JP2002319198A - 光磁気記録媒体およびその製造方法と製造装置 - Google Patents

光磁気記録媒体およびその製造方法と製造装置

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優子 川口
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Masahiro Orukawa
正博 尾留川
Tsutomu Shiratori
力 白鳥
Yasuyuki Miyaoka
康之 宮岡
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＤＷＤＤ再生方式を適用する光磁気記録媒体
における漏洩磁界の影響を軽減する。 【解決手段】 光ビームを記録トラック間に照射するこ
とにより、記録トラック間に形成された磁壁移動層およ
び記録層から選ばれる少なくとも一方の磁性層の磁気異
方性を、記録トラック上における上記磁性層の磁気異方
性よりも低下させ、かつ少なくとも記録トラック間に
は、光ビームを照射しながらバイアス磁界を印加する。
この処理により、媒体の初期化を同時に行ってもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録または
再生に用いられる光磁気記録媒体とその製造方法および
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】繰り返し書き換え可能な高密度記録媒体
として、レーザ光の熱エネルギーを利用して、磁性薄膜
に微小な磁区を記録し、磁気光学効果を用いて信号を再
生する光磁気記録媒体および記録再生装置の開発が盛ん
に行われている。このような光磁気記録媒体では、媒体
上に集光される光ビームのビーム径に対して、記録用磁
区である記録ビット径および記録ビット間隔が小さくな
ってくると、再生特性が劣化する。この原因は、目的と
する記録ビット上に集光された光ビームのビーム径内
に、隣接する記録ビットが入るため、個々の記録ビット
を分離して再生することが困難になることにある。
【０００３】そこで、記録媒体の構成や再生方法を工夫
して記録密度を改善する試みがなされ、例えば超解像方
式、磁壁移動を利用した磁区拡大再生方式などが提案さ
れている。ここでは、特開平６−２９０４９６号公報に
開示された磁区拡大再生方式（ＤＷＤＤ；Domain Wall
Displacement Detection再生方式）について、図９の構
成図を用いて説明する。
【０００４】この光磁気記録媒体では、磁性層９０を構
成する、再生層（磁壁移動層）９１、中間層（遮断層）
９２、記録層９３を交換結合させ、記録層９３の微小記
録磁区を再生層９１で拡大することによって、再生信号
の振幅を大きくし、結果的に高密度記録を可能としてい
る。なお、各層中の矢印は膜中での遷移金属の副格子磁
化の方向を示し、各層において磁化方向が相互に逆向き
の磁区間には磁壁９４が形成されている。中間層９２の
一部の領域９５では、再生用レーザ光の照射によってキ
ュリー温度以上に達して磁気秩序が失われている。
【０００５】この光磁気記録媒体に必須の条件は、 室温から再生時の温度範囲において、微小磁区を安定
に保持する記録層９３を有している。 中間層９２のキュリー温度付近に加熱されても、再生
層９１、中間層９２、記録層９３が互いに交換結合して
いる。 中間層９２がそのキュリー温度を越えた温度域に達し
て磁気秩序を失うと、記録層９３と再生層９１との交換
結合が断ち切られる。 再生層９１の磁壁抗磁力が小さく、かつ温度勾配によ
り磁壁エネルギー勾配が生じるため、中間層９２により
交換結合が断ち切られた領域において、記録層９３の磁
区から転写された部分を基点として磁壁９４が移動す
る。その結果、この領域での磁化が同じ方向に揃って、
記録層９３の磁壁９４間の間隔（記録マーク長）が拡大
される。 の４点にまとめられる。
【０００６】図９において、レーザ光を照射しながら紙
面右方向に光磁気記録媒体を移動させると（ディスクで
あれば回転させると）、媒体の線速度が大きいため、膜
温度が最大となる位置は、ビームスポット中心よりもビ
ームスポットの進行方向（紙面左方向）について後方に
ある。再生層９１における磁壁エネルギー密度σ1は、
通常、温度の上昇とともに減少し、キュリー温度以上で
０になる。したがって、温度勾配があると磁壁エネルギ
ー密度σ1は高温側に向かって減少していく。
【０００７】ここで、媒体移動方向（ディスクの円周方
向）の位置ｘに存在する磁壁に対しては次式の力Ｆ1が
作用している。 Ｆ1∝−ｄσ1／ｄｘ
【０００８】この力Ｆ1は、磁壁エネルギーの低い方に
磁壁を移動させるように作用し、再生層９１では他の磁
性層に比べて磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きいた
め、中間層９２からの交換結合力が遮断されると、この
力Ｆ1によって磁壁が磁壁エネルギーの低い方向に極め
て速く移動する。
【０００９】図９において、レーザ光が照射される前の
媒体の領域、例えば室温の領域では、３つの磁性層は交
換結合しており、記録層９３に記録された磁区は再生層
９１に転写されている。この状態では、互いに逆向きの
磁化方向を有する磁区の間には磁壁９４が各層に存在す
る。レーザ光の照射によって、膜温度が中間層９２のキ
ュリー温度以上に達した領域９５では、中間層９２の磁
化が消失して再生層９１と記録層９３との交換結合が切
断されるため、再生層９１では磁壁を保持する力が消失
し、磁壁に加わる力Ｆ1により高温側に磁壁が移動す
る。このとき、磁壁が移動する速度は、媒体の移動速度
に比べて十分に速い。こうして、記録層９３に保存され
た磁区よりも大きな磁区が再生層９１に転写されること
になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ＤＷＤＤ再生方式を用
いる光磁気記録媒体では、容易に磁壁を移動させること
を目的として、記録トラックの側部に磁壁が生成しない
ように、基板上に矩形の案内溝（グルーブ）を形成し、
それぞれのトラックをグルーブで分離することが提案さ
れている。しかし、矩形の案内溝を形成しても、実際に
は段差部分にも多少膜が累積して磁性層がつながってし
まい、完全には磁気的な分離ができずに、磁壁移動の動
きが阻害される場合があった。
【００１１】そこで、本発明は、磁壁移動への漏洩磁界
の影響を軽減した光磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、上記漏洩磁界の低
減とともに媒体の初期化を行うことができる製造方法を
提供することを目的とする。本発明の別の目的は、この
方法により製造できる新たな光磁気記録媒体であって、
そのままの状態で記録した信号についても良好な再生特
性を示す光磁気記録媒体を提供することにある。さら
に、本発明は、上記製造方法を実施するための製造装置
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光磁気記録媒体は、基板と、この基板上に
形成された多層膜を含み、この多層膜が基板側から少な
くとも第１の誘電体層、磁壁移動層、遮断層、記録層お
よび第２の誘電体層を含み、遮断層のキュリー点は、磁
壁移動層のキュリー点および記録層のキュリー点のいず
れよりも低く、再生用光ビームの照射によって遮断層の
