JPWO2002086882A1 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

安定したトラッキングサーボ信号を得ることができ、クロストーク及びクロスライトの影響が低減された狭トラッキングピッチの光磁気記録媒体として、複数の記録再生用トラック及びサンプルサーボ用のウォブルピットを含み、前記ウォブルピットの各々は隣接する２つのトラック間に設けられ、隣接するトラックにおいて共用される光磁気記録媒体が提供される。

Description

技術分野
本発明は、磁性薄膜に情報を記録する光磁気記録媒体に関し、特に、記録した情報を磁壁移動再生方式により再生する光磁気記録媒体に関する。
背景技術
光磁気記録媒体における、書き換え可能な高密度記録方式として、半導体レーザの熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込むことで情報を記録し、光磁気効果を用いて情報を読み出す方式がある。近年、この方式を用いた光磁気記録媒体の記録密度を更に高めて大容量の記録媒体を実現しようとする要求が高まっている。
光磁気記録媒体である光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレーザ波長と、対物レンズの開口数に大きく依存する。しかし、再生光学系のレーザ波長や対物レンズの開口数の改善には限界がある。そのため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫することで記録密度を改善する技術が開発されている。
かかる技術の例として、特開平６−２９０４９６号公報に開示されている技術がある。この技術によれば、磁気的に結合された磁壁移動層と記録保持層とを有する多層膜構成において、情報は記録保持層に記録される。そして、情報再生時には、光ビームの照射により生じる温度勾配を利用して、記録保持層に記録した情報を変化させることなく、磁壁移動層の記録マークの磁壁を移動させる。そして、光ビームスポットの一部領域が同一の磁化になるように磁壁移動層を磁化させて、光ビーム反射光の偏向面の変化を検出することにより、光の回折限界以下の記録マークを再生する。
この技術によれば、光の回折限界以下の記録マークの再生が可能であり、記録密度及び転送速度が大幅に向上した光磁気記録媒体及びその再生方法が実現可能である。
なお、この光磁気記録媒体では、光ビームの照射により生じる温度勾配を利用して磁壁移動層における記録マークの磁壁の移動を起こり易くするために、情報記録再生トラックを挟む両隣接グルーブに高パワーのレーザ光を照射することでグルーブを高温アニール処理し、グルーブ部分の記録媒体層を変質させるアニール処理が施されている。このアニール処理により、記録マークを形成する磁壁が閉じた磁区にならないという効果を得ることができる。これにより、磁壁抗磁力の作用が軽減されるので、より安定した磁壁の移動が可能である。このアニール処理により良好な再生信号を得ることができる。
また、最近では、更なる高密度化を目指して、アニール処理を必要とせず、グルーブ部分をもトラックとして使用可能な光磁気ディスクに関する研究が盛んである。かかる光磁気ディスクによれば、光磁気ディスクのトラックに対して垂直方向に高密度化が可能となる。
例えば、特開平１１−１９１２４５号公報では、基板の表面粗さを規定することにより、いわゆるランド・グルーブ記録媒体を実現している。
また、例えば、特開平１１−１２０６３６号公報では、溝部の側壁のテーパ角を大きくすることにより、ランド・グルーブ記録媒体を実現している。
また、例えば、特開平１１−１９５２５２号公報では、基板における溝部側壁部の表面粗さをコントロールすることにより、深溝のランド・グルーブ記録媒体を実現している。
このようにして、従来、光磁気記録媒体のトラックは、０．５μｍ程度までの狭トラックピッチ化が可能となっている。実験によれば、トラックピッチ０．６μｍの深溝（溝深さが約１００ｎｍ）のランド・グルーブ基板を用いて、線記録密度として０．１１μｍ／ｂｉｔの記録再生が実用レベルで確認されている。これは、記録密度として１０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２に相当する。
従来の磁壁移動型光磁気ディスクの再生動作について以下説明する。
ここでは、記録保持層、磁壁移動層及びスイッチング層の３層構造の場合を例示する。記録保持層は、記録マークを保存する。磁壁移動層は、磁壁が移動し、情報の再生に用いられる。スイッチング層は、記録保持層及び磁壁移動層との結合状態をスイッチする。また、ここでは、前述したように、情報記録トラックを挟んだ両隣接グルーブに高パワーのレーザ光を照射してグルーブ部分を高温アニールし、グルーブの磁性層を変質させるアニール処理が施されている。
スイッチング層は温度Ｔｓより低い温度の領域では交換結合の状態であり、記録保持層及び磁壁移動層と結合した状態となっている。情報再生時には光ビームが照射され、光磁気記録媒体は、磁壁移動層の磁壁が移動する温度Ｔｓまで加熱される。
光磁気記録媒体がＴｓ温度以上に加熱されると、スイッチング層はキュリー点に達し、磁壁移動層及び記録保持層との結合が切れた状態となる。そのため、記録マークの磁壁の温度が温度Ｔｓに到達すると、情報記録トラックの両隣接グルーブに対するアニール処理も作用して、磁壁移動層の磁壁が移動する。このとき、磁壁移動層の磁壁は、温度勾配に対してエネルギー的に安定して存在する位置、即ち、光ビーム照射による温度上昇の線密度方向の最高温度点に、ランドを横切るように瞬時に移動する。磁壁の移動により、再生光ビームに覆われる大部分の領域の磁化状態が同じになるため、通常の光ビーム再生原理では再生不可能な微小な記録マークから再生信号を得ることができる。
前述したような従来の光磁気記録媒体では、アニール処理を前提とする場合、媒体溝構造（溝形状）やアニール処理条件等の最適化がなされていなかった。
そのため、従来の光磁気記録媒体では、狭トラックピッチ化した場合に、安定したトラッキングサーボ信号を得ることができなかった。また、従来の光磁気記録媒体では、狭トラックピッチ化した場合に、情報再生時に、隣接トラックから信号がもれ込む、いわゆるクロストークが増大していた。また、従来の光磁気記録媒体では、狭トラックピッチ化した場合に、安定した磁壁移動再生が行えるトラックが確保できない場合があった。また、従来の光磁気記録媒体では、狭トラックピッチ化した場合に、情報記録時に隣接トラックの記録信号にダメージを与える、いわゆるクロスライトが増大していた。
