JPS645477B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS645477B2 JPS645477B2 JP3864480A JP3864480A JPS645477B2 JP S645477 B2 JPS645477 B2 JP S645477B2 JP 3864480 A JP3864480 A JP 3864480A JP 3864480 A JP3864480 A JP 3864480A JP S645477 B2 JPS645477 B2 JP S645477B2
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- JP
- Japan
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- insulating film
- interlayer insulating
- glass
- hole
- forming
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、多層配線基板において配線の層間
絶縁をとるための絶縁膜の形成方法に関する。
絶縁をとるための絶縁膜の形成方法に関する。
従来より、IC，LSI等を実装する場合に多層配
線基板がよく用いられる。この場合、配線の層間
絶縁をとるためのスルーホールを有する層間絶縁
膜を形成する方法としては、基板上に絶縁体をス
パツタにより被着し、その上にフオトレジストを
形成してスルーホール形成部分を選択的に露光
し、フツ化水素酸等によりエツチング除去する方
法が多く採用されている。
線基板がよく用いられる。この場合、配線の層間
絶縁をとるためのスルーホールを有する層間絶縁
膜を形成する方法としては、基板上に絶縁体をス
パツタにより被着し、その上にフオトレジストを
形成してスルーホール形成部分を選択的に露光
し、フツ化水素酸等によりエツチング除去する方
法が多く採用されている。
しかし、この方法はスルーホール形成時にサン
ドエツチングが生じ易いため、微細なスルーホー
ルの形成が難しく、このことが配線密度を上げる
上での障害となつている。また、絶縁膜に配線導
体のエツジ部近傍で段切れと称される不連続部分
が生じたり、絶縁膜と配線導体との熱膨張差によ
り絶縁膜にクラツクが生じたりし易い。さらに、
フオトレジストを使用するためその残渣が生じ、
不良発生の原因となることがあつた。
ドエツチングが生じ易いため、微細なスルーホー
ルの形成が難しく、このことが配線密度を上げる
上での障害となつている。また、絶縁膜に配線導
体のエツジ部近傍で段切れと称される不連続部分
が生じたり、絶縁膜と配線導体との熱膨張差によ
り絶縁膜にクラツクが生じたりし易い。さらに、
フオトレジストを使用するためその残渣が生じ、
不良発生の原因となることがあつた。
この発明は上記した点に鑑みてなされたもの
で、その目的は微細なスルーホールを有する多層
配線用層間絶縁膜を、クラツク等の欠陥を生じる
ことなく安定に形成できる方法を提供することに
ある。
で、その目的は微細なスルーホールを有する多層
配線用層間絶縁膜を、クラツク等の欠陥を生じる
ことなく安定に形成できる方法を提供することに
ある。
この発明は、層間絶縁膜の材料として、紫外線
の照射によりフツ化水素酸に溶解し易くなる特殊
な感光性ガラスを使用し、これを粉砕した後ペー
スト状として印刷焼成し、フオトレジストを使用
することなく直接フオトエツチングを行なつてス
ルーホールを形成するものである。
の照射によりフツ化水素酸に溶解し易くなる特殊
な感光性ガラスを使用し、これを粉砕した後ペー
スト状として印刷焼成し、フオトレジストを使用
することなく直接フオトエツチングを行なつてス
ルーホールを形成するものである。
この発明で用いる感光性ガラスは、紫外線の照
射により結晶構造が変化して紫外線照射前に比べ
好ましくは10倍以上フツ化水素酸に溶解し易くな
るガラスである。このようなガラスとしては例え
ば、Cu，Ag等の遷移金属を少量添加して感光性
を持たせたリチウムアルミノシリケイトガラスが
知られている。
射により結晶構造が変化して紫外線照射前に比べ
好ましくは10倍以上フツ化水素酸に溶解し易くな
るガラスである。このようなガラスとしては例え
ば、Cu，Ag等の遷移金属を少量添加して感光性
を持たせたリチウムアルミノシリケイトガラスが
知られている。
以下、この発明の一実施例を説明する。図はこ
の発明の一実施例に係る層間絶縁膜の形成工程を