キュリー点以上となった領域において磁壁移動層内の磁
壁が高温側へと移動する基本構成を有する。そして、本
発明の光磁気記録媒体は、記録トラック間に形成された
上記磁壁移動層および上記記録層から選ばれる少なくと
も一方の磁性層の磁気異方性を、記録トラック上におけ
る上記磁性層の磁気異方性よりも低下させ、かつ上記磁
壁移動層、上記遮断層および上記記録層から選ばれる少
なくとも一つの層の磁化が、同一記録トラックのトラッ
ク幅方向については、このトラック幅の半分以上の領域
において同一方向に配向していることを特徴とする。
【００１３】上記光磁気記録媒体では、少なくとも記録
層の磁化が同一方向に配向していることが好ましい。
【００１４】また、記録トラック上では膜面に垂直に磁
化が配向しているとよく、記録トラック間では膜面に平
行に（膜面方向に）磁化が配向していることが好まし
い。記録トラック間で膜面方向に磁化が配向している
と、記録トラック上の磁壁移動速度を大きくすることが
できる。記録トラック間では、記録トラックの伸長方向
に沿って磁化が配向していることがさらに好ましい。こ
のように配向させると、径方向への漏洩磁界を低減で
き、記録トラック間での遮蔽効果を高めることができ
る。
【００１５】上記光磁気記録媒体では、すべての記録ト
ラック上において磁化が同一方向に配向していてもよ
く、記録トラック上の磁化の配向方向が、記録トラック
によって相違していてもよい。後者の場合は、記録トラ
ック上の磁化の配向方向が、隣接する１トラックごと
（隣接する１記録トラックごと）に逆向きとなっている
形態や、記録トラック上の磁化の配向方向が、隣接する
２トラックごとに逆向きとなっている形態が、漏洩磁界
の影響をさらに低減する上で好適である。
【００１６】本発明は、特に限定されないが、基板上に
ピットとグルーブとがエンボス加工され、記録トラック
のトラックピッチが０．９μｍ以下である光磁気記録媒
体に適用すると良好な結果が得られる。また、記録トラ
ックがピット領域とデータ領域とを含むセグメントで構
成され、ピット領域にはサーボ条件用のウォブルピット
が形成され、データ領域にはグルーブおよびランドが形
成され、このグルーブを記録トラックとする光磁気記録
媒体にも適している。
【００１７】上記目的を達成するために、本発明の光学
情報記録媒体の製造方法は、上記基本構成を有する光磁
気記録媒体を製造するために、光ビームを上記光磁気記
録媒体の記録トラック間に照射することにより、この記
録トラック間に形成された磁壁移動層および記録層から
選ばれる少なくとも一方の磁性層の磁気異方性を、記録
トラック上における上記磁性層の磁気異方性よりも低下
させ、かつ少なくとも上記記録トラック間には、上記光
ビームを照射しながらバイアス磁界を印加することを特
徴とする。
【００１８】本発明の製造方法によれば、バイアス磁界
の印加により、記録トラック間の垂直磁気異方性を効果
的に低減し、記録トラックとの磁気的相互作用を低下さ
せることができる。さらに、このバイアス磁界の印加
は、記録トラックの初期化のために用いることもでき
る。すなわち、バイアス磁界を印加することにより、少
なくとも記録層の磁化を同一記録トラックの幅方向につ
いては同一方向に配向させてもよい。
【００１９】上記製造方法では、具体的には、再生用光
ビームよりも小さく絞った光ビームを記録トラック間に
照射するとよい。
【００２０】上記製造方法では、膜面に垂直にバイアス
磁界を印加することが好ましい。この場合は、バイアス
磁界の印加方向をすべての記録トラック間について同一
としてもよいが、隣接する１つまたは２つの記録トラッ
ク間ごとに逆向きとすると漏洩磁界低減の効果が得られ
る。上記製造方法では、膜面に平行で記録トラックの伸
長方向にバイアス磁界を印加してもよい。
【００２１】上記製造方法では、印加するバイアス磁界
の大きさを１５０Ｏｅ以上とするとよい。また、開口数
が０．６５以上である対物レンズを用いて絞り込んだ光
ビームを記録トラック間に照射するとよい。
【００２２】上記目的を達成するために、本発明は、上
記基本構成を有する光磁気記録媒体の製造装置も提供す
る。この製造装置は、上記光磁気記録媒体の記録トラッ
ク間に光ビームを照射するための光ビーム照射装置と、
上記光ビームを照射しながら、少なくとも上記記録トラ
ック間にはバイアス磁界を印加するための磁界印加装置
と、上記バイアス磁界の方向を変更するための磁界制御
装置とを備えたことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図１は、本発明に用いるアニ
ール装置の一形態の構成を示す図である。図１におい
て、１０１は光磁気記録媒体（以下「光磁気ディスク」
と呼ぶ）、１０２は光磁気ディスクに対し磁界を印加す
る磁気ヘッド、１０３は光磁気ディスクを回転駆動する
ためのスピンドルモータであり、制御回路１０７により
制御される。１０４は光磁気ディスクにアニール処理を
施す光ヘッドである。磁気ヘッド１０２および光ヘッド
１０４は、それぞれ磁気ヘッド駆動回路１０６、レーザ
駆動回路１０５により制御されている。
【００２４】図１に拡大して示すように、光ヘッド１０
４では、半導体レーザ１１１から射出されたレーザ光
は、コリメータレンズ１１０によって平行光に変換さ
れ、偏光ビームスプリッタ１０９を経由して対物レンズ
１０８に入射し、この対物レンズによって光磁気ディス
ク１０１の磁性層上に集光されて光スポットを形成す
る。光磁気ディスク１０１からの反射光は、再び対物レ
ンズ１０８を通って偏光ビームスプリッタ１０９に入射
し、このビームスプリッタで反射された光が検出回路１
１２に入射されて光ヘッドのトラッキング、フォーカシ
ング用の制御信号の検出を行う。
【００２５】アニール処理を行う際には、光ヘッド１０
４を光磁気ディスク１０１の最外周側または最内周側に
移動させる。光ヘッド１０４から光磁気ディスク１０１
に光スポットを照射し、その反射光からフォーカシング
用制御信号を検出回路１１２により検出し、フォーカシ
ング制御を行う。次に、トラッキング用制御信号にオフ
セットを与え、アニールすべきトラック上に光スポット
が走査するように制御する。レーザ光には、記録トラッ
ク間の垂直磁気異方性が弱くなる程度に高温となるパワ
ー強度を与える。さらに、このアニールの際には、光磁
気ディスク１０１を介して光ヘッド１０４の反対側に対
向するように配置した磁気ヘッド１０２を光磁気ディス
クに接触または近接させながらレーザ光を照射した領域
近傍に同時に磁界を印加する。
【００２６】後述する各形態のアニール処理はこの装置
を用いて行った。ただし、各々の実施形態により、トラ
ッキング方式、膜構成などは相違する。
【００２７】（実施形態１）まず、図２を参照して、光
磁気ディスクの作製方法を説明する。２０１は円盤状の
基板であり、材料としてポリカーボネートやガラスなど
を用いることができる。本形態では、トラッキング用に
グルーブ幅０．６μｍ、ランド幅０．３μｍ、深さ５５
ｎｍの案内溝を有するようにポリカーボネート材料を射
出成形したランドグルーブ基板を用いた。この基板で
は、トラックピッチは０．９μｍとなる。第１の誘電体
層２０２および第２の誘電体層２０６には、例えば、Ｓ
ｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ2、
Ｔａ2Ｏ5などの誘電体材料（ただし、各材料は化学量論
比で定まる組成に限定されない）を使用できる。