また、従来の光磁気記録媒体においてランド・グルーブ記録を行う場合、入射光の近接場的振る舞いにより、ランドをトレースするときと、グルーブをトレースするときとで形成される温度分布が異なる。特に、ランドトレース時には、グルーブトレース時よりも相対的に強度の高い光が必要である。光の強度をランドへの記録に対して最適化すると、ランドへの情報の書き込み時にグルーブへクロスライトしてしまう場合があった。
発明の開示
本発明の目的は、安定したトラッキングサーボ信号を得ることができ、クロストーク及びクロスライトの影響が低減された狭トラッキングピッチの光磁気記録媒体を提供することである。
そして、上記目的を実現する構成の一例は以下のとおりである。
光磁気記録媒体であって、
複数の記録再生用トラック；及び
サンプルサーボ用のウォブルピットを含み、
前記ウォブルピットの各々は隣接する２つのトラック間に設けられ、隣接するトラックにおいて共用されることを特徴とする光磁気記録媒体。
発明を実施するための最良の形態
本発明の実施形態について図面を参照して以下詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の最良の実施形態の一例ではあるが、本発明はこれら実施形態により何ら限定を受けるものではない。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態の光磁気ディスクの特徴を示す概念図である。
図１において、光磁気ディスク１は、基板２、磁性層３及び保護膜４を有する。
磁性層３は、基板２上に成膜された少なくとも磁壁移動層、スイッチング層及び記録保持層からなる。
保護膜４は、磁性層３の上に設けられている。
基板２には、ランド５とグルーブ６が設けられている。グルーブ６は、所定のトラックピッチＴｐで繰り返し設けられており、記録再生用トラックとして使用される。
なお、図示されてはいないが、基板２と磁性膜３との間には反射率調整用として誘電体膜が成膜されている。また、図示されてはいないが、磁性膜３と保護膜４の間には熱構造調整用の放熱層が設けられている。
図２は、光磁気ディスク１の周方向の一部を拡大した模式図である。
本実施形態の光磁気ディスク１には、グルーブ６が設けられずプリピットが設けられた領域がある。図２には、光磁気ディスク１のグルーブ６の無い領域が示されている。
プリピットには、クロックピット、ウォブルピット、アドレスピット等があるが、図２では、ウォブルピット７とアドレスピット８とが設けられている。
ウォブルピット７は、グルーブ６間のランド５の延長線上に距離Ｔｐ×２の間隔で設けられている。１つのウォブルピット７が、隣接する２つのトラックにおけるサンプルサーボにて共用される。１つのウォブルピット７を共用することで、狭トラックピッチでのトラッキングサーボを可能としている。
アドレスピット８は、グルーブ６の延長線（図２では点線）上に設けられている。
図３Ａ及び３Ｂは、光磁気ディスク１における記録再生時の状態を示す概念図である。
図３Ａは、記録再生時の光磁気ディスク１の断面を見た図である。スポット径（半値全幅）Ｄの記録再生用光ビーム９が、基板２を通してグルーブ６に照射されている。
第１の実施形態では、記録再生装置（不図示）の光学仕様としては、波長λは概ね６５０ｎｍであり、対物レンズ開口数ＮＡ＝０．６０であるとする。従って、このときのスポット径（半値全幅）は、Ｄ≒φ０．５７μｍである。波長λ＝６５０ｎｍは、現在の記録再生光学系において主流として用いられている波長である。
図３Ｂは、記録再生時の光磁気ディスク１を上面から見た図である。記録再生用光ビームスポット１０がグルーブ６に照射されている。
図３Ａ及び３Ｂに示されるように、ここではトラックピッチＴｐは、記録再生用光ビームスポット１０のスポット径Ｄよりも小さい。光磁気ディスク１は、上述したようなプリピットにより狭トラックピッチ化が可能とされ、高密度化されている。光磁気ディスク１の良好なトラックピッチは、トラックピッチＴｐ＝０．５４μｍである。このトラックピッチＴｐの値は、光磁気ディスク１の構成上の様々なパラメータを最適化して求めたものであり、その求め方について以下説明する。
本実施形態の光磁気ディスク１の構成の最適化について説明すると、グルーブ６またはランド５をガイド溝としてトラッキングサーボを行うプッシュプル法では、トラックピッチＴｐとして概ねＴｐ＞１．２×Ｄが一般的に用いられている。しかし、本実施形態においては、ウォブルピットによるサンプルサーボ法が用いられるので、それよりも狭いトラックピッチでもトラッキングサーボが安定する。
また、本実施形態においては、１つのウォブルピット７を隣接する２つのトラックで共用可能とするために、図２に示されたウォブルピット７の幅ｄｗをスポット径Ｄの０．８〜１倍とした。そうしたところ、高品位のサンプルサーボを可能にするトラッキングエラー信号が得られた。
ところで、本実施形態で用いる磁壁移動検出は、前述したように、温度勾配に起因した磁壁の移動を利用するために、再生ビームによって形成される温度分布と、グルーブ幅を適合させることが極めて重要な意味を持つ。上述の記録再生用のスポット径とグルーブ幅との関係は、図６のグラフに示すように、実験検討により求めたが、その関係を決めるパラメータとして温度分布が作用していることは言うまでもない。
次に、本実施形態によるランド５のアニール処理について説明する。
従来技術として述べたように、情報再生時には、アニール処理として、情報記録時より強度の高い光ビームをランド５へ照射し、磁性を変質させて隣接グルーブ６間を磁気的に分断する。
図４は、本実施形態において用いたアニール用光ヘッド光学系の模式図である。
アニール用光ヘッド光学系は、半導体レーザー３１、ビームスプリッター３２、パワーモニターセンサー３３、コリメーター３４、対物レンズ３５、光磁気ディスク３６、センサーレンズ３７及び信号センサー３８を有している。
