高くなっている。そのため、比較例4の有機EL素子に比べ実施例1〜7の有機EL素子は電力効率、電流効率が向上しているものと考えられる。特に、第1の電子輸送層6aの厚さが0.5nm〜4nmのとき、電力効率及び電流効率はよく向上している。
比較例4の有機EL素子の初期輝度半減寿命は、実施例1〜7の有機EL素子よりも短い。この理由は、エキサイプレックスを形成した比較例4の有機EL素子の電流効率が低いせいと考えられる。エキサイプレックスを形成していない実施例1〜7の有機EL素子と比べて、比較例4の有機EL素子では、所定の輝度を実現するためにはより多くの電流量が必要とされる。一般に、有機EL素子に流れる電流が増えると初期輝度半減寿命は短くなる。よって、比較例4の有機EL素子は、実施例1〜7の有機EL素子よりも初期輝度半減寿命が短いものと考えられる。特に、第1の電子輸送層6aの厚さが0.5nm〜4nmのとき、初期輝度半減寿命はよく改善されている。
実施例8〜14では、第2の電子輸送層6bがフェナントロリン誘導体である化学式6で示されるバソクプロインから形成されることを除いては、実施例1と同条件で有機EL素子が形成される。ただし、第1の電子輸送層6aの厚さは、実施例8では4.0nm、実施例9では3.0nm、実施例10では2.5nm、実施例11では2.0nm、実施例12では1.5nm、実施例13では1.0nm、実施例14では0.5nmである。
(比較例5)
比較例5は、第1の電子輸送層6aを形成しない他は、実施例8〜14と同様にして素子を作成した。
実施例8〜14及び比較例5の各有機EL素子の、輝度1000cd/m2における電力効率、電流効率、色度x、色度y、および初期輝度半減寿命(初期輝度2400cd/m2)の測定結果を表3に示す。
(評価)
表3に示すように、第1の電子輸送層6aをAlq3で形成した実施例8〜14の有機EL素子は第2の電子輸送層6bを有さない比較例5の有機EL素子に比べて、電力効率、電流効率が向上している。色度yを実施例8〜14の有機EL素子と比較例5の有機EL素子で比較すると、比較例5の有機EL素子の方が高くなっている。青色発光素子で色度yが高くなるということは、発光波長が長波長化していることを意味する。このことから、比較例5の有機EL素子では第2の電子輸送層6bを形成するバソクプロインと発光領域5を形成するDPVBiがエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成しているが、実施例8〜14の有機EL素子ではエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体の形成が抑制されており、その結果、比較例5の有機EL素子に比べ実施例8〜14の有機EL素子は電力効率、電流効率が向上しているものと考えられる。特に、第1の電子輸送層6aの厚さが0.5nm〜4nmのとき、電力効率及び電流効率はよく向上している。
比較例5の有機EL素子の初期輝度半減寿命は、実施例8〜14の有機EL素子よりも短い。この理由は、エキサイプレックスを形成した比較例5の有機EL素子の電流効率が低いせいと考えられる。エキサイプレックスを形成していない実施例8〜14の有機EL素子と比べて、比較例5の有機EL素子では、所定の輝度を実現するためにはより多くの電流量が必要とされる。一般に、有機EL素子に流れる電流が増えると初期輝度半減寿命は短くなる。よって、比較例5の有機EL素子は、実施例8〜14の有機EL素子よりも初期輝度半減寿命が短いものと考えられる。特に、第1の電子輸送層6aの厚さが0.5nm〜4nmのとき、初期輝度半減寿命はよく改善されている。
(比較例5)
比較例5は、第1の電子輸送層6aを形成しない他は、実施例8〜14と同様にして素子を作成した。
実施例8〜14及び比較例5の各有機EL素子の、輝度1000cd/m2における電力効率、電流効率、色度x、色度y、および初期輝度半減寿命(初期輝度2400cd/m2)の測定結果を表3に示す。
(評価)
表3に示すように、第1の電子輸送層6aをAlq3で形成した実施例8〜14の有機EL素子は第2の電子輸送層6bを有さない比較例5の有機EL素子に比べて、電力効率、電流効率が向上している。色度yを実施例8〜14の有機EL素子と比較例5の有機EL素子で比較すると、比較例5の有機EL素子の方が高くなっている。青色発光素子で色度yが高くなるということは、発光波長が長波長化していることを意味する。このことから、比較例5の有機EL素子では第2の電子輸送層6bを形成するバソクプロインと発光領域5を形成するDPVBiがエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体を形成しているが、実施例8〜14の有機EL素子ではエキサイプレックスあるいは電荷移動錯体の形成が抑制されており、その結果、比較例5の有機EL素子に比べ実施例8〜14の有機EL素子は電力効率、電流効率が向上しているものと考えられる。特に、第1の電子輸送層6aの厚さが0.5nm〜4nmのとき、電力効率及び電流効率はよく向上している。
比較例5の有機EL素子の初期輝度半減寿命は、実施例8〜14の有機EL素子よりも短い。この理由は、エキサイプレックスを形成した比較例5の有機EL素子の電流効率が低いせいと考えられる。エキサイプレックスを形成していない実施例8〜14の有機EL素子と比べて、比較例5の有機EL素子では、所定の輝度を実現するためにはより多くの電流量が必要とされる。一般に、有機EL素子に流れる電流が増えると初期輝度半減寿命は短くなる。よって、比較例5の有機EL素子は、実施例8〜14の有機EL素子よりも初期輝度半減寿命が短いものと考えられる。特に、第1の電子輸送層6aの厚さが0.5nm〜4nmのとき、初期輝度半減寿命はよく改善されている。
Claims (9)
- 陰極及び陽極と、
陰極と陽極との間に設けられた複数の有機化合物含有層であって、互いに隣接する二つの有機化合物含有層に関して、陽極寄りに位置する有機化合物含有層は、陰極寄りに位置する有機化合物含有層よりも低い電子移動度を有することと
を備えることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求の範囲第1項に記載の有機電界発光素子において、前記有機化合物含有層は第1の有機化合物含有層であり、有機電界発光素子はさらに陰極と陽極との間に設けられた複数の第2の有機化合物含有層を備え、前記第2の有機化合物含有層のうちの少なくとも二つが電子輸送領域を構成していることを特徴とする有機電界発光素子。
- 請求の範囲第1項に記載の有機電界発光素子において、前記有機化合物含有層のうちの少なくとも二つが電子輸送領域を構成していることを特徴とする有機電界発光素子。
- 請求の範囲第2項又は第3項に記載の有機電界発光素子において、電子輸送領域を構成する有機化合物含有層を除いた有機化合物含有層のうちの少なくとも一つが、ホール注入領域、ホール輸送領域及び陰極界面領域のうちの少なくとも一つを構成していることを特徴とする有機電界発光素子。
- 陰極及び陽極と、
陰極と陽極との間に設けられた発光領域及び電子輸送領域であって、その発光領域と電子輸送領域とは互いに隣接し、電子輸送領域は複数の有機化合物含有層によって構成され、その有機化合物含有層のうち発光領域と接する有機化合物含有層はキノリノラト系金属錯体を含有することと
を備えることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求の範囲第5項に記載の有機電界発光素子において、前記発光領域は一つ又は複数の有機化合物含有層によって構成され、前記発光領域を構成する一つの有機化合物含有層、又は、前記発光領域を構成する複数の有機化合物含有層のうち最も陰極寄りに位置する有機化合物層は、ホール輸送性材料を含有し、キノリノラト系金属錯体を含有する前記有機化合物含有層は第1の有機化合物含有層であり、有機電界発光素子は、第1の有機化合物含有層と前記陰極との間に位置する第2の有機化合物含有層を備え、第2の有機化合物含有層は、キノリノラト系金属錯体よりも電子移動度の高い材料を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