【００２８】以下に、各層の成膜方法の例を記す。直流
マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳ
ｉ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＡｌＴｉ、
Ａｌの各ターゲットを取り付け、基板を基板ホルダーに
固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるまでチ
ャンバー内をクライオポンプで真空排気した。真空排気
をしたままＡｒガスを０．３Ｐａとなるまでチャンバー
内に導入し、基板を回転させながら、第１の誘電体層２
０２であるＳｉＮｘ層を８０nm成膜した。引き続き、第
１の磁性層２０３（再生層、磁壁移動層）としてＧｄＦ
ｅＣｏＡｌ４０nm（成分表示の後の数字は膜厚を示す。
以下同様；キュリー温度ＴC1＝２６０℃）を、第２の磁
性層２０４（中間層、遮断層）としてＴｂＦｅＡｌ１０
nm（ＴC2＝１５０℃）を、第３の磁性層２０５（記録
層）としてＴｂＦｅＣｏ８０nm（ＴC3＝３００℃）を、
第２の誘電体層２０６としてＳｉＮｘ５０nmを順次成膜
した。なお、ＳｉＮｘ層成膜時には、Ａｒガスに加えて
Ｎ2ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜し
た。各磁性層は、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、ＡｌＴｉ、Ａｌの各ターゲットに直流パワーを印加
して成膜した。さらに、紫外線硬化性樹脂を塗布し硬化
させて保護コート２０７を形成した。
【００２９】光磁気ディスクの同時初期化の例を、再
び、図１および図３を用いて説明する。図３は光磁気デ
ィスクを径方向に沿って切断した断面を示す拡大模式図
で、３０１はランド部を、３０２は記録トラック（情報
トラック）であるグルーブ部をそれぞれ示す。３０４ａ
〜３０４ｃの領域（ランド部）では、高出力レーザの照
射により磁気的相互作用が弱まっている。
【００３０】本実施形態で用いた初期化装置では、半導
体レーザ光源１１１から照射された波長６５０ｎｍのレ
ーザ光が、ビームスプリッタ１０９を通過し、ＮＡ（開
口数）０．８５の対物レンズ１０８で絞られてレーザス
ポットを形成する。この際、磁気ヘッド１０２を光磁気
ディスク１０１に接触させて、１５０Ｏｅの磁界を膜面
に垂直方向に印加した。磁界の印加方向は一定の方向と
した。この初期化装置では、ＮＡ０．８５の対物レンズ
１０８を使用しているため、レーザスポットは、通常の
再生用レーザ光のレーザスポット（直径：６００ｎｍ）
より小さくなり、その直径は３８０ｎｍとなる。レーザ
スポットから反射した光は、対物レンズ１０８とビーム
スプリッタ１０９とを介して検出回路１１２で検出され
る。この検出信号に基づいてフォーカスアクチュエータ
が駆動され、レーザスポットの直径が大きく変化しない
ように制御される。
【００３１】光磁気ディスク１０１の初期化は、径方向
に隣接する２つの記録トラックの間の領域（記録トラッ
ク間）に、レーザ光を照射してアニールすることによっ
て行われる。すなわち、レーザスポットがランド部３０
１を走査するように、レーザ駆動回路１０５がレーザ光
を制御する。このとき、レーザスポットは、光磁気ディ
スク１０１のスピンドルモータ１０３と、レーザスポッ
トを光磁気ディスク１０１の半径方向に移動させる機構
（図示せず）とを用いて、光磁気ディスクの磁性層に対
して適切な線速度で移動させる。このようにレーザ光を
照射することによって、アニール領域３０４ａ〜３０４
ｃが形成される。アニール領域では、再生層２０３、中
間層２０４および記録層２０５が加熱され、磁気異方性
が低下し、その磁化の様子が周辺とは異なった状態とな
り、具体的には磁気結合が遮断された状態となる。ここ
では、アニール領域の磁性層の磁化は、保磁力が最も大
きい記録層では垂直磁気異方性が弱まってはいるものの
垂直方向となり、異方性が小さい再生層では面内方向
（面内磁化膜）となる。半導体レーザ光源１１１の出射
レーザパワーが５０ｍＷの場合、２０ｍ／秒の線速度を
適用すると、アニール領域の幅を０．３μｍにすること
ができた。
【００３２】図３に示したように、高出力レーザ光によ
りアニールされたランド部はアニールされたアニール領
域３０４ａ〜３０４ｃとなり、垂直磁気異方性が低下す
る。こうしてアニール領域３０４ａの垂直磁気異方性を
弱めると、隣接する記録トラック３０３ａ，３０３ｂと
の間の磁気的相互作用を遮断することができる。
【００３３】レーザ光は、ランド部３０１に照射される
が、熱伝導によって、アニールを施したランド部に隣接
するグルーブ領域３０２の磁性層の温度も上昇する。こ
の領域の磁性層がキュリー温度に達するようにすると、
磁気ヘッド１０２から印加される外部磁界により、グル
ーブ領域に着磁領域３０３ａ〜３０３ｅが形成される。
この着磁領域では、磁化方向が磁界印加方向に沿うよう
に配向する。ランド部への照射により、隣接するグルー
ブ領域のグルーブ幅（０．６μｍ）の少なくとも半分に
おいて着磁を行うと、ランド部に照射するレーザ光によ
り、記録トラックの全領域において初期化を行うことが
できる。
【００３４】以上のように、本実施形態では、一方向に
磁界を印加しながらアニールを行うことにより、ランド
部の垂直磁気異方性が低下して記録トラックとするグル
ーブ部との間の磁気的相互作用を弱めることができる。
また、すべてのグルーブ部を一方向に着磁する初期化を
同時に行うことができる。これにより、高い記録密度を
有する初期化された光磁気ディスクを、短時間で得るこ
とができる。
【００３５】なお、光磁気ディスクは、図２に示した構
成に限らず、第２の誘電体層２０６と保護コート層２０
７との間に、記録層２０５の感度を調節するための熱伝
導調整層などをさらに備えていてもよい。この熱伝導調
整層としては、例えばアルミニウムや金からなる金属膜
を用いることができる。熱伝導調整層の厚さは、一般に
は、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度が適当である。
【００３６】（実施形態２）実施形態２の光磁気ディス
クの部分切り取り斜視図を図４に、この光磁気ディスク
の膜構成を図５にそれぞれ示す。４０３は円盤状の基板
であり、上記と同様、材料としてポリカーボネートやガ
ラスなどを用いることができる。本形態では、情報の記
録再生時のトラッキング用にサンプルサーボ方式を用
い、ピット領域４０１に第１ウォブルピット４０６、第
２ウォブルピット４０７とアドレスピット４０８とを備
え、アニール時にトラッキングをかけるために、グルー
ブ領域（データ領域）４０２にグルーブ幅０．５μｍ、
ランド幅０．１５μｍ、深さ５５ｎｍの案内溝を有する
ように、ポリカーボネート材料を射出成形した基板を用
いた。第１の誘電体層４０９および第２の誘電体層４１
１には、上記と同様の誘電体材料を使用できる。
【００３７】以下、各層の成膜方法の一例を記す。直流
マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳ
ｉ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＡｌＴｉ、
Ａｌ、ＺｎＳ、ＤｙＦｅＣｏの各ターゲットを取り付
け、基板を基板ホルダーに固定した後、１×１０-5Ｐａ