半導体レーザー３１から出射された光ビームは、ビームスプリッター３２で一部が透過し、一部が反射する。ビームスプリッター３２による反射光はパワーモニターセンサー３３で受光される。ビームスプリッター３２による透過光は、コリメーター３４で平行光とされ、対物レンズ３５で集光され、光磁気ディスク３６の記録面上に照射される。
光磁気ディスク３６からの反射光の一部は、ビームスプリッター３２で反射され、センサーレンズ３７によって信号センサー３８に集光される。信号センサー３８からはサーボ用信号が出力される。
ウォブルピットがグルーブトレースのために設けられたものであるため、プッシュプル法による連続サーボにより、ランドトレースのためのトラッキングサーボを行う。
ここで、半導体レーザー３１は、記録再生用の半導体レーザーより短波長のものである。また、他の光学素子は、記録再生用光ヘッドと同等の構成であるが、それらの波長は半導体レーザー３１の波長に合わせてあり、記録再生用光ヘッドとは異なる。
図５は、本実施形態の光磁気ディスク１に対するアニール処理時の状況を示す概念図である。半導体レーザー３１の波長は、概ねλ＝４０５ｎｍであり、対物レンズ開口数はＮＡ＝０．６０である。従って、スポット径（半値全幅）は、概ねＤ’＝φ０．３６μｍである。
そして、図５に示すように光ビーム１１によりランド５に対してアニール処理を行う。記録再生用の波長より短い波長の半導体レーザー３１を用いて形成した小さいスポットでアニール処理を行うので、アニール処理領域の幅が狭められる。
次に、狭トラックピッチ化された光磁気ディスクのランド５及びグルーブ６の幅やトラックピッチの最適化について説明する。なお、ここでは各幅は半値幅をいうものとする。
波長が概ねλ＝４０５ｎｍであり、対物レンズの開口数がＮＡ＝０．６０である場合、プッシュプル法により充分なトラッキングエラー信号を得るためには、０．１μｍ以上のランド幅ｄｌが必要であることが、実験により知見として得られた。即ち、ランド幅ｄｌ≧０．１μｍである必要がある。
そのため、ここでは、できる限りの狭トラックピッチ化を目指して、ランド幅ｄｌ≒０．１μｍとした。
図６は、磁壁移動再生時のトラック幅とジッタ値との関係を表したグラフである。なお、光学パラメータとしては、波長がλ＝６５０ｎｍであり、対物レンズ開口数（ＮＡ）が０．６０である。
縦軸はジッタ値σをデータクロックのウィンドウ幅Ｔｗで割ったものをパーセントで表したものあり、一般に、１４％程度以下が望ましいとされている。
記録再生情報は、（１−７）ＲＬＬ変調で最短マーク長が０．１２μｍのランダム信号であり、隣接トラックにも情報が記録されている。
図６のグラフをσ／Ｔｗ＜１４％の条件で参照すると、磁壁移動再生する場合、概ね０．３７μｍ以上のトラック幅が必要であることが分かる。即ち、グルーブ幅ｄｇは、ｄｇ≧０．３７μｍである必要がある。
前述したように記録再生用光ビームのスポット径ＤはＤ≒φ０．５７μｍであるので、グルーブ幅ｄｇは、記録再生用光スポット径Ｄの２／３以上である必要があると言える。
一方、今後の動向としては、記録再生光学系の波長は６５０ｎｍから４０５ｎｍに向う方向にあり、近い将来には４０５ｎｍが記録再生光学系の波長の主流になると考えられる。したがって、光磁気ディスクとしては、６５０μｍと４０５μｍとの双方において良好な情報再生が可能であることが望ましい。
ベクトル解析に基づく光スポットプロファイル及び薄膜の光吸収分布の解析、更に、その解析結果を用いての熱拡散方程式に基づく温度分布の解析によれば、波長が４０５ｎｍの記録再生光学系で再生が可能にすると、光スポットの半値全幅ＤはＤ≒φ０．３６μｍであり、形成される温度分布の光磁気ディスク半径方向の半値全幅は０．５μｍ程度である。グルーブ幅ｄｇは、この温度分布よりも小さい必要がある。
従って、波長４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６０の記録再生用光ヘッドで良好な磁壁移動再生を行うためには、グルーブ幅ｄｇとしてｄｇ＜０．５μｍ程度が必要となる。記録再生用光ビームのスポット径Ｄは前述したようにＤ≒φ０．５７μｍであるので、グルーブ幅ｄｇは、記録再生用光スポット径Ｄの７／８より小さいことが好ましいと言える。或いは、前述したようにランド幅ｄｌをｄｌ≒０．１μｍとしたので、グルーブ幅ｄｇ＜Ｄ−０．１μｍである。
以上より、波長６５０〜４０５ｎｍの範囲で良好なグルーブ幅ｄｇは、０．３７μｍ＜ｄｇ＜０．５０μｍである。即ち、２／３Ｄ＜ｄｇ＜７／８Ｄである。
以上より、ランド幅ｄｌ≒０．１μｍ、グルーブ幅ｄｇ≒０．３７〜０．５０μｍが良好であり、トラックピッチＴｐとしてはＴｐ＝０．４６〜０．６μｍが良好であることが分かる。
そして、最大の場合、トラックピッチＴｐは記録再生用光スポット径Ｄ程度で良いこととなる。つまり、Ｔｐ＝（０．８×Ｄ）〜Ｄである。
こうして、本実施形態では、狭トラックピッチ化と磁壁移動再生信号品位とのバランスから、最適なトラックピッチＴｐ＝０．５４μｍが決定される。そして、前述したようにランド幅ｄｌがｄｌ≒０．１μｍであるので、グルーブ幅ｄｇはｄｇ≒０．４４μｍとなり、ｄｌ：ｄｇ≒２：９が導かれる。
即ち、本発明の対象となる媒体構造においては、記録再生用光スポット程度以下のトラックピッチでは、ランド幅：グルーブ幅＝２：９程度が適当であるといえる。
また、ウォブルピット７の幅ｄｗは、前述したように、スポット径Ｄの０．８〜１倍としたので、ランド幅ｄｌの約４〜６倍が相応しいこととなる。
次に、グルーブ６の深さ及びプリピットの深さの最適化について説明する。
図７は、反射光量のグルーブ深さ依存性を示すグラフである。図８は、プリピット信号振幅のピット深さ依存性を示すグラフである。
図７を参照すると、縦軸のＩｇ／Ｉｏは、グルーブ上にスポットがある場合に、光磁気ディスクで反射して光ヘッドに戻る光量（Ｉｇ）を、グルーブが無い場合の光量（Ｉｏ）で規格化した値である。図中、実線は、波長が６５０ｎｍの場合を示し、点線は波長が４０５ｎｍの場合を示す。
図７より、記録再生光学系の波長として現在の主流である６５０ｎｍの場合と、近い将来に主流となるであろう４０５ｎｍの場合の双方で充分な光量を得るためには、グルーブの深さは約６０ｎｍ程度以下であることが好ましいことが分かる。充分な光量が得られれば、周辺回路のノイズに対して高いＳ／Ｎ比が得られ、即ち、良好な磁壁移動再生信号が得られる。