- 請求の範囲第6項に記載の有機電界発光素子において、前記キノリノラト系金属錯体よりも電子移動度の高い材料は、シロール誘導体またはフェナントロリン誘導体であることを特徴とする有機電界発光素子。
- 請求の範囲第6項又は第7項に記載の有機電界発光素子において、前記ホール輸送性材料は、ジスチリルアリーレン誘導体であることを特徴とする有機電界発光素子。
- 請求の範囲第5項〜第8項のいずれか一項に記載の有機電界発光素子において、キノリノラト系金属錯体を含有する前記有機化合物層の厚さは0.5nm〜4nmであることを特徴とする有機電界発光素子。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003050584 | 2003-02-27 | ||
JP2003050584 | 2003-02-27 | ||
JP2003107202 | 2003-04-11 | ||
JP2003107202 | 2003-04-11 | ||
PCT/JP2004/002386 WO2004077889A1 (ja) | 2003-02-27 | 2004-02-27 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004077889A1 true JPWO2004077889A1 (ja) | 2006-06-08 |
Family
ID=32929651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005502955A Pending JPWO2004077889A1 (ja) | 2003-02-27 | 2004-02-27 | 有機電界発光素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060228577A1 (ja) |
EP (1) | EP1599074A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2004077889A1 (ja) |
KR (1) | KR100777174B1 (ja) |
TW (1) | TWI316827B (ja) |
WO (1) | WO2004077889A1 (ja) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7141924B2 (en) * | 2004-05-07 | 2006-11-28 | Au Optronics Corporation | Multi-layer cathode in organic light-emitting devices |
JP2006032638A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子 |
US7300731B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-11-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Spatially-doped charge transport layers |
JP2006270091A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子及び表示装置 |
US20060194077A1 (en) | 2005-02-28 | 2006-08-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic light emitting diode and display using the same |
JP4846276B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2011-12-28 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2008112976A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-05-15 | Sony Corp | 有機電界発光素子、表示装置、および電子機器 |
KR20080083881A (ko) | 2007-03-13 | 2008-09-19 | 삼성전자주식회사 | 색 조절층을 구비한 백색 유기발광소자 |
JP5530608B2 (ja) | 2007-09-13 | 2014-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子および発光装置 |
US8552639B2 (en) * | 2007-11-30 | 2013-10-08 | Samsung Display Co., Ltd. | White organic light emitting device |
KR101427799B1 (ko) * | 2008-02-21 | 2014-08-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
JP2010087394A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
US20100244677A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Begley William J | Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative |
KR101750040B1 (ko) | 2011-02-16 | 2017-06-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
DE202012013738U1 (de) * | 2011-02-16 | 2020-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lichtemittierendes Element |
TWI831058B (zh) | 2011-02-28 | 2024-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件 |
US8969854B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting layer and light-emitting element |
DE202012013751U1 (de) | 2011-03-23 | 2021-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lichtemittierendes Element |
CN103518268B (zh) | 2011-03-30 | 2016-05-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
KR20240100473A (ko) | 2011-04-07 | 2024-07-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
DE112013007607B3 (de) | 2012-03-14 | 2018-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung |
JP2013232629A (ja) | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
JP6158542B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
JP6158543B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
US8994013B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