以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプ
で真空排気した。真空排気をしたままＡｒガスを０．３
Ｐａとなるまでチャンバー内に導入し、基板を回転させ
ながら、第１の誘電体層４０９であるＳｉＮｘ層を８０
nm成膜した。引き続き、第１の磁性層５０１（再生層；
磁壁移動層）としてＧｄＦｅＣｏ３０nm(キュリー温度
ＴC 1＝２９０℃)を、第２の磁性層５０２（制御層）と
してＴｂＦｅＣｏ５nm（ＴC2＝１８０℃）を、第３の磁
性層５０３（中間層；遮断層）としてＴｂＦｅＡｌ１０
nm（ＴC3＝１６０℃）を、第４の磁性層５０４（記録
層）としてＤｙＦｅＣｏ６０nm（ＴC4＝４００℃）を、
第２の誘電体層４１１としてＺｎＳ５０nmを順次成膜し
た。なお、ＳｉＮｘ層成膜時には、Ａｒガスに加えてＮ
2ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。
各磁性層は、上記各ターゲットに直流パワーを印加して
成膜した。
【００３８】再生層５０１における磁壁移動の駆動力
は、光レーザ前方の温度勾配を利用している。光レーザ
後方で生じる温度勾配は前方のそれよりも緩やかである
が、磁壁駆動力が誘起されている。この光レーザ後方で
生じる磁壁移動は、本来の再生信号のノイズとなる。し
かし、磁性層４１０の一層として、制御層（コントロー
ル層）５０２を設けて再生層５０１と記録層５０３の界
面磁壁が保たれやすくすると、レーザ後方で生じる磁壁
移動を抑制できる。制御層５０２は、中間層５０３のキ
ュリー点よりも高いが再生層５０１のキュリー点よりも
低いキュリー点を有する磁性層が好適である。
【００３９】なお、保護コート５０５は、ランド領域に
アニール処理を施した後で形成した。保護コートは、上
記と同様、紫外線硬化性樹脂を塗布し硬化させて形成し
た。
【００４０】本形態のアニール処理を図１を参照して説
明する。ここでは、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光源
１１１から出射したレーザ光は、ビームスプリッタ１０
９を通過し、ＮＡ０．７５の対物レンズ１０８で絞られ
てレーザスポットを形成する。この際には、磁気ヘッド
を光磁気ディスクに接触させながら、３００Ｏｅの磁界
を一方向（膜面に垂直方向）に印加した。この初期化装
置では、波長４０５ｎｍのレーザ光を使用しているた
め、対物レンズ４１４により絞られて形成されるレーザ
スポット４１３（図４）の直径は３００ｎｍと小さくな
る。
【００４１】ランド上からの１次回折光を利用し、トラ
ッキングサーボを動作させることにより、幅０．１５μ
ｍのランド上４０５を走査させることができた。レーザ
スポット４１３から反射した光は、対物レンズとビーム
スプリッタとを介して検出回路１１２で検出される。こ
の検出信号に基づいてフォーカスアクチュエータが駆動
され、レーザスポットの直径が大きく変化しないように
制御される。
【００４２】こうして、グルーブ領域（データ領域）４
０２のランド部４０５に、上記高出力レーザ光を照射し
た。このとき、レーザスポットは、光磁気ディスク１０
１のスピンドルモータ１０３と、レーザスポットを光磁
気ディスクの径方向に移動させる機構（図示せず）とを
用いて、光磁気ディスクに対して適切な線速度で移動さ
せる。このようにレーザ光を照射することによって、ア
ニール領域４１２を形成する初期化が行われる。アニー
ル領域４１２では、再生層５０１、制御層５０２、中間
層５０３、記録層５０４が加熱され、その磁化の様子が
周辺とは異なり、磁気結合が遮断された状態となる。半
導体レーザ１１１光源の出射レーザパワーが２０ｍＷの
場合、３０ｍ／秒の線速度で、アニール領域４１２の幅
を０．１６μｍにすることができた。
【００４３】また、ランド部４０５に沿ってレーザスポ
ット４１３を走査することにより、隣接するグルーブ部
４０４の全領域の磁性層がキュリー温度に達し、外部磁
界を印加することによって記録トラックであるグルーブ
領域４０２の磁化を一方向（膜面に垂直方向）に着磁す
ることができた。
【００４４】バイアス磁界を一方向に印加しながら上記
アニールを施したディスクＡと、バイアス磁界を印加し
ない点を除いてはディスクＡと同様にしてアニールした
ディスクＢとを作製した。これらのディスクのグルーブ
領域４０２に記録マークを記録し再生した。評価装置に
は、波長６５０ｎｍの光源を用い、ＮＡ０．６５の対物
レンズで集光を行った。記録は、線速１．５ｍ／秒、再
生パワー２．５ｍＷ、磁界変調記録により３５０Ｏｅの
バイアス磁界を印加して、長さ０．２μｍの記録マーク
を形成することにより行った。アニール時の着磁依存性
を評価するために、記録前の消去は行わなかった。その
結果、ディスクＢでは３７ｄＢのＣＮ比が観測されたの
に対し、ディスクＡでは４２ｄＢのＣＮ比を得ることが
できた。
【００４５】以上のように、本実施形態によれば、記録
密度が高く、初期化された光磁気ディスクを短時間で得
ることができる。
【００４６】（実施形態３）実施形態３の光磁気ディス
クの部分切り取り斜視図を図６に、この光磁気ディスク
の拡大断面図を図７Ａに、拡大平面図を図７Ｂにそれぞ
れ示す。６０１は円盤状の基板であり、上記と同様、材
料としてポリカーボネートやガラスなどを用いることが
できる。ここでも、情報を記録するグルーブ部６０２間
のランド部６０３にアニールを施した。基板６０１とし
ては、情報の記録再生時のトラッキング用にサンプルサ
ーボ方式を用い、ピット領域４０１に第１ウォブルピッ
ト６０４、第２ウォブルピット６０５とアドレスピット
６０６とを備え、アニール時にトラッキングをかけるた
めに、グルーブ領域（データ領域）４０２にグルーブ幅
０．４μｍ、ランド幅０．２μｍ、深さ７５ｎｍの案内
溝を有するように射出成形したポリカーボネート材料を
用いた。ここでも、第１の誘電体層６０７および第２の
誘電体層６０９には、上記と同様の誘電体材料を使用で
きる。
【００４７】以下、各層の成膜方法の一例を記す。直流
マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳ
ｉ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ａｌ
Ｔｉ、Ａｌ、ＺｎＳの各ターゲットを取り付け、基板を
基板ホルダーに固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真
空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気
した。真空排気をしたままＡｒガスを０．３Ｐａとなる
までチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、第
１の誘電体層６０７であるＳｉＮｘ層を８０nm成膜し
た。引き続き、第１の磁性層７５（再生層；磁壁移動
層）としてＧｄＦｅＣｏＳｉ４５nm(キュリー温度ＴC1
＝２５０℃)を、第２の磁性層７６（中間層）としてＴ
ｂＦｅＣｒ１５nm（ＴC2＝９０℃）を、第３の磁性層７
７（記録層）としてＴｂＦｅＣｏＡｌ１００nm（ＴC3＝
２７０℃）を、第２の誘電体層６０９としてＺｎＳ５０
nmを順次成膜した。なお、ＳｉＮｘ層成膜時には、Ａｒ
ガスに加えてＮ2ガスを導入し、直流反応性スパッタに
より成膜した。各磁性層は、上記各ターゲットに直流パ
ワーを印加して成膜した。
【００４８】本実施形態のアニール処理を図１の初期化