また、アニール処理時にプッシュプル法でサーボ信号を得るためには、グルーブの深さはλ／８の近傍であることが好ましいことが一般に周知である。
基板の屈折率が約１．６であり、アニール処理用光ビームの波長が４０５ｎｍであることを考慮すると、グルーブの深さは３０ｎｍ近傍であることが好ましい。
但し、アニール処理時に、グルーブへ熱が伝わるのは好ましくないので、凹凸構造も必要である。
従って、以上を考え合わせると、グルーブ深さｈｇは２０ｎｍ＜ｈｇ＜６０ｎｍであることが好ましい。
図８を参照すると、縦軸のＰｉｔ信号振幅は、プリピットにより得られる相対的な信号振幅を示している。図中の実線は、波長がほぼ６５０ｎｍの場合を示し、点線は波長がほぼ４０５ｎｍの場合を示す。
一般に、プリピット信号は光磁気信号に比べて信号レベルが大きくて、非常にＳ／Ｎが良い。従って、図８より、記録再生光学系の波長として、現在主流の６５０ｎｍの場合と、近い将来主流となるであろう４０５ｎｍの場合の双方において充分なプリピット信号振幅を得るためには、プリピット深さｈｐは４５ｎｍ以上であれば良く、好ましくは６０〜１１０ｎｍ程度であることが分かる。
以上の図７及び図８を参照した説明より、図９に示すように、少なくとも、グルーブ深さｈｇ≦プリピットの深さｈｐとすることが好ましいと言える。
本実施形態においては、グルーブ深さｈｇ≒４０ｎｍ、プリピット深さｈｐ≒８０ｎｍを用いた。そうしたところ、良好なトラッキングエラー信号、磁壁移動再生信号を得ることができた。
次に、ランド５の斜面（ランド斜面）の最適化について説明する。
図５を参照すると、ランド５の斜面１２は幅ｄｓを有する。
光磁気ディスク１の狭トラックピッチ化を目標とすることから、ランド５の斜面１２の幅ｄｓは、トラック幅を確保するために、できるだけ狭い方が好ましい。一方、本実施形態のような狭トラックピッチでランド幅も狭い基板を成型しようとする場合、ランド５の斜面１２の幅ｄｓは、ランド幅ｄｌの０．８倍以上が必要であることが実験より分かった。ランド５の傾斜の幅ｄｓをランド幅ｄｌの０．８倍以上にしたところ、ランド及びグルーブの構造の再現性を良好に維持しつつ基板を成型することができた。
そこで、本実施形態においては、狭トラックピッチでのグルーブ６の平坦部の幅を広く確保することを考慮して、ランド５の斜面の幅ｄｓ≒８０ｎｍとした。かかる基板によれば、狭トラックピッチで磁壁移動再生が良好であった。
次に、アニール処理領域の幅の最適化について説明する。
図１０Ａ及び１０Ｂは、アニール処理領域１４の幅（アニール幅）ｄａを示す概念図である。
図１０Ａに示すように、アニール処理においては、ランド５の幅より大きいアニール処理用光ビームスポット１３となるように光出力を調整する。本実施形態においては、図１０Ｂに示すように、グルーブ６の平坦部のみを残すようにアニール処理を施す。即ち、アニール幅ｄａ＞ランド幅ｄｌである。
本実施形態においては、前述したようにランド幅ｄｌ≒０．１μｍとしたので、アニール幅ｄａは概ねｄａ＝０．１２〜０．２０μｍである。
なお、ランド斜面は、グルーブの平坦部分に比較すると、基板の表面性がよくないため、その上に成膜したランド斜面の磁性膜の面の表面性もよくない。従って、ランド斜面にまで記録マークが広がっていると、そこでの磁壁移動が不規則となり、ノイズが再生情報に漏れこむことになる。そのため、ランド幅ｄｌがｄｌ≒０．１μｍであり、ランド斜面の幅ｄｓがｄｓ≒８０ｎｍであることから、本実施形態ではアニール幅ｄａはｄａ≒０．２０μｍが好ましい。このようにしたことで、平坦部でのみ磁壁移動が起こるようになり、記録時には、隣接トラックの記録情報にダメージを与えず、かつ、再生時には、隣接トラックからの情報の漏れ込みを抑えることができ、良好な磁壁移動再生が可能となった。
次に、アニール処理により物性を変質させた領域に関する検討結果について説明する。
アニール処理したランド５は、光学的な変化として、グルーブ６より反射率が低い状態となっている。これにより、グルーブに記録された情報が磁壁移動再生により良好に再生可能となり、隣接トラックからの情報のもれ込み（クロストーク）が低減されている。
更に、少なくとも、スイッチング層の磁性を消失させて、記録保持層と磁壁移動層の交換結合を切り、磁壁移動層を面内磁化の状態にする。或は、少なくとも、磁壁移動層の垂直磁気異方性を消失させ、ほぼ面内磁化膜とする。また、スイッチング層の磁性を消失させ、かつ、磁壁移動層の垂直磁気異方性を消失させてもよい。
このとき、少なくとも磁壁移動層では、垂直磁気異方定数Ｋｕは、２πＭｓ^２以下、或いは１×１０^５ｅｒｇ／ｃｃ以下となっている。ここで、Ｍｓは室温近傍での飽和磁化である。
或いは、このとき、少なくとも磁壁移動層では、磁壁エネルギーは概ね、０．０５ｅｒｇ／ｃｍとなっていることが望ましい。
こうして、ランド５の磁壁移動層の垂直磁気異方性を極力小さくして、微小記録磁区が安定して存在できない状態にした。また、それと共に、ランド５での磁壁移動層の磁壁エネルギーを小さくした。それらによって磁壁の移動を起こり難くすることで、グルーブ６での磁壁の移動をスムーズにし、良好な磁壁移動再生を可能とした。
また、その結果として磁壁移動層を面内磁化膜の状態にすることにより、カー回転角を０．０１程度以下にし、ランド５からの光磁気再生信号の漏れ込みを抑えた。
更に、少なくともランド５の磁壁移動層の残留磁化Ｍｒを１０ｅｍｕ／ｃｃとすることが望ましい。こうすることにより、グルーブ６での磁壁移動を妨げる磁力が排除される。
以上のように、本実施形態においては、トラッキングサーボ用プリピットを設けるとともに、ランド、グルーブ及びプリピットの構造を最適化した。更に、ランド部分に予め記録再生用光ビームより波長の短い光ビームを照射するアニール処理とすることで、アニール処理領域の幅を狭めた。また、ランドで物性を変質させることでグルーブでの磁壁移動をよりスムーズしたので、狭トラックピッチでの性能確保を可能となった。これらにより、高密度な情報記録が可能な光磁気媒体を提供することが可能となった。
（第２の実施形態）
第１の実施形態と異なるアニール処理方法を用いた場合を第２の実施形態として示す。特に示す場合を除く他、第２の実施形態の光磁気ディスクの構成は、第１の実施形態のものと同様である。
図１１は、本発明の第２の実施形態における光磁気ディスクのアニール処理時の状況を示す概念図である。