含む多層配線の形成工程を示したものである。ま
ず、第１図に示すように絶縁性基板１としてのセ
ラミツク基板上に、所定パターンの第１層配線導
体２として、12μ厚のAu厚膜導体を被着形成す
る。この第１層配線導体２の上に、厚膜ペースト
３をスクリーンまたはブレードにより印刷する。
の発明の一実施例に係る層間絶縁膜の形成工程を
含む多層配線の形成工程を示したものである。ま
ず、第１図に示すように絶縁性基板１としてのセ
ラミツク基板上に、所定パターンの第１層配線導
体２として、12μ厚のAu厚膜導体を被着形成す
る。この第１層配線導体２の上に、厚膜ペースト
３をスクリーンまたはブレードにより印刷する。
ここで、厚膜ペースト３は遷移金属であるCu
を3wt.％添加して感光性を持たせたリチウムアル
ミノシリケイトガラスを粒度0.1〜5μ程度に粉砕
したものをガラス成分として、このガラス成分
と、有機物としてのエチルセルロースと、有機溶
剤としてのテレピネオールとをそれぞれ50vol.
％，40vol.％，10vol.％の割合いで混ぜ、さらに
表面活性剤を適量添加することによつて、ペース
ト状としたものである。
を3wt.％添加して感光性を持たせたリチウムアル
ミノシリケイトガラスを粒度0.1〜5μ程度に粉砕
したものをガラス成分として、このガラス成分
と、有機物としてのエチルセルロースと、有機溶
剤としてのテレピネオールとをそれぞれ50vol.
％，40vol.％，10vol.％の割合いで混ぜ、さらに
表面活性剤を適量添加することによつて、ペース
ト状としたものである。
次に、セラミツク基板１上に被着形成された厚
膜ペースト３を焼成して、第２図に示す如く厚膜
ペースト中のガラス成分の各粒子の表面を軟化さ
せて相互に連結させることにより、厚さ約20μの
層間絶縁膜４を形成する。
膜ペースト３を焼成して、第２図に示す如く厚膜
ペースト中のガラス成分の各粒子の表面を軟化さ
せて相互に連結させることにより、厚さ約20μの
層間絶縁膜４を形成する。
次に、第３図に示す如く層間絶縁膜４の上に、
85μ径の孔を持つガラス乾板５を置き、その上か
ら紫外線を照射して、層間絶縁膜４のガラス乾板
５に形成された孔の直下のスルーホール形成部分
６を選択的に露光する。これにより層間絶縁膜４
はスルーホール形成部分６のみがフツ化水素酸に
溶解し易い状態となる。なお、厚膜ペースト３に
用いるガラス成分によつては上記紫外線の照射
後、熱処理をしてもよい。
85μ径の孔を持つガラス乾板５を置き、その上か
ら紫外線を照射して、層間絶縁膜４のガラス乾板
５に形成された孔の直下のスルーホール形成部分
６を選択的に露光する。これにより層間絶縁膜４
はスルーホール形成部分６のみがフツ化水素酸に
溶解し易い状態となる。なお、厚膜ペースト３に
用いるガラス成分によつては上記紫外線の照射
後、熱処理をしてもよい。
そして、次に層間絶縁膜４をフツ化水素酸の水
溶液に漬け、紫外線の照射により露光されたスル
ーホール形成部分６のみを溶解させることによつ
て、第４図に示す如くスルーホール７を形成す
る。
溶液に漬け、紫外線の照射により露光されたスル
ーホール形成部分６のみを溶解させることによつ
て、第４図に示す如くスルーホール７を形成す
る。
最後に、第５図に示す如く層間絶縁膜４の上に
第２層配線導体８として、12μ厚のAu厚膜導体を
被着形成することにより、第１層配線導体２と第
２層配線導体８とがスルーホール７を通して接続
された多層配線が得られる。
第２層配線導体８として、12μ厚のAu厚膜導体を
被着形成することにより、第１層配線導体２と第
２層配線導体８とがスルーホール７を通して接続
された多層配線が得られる。
以上説明したように、この発明では感光性ガラ
スからなる層間絶縁膜自体のスルーホール形成部
分を選択的に露光し、フツ化水素酸で露光部分を
エツチング除去してスルーホールを形成するた
め、微細なスルーホールを形成することができ
る。すなわち、層間絶縁膜自体を従来方法におけ
るフオトレジストと同様に、スルーホール形成部
分のみフツ化水素酸に溶解し易い状態にした上で
エツチングを行なうため、スルーホール形成時に
サイドエツチングが進行することがなく、所望の
大きさのスルーホールを精度よく形成できる。因
みに、この発明によれば50μ径程度の非常に小さ
いスルーホールを持つ層間絶縁膜を形成すること
も可能であり、多層配線の配線密度向上に大きく
寄与する。
スからなる層間絶縁膜自体のスルーホール形成部
分を選択的に露光し、フツ化水素酸で露光部分を