装置の模式図を用いて説明する。本形態で用いた初期化
装置には、波長４５０ｎｍの半導体レーザ光源１１１、
ＮＡ０．６５の対物レンズ１０８を備えたものを用い
た。レーザのトラッキング方式は、実施形態２の初期化
方式で述べたものと同様である。
【００４９】本実施形態では、アニールの際に、磁気ヘ
ッドを光磁気ディスクに接触させ、磁性層の膜面に垂直
に±４００Ｏｅの磁界を印加した。印加する磁界の方向
は、スピンドルモータ１０３が１回転するごとに反転す
るように、制御回路１０７から磁気ヘッド駆動回路１０
６を通じて制御した。このように印加磁界の方向を１回
転ごとに反転させると、グルーブ部６０２は、磁界印加
方向上向きのランド部６１０と磁界印加方向下向きのラ
ンド部６１１との双方に隣接することになる。
【００５０】本形態でも、初期化は、グルーブ領域６０
２のランド部６０５に高出力レーザ光を照射することに
よって行った。このとき、レーザスポットは、光磁気デ
ィスク１０１のスピンドルモータ１０３と、レーザスポ
ットを光磁気ディスクの半径方向に移動させる機構（図
示せず）とを用いて、光磁気ディスクに対して適切な線
速度で移動させた。このようにレーザ光を照射すること
によって、アニール領域が形成される。アニール領域で
は、再生層７５、中間層７６および記録層７７が昇温し
て磁化の様子が周辺とは異なった状態となり、磁気結合
が遮断された状態となる。半導体レーザ１１１光源の出
射レーザパワーが２５ｍＷの場合、４０ｍ／秒の線速度
で、アニール領域４１２の幅を０．２２μｍにすること
ができた。
【００５１】このように初期化を行った光磁気ディスク
のグルーブ部６０２に記録マークを記録した図を図７に
示す。記録再生装置には、波長６５０ｎｍの光源を用
い、ＮＡ０．６５の対物レンズで集光を行った。線速
１．５ｍ／秒、再生パワー２．０ｍＷを採用し、記録
は、磁界変調記録で記録パワー３．０ｍＷ、３５０Ｏｅ
の磁界を印加しながら行った。
【００５２】図７（Ａ）は径方向にグルーブ領域４０２
において光磁気ディスクを切断した拡大断面図であり、
図７（Ｂ）はその拡大平面図である。グルーブ部６０２
である記録トラック７１ａ〜７１ｅの両隣には、アニー
ル時の磁界印加方向上向きのランド部６１０とアニール
時の磁界印加方向下向きのランド部６１１とが一つずつ
配置されている。そして、磁性層６０８内の記録層７７
には記録マーク７３が形成されている。図７（Ａ）およ
び図７（Ｂ）において、７４は各磁性層の磁化方向を、
７２は磁壁をそれぞれ示す。磁壁７２は記録マーク７３
の境界に形成されており、局部的に磁化の方向がねじれ
た状態となっている。
【００５３】アニール時に高出力レーザを照射して隣接
するトラックとの磁気的結合を弱めてはいるものの、ア
ニールを施したトラックの磁気的特性が完全に消去され
るわけではない。特に、ＤＷＤＤ磁性層６０８では、記
録層７７に、キュリー温度が他の磁性層よりも高く、垂
直磁気異方性が大きな磁性膜を用いているため、高出力
レーザを照射した後でも、記録層の垂直磁気異方性を完
全に消失させることは困難である。記録トラックに隣接
するトラックで記録層７７の垂直磁気異方性が完全に消
失するようなアニール処理を施せば、記録トラック７１
ａ〜７１ｅの磁気的性質も劣化して良好な再生信号を得
ることができなくもなる。
【００５４】記録トラックの再生層７５への隣接トラッ
クからの漏洩磁界は、この再生層が記録層７７と交換結
合していない場合に、再生層における磁壁の移動に影響
を及ぼす。図８に、磁壁７２の拡大図として磁化の方向
７４を用いて２通りの磁壁図（図８（Ａ）、図８
（Ｂ））を示した。例えば、隣接トラックから、上向き
の漏洩磁界を受けており、磁壁７２を図示左から右へ移
動させようとする場合を考えてみる。図８（Ａ）では、
磁壁が移動することにより、上向きの磁化方向を向く面
積が多くなる。しかし、上向きの磁化方向を多くする
と、静磁エネルギーが高くなるため、漏洩磁界がない場
合よりも磁壁は動きにくくなる。一方、図８（Ｂ）で
は、磁壁が図示右方向へと移動することにより、下向き
の磁化方向を向く面積が多くなる。下向きの磁化方向を
もった磁化が多くなるほうが、静磁エネルギーが低くな
るため、漏洩磁界が発生していない場合よりも、磁壁は
移動しやすくなる。隣接トラックから下向きの漏洩磁界
を受けている場合は、上記とは逆に、図８（Ａ）の磁壁
は図８（Ｂ）の磁壁よりも移動しやすくなる。
【００５５】このように、記録マーク７３の境界に形成
されている磁壁７２の構造により磁壁の移動度が異なる
と、再生信号に悪影響が及ぶ。しかし、本実施形態のよ
うに、記録トラック７１に隣接する２本のトラックに互
いに逆方向の磁界を印加すると、記録トラック７１への
漏洩磁界の影響を実質的に排除することが可能となるた
め、良好なＤＷＤＤ信号を得ることができる。
【００５６】なお、本実施形態では、ランド部６０３を
１トラックずつ逆方向に磁界を印加しながらアニール処
理を行うことによって、記録トラック７１に生じる漏洩
磁界を小さくすることとしたが、ランド部に高周波数
（例えば１０〜３０ＭＨｚ程度）の反転磁界を印加する
ことにより、記録トラック７１に生じる漏洩磁界を小さ
くしてもよい。
【００５７】以上のように、実施形態３によれば、高い
記録密度を有する初期化された光磁気ディスクであっ
て、さらに良好なＤＷＤＤ信号が得られる光磁気ディス
クを短時間で得ることができる。
【００５８】（実施形態４）本実施形態の光磁気ディス
クの部分切り取り斜視図を図１０に、この光磁気ディス
クの拡大断面図を図１１（Ａ）に、拡大平面図を図１１
（Ｂ）にそれぞれ示す。７０１は円盤状の基板であり、
上記と同様、ポリカーボネートやガラスなどを用いるこ
とができる。ここでも、情報を記録するグルーブ部７０
４間のランド部７０５にアニールを施した。基板７０３
としては、情報の記録再生時のトラッキング用にサンプ
ルサーボ方式を用い、ピット領域４０１に第１ウォブル
ピット７０６、第２ウォブルピット７０７とアドレスピ
ット７０８とを備え、アニール時にトラッキングをかけ
るために、グルーブ領域４０２にグルーブ幅０．４μ
ｍ、ランド幅０．１５μｍ、深さ６０ｎｍの案内溝を有
するように射出成形したポリカーボネート材料を用い
た。ここでも、第１の誘電体層７０９および第２の誘電
体層７１１には、上記と同様の誘電体材料を使用でき
る。
【００５９】以下、各層の成膜方法の一例を記す。直流
マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳ
ｉ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ａｌ
Ｔｉ、Ｔａ、ＤｙＦｅＣｏの各ターゲットを取り付け、
基板を基板ホルダーに固定した後、１×１０-5Ｐａ以下
の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真
空排気した。真空排気をしたままＡｒガスを０．３Ｐａ
となるまでチャンバー内に導入し、基板を回転させなが
ら、第１の誘電体層７０９であるＳｉＮｘ層を８０nm成
膜した。引き続き、第１の磁性層７２５（再生層）とし
てＧｄＦｅＣｏＣｒ３５nm(キュリー温度ＴC1＝２７０
℃)を、第２の磁性層７２６（制御層）としてＴｂＦｅ
Ｃｏ５nm（ＴC2＝１３０℃）を、第３の磁性層７２７
（中間層）としてＴｂＦｅ１０nm（ＴC2＝１００℃）、
第４の磁性層７２８（記録層）としてＴｂＤｙＦｅＣｏ