第２の実施形態においては、図５に示した第１の実施形態と異なり、基板２側からではなく、膜面側から（図１１中における上方から）磁性層３にアニール処理用光ビーム１５を照射する。なお、この場合、放熱層が必要な場合には、アニール処理後に成膜する。
図１２は、本発明の第２の実施形態において用いたアニール用光ヘッド光学系の模式図である。図１２のアニール用光ヘッド光学系は、図４に示す、第１の実施形態において用いたアニール用光ヘッド光学系と対物レンズのみが異なる。第２の実施形態において用いたアニール用光ヘッド光学系では、図４の対物レンズ３５に代えて、対物レンズ３９が設けられている。
第２の実施形態では、第１の実施形態と同様に、プッシュプル法による連続サーボにより、ランドトレースのためのトラッキングサーボを行う。
図１１に示すように、膜面側からのアニール処理は、基板２と比べて極めて薄い保護膜４を通して行われるので、高ＮＡ化が容易である。
そこで、対物レンズ３９の開口数ＮＡは、図４の対物レンズ３５のＮＡ＝０．６０よりも大きく、アニール処理領域の幅に応じて、ＮＡ＝０．６０〜０．９０の範囲より選択される。
ここで、放熱層を設ける場合は、磁性層３と放熱層との間に保護層を設けて、保護膜４の代わりに、この保護層を介して光ビームを照射する。
対物レンズの開口数ＮＡがＮＡ＝０．６０〜０．９０場合、スポット径Ｄ″（半値全幅）は、ほぼＤ″＝φ０．２４〜φ０．３６μｍの範囲より選択可能となる。
本実施形態における光磁気ディスクの構造を示す各数値は、以下である。
ランド５の幅ｄｌはｄｌ≒０．４４μｍμｍである。グルーブ６の幅ｄｇはｄｇ≒０．１０μｍである。ランド斜面幅ｄｗは、ｄｗ＝０．０８μｍである。グルーブ６の深さｈｇは、ｈｇ≒０．０４μｍである。
次に、ランド５へ基板側から光ビームを入射する場合と、膜面側から光ビームを入射させる場合とを比較検討した結果について説明する。
図１３Ａ及び１３Ｂは、基板側からランド５へ光ビームを入射した場合における光の吸収の様子を示す図であり、図１３Ａは光吸収分布を示す図であり、横軸はランド５の中心を０とする位置Ｖを示し、縦軸は相対的な発熱量を示している。図１３Ａと１３Ｂとを参照すると、基板２側からランド５へ光ビームが入射された場合、光ビームから見て凹部隣接のエッジ（図１３Ｂ中の黒点）で光の吸収が強い。なお、図１３Ｂ中の矢印は、光ビームの入射方向を示す。従って、光のエネルギーはランド５の両サイドへ分散する傾向を示す。
図１４Ａおよび１４Ｂは、膜面側からランド５へ光ビームを入射した場合における光の吸収の様子を示す図であり、図１４Ａは光吸収分布を示す図であり、横軸はランド５の中心を０とする位置Ｖを示し、縦軸は相対的な発熱量を示している。図１４Ａと図１４Ｂとを参照すると、膜面側からランド５へ光ビームが入射された場合、光ビームの入射側から見て凸部のエッジ（図１４Ｂ中の黒丸）で光の吸収が強い。なお、図１４Ｂ中の矢印は、光ビームの入射方向を示す。従って、光のエネルギーはランド５内へ閉じ込められる傾向を示す。
以上のことから、膜面側から光ビームを入射してアニール処理を行うと、高ＮＡの採用が容易となることが分かった。また、膜面側から光ビームを入射してアニール処理を行うと、光のエネルギーをランド５内に閉じ込めることができることが分かった。
即ち、膜面側から光ビームを入射するアニール処理方法によれば、ランド５のみに対するアニール処理が容易になることが分かった。
アニール用スポット径（半値幅）を小さくできるので、アニール幅との関係を見てみると、検討の結果、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．９０の場合、アニール用スポット径がアニール幅の２倍程度であれば良好であることが分かった。つまり、アニール用スポット径≒φ０．２４μｍに対して、アニール幅≒０．１２〜０．１４μｍであることが好ましい。
図１５は、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．９０でのアニール処理時の温度分布の半径方向温度勾配の検討結果を示すグラフである。
図１５の横軸は、ランド５の中心からの光磁気ディスク半径方向の距離（半径位置）を表している。図１５より、半径位置０．０６μｍで温度勾配が最大となっていることが分かる。即ち、アニール幅としては、０．１２μｍ程度とすることが好ましい。
第１の実施形態でのアニール幅＝０．１２〜０．２０μｍであれば、対物レンズの開口数ＮＡはＮＡ＝０．７２〜０．９０であることが望ましい。
従って、このような温度分布とアニール幅とでアニール処理を行えば、アニール処理領域と非アニール処理領域の境界が急峻で、メリハリの良い処理が可能となる。また、アニール処理の光出力が変化しても、アニール処理領域幅の変動は小さく、非常に良好なアニール処理が行うことが可能である。
また、アニール時に多少デトラックが生じても、グルーブ平坦部までアニール処理が広がるという問題は生じない。
これらのことから、前述された媒体構造に対して、第２の実施形態として対物レンズの開口数ＮＡ＝０．９０を採用したところ、良好なアニール処理を行うことができた。
以上のように、第２の実施形態によれば、膜面側から高ＮＡの光ビームでアニール処理をすることで、光のエネルギーを閉じ込める効果を得ることができる。そのため、第２の実施形態では、第１の実施形態のアニール方法に比べて安定したアニール処理が可能となり、狭トラックピッチでの高性能な（つまり、クロストーク、クロスライトの影響が良く抑えられた）磁壁移動再生が可能な光磁気ディスクを提供することができる。
（第３の実施形態）
第１及び第２の実施形態において、基板２の諸条件について最適化した光磁気ディスクを第３の実施形態として示す。特に示す場合を除く他、第３の実施形態の光磁気ディスクは第１及び第２の実施形態のものと同様である。
表１は、第３の実施形態の光磁気ディスクの最適化された諸条件を示す表である。

ランド５の表面粗さＲａ（Ｌ）にはアニール処理の条件との相関は無いが、磁性層３を分断するという機能から、磁壁移動動作をするグルーブ６の表面粗さＲａ（Ｇ）と比較して、Ｒａ（Ｇ）≦Ｒａ（Ｌ）であることが好ましい。本実施形態によれば、グルーブ６内での磁壁の移動がスムーズになると共に、ランド５への磁壁の移動が抑制され、クロストークが抑制されるので、狭トラックピッチの実現が可能である。
