JPS642070B2 - - Google Patents
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- JPS642070B2 JPS642070B2 JP58121086A JP12108683A JPS642070B2 JP S642070 B2 JPS642070 B2 JP S642070B2 JP 58121086 A JP58121086 A JP 58121086A JP 12108683 A JP12108683 A JP 12108683A JP S642070 B2 JPS642070 B2 JP S642070B2
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- Japan
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- sic
- protective film
- polyimide resin
- filler
- polyimide
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- Expired
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33505—Constructional details
- B41J2/3353—Protective layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/3355—Structure of thermal heads characterised by materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33555—Structure of thermal heads characterised by type
- B41J2/3357—Surface type resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はサーマルヘツドの保護膜あるいは耐摩
耗層としてポリイミド樹脂に耐摩耗性熱伝導性を
向上させるために硬度の高い微細粒をフイラーと
して混合させたサーマルヘツドに関するものであ
る。
耗層としてポリイミド樹脂に耐摩耗性熱伝導性を
向上させるために硬度の高い微細粒をフイラーと
して混合させたサーマルヘツドに関するものであ
る。
（背景技術）
従来ポリイミド等の耐熱型フイルムベース上に
発熱体、給電体を形成したサーマルヘツドでは保
護膜あるいは耐摩耗性膜として用いる物質は比較
的低温で焼成できる材料に限定されていた。その
理由として高温焼成ではベースフイルムのポリイ
ミド等が熱収縮を起したり変形するためである。
発熱体、給電体を形成したサーマルヘツドでは保
護膜あるいは耐摩耗性膜として用いる物質は比較
的低温で焼成できる材料に限定されていた。その
理由として高温焼成ではベースフイルムのポリイ
ミド等が熱収縮を起したり変形するためである。
また低温で焼成できる物質では耐熱性が劣るこ
と及び熱印字の際の高温で極端に耐摩性が低下す
るなどの欠陥を有している。
と及び熱印字の際の高温で極端に耐摩性が低下す
るなどの欠陥を有している。
（発明の課題）
本発明の目的はこれらの欠点を解決するために
保護膜としてポリイミド樹脂に耐摩耗性、熱伝導
性を向上させるために硬度の高い微細粒をフイラ
ーとして入れたもので以上詳細に説明する。
保護膜としてポリイミド樹脂に耐摩耗性、熱伝導
性を向上させるために硬度の高い微細粒をフイラ
ーとして入れたもので以上詳細に説明する。
（発明の構成および作用）
第１図は本発明の構成例であつて１はベース基
板となるポリイミドフイルム、２は発熱体層、３
は給電体層、４は保護膜５は放熱板である。
板となるポリイミドフイルム、２は発熱体層、３
は給電体層、４は保護膜５は放熱板である。
本発明の実施例として、保護膜にはポリイミド
樹脂（商品名：セミコフアイン）にフイラーとし
てシリコンカーバイト（以下SiCという）１〜3μ
ｍ粒（平均2μｍ）を用いた。
樹脂（商品名：セミコフアイン）にフイラーとし
てシリコンカーバイト（以下SiCという）１〜3μ
ｍ粒（平均2μｍ）を用いた。
第２図は保護膜の厚さを10μｍとした時の耐摩
耗性を示したもので第２図において横軸にはSiC
の含有率（重量％）、たて軸には保護膜が摩耗し
発熱体が露出するまでのサーマル紙の走行距離を
示している。なお、この試験において第３図に示
すようなオンパルス2.5ms.くり返し10msの印字
条件にて印字濃度Ｄ＝1.3を得るような印加電力
を用いている。
耗性を示したもので第２図において横軸にはSiC
の含有率（重量％）、たて軸には保護膜が摩耗し
発熱体が露出するまでのサーマル紙の走行距離を
示している。なお、この試験において第３図に示
すようなオンパルス2.5ms.くり返し10msの印字
条件にて印字濃度Ｄ＝1.3を得るような印加電力
を用いている。
第２図で明らかなようにSiCが20％から急激に
耐摩性が向上し45％付近で劣化を開始する。高含
有率で劣化を開始する理由を第４図にて説明す
る。
耐摩性が向上し45％付近で劣化を開始する。高含
有率で劣化を開始する理由を第４図にて説明す
る。
第４図において６はポリイミド樹脂、７はSiC
を示しＡはSiC含有率におけるSiCの分散状態を
示しＢはSiC含有率50％におけるSiCの分散状態
を示している。
を示しＡはSiC含有率におけるSiCの分散状態を
示しＢはSiC含有率50％におけるSiCの分散状態
を示している。
ＡにおいてSiCは十分な量のポリイミドに包ま
れているため摩耗時においてSiCの脱落が少な
い。一方ＢではSiCとSiCが密に配列するため摩
耗時にSiCが脱落しやすい状態となる。第２図か
らポリイミド樹脂のみでは、ほとんど耐摩耗性が