６００nm（ＴC3＝２８０℃）、第２の誘電体層７１１と
してＴａＯｘ６０nmを順次成膜した。なお、ＳｉＮｘ層
成膜時には、Ａｒガスに加えてＮ2ガスを導入し、Ｔａ
Ｏｘ層成膜時には、Ａｒガスに加えてＯ2ガスを導入
し、直流反応性スパッタにより成膜した。各磁性層は、
上記各ターゲットに直流パワーを印加して成膜した。
【００６０】本実施形態のアニール処理を図１の初期化
装置の模式図を用いて説明する。本形態で用いた初期化
装置には、波長４１０ｎｍの半導体レーザ光源１１１、
ＮＡ０．６５の対物レンズ１０８を備えたものを用い
た。レーザのトラッキング方式は、実施形態２の初期化
方式で述べたものと同様である。
【００６１】本実施形態では、アニールの際に、磁気ヘ
ッドを光磁気ディスクに接触させ、磁性層の膜面に垂直
方向に±２００Ｏｅの磁界を印加した。印加する磁界の
方向は、スピンドルモータ１０３が２回転するごとに反
転するように、制御回路１０７から磁気ヘッド駆動回路
１０６を通じて制御した。このように印加磁界の方向を
２回転ごとに反転させながら径方向にランド部を順次ア
ニールしていくと、磁界印加方向下向きのランド部７０
５ａへの磁化により同じく下向きに磁化されたグルーブ
部７２１ａ，７２１ｂ，７２１ｅと、磁界印加方向上向
きのランド部７０５ｂへの磁化により同じく上向きに磁
化されたグルーブ部７２１ｃ，７２１ｄとが、径方向に
２つずつ交互に配列することになる。
【００６２】初期化は、グルーブ領域（データ領域）４
０２のランド部７０５を、高出力レーザ光を照射するこ
とによって行った。このとき、レーザスポットは、光磁
気ディスク１０１のスピンドルモータ１０３と、レーザ
スポット７１３を光磁気ディスクの半径方向に移動させ
る機構（図示せず）とを用いて、光磁気ディスク１０１
に対して適切な線速度で移動させる。このようにしてレ
ーザ光を照射することによって、アニール領域７１２を
形成する初期化が行われる。アニール領域７１２では、
再生層７２５、制御層７２６、中間層７２７および記録
層７２８が加熱されて磁化の様子が周辺とは異なる状態
となり、磁気結合が遮断された状態となる。半導体レー
ザ１１１光源の出射レーザパワーが２７ｍＷの場合、１
０ｍ／秒の線速度で、アニール領域７１２の幅を０．１
９μｍにすることができた。その結果、ランド部７０５
のほぼ全域に渡って、膜面垂直磁気異方性が小さくする
ことにより、グルーブ間を磁気的に遮断する面内膜の領
域が形成される。ランド部は、アニール時に高温となっ
て磁気的劣化が生じるため、垂直磁気異方性が低下し、
膜面面内方向に磁化が向くからである。一方、グルーブ
部は、照射されるレーザ光の中心からは外れているため
に垂直膜が維持されるが、記録層もキュリー温度には達
するために磁化方向が印加された磁界方向に揃う。同じ
く垂直方向の磁化が維持される再生層では、記録層との
交換結合によってその磁化が記録層と同方向となる。
【００６３】このように初期化を行った光磁気ディスク
のグルーブ部７０２に記録マークを記録した図を図１１
に示す。記録再生装置には、波長６５０ｎｍの光源を用
い、ＮＡ０．６５の対物レンズで集光を行った。線速は
２．４ｍ／ｓで、再生パワー２．２ｍＷ、記録は磁界変
調記録で記録パワー４．０ｍＷ、３００Ｏｅの磁界を印
加しながら行った。
【００６４】図１１（Ａ）はグルーブ領域を径方向に沿
って切断した拡大断面図であり、図１１（Ｂ）は同拡大
平面図である。図１１では、記録トラック７２１ａ〜７
２１ｅは、アニール時の磁界印加方向下向きのランド部
７１０とアニール時の磁界印加方向上向きのランド部７
１１の２トラックごとに隣接しており、そのグルーブ部
の記録トラックに記録マーク７２３が形成されている様
子を示す。また、７２４は各磁性層の磁化の方向の方向
を矢印で示したものであり、７２２は磁壁を示す。磁壁
は記録マーク７２３の境界に形成されており、局部的に
磁化の方向がねじれたような状態になっている。
【００６５】記録トラックでは、再生時に、再生層７２
５の磁壁７２２を移動させることにより、光学限界以下
の微小マークを拡大させて良好な信号を得ることができ
るが、磁壁７２２を高速に安定して移動させるために
は、さまざまな条件が挙げられる。
【００６６】その一つとして、記録トラックに隣接する
記録トラックから生じる漏洩磁界の影響が挙げられる。
本実施形態のように、アニール時に高出力レーザを照射
して、隣接するランド部の磁気的効果を弱めると、アニ
ールを施したトラックであるランド部の膜面垂直方向の
磁気的特性はほぼ完全に消失している。しかし、トラッ
クピッチが小さいため、隣接する記録トラックであるグ
ルーブ部からの漏洩磁界の影響が生ずる。特に、ＤＷＤ
Ｄ磁性膜では、記録層７２８のキュリー温度が他の磁性
層より高いために、記録トラック７２１ａ〜７２１ｅの
再生層７２５に隣接の記録トラックから漏洩磁界を受け
ている場合は、中間層７２７がキュリー温度に達して交
換結合が切断された再生層７２５では、磁壁の動きに影
響が及ぶ。
【００６７】記録マーク７２３の境界に形成されている
磁壁７２２の構造により磁壁の移動度が異なると、再生
信号に悪影響が及ぶ。本形態では、記録トラック７２１
に隣接する２本ごとの記録トラックであるグルーブ部に
逆方向の磁界を印加することにより、初期状態では、い
ずれの記録トラック７２１ａ〜７２１ｅも、上向きに磁
化されたグルーブ（記録トラック）と下向きに磁化され
たグルーブ（記録トラック）とに挟まれた構成となる。
したがって、記録トラックであるグルーブに生じる隣接
グルーブからの漏洩磁界の影響を実質的に解消すること
が可能となる。
【００６８】なお、本実施形態では、ランド部７０３を
２トラックずつ逆方向に磁界を印加しながらアニール処
理を行うことによって、記録トラック７２１に生じる漏
洩磁界を小さくすることに成功したが、上記と同様、グ
ルーブ部に高周波数（例えば１０〜３０ＭＨｚ程度）の
反転磁界を加えることにより、記録トラックに生じる漏
洩磁界を小さくしてもよい。
【００６９】また、本実施形態では、トラック間隔（ト
ラックピッチ）が０．５５μｍの光磁気記録媒体につい
て述べたが、トラックピッチが小さくなるほど２トラッ
クごとに磁化方向を反対とする構成による効果は大きく
なる。
【００７０】以上のように、実施形態４の光磁気記録媒
体によれば、記録密度が高く、グルーブ領域の初期化工
程を必要とせず、しかも良好なＤＷＤＤ信号が得られる
光磁気ディスクが得られる。
【００７１】以上、バイアス磁界が膜面に垂直な場合の
実施形態について詳述したが、本発明は必ずしもこれに
限られるものではない。膜面に平行であって媒体の走行
方向（記録トラックの伸長方向）にバイアス磁界を印加
しながら、あるいは垂直成分と平行成分の両方を有する
バイアス磁界を印加しながら、実施形態３と同様のアニ
ール処理を施すと、図１２に示すごとく、ランドを含む
アニール領域１２０１は、膜面に沿って閉磁路を構成す
る。この構成によれば、アニール領域である記録トラッ
ク間からの漏洩磁界をきわめて低く抑えることができる
ため、良好なＤＷＤＤ動作を実現できる。膜面に対して
平行成分と垂直成分の両方を有するバイアス磁界を印加
することにより、ランド部とグルーブ部とで異なる方向
に磁化することができ、グルーブ部の着磁による初期化
も同時に行うことができる。
【００７２】以上では、バイアス磁界強度１５０〜４０
０Ｏｅのバイアス磁界について述べたが、光スポット
