DE3023133A1

DE3023133A1 - Chip-widerstand

Info

Publication number: DE3023133A1
Application number: DE19803023133
Authority: DE
Inventors: Helmold Dipl.-Phys. 8000 München Kausche
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1980-06-20
Filing date: 1980-06-20
Publication date: 1982-01-07

Description

Chi-Widerstand
Die Erfindung betrifft einen Chip-Widerstand, dh. insbesondere einen drahtlosen Chip-Widerstand, der für den Einsatz in Besttickungsautomaten für elektrische Leiterplattenschaltungen geeignet ist.
Die in zunehmendem MaBe im Handel befindlichen BestUkkungsautomaten für Leiterplattenschaltungen benötigen möglichst automatengerecht angepaßte drahtlose Chip-Widerstände, die ohne großen Aufwand auf die Leiterplattenschaltungen aufgesetzt werden können. Neuere BestUckungsautomaten sehen hierfür in Magazinen gestapelte gleichartige Chip-Widerstände vor, die wahlweise und zwar entsprechend der gewuzischten Leiterplatten-Be stückung zur Leiterplatte geführt und auf diese aufgeklebt werden.
Die Kontaktflächen und der als Klebe stelle bestimmte Bereich der üblicherweise flach gestalteten Widerstände sind dabei auf der zur Leiterplatte gerichteten Chip-Widerstandsfläche angeordnet.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Chip-Widerstand der vorstehend genannten Art zu schaffen, der sehr einfach gestaltet ist und aufgrund dieser einfachen Gestaltung in Massenfertigung herstellbar ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung einen Chip-Widerstand der eingangs genannten Art vor, der erfindungsgemäß gekennzeichnet ist durch eine Polyimid-Trägerfolie, eine auf diese Trägerfolie aufgebrachte und auf den gewuzischten Widerstandswert abgeglichene NiCr-Widerstandsschicht mit auf dieser Widerstandsschicht auf- gebrachten z.B. galvanisch verstärkten Kontaktschichten, eine auf die Widerstands- und Kontaktschichten aufgeklebte und im Bereich der Kontaktschichten durchbrochene Polyimid-Deckfolie und elektrisch leit- und lötfähige metallische Schichten, die in den durchbrochenen Bereichen der Polyimid-Deckfolie auf die Kontaktschichten aufgebracht sind.
Dieser Chip-Widerstand zeichnet sich überraschenderweise durch hohe mechanische Stabilität aus. Die Widerstandsschicht ist folglich durch ihre Polyimid-Träger- und Deckfolie in ihrer neutralen Biegezone gut geschützt angeordnet, so daß selbst Biegeradien von 2 mm nur Widerstandsänderungen <1 %o verursachen.
Zur Herstellung dieser Chip-Widerstände ist in weiterer Ausbildung des Gegenstandes nach der Erfindung. vorgesehen, daß eine bandförmige, beispielsweise von einer Vorratsrolle abgezogene Polyimid-Folie mit einer NiCrCu-Schicht im Bereich von Leiterbahn- und Kontaktschichten z.B. galvanisch verstärkt wird, daß die Kontakt- und Widerstands schichten durch Fotoätztechnik oder mittels Laser strukturiert werden, daß auf die Kontakt- und Widerstandsschichten tragende Polyimid-Folie eine Polyimid-Deckfolie aufgeklebt wird, die in den Kontaktschichtbereichen durchbrochen ist, daß die bandförmigen Polyimid-Träger- und Deckfolien zwischen den einzelnen Chip-Widerständen perforiert werden und daß die Kontaktschichten im Bereich der Durchbrechungen durch weitere elektrisch leit- und lötfähige Schichten, z.B. Sn-Schichten, verstärkt werden.
Die gesamte Fertigung kann sozusagen im Bandbetrieb erfolgen, wobei nicht nur die Polyimid-Trägerfolie, sondern auch die mit Durchbrechungen ausgestattete Polyimid-Deckfolie von Vorratsrollen abgespult werden. Die Per- foration zwischen den einzelnen Chip-Widerständen, die Verstärkung der Kontaktschichten, die im Schwallbad oder galvanisch durchführbar ist, die Strukturierung der Kontakt- und Widerstandsschichtenwund auch der ggf. erforderliche Abgleich der Widerstandsschichten z.B. durch Laser läßt sich selbsttätig und daher mit äußerst geringem Aufwand bewerkstelligen. Die Widerstände sind dabei durch die Folien hindurch am Band abgleichbar. Die durch Perforationslinien getrennten Chip-Widerstände sind zunächst am Band aufgerollt und werden üblicherweise erst beim Einsetzen in die Leiterplatte oder in das Magazin des Bestückungsautomaten vereinzelt.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher dargestellt.
Die Figur zeigt dabei im Längsschnitt einen bereits von einem Band abgetrennten Chip-Widerstand mit einer Polyimid-Trägerfolie 1. Auf diese Polyimid-Trägerfolie ist eine erforderlichenfalls bereits auf den gewünschten Widerstandswert abgeglichene NiCr-Widerstandsschicht 2 aufgebracht, die galvanisch verstärkte Kontaktschichten 3 trägt. Auf die Widerstands- und Kontaktschichten 2 bzw. 3 -ist eine Polyimid-Deckfolie 4 mittels Kleber 7 aufgeklebt, die in ihren zu den Kontaktschichten 3 gekehrten Bereichen mit Durchbrechmgen 6 ausgebildet ist. In den Bereichen der Durchbrechungen 6 sind die Kontaktschichten 3 durch gleichfalls elektrisch leit- und lötfähige metallische Schichten 5, z.B. Sn-Schichten, verstärkt.
In den Fällen, in denen eine beidseitige Kontaktierbarkeit der Chip-Widerstände gefordert wird, kann der Chip-Widerstand im Bereich seiner Kontaktschichten 3 mindestens mit seinen Randbereichen um 180 Grad zueinander geklappt und evtl. sogar mit seinen aneinanderstoßenden Stirnflächen miteinander verklebt werden. Vorteilhaft ist dies insbesondere für die Magazinierung, da in diesem Fall die vereinzelten Chip-Widerstände wahllos, d.h.
nicht mehr unter Beachtung ihrer Kontaktseite in das Magazin eingefüllt werden können.
6 Patentanspriche 1 Figur