ないが、適度なフイラーを混入させることにより
著しく耐摩耗性を向上させることができる。この
時フイラーとしてSiCの他にAl2O3、Si3N4、
SiO2、Ta2O5などの微細粒も同様な効果を期待で
きる。
れているため摩耗時においてSiCの脱落が少な
い。一方ＢではSiCとSiCが密に配列するため摩
耗時にSiCが脱落しやすい状態となる。第２図か
らポリイミド樹脂のみでは、ほとんど耐摩耗性が
ないが、適度なフイラーを混入させることにより
著しく耐摩耗性を向上させることができる。この
時フイラーとしてSiCの他にAl2O3、Si3N4、
SiO2、Ta2O5などの微細粒も同様な効果を期待で
きる。
第５図は印字濃度Ｄ＝1.3を得るためのSiCの含
有率と印加電力の関係を示したものでSiCの含有
率の高いものほど印加電力が少なくてもよいが、
第２図の耐摩耗性を考慮すればSiC20〜50％が適
当である。
有率と印加電力の関係を示したものでSiCの含有
率の高いものほど印加電力が少なくてもよいが、
第２図の耐摩耗性を考慮すればSiC20〜50％が適
当である。
（発明の効果）
以上実施例で説明したように保護膜にポリイミ
ド樹脂を用いることにより比較的低温でポリイミ
ドをイミド化させることができ、耐熱性が優れて
いるための熱変化が少ないため発熱体を酸化など
による老化を防ぐことができ、SiCなどのフイラ
ーを入れることにより耐摩耗性を著しく向上させ
熱伝導性を良好にして印字品質を向上させること
ができる。
ド樹脂を用いることにより比較的低温でポリイミ
ドをイミド化させることができ、耐熱性が優れて
いるための熱変化が少ないため発熱体を酸化など
による老化を防ぐことができ、SiCなどのフイラ
ーを入れることにより耐摩耗性を著しく向上させ
熱伝導性を良好にして印字品質を向上させること
ができる。
本発明はフイラー入りポリイミドを保護膜とし
て用いるため高温焼成不可のサブストレイト上の
耐摩耗層、熱伝導層に利用することができる。例
として電子回路の保護膜、半導体素子の多層配線
用層間絶縁膜などがある。
て用いるため高温焼成不可のサブストレイト上の
耐摩耗層、熱伝導層に利用することができる。例
として電子回路の保護膜、半導体素子の多層配線
用層間絶縁膜などがある。
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図は
SiCの含有率と耐摩耗性の関係を示したグラフ、
第３図はパルス印加条件を示す図、第４図はフイ
ラーの混合の大小によるフイラーの分散を示す
図、第５図は濃度Ｄ＝1.3のときのSiC含有率と印
加電力の関係を示した図である。 １；ベース基板、２；発熱体層、３；給電体
層、４；保護層、５；放熱板、６；ポリイミド樹
脂、７；フイラーとしてSiC。
SiCの含有率と耐摩耗性の関係を示したグラフ、
第３図はパルス印加条件を示す図、第４図はフイ
ラーの混合の大小によるフイラーの分散を示す
図、第５図は濃度Ｄ＝1.3のときのSiC含有率と印
加電力の関係を示した図である。 １；ベース基板、２；発熱体層、３；給電体
層、４；保護層、５；放熱板、６；ポリイミド樹
脂、７；フイラーとしてSiC。
Claims (1)
- １ 放熱板と、その上に接着されるベースフイル
ム基板と、その上にもうけられる発熱体層及び給
電体と、該発熱体層を覆う保護膜を有するサーマ
ルヘツドにおいて、該保護膜が、ポリイミド樹脂
にフイラーとしてシリコンカーバイト（SiC）、
アルミナ（Al2O3）などの硬度の高い微細粒をポ
リイミド樹脂に対し重量比20〜50％含有させた構
成であることを特徴とするサーマルヘツド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121086A JPS6013565A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | サ−マルヘツド |
| US06/623,311 US4587400A (en) | 1983-07-05 | 1984-06-22 | Thermal head |
| EP84304530A EP0133751A1 (en) | 1983-07-05 | 1984-07-02 | Protective layer for thermal heads and other conductive and heating devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121086A JPS6013565A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | サ−マルヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013565A JPS6013565A (ja) | 1985-01-24 |
| JPS642070B2 true JPS642070B2 (ja) | 1989-01-13 |
Family
ID=14802516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58121086A Granted JPS6013565A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | サ−マルヘツド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4587400A (ja) |
| EP (1) | EP0133751A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6013565A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2702917B2 (ja) * | 1987-03-06 | 1998-01-26 | 株式会社日立製作所 | 感熱記録ヘッド |