径、磁性膜の加熱温度に応じ、１５０Ｏｅ以上のバイア
ス磁界を印加しながらアニール処理すれば同等の効果が
得られる。
【００７３】また、再生層、中間層、記録層の膜構成と
しては、３０ｎｍ〜４５ｎｍの膜厚の再生層（磁壁移動
層）、１０ｎｍ〜１５ｎｍの膜厚の中間層（遮断層）、
６０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚の記録層について述べた
が、上記膜厚は例示であったこれに限定されるものでは
なく、記録層と再生層との間で、十分な磁気的結合力が
得られる膜厚構成であればよい。好ましくは、再生層、
記録層ともに、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲である。さ
らに、記録層に隣接して設ける記録補助層などその他の
磁性層を形成しても構わない。
【００７４】また、第２誘電体層の上に熱吸収層を介し
て保護コート層を設けた構成など、その他の層を形成し
てもよい。
【００７５】また、上記各形態では、レーザ波長が４０
５〜６５０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．６５〜
０．８５である光学ヘッドについて述べたが、光学ヘッ
ドはアニール処理する領域の幅などに応じて、適宜選択
すればよい。
【００７６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、記録ト
ラック間をアニールしながら同時に磁界を印加すること
により、記録トラック間の磁性層の磁気異方性を記録ト
ラック上の磁性層の磁気異方性よりも低下させ、記録ト
ラック間の磁気的結合を効果的に切断できる。また、同
時に記録トラックの初期化を行うこともできる。こうし
て、記録密度が高く、信号レベルが大きく、ノイズが低
い光磁気記録媒体が得られる。また、アニールする際の
磁界の印加方向を制御することによって隣接トラックの
漏洩磁界をさらに抑制でき、より良好なＤＷＤＤ信号を
得ることもできる。さらに本発明によれば、データ領域
の初期化工程を省略することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施に用いるアニール装置の構成の
一例を示す図である。
【図２】 本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す断面
図である。
【図３】 本発明の一形態により製造された光磁気記録
媒体を示す断面図である。
【図４】 本発明の一形態により製造された光磁気記録
媒体を示す部分切り取り斜視図である。
【図５】 本発明の光磁気記録媒体の構成の別の例を示
す断面図である。
【図６】 本発明の一形態により製造された光磁気記録
媒体を示す部分切り取り斜視図である。
【図７】 本発明の一形態により製造された光磁気記録
媒体の拡大断面図（Ａ）および拡大平面図（Ｂ）であ
る。
【図８】 本発明の光磁気記録媒体の磁壁の構造例を模
式的に示した図である。
【図９】 ＤＷＤＤ再生方式に用いられる従来の光磁気
記録媒体の例を示す断面図である。
【図１０】 本発明の一形態により製造された光磁気記
録媒体を示す部分切り取り斜視図である。
【図１１】 本発明の一形態により製造された光磁気記
録媒体の拡大断面図（Ａ）および拡大平面図（Ｂ）であ
る。
【図１２】 本発明の一形態により製造された光磁気記
録媒体を示す部分切り取り斜視図である。
【符号の説明】
１０１ 光磁気ディスク １０２ 磁気ヘッド １０３ スピンドルモータ １０４ 光ヘッド １０５ レーザ駆動回路 １０６ 磁気ヘッド駆動回路 １０７ 制御回路 １０８ 対物レンズ １０９ 偏光ビームスプリッタ １１０ コリメータレンズ １１１ 半導体レーザ １１２ 検出回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６Ｃ ５４６Ｊ (72)発明者 村上 元良 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 尾留川 正博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 白鳥 力 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 宮岡 康之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 CC11 CD17 EE03 FF12 FG18 GG11 GG16 GG20

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成された多層膜
    を含み、前記多層膜が前記基板側から少なくとも第１の
    誘電体層、磁壁移動層、遮断層、記録層および第２の誘
    電体層を含み、前記遮断層のキュリー点は、前記磁壁移
    動層のキュリー点および前記記録層のキュリー点のいず
    れよりも低く、再生用光ビームの照射によって前記遮断
    層のキュリー点以上となった領域において前記磁壁移動
    層内の磁壁が高温側へと移動する光磁気記録媒体であっ
    て、 記録トラック間に形成された前記磁壁移動層および前記
    記録層から選ばれる少なくとも一方の磁性層の磁気異方
    性を、記録トラック上における前記磁性層の磁気異方性
    よりも低下させ、かつ前記磁壁移動層、前記遮断層およ
    び前記記録層から選ばれる少なくとも一つの層の磁化
    が、同一記録トラックのトラック幅方向については、前
    記トラック幅の半分以上の領域において同一方向に配向
    していることを特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 少なくとも記録層の磁化が同一方向に配
    向している請求項１に記載の光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 記録トラック上では、膜面に垂直に磁化
    が配向している請求項１または２に記載の光磁気記録媒
    体。
  4. 【請求項４】 記録トラック間では、膜面に平行に磁化
    が配向している請求項１〜３のいずれかに記載の光磁気
    記録媒体。
  5. 【請求項５】 記録トラック間では、前記記録トラック
    の伸長方向に沿って磁化が配向している請求項４に記載
    の光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】 すべての記録トラック上において磁化が
    同一方向に配向している請求項１〜５のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体。
  7. 【請求項７】 記録トラック上の磁化の配向方向が、記
    録トラックによって相違する請求項１〜５のいずれかに
    記載の光磁気記録媒体。
  8. 【請求項８】 記録トラック上の磁化の配向方向が、隣
    接する１トラックごとに逆向きとなった請求項７に記載
    の光磁気記録媒体。
  9. 【請求項９】 記録トラック上の磁化の配向方向が、隣
    接する２トラックごとに逆向きとなった請求項７に記載
    の光磁気記録媒体。
  10. 【請求項１０】 基板上にピットとグルーブとがエンボ
    ス加工され、記録トラックのトラックピッチが０．９μ