更に、グルーブ６の表面粗さＲａ（Ｇ）及びランド５の表面粗さＲａ（Ｌ）については、Ｒａ（Ｇ）≦０．６ｎｍで、かつ１ｎｍ≦Ｒａ（Ｌ）≦１．５ｎｍであることが好ましい。
グルーブ６の表面粗さＲａ（Ｇ）≦０．６ｎｍが好ましいことは、既に特開平１１−１９１２４５号公報により開示された、良好な磁壁移動再生に必要な条件である。
ランド５の表面粗さＲａ（Ｌ）として１ｎｍ以上が好ましいのは、グルーブ６内の磁壁がランド５へはみ出すことが抑制されるからである。また、ランド５の表面粗さＲａ（Ｌ）として１．５ｎｍ以下が好ましいのは、グルーブ６の記録再生情報に影響する不要なノイズを抑えることができるからである。
更に、グルーブ斜面の表面粗さＲａ（Ｔ）を１ｎｍ以下とすることにより、グルーブ内での磁壁移動再生動作が良好となる。
以上説明したように、ランド５やグルーブ斜面の表面粗さは、グルーブ６における磁壁移動再生動作に影響する。
また、ランド５の形状も再生動作に影響する。
ランド５の先端部分は概ね丸い形状が好ましい。具体的には、ランド５に平坦な部分が存在すると、グルーブ６での磁壁移動の記録再生信号に対するノイズの原因となる。従って、ランド５には平坦な部分が形成されていないことが望まれる。また、この要件を、ランド５のエッジの曲率半径ｒ（Ｌ）で表現すると、ランド５のエッジの曲率半径ｒ（Ｌ）が３０ｎｍ以上でノイズを抑える効果が得られる。一方、アニール処理をプッシュプル信号を用いて行なう場合、ランド５のエッジの曲率半径ｒ（Ｌ）は６０ｎｍ以下であることが好ましい。ランドエッジの局率半径ｒ（Ｌ）が６０ｎｍより大きいと、プッシュプル信号が得られにくい、即ち、トラッキングサーボがかかり難いからである。
また、グルーブ６のエッジの曲率半径ｒ（Ｇ）が小さ過ぎるとノイズ発生の原因となる。具体的には、グルーブ６のエッジの曲率半径ｒ（Ｇ）は３０ｎｍ以上であることが好ましい。
また、波長λ≒４００ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６〜０．９等の短波長かつ高ＮＡの光ビームを用いてランド５のアニール処理を行なう場合、グルーブ６の斜面の角度を３０°以上、好ましくは約４０°とすることにより、プッシュプル法を用いてトラッキングサーボを行なうことが可能となる。また、グルーブ６の磁壁移動再生信号（通常再生；記録再生時の光ビームの波長λ＝６５０ｎｍで、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６）に対するノイズが低減される。
また、グルーブ６における記録再生用光ビームでの反射率Ｉ（Ｇ）は、グルーブ６が無い部分（ミラー部）における反射率をＩ（Ｍ）としたとき、Ｉ（Ｇ）／Ｉ（Ｍ）が０．９５以上が好ましく、良好な磁壁移動型の光磁気記録再生信号を得ることが可能となる。グルーブ６における記録再生用光ビームでの反射率Ｉ（Ｇ）は、溝深さ（グルーブ深さ）と溝幅（グルーブ幅）、溝（グルーブ）斜面部の角度等を選択することにより調整可能である。
図１６Ａおよび１６Ｂは、本実施形態の光磁気ディスクのアニール処理時の特徴的部分を示す概念図である。
図１６Ａは、ランドグルーブ基板１６１の表面に磁性層等の積層薄膜１６２が形成された媒体の断面概念図である。
ランドグルーブ基板１６１は、ランド１６４とグルーブ１６３を有する。またランドグルーブ基板１６１のトラックピッチ１６９（ランド１６４の幅とグルーブ１６３の幅の和）は記録再生光ビーム１６８のビーム径より小さい。
図１６Ｂは、アニール処理後の光磁気ディスクを媒体の上面方向から見た図である。図１６Ｂには、アニール部分１６６と非アニール部分１６５とが示されている。非アニール部分１６５が情報を記録する部分である。
図１７Ａ、１７Ｂ及び１７Ｃは、本実施形態の光磁気ディスクの形状の一例を説明するための説明図である。
図１７Ａを参照すると、本実施形態の光磁気ディスクは、ポリカーボネート基板１７１上に磁性薄膜等の積層薄膜１７２が形成された形状を有する。
図１７Ｂを参照して説明すると、ポリカーボネート基板１７１は、ランド幅１７４が０．１４μｍであり、グルーブ幅１７３が０．４０μｍであり、トラックピッチ１７５が０．５４μｍであり、グルーブ底幅１７６が０．３６μｍであり、溝深さ１７９が５５ｎｍのランド・グルーブ基板である。
ここで、ランド５の平坦部表面の表面粗さＲａ（Ｌ）は１．１ｎｍであり、グルーブ６の底面の表面粗さＲａ（Ｇ）は０．３５ｎｍであり、グルーブ斜面の表面粗さＲａ（Ｔ）は０．８２ｎｍである。すなわち、Ｒａ（Ｇ）＜Ｒａ（Ｌ）の関係にある。このような各部の表面粗さを有する光磁気ディスクは、原盤作成時のレジストの条件や原盤のベーキング、アッシング等の調整、あるいは射出成形されたポリカーボネート基板の熱処理によって形成することができる。
図１７Ｂに示すように、本実施形態のポリカーボネート基板１７１のランド１７７は極めて幅が狭いため、先端部が丸く、平坦部がほとんど無い。また、図１７Ｃに示すランド１７７のエッジの曲率半径ｒ（Ｌ）は４５ｎｍであり、グルーブ１７８のエッジの曲率半径ｒ（Ｇ）は４０ｎｍである。さらに、グルーブ斜面部の角度は４０°である。また、溝の反射率の測定結果は０．９６である。
図１８は、本実施形態の光磁気ディスクの積層薄膜の形成方法を説明するための説明図である。
図１８を参照して積層薄膜の形成方法について説明する。
積層薄膜１８２の形成方法としては、先ず、ポリカーボネート基板１８１上に干渉層（誘電体層）１８３としてＳｉＮ層を９０ｎｍの厚さに形成する。次に、磁壁移動層１８４としてＧｄＦｅＣｏＡｌ層を３０ｎｍの厚さに形成する。次に、スイッチング層１８５としてＴｂＦｅＡｌ層を１０ｎｍの厚さに形成する。次に、記録保持層１８６としてＴｂＦｅＣｏ層を８０ｎｍの厚さで形成する。次に、保護層（誘電体層）１８７としてＳｉＮ層を５０ｎｍの厚さに形成する。次に、放熱層１８８としてＡｌ層を３０ｎｍの厚さで形成する。これら各層は、スパッタリング法により、順次、形成される。
以上の様にして形成された積層薄膜１８２の上に保護コート層１８９として紫外線硬化樹脂層を２μｍの厚さに形成する。