| US5099257A (en) * | 1989-05-10 | 1992-03-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal head with an improved protective layer and a thermal transfer recording system using the same |
| JP2594646B2 (ja) * | 1989-08-17 | 1997-03-26 | シャープ株式会社 | サーマルヘッドの製造方法 |
| JPH0788096B2 (ja) * | 1989-08-28 | 1995-09-27 | シャープ株式会社 | サーマルヘッド |
| US5252988A (en) * | 1989-12-15 | 1993-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thermal head for thermal recording machine |
| US5374946A (en) * | 1992-02-20 | 1994-12-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Sliding contact part for recording medium |
| WO1995032866A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-07 | Rohm Co., Ltd. | Thermal printing head, substrate used therefor and method for producing the substrate |
| US5949465A (en) * | 1994-06-21 | 1999-09-07 | Rohm Co., Ltd. | Thermal printhead, substrate for the same and method for making the substrate |
| US6583803B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-06-24 | Zih Corporation | Thermal printer with sacrificial member |
| US7165836B2 (en) * | 2003-10-14 | 2007-01-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of thermally sealing the overcoat of multilayer media |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3411122A (en) * | 1966-01-13 | 1968-11-12 | Ibm | Electrical resistance element and method of fabricating |
| DD109281A5 (ja) * | 1972-12-20 | 1974-10-20 | ||
| US3955068A (en) * | 1974-09-27 | 1976-05-04 | Rockwell International Corporation | Flexible conductor-resistor composite |
| SE431805B (sv) * | 1976-04-05 | 1984-02-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | Termiskt skrivarhuvud |
| JPS55118882A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-12 | Hitachi Ltd | Thermal recording head |
| JPS56164876A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Ricoh Co Ltd | Thermal head |
| DE3023133A1 (de) * | 1980-06-20 | 1982-01-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Chip-widerstand |
| DE3237975A1 (de) * | 1981-10-13 | 1983-04-28 | Ricoh Co., Ltd., Tokyo | Elektrothermischer mehrstift-aufzeichnungskopf |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP58121086A patent/JPS6013565A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-22 US US06/623,311 patent/US4587400A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-02 EP EP84304530A patent/EP0133751A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0133751A1 (en) | 1985-03-06 |
| JPS6013565A (ja) | 1985-01-24 |
| US4587400A (en) | 1986-05-06 |
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