    ｍ以下である請求項１〜９のいずれかに記載の光磁気記
    録媒体。
  11. 【請求項１１】 記録トラックがピット領域とデータ領
    域とを含むセグメントで構成され、前記ピット領域には
    サンプルサーボ用のウォブルピットが形成され、前記デ
    ータ領域にはグルーブおよびランドが形成され、前記グ
    ルーブを記録トラックとする請求項１〜１０のいずれか
    に記載の光磁気記録媒体。
  12. 【請求項１２】 基板と、前記基板上に形成された多層
    膜を含み、前記多層膜が前記基板側から少なくとも第１
    の誘電体層、磁壁移動層、遮断層、記録層および第２の
    誘電体層を含み、前記遮断層のキュリー点は、前記磁壁
    移動層のキュリー点および前記記録層のキュリー点のい
    ずれよりも低く、再生用光ビームの照射によって前記遮
    断層のキュリー点以上となった領域において前記磁壁移
    動層内の磁壁が高温側へと移動する光磁気記録媒体の製
    造方法であって、 光ビームを前記光磁気記録媒体の記録トラック間に照射
    することにより、前記記録トラック間に形成された前記
    磁壁移動層および前記記録層から選ばれる少なくとも一
    方の磁性層の磁気異方性を、記録トラック上における前
    記磁性層の磁気異方性よりも低下させ、かつ少なくとも
    前記記録トラック間には、前記光ビームを照射しながら
    バイアス磁界を印加することを特徴とする光磁気記録媒
    体の製造方法。
  13. 【請求項１３】 少なくとも記録層の磁化が同一記録ト
    ラックの幅方向については同一方向に配向するように、
    バイアス磁界を印加する請求項１２に記載の光磁気記録
    媒体の製造方法。
  14. 【請求項１４】 再生用光ビームよりも小さく絞った光
    ビームを記録トラック間に照射する請求項１２または１
    ３に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
  15. 【請求項１５】 膜面に垂直にバイアス磁界を印加する
    請求項１２〜１４のいずれかに記載の光磁気記録媒体の
    製造方法。
  16. 【請求項１６】 記録トラック間へのバイアス磁界の印
    加方向を、隣接する１つまたは２つの記録トラック間ご
    とに逆向きとする請求項１５に記載の光磁気記録媒体の
    製造方法。
  17. 【請求項１７】 膜面に平行で記録トラックの伸長方向
    にバイアス磁界を印加する請求項１２〜１４のいずれか
    に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
  18. 【請求項１８】 バイアス磁界の大きさを１５０Ｏｅ以
    上とする請求項１２〜１７のいずれかに記載の光磁気記
    録媒体の製造方法。
  19. 【請求項１９】 開口数が０．６５以上である対物レン
    ズを用いて絞り込んだ光ビームを記録トラック間に照射
    する請求項１２〜１８のいずれかに記載の光磁気記録媒
    体の製造方法。
  20. 【請求項２０】 基板と、前記基板上に形成された多層
    膜を含み、前記多層膜が前記基板側から少なくとも第１
    の誘電体層、磁壁移動層、遮断層、記録層および第２の
    誘電体層を含み、前記遮断層のキュリー点は、前記磁壁
    移動層のキュリー点および前記記録層のキュリー点のい
    ずれよりも低く、再生用光ビームの照射によって前記遮
    断層のキュリー点以上となった領域において前記磁壁移
    動層内の磁壁が高温側へと移動する光磁気記録媒体の製
    造装置であって、 前記光磁気記録媒体の記録トラック間に光ビームを照射
    するための光ビーム照射装置と、前記光ビームを照射し
    ながら、少なくとも前記記録トラック間にはバイアス磁
    界を印加するための磁界印加装置と、前記バイアス磁界
    の方向を変更するための磁界制御装置と、を備えたこと
    を特徴とする光磁気記録媒体の製造装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7433276B2 (en) 2003-06-25 2008-10-07 Sony Corporation Domain wall displacement detection system magneto-optical recording medium and its manufacturing method

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1408493A1 (en) * 2001-04-19 2004-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Magneto-optic record medium
JP2003317337A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Canon Inc 光磁気記録媒体及び記録方法
JP2005251369A (ja) * 2004-02-02 2005-09-15 Canon Inc 光磁気記録媒体
CN101073118A (zh) * 2004-12-03 2007-11-14 富士通株式会社 光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1158509A3 (en) 1993-04-02 2002-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Magneto-optical recording method
JP3332458B2 (ja) 1993-04-02 2002-10-07 キヤノン株式会社 光磁気記録媒体
JPH08147777A (ja) 1994-11-15 1996-06-07 Canon Inc 光学的記録媒体、記録再生方法および再生装置
JPH1091938A (ja) 1996-09-19 1998-04-10 Canon Inc 磁気記録媒体、再生方法および再生装置
JP3332750B2 (ja) * 1996-09-19 2002-10-07 キヤノン株式会社 磁気記録媒体、記録方法、再生方法、及び、磁性記録媒体の製造方法
JP3647219B2 (ja) * 1997-09-01 2005-05-11 キヤノン株式会社 磁性記録媒体の信号再生方法
JP3416490B2 (ja) 1997-10-21 2003-06-16 キヤノン株式会社 光磁気記録媒体および記録方法
JPH11126386A (ja) 1997-10-24 1999-05-11 Canon Inc 光磁気記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7433276B2 (en) 2003-06-25 2008-10-07 Sony Corporation Domain wall displacement detection system magneto-optical recording medium and its manufacturing method

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