JPS6399566A - 高周波高出力混成集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、広帯域で、かつ安定度の高い高周波高出力
混成集積回路に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来の高周波高出力混成集積回路を示す平面図
、第３図はその等価回路図である。これらの図において
、１はアルミナ等の誘電体基板、２は前記誘電体基板１
にあけられた穴に設置されたトランジスタキャリアで、
入力端子および出力端子としての入力リード電極８およ
び出力リード電極９により、入力整合回路を構成するメ
タライズパターン４および出力側のメタライズパターン
５の一端にはんだ付けされている。３はチップコンデン
サで、入力整合回路および出力整合回路の一部を構成し
ている。３ａは前記チップコンデンサ３によるシャント
容量、６は接地メタライズで、スルーホール７を通じて
裏面接地メタライズ（図示せず）に接地される。８ａ、
９ａはそれぞれ前記入力リード電極８および前記出力リ
ード電極９の有するリードインダクタンスである。

特に、高周波においては、リードインダクタンス８ａ、
９ａが大きなインピーダンスを有するようになり、内蔵
トランジスタの入出力のインピーダンスのＱが高くなる
。このため、チップコンデンサ３によりシャント容ｆｉ
４３ａを形成している。

このチップコンデンサ３は第２図に示すように、トラン
ジスタキャリア２に極めて近接して設置され、はんだ付
けされている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のような従来の高周波高出力混成集積回路は、組立
て時のチップコンデンサ３の設置位置のばらつきにより
、高周波特性の劣化および安定性の低下を引き起こすこ
とがしばしばあり、製品としての歩留りを低下させると
いう問題点があった。

また、これを改善するためにチップコンデンサ３が、ト
ランジスタキャリア２に極めて近接して設置され、はん
だ伺けされるが、はんだ量が多くなり、温度ストレスに
よりチップコンデンサ３が割れる等の問題点があった。

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、高周波において、安定、高性能であり、かつ低価
格の高周波高出力混成集積回路を得ることを目的とする
。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る高周波高出力混成集積回路は、インピー
ダンスの整合を行うためのコンデンサを、内蔵されたト
ランジスタの入力端子および出力端子の少なくとも一方
の直下に設けたメタライズ電極と、このメタライズ電極
の直下に設けた誘電体層と、この誘電体層の直下の誘電
体基板上に設けられ、スルーホールを介して裏面接地メ
タライズに接続された接地メタライズとから構成したも
のである。

〔作用〕

この発明においては、内蔵されたトランジスタの入力端
子および出力端子の少なくとも一方の近傍にメタライズ
電極と、誘電体層と接地メタライズとからインピーダン
スの整合を行うためのコンデンサが構成される。

〔実施例〕

第１図はこの発明の高周波高出力混成集積回路の一実施
例の入力側の構造を示す斜視図である。

この図において、第２図と同一符号は同一部分を示し、
１０は接地電極を兼ねた放熱用金属板、１１は前記誘電
体基板１の裏面に形成されている裏面接地メタライズ、
１２はスルーホール、１３は前記誘電体基板１の上面に
設けられた接地メタライズ、１４は前記裏面接地メタラ
イズ１１および前記接地メタライズ１３と同一材料で形
成されたスルーホール側面メタライズ、１５は前記接地
メタライズ１３を覆う誘電体層、１６はメタライズ電極
で、接地メタライズ１３と誘電体層１５とからコンデン
サを形成し、かつトランジスタキャリア２の入力リード
電８８がはんだ付けされる。

以下、第１図を参照して入力側の構成について説明する
が、出力側についても同様である。

入力リード電極８の直下に設けたメタライズ電極１６と
接地メタライズ１３は、誘電体層１５を挟んで対向して
コンデンサを形成する。また、接地メタライズ１３は、
スルーホール１２の側面に形成されたスルーホール側面
メタライズ１４を通じて裏面接地メタライズ１１に接続
されている。

このコンデンサによるジャント容量３ａは、メタライス
電極１６．接地メタライズ１３の面積および誘電体層１
５の厚みによって適当な値に形成することができる。こ
のコンデンサを形成するメタライズ電極１６の一部は、
同一材料で整合回路を構成するメタライズパターン４に
接続されている。

また、このように形成されたコンデンサは、第１図から
明らかなように、トランジスタキャリア２にごく接近し
て設置されているため、第３図に示したリードインダク
タンス８ａを極めて小さく抑えることができる。このた
め、整合回路のインピーダンスのＱを低くすることがで
き、容易に広帯域、かつ高安定化を図れる。

さらに、従来用いられたチップコンデンサを設置する必
要がなくなるので、このチップコンデンサの設置位置の
ばらつきによる歩留りの低下を防ぐことができ、安価な
高周波高出力混成集積回路を得ることができる。

なお、上記実施例ではコンデンサを形成するメタライズ
電極１６として連続したメタライズを示したが、このメ
タライズ電極１６は複数の領域に分割され、容量を調整
できる構造であってもよい。

また、コンデンサを形成する部分の形状には、とられれ
ないことはいうまでもない。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、インピーダンスの整合
を行うためのコンデンサを、内蔵されたトランジスタの
入力端子および出力端子の少なくとも一方の直下に設け
たメタライズ電極と、このメタライズ電極の直下に設け
た誘電体層と、この誘電体層の直下の誘電体基板上に設
けられ、スルーホールを介して裏面接地メタライズに接
続された接地メタライズとから構成したので、チップコ
ンデンサのはんだ伺ばか不要となり、信頼性が高く、か
つ安価になるうえ、入出力のインピーダンスのＱが低く
高性能になるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発男の高周波高出力混成集積回路の一実施
例の入力側の構造を示す斜視図、第２図は従来の高周波
高出力混成集積回路を示す平面図、第３図は高周波高出
力混成集積回路の等価回路図である。 図において、１は誘電体基板、２はトランジスタキャリ
ア、４，５はメタライズパターン、８は入力リード電極
、１ｏは放熱用金属板、１１は裏面接地メタライズ、１
２はスルーホール、１３は接地メタライズ、１４はスル
ーホール側面メタライズ、１５は誘電体層、１６はメタ
ライズ電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 裏面に裏面接地メタライズを備えた誘電体基板上に構成
   され、コンデンサを用いてインピーダンスの整合を行う
   高周波高出力混成集積回路において、前記コンデンサを
   、内蔵されたトランジスタの入力端子および出力端子の
   少なくとも一方の直下に設けたメタライズ電極と、この
   メタライズ電極の直下に設けた誘電体層と、この誘電体
   層の直下の前記誘電体基板上に設けられ、スルーホール
   を介して前記裏面接地メタライズに接続された接地メタ
   ライズとから構成したことを特徴とする高周波高出力混
   成集積回路。