エツチング除去してスルーホールを形成するた
め、微細なスルーホールを形成することができ
る。すなわち、層間絶縁膜自体を従来方法におけ
るフオトレジストと同様に、スルーホール形成部
分のみフツ化水素酸に溶解し易い状態にした上で
エツチングを行なうため、スルーホール形成時に
サイドエツチングが進行することがなく、所望の
大きさのスルーホールを精度よく形成できる。因
みに、この発明によれば50μ径程度の非常に小さ
いスルーホールを持つ層間絶縁膜を形成すること
も可能であり、多層配線の配線密度向上に大きく
寄与する。
また、この発明によれば、エツチングをするこ
とによりスルーホールがテーパー状になるため、
層間絶縁膜の段切れやクラツク等の欠陥が生じる
こともない。
とによりスルーホールがテーパー状になるため、
層間絶縁膜の段切れやクラツク等の欠陥が生じる
こともない。
さらに、フオトレジストが不要なため、その残
渣による不良の発生がなく、工程も簡単となる利
点がある。
渣による不良の発生がなく、工程も簡単となる利
点がある。
第１図〜第５図はこの発明の一実施例の工程図
である。 １……絶縁基板、２……第１層配線導体、３…
…感光性ガラスの厚膜ペースト、４……層間絶縁
膜、５……ガラス乾板、６……スルーホール形成
部分、７……スルーホール、８……第２層配線導
体。
である。 １……絶縁基板、２……第１層配線導体、３…
…感光性ガラスの厚膜ペースト、４……層間絶縁
膜、５……ガラス乾板、６……スルーホール形成
部分、７……スルーホール、８……第２層配線導
体。
Claims (1)
- １ 紫外線の照射によりフツ化水素酸に溶解し易
くなるガラスを粉砕し、これに有機物を加えて厚
膜ペーストとし、これを印刷焼成した後スルーホ
ール形成部分を選択的に露光し、次いでフツ化水
素酸によりこの露光部分を除去することを特徴と
する多層配線用層間絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3864480A JPS56134800A (en) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | Method of forming multilayer wire interlayer insulating film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3864480A JPS56134800A (en) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | Method of forming multilayer wire interlayer insulating film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56134800A JPS56134800A (en) | 1981-10-21 |
| JPS645477B2 true JPS645477B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=12530949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3864480A Granted JPS56134800A (en) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | Method of forming multilayer wire interlayer insulating film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56134800A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128699A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | 株式会社日立製作所 | 感光性ガラス−セラミツク多層配線基板 |
-
1980
- 1980-03-26 JP JP3864480A patent/JPS56134800A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56134800A (en) | 1981-10-21 |
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