KR102285527B1 (ko) | 2012-08-03 | 2021-08-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
TWI650399B (zh) | 2012-08-03 | 2019-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件 |
KR20190000390A (ko) | 2012-08-03 | 2019-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 장치 및 조명 장치 |
JP2014043437A (ja) | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
TWI651878B (zh) | 2012-08-03 | 2019-02-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備 |
JP6312960B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2018-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置及び複素環化合物 |
US9142710B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
US10043982B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
KR102290674B1 (ko) | 2013-08-26 | 2021-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 조명 장치, 및 전자 기기 |
CN108630826B (zh) | 2013-12-02 | 2021-12-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
TWI729649B (zh) | 2014-05-30 | 2021-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件,發光裝置,電子裝置以及照明裝置 |
KR102409803B1 (ko) | 2014-10-10 | 2022-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR101560102B1 (ko) * | 2014-11-20 | 2015-10-13 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
KR101706752B1 (ko) * | 2015-02-17 | 2017-02-27 | 서울대학교산학협력단 | 호스트, 인광 도펀트 및 형광 도펀트를 포함하는 유기발광소자 |
US10903440B2 (en) | 2015-02-24 | 2021-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
TWI704706B (zh) | 2015-03-09 | 2020-09-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設置 |
WO2019171197A1 (ja) | 2018-03-07 | 2019-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、表示装置、電子機器、有機化合物及び照明装置 |
WO2020161556A1 (ja) | 2019-02-06 | 2020-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光機器、表示装置、電子機器及び照明装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3237905B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2001-12-10 | 株式会社東芝 | 有機el素子 |
JPH10270171A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
CN100358970C (zh) * | 1998-04-09 | 2008-01-02 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光装置 |
JP2000196140A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
JP2001148292A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP3982164B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2007-09-26 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
TW545080B (en) * | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
TW582121B (en) * | 2001-02-08 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
JP4006951B2 (ja) * | 2001-03-08 | 2007-11-14 | 正道 藤平 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP4057250B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2008-03-05 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機el素子および有機elディスプレイ |
-
2004
- 2004-02-26 TW TW093104868A patent/TWI316827B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-27 WO PCT/JP2004/002386 patent/WO2004077889A1/ja active Application Filing
- 2004-02-27 JP JP2005502955A patent/JPWO2004077889A1/ja active Pending
- 2004-02-27 KR KR1020057015774A patent/KR100777174B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-02-27 EP EP04715469A patent/EP1599074A1/en not_active Withdrawn
- 2004-02-27 US US10/547,045 patent/US20060228577A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200425794A (en) | 2004-11-16 |
TWI316827B (en) | 2009-11-01 |
WO2004077889A1 (ja) | 2004-09-10 |
EP1599074A1 (en) | 2005-11-23 |
KR100777174B1 (ko) | 2007-11-16 |
KR20050104396A (ko) | 2005-11-02 |
US20060228577A1 (en) | 2006-10-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090811 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091215 |