次に、図１８を用いて説明した方法により形成された光磁気ディスクのランド１６４のみを光レーザーでアニール処理する。アニール処理において、記録再生用光ビームより波長の短い光ビームを基板裏側あるいは表側から照射する。本実施形態における形成方法では基板側から光レーザーを照射するものとする。ここでは、アニール処理の光レーザーの波長は４００ｎｍであり、対物レンズの開口数ＮＡは０．６５である。ちなみに、本実施形態の光磁気ディスクを含む本発明の光磁気記録媒体のための記録再生用光レーザーの波長は６５０ｎｍであり、対物レンズの開口数ＮＡは０．６である。
なお、アニール処理は、対象とする部分の磁気特性が変化する程度まで、即ち、その部分が面内磁化膜になるまで行えばよい。具体的には、光レーザーのパワーが４．２ｍＷであり、媒体の回転相対速度が１．０ｍ／ｓｅｃ程度がよい。なお、図１８のポリカーボネート基板１８１及び積層薄膜１８２は、それぞれ図１６Ａのランドグルーブ基板１６１及び積層薄膜１６２と同じものを指している。
本実施形態において例示したように、基板側から積層薄膜１６２に光レーザーを照射することでアニール処理した場合、アニール部分１６６と非アニール部分１６５との境界はグルーブ１６３のエッジ付近となる。また、それとは反対側から光レーザーを照射することでアニール処理した場合、アニール部分１６６と非アニール部分１６５との境界はランドのエッジ付近となる。これは、ランド・グルーブ基板１６１のような凹凸基板に対して光レーザーを照射すると、光レーザーのエネルギーがランド・グルーブ基板１６１の凹凸のエッジ部分に集中する現象（光閉じ込め効果）による。
なお、ランド・グルーブ基板１６１のエッジの位置と積層薄膜１６２のエッジの位置とは、厳密には、積層薄膜の膜厚分だけずれている。しかし、積層薄膜１６２がランド・グルーブ基板１６１に比較して非常に薄いものであるため、このずれは無視することできる。
本実施形態の光磁気ディスクを実際に作製して評価を行った。この評価では、一般的な光磁気記録再生装置（不図示）を用いて、一般的な磁界変調方式で情報を本実施形態の光磁気ディスクに記録（パルス磁界変記録）し、磁壁移動再生により情報を再生した。
評価の条件として、光レーザーは、波長を６５０ｎｍとし、対物レンズの開口数ＮＡを０．６とした。また、記録ビット長は０．０８０μｍとした。さらに、相対速度は２．４０ｍ／ｓｅｃとした。
また、情報を記録するために用いる光ビームのパワーは５．０ｍＷとした。情報を再生するための光ビームは、パワーが２．４ｍＷのときにジッタ特性が最良であり、最良時のジッタσはσ＝３．４ｎｓであった。
以上の条件により、本実施形態の光磁気ディスクに情報を記録し、その後に再生してみたところ、ノイズの十分な低減効果を反映してＣ／ＮはＣ／Ｎ＝４１．０ｄＢであった。また、ビットエラーレートは１．５×１０^−５であった。この結果は、記録密度１５Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２相当において、十分に実用レベルに達していることを示している。
以上より、本実施形態の光磁気ディスクは、特徴的な形状を有すること、及び、ランド１６４を短波長の光レーザーでアニール処理するという新規な手法を用いることにより、従来、狭トラックピッチの磁壁移動型光磁気記録媒体を実現する際問題となっていたクロストークやクロスライトの影響が大幅に改善されており、またノイズも大幅に低減されている。これらのことから、本実施形態の光磁気ディスクは実用レベルの超高密度な光磁気記録媒体であるといえる。
また、本実施形態のランド・グルーブ基板１６１は浅溝であり、一般的な射出成形法により作成できるため、製造コストは従来と同等である。
（第４の実施形態）
光ビームを基板の反対側から照射してアニール処理を行った光磁気ディスクを第４の実施形態として示す。特に示す場合を除く他、第４の実施形態の光磁気ディスクは第３の光磁気ディスクと同様のものである。
図１９は、第４の実施形態の光磁気ディスクにおける記録再生時の状態を示す概念図である。図１９に示されるように、本実施形態の光磁気ディスクは基板１９１上に、積層薄膜１９２が形成された構成を有する。
本実施形態では、短波長の光レーザー１９３を基板と反対側（即ち、積層薄膜１９２側）から積層薄膜１９２に照射してアニール処理を行なう。
本実施形態では、積層薄膜１９２側から光レーザー１９３を照射してアニール処理を行うので、ランドのエッジ部分に光レーザーのエネルギーが集中し、アニール処理により磁性層が変質する部分の面積が第３の実施形態に比べて狭い。即ち、第３の実施形態の光磁気ディスクよりも更に狭トラックピッチの光磁気ディスクが実現できる。但し、第４の実施形態の光磁気ディスクは、積層薄膜１９２を作成する途中でアニール処理を行わなければならず、第３の実施形態より製造工程が複雑であり、製造コストがやや高い。
本実施形態のように積層薄膜側から光レーザーを照射する場合、積層薄膜１９２の中に放熱層が存在すると、光レーザーは放熱層で反射されて磁性層に到達しない。
従って、本実施形態の光磁気ディスクの形成方法としては、図１８を用いて説明した形成方法において、領域Ａまで（保護層１８７まで）形成した後に、一旦、媒体を大気中に取り出してアニール処理を行ない、再び、真空装置内に入れて領域Ｂ（放熱層１８８と保護コート層１８９）を形成する。
アニール処理における条件の一例としては、光レーザーは、波長λが４０５ｎｍであり、対物レンズの開口数ＮＡが０．９であり、媒体の回転相対速度が３．０ｍ／ｓｅｃであり、光レーザーのパワーは３．２ｍＷである。
以上の条件で本実施形態の光磁気ディスクを実際に作製して、第３の実施形態について行ったのと同様の評価を行った。第４の実施形態では、ジッタσはσ＝３．６ｎｓであった。また、ノイズの十分な低減効果を反映してＣ／ＮはＣ／Ｎ、＝４１．１ｄＢであった。さらに、ビットエラーレートは１．０×１０^−５であり、十分実用レベルであった。
以上より、本実施形態の光磁気ディスクは、特徴的な形状を有すること、及び、ランドを短波長の光レーザーでアニール処理するという新規な手法を用いることにより、クロストークやクロスライトの影響が従来に比べて大幅に改善されており、またノイズも大幅に低減されている。これらのことから、本実施形態の光磁気ディスクは実用レベルの超高密度な光磁気記録媒体であるといえる。
また、本実施形態のランド・グルーブ基板は浅溝であり、一般的な射出成形法で作成できるため、製造コストはそれほど高くならない。
これまで述べてきた本発明の各実施形態の効果を確認するために、以下に比較例を示す。