Claims

PatentansprUche s 0 Chip-Widerstand, insbesondere für den Einsatz in Bestückungsautomaten für Leiterplattenschaltung geeigneter drahtloser Chip-Widerstand, g e k e n n z e i c h -n e t d u r c h eine Polyimid-Trägerfolie (1), eine auf diese Trägerfolie aufgebrachte und ggf. auf den gewUnschten Widerstandswert abgeglichene NiCr-Widerstandsschicht (2) mit auf dieser Widerstandsschicht aufgebrachten, verstärkten Kontaktschichten (3), eine auf die Widerstands- und Kontaktschichten aufgeklebte und im Bereich der Kontaktschichten durchbrochene Polyimid-Deckfolie (4) und elektrisch leit- und lötfähige metallische Schichten (5), die in den durchbrochenen Bereichen (6) der Polyimid-Deckfolie auf die Kontaktschichten aufgebracht sind.
2. Chip-Widerstand nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h ne t , daß der Chip-Widerstand im Bereich der Kontaktschichten (3) mindestens mit seinen Randbereichen um 180 Grad zueinander geklappt ist.
3. Chip-Widerstand nach Anspruch 1 und 2, d a d u r c h g e.k e n n z e i c h n e t , daß die zueinander geklappten Randbereiche miteinander verklebt sind.
4. Verfahren zur Herstellung eines Chip-Widerstandes nach Anspruch 1 und einem der vorhergehenden, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß eine bandförmige Polyimid-Folie mit einer NiCrCu-Schicht bedampft wird, daß die Cu-Schicht im Bereich der Kontaktschichten (3) galvanisch verstärkt wird, daß die Kontakt- und Widerstandsschichten (3 bzw. 2) durch Fotoätztechnik strukturiert werden, daß auf die Kontakt- und Widerstandsschichten tragende Polyimid-Folie eine Polyimid-Deckfolie aufgeklebt wird, die in den Kontaktschicht- bereichen durchbrochen ist, daß die bandförmige Polyimid-Träger- und Deckfolie zwischen den einzelnen Chip-Widerständen perforiert wird und daß die Kontaktschichten im Bereich der Durchbrechungen durch weitere elektrisch leit- und lötfähige Schichten (5) verstärkt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , ins die Widerstandsschicht mittels Laser abgeglichen wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die Kontakt- und WidersXEndsschichten (2 bzw. 3) mittels Laser strukturiert werden.