（第１の比較例）
本発明の第３の実施形態の光磁気ディスクと比較するために、第１の比較例の光磁気記録媒体を作製した。
第１の比較例の光磁気記録媒体は、ランドの平坦部の表面粗さＲａ（Ｌ）がグルーブの表面粗さＲａ（Ｇ）と同等の０．３５ｎｍである点で第３の実施形態と異なることを除いては実施形態３の光磁気記録媒体と同じである。第１の比較例の基板は、レジストをレーザーカッティングした原盤を１５０℃で２０分ポストベークすることにより作製した。
第１の比較例の光磁気記録媒体について、第３の実施形態について行ったのと同様の評価を行ったところ、ジッタσはσ＝４．８ｎｓであった。また、ビットエラーレートは８．０×１０^−４であり、実用レベルに到達していなかった。さらに、クロストークやクロスライトの影響が実用上問題となる程度に大きかった。
このことから、第３の実施形態の光磁気ディスクのように、ランドの表面粗さがグルーブの表面粗さより大きいことが好ましいことが分かる。
（第２の比較例）
本発明の第４の実施形態の光磁気ディスクと比較するために、第２の比較例の光磁気記録媒体を作製した。
第２の比較例の光磁気記録媒体は、グルーブ斜面の表面粗さＲａ（Ｔ）が１．３ｎｍである点で第４の実施形態と異なりことを除いては第４の実施形態の光磁気記録媒体と同じである。第２の比較例の基板は、原盤の後処理を全く行なわずに作製したものである。
第２の比較例の光磁気記録媒体について、第４の実施形態について行ったのと同様の評価を行ったところ、ジッタσはσ＝５．２ｎｓであった。また、ビットエラーレートは９．８×１０^−４であり、実用レベルに到達していなかった。さらに、クロストークやクロスライトの影響は第１の比較例ほど顕著ではなかった。
このことから、グルーブ斜面の表面粗さが大きすぎると、磁壁移動再生の特性が悪化し、実用上問題となることがわかった。
産業上の利用の可能性
本発明によれば、光磁気記録媒体のウォブルピットの配置や溝構造及びアニール処理条件が最適化されるので、狭トラックピッチで安定したトラッキングサーボが可能であり、隣接トラックからの信号のもれ込みの影響が抑えられ、情報を記録する際に隣接トラックに記録された情報にダメージを与えず、安定した磁壁移動再生が可能な光磁気記録媒体を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の一実施形態の光磁気ディスクの特徴を示す概念図である。
図２は、本発明の一実施形態の光磁気ディスクの周方向の一部を拡大した模式図である。
図３Ａ及び３Ｂは、本発明の一実施形態の光磁気ディスクにおける記録再生時の状態を示す概念図である。
図４は、本発明の実施形態におけるアニール用光ヘッド光学系の模式図である。
図５は、本発明の一実施形態の光磁気ディスクに対するアニール処理時の状況を示す概念図である。
図６は、磁壁移動再生時のトラック幅とジッタ値との関係を表したグラフである。
図７は、反射光量のグルーブ深さ依存性を示すグラフである。
図８は、プリピット信号振幅のピット深さ依存性を示すグラフである。
図９は、グルーブ深さとプリピット深さの関係を示す図である。
図１０Ａ及び１０Ｂは、アニール処理領域の幅を示す概念図である。
図１１は、第２の実施形態における光磁気ディスクのアニール処理時の状況を示す概念図である。
図１２は、第２の実施形態のアニール用光ヘッド光学系の模式図である。
図１３Ａ及び１３Ｂは、基板側からランドへ光ビームを入射した場合における光の吸収の様子を示す図である。
図１４Ａ及び１４Ｂは、膜面側からランド５へ光ビームを入射した場合における光の吸収の様子を示す図である。
図１５は、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．９０でのアニール処理時の温度分布の半径方向温度勾配の検討結果を示すグラフである。
図１６Ａ及び１６Ｂは、第３の実施形態の光磁気ディスクのアニール処理時の特徴的部分を示す概念図である。
図１７Ａ、１７Ｂ及び１７Ｃは、第３の実施形態の光磁気ディスクの形状の一例を説明するための説明図である。
図１８は、第３の実施形態の光磁気ディスクの積層薄膜の形成方法を説明するための説明図である。
図１９は、第４の実施形態の光磁気ディスクにおける記録再生時の状態を示す概念図である。

Claims (12)

1. 光磁気記録媒体であって，
   複数の記録再生用トラック；及び
   サンプルサーボ用の一対のウォブルピットを含み、
   前記ウォブルピットの各々は互いに別の隣接トラック間に設けられ、隣接するトラックにおいて共用されることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 磁壁移動型光磁気記録媒体であって、さらに、基板、前記基板上に積層された磁壁移動層、スイッチング層及び記録保持層を含む請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. 前記基板にランドとグルーブとが形成されており、前記グルーブが前記記録再生用トラックとして利用され、前記ランド上の前記磁壁移動層がアニールによりその磁化状態を変質させてある請求項２記載の光磁気記録媒体。
4. 前記ウォブルピットが形成されている領域には前記グルーブが形成されておらず、前記ウォブルピットが前記ランドの延長線上に形成されている請求項３記載の光磁気記録媒体。
5. 前記グルーブの間隔が、記録或いは再生に用いる光ビームのビーム径より小さく設定されている請求項３記載の光磁気記録媒体。
6. 前記グルーブの幅が、前記ビーム径の２／３〜７／８倍に設定されている請求項５記載の光磁気記録媒体。
7. 前記ランドの幅と前記グルーブの幅とが２対９の関係にある請求項３記載の光磁気記録媒体。
8. 前記ウォブルピットの幅が前記ランドの幅の４〜６倍である請求項４記載の光磁気記録媒体。
9. 前記ウォブルピットの深さが、前記グルーブの深さより大きい請求項８記載の光磁気記録媒体。
10. 前記ランドの表面粗さが、前記グルーブの表面粗さ以上である請求項３記載の光磁気記録媒体。
11. 前記ランドの先端が曲面で構成されている請求項３記載の光磁気記録媒体。
12. 前記グルーブの反射率が、前記グルーブが形成されていない領域における反射率の０．９５倍以上である請求項４記載の光磁気記録媒体。

Images