JPS6397627A - 光学式情報記録媒体 - Google Patents
光学式情報記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスク、追記型光ディスク。
コンパクトディスク等の光学式情報記録媒体に間するも
のであり、特にその耐蝕性の改善に関するものである。
のであり、特にその耐蝕性の改善に関するものである。
（発明の概要〕
本発明は、ポリカーボネート樹脂基板上に情報記録層を
有する光学式情報記録媒体において、上記基板に残存す
る残留塩素量を１．０９９１ｍ以下とすることにより、 耐蝕性の改善を図り、再生不良のない光学式情報記録媒
体を提供しようとするものである。
有する光学式情報記録媒体において、上記基板に残存す
る残留塩素量を１．０９９１ｍ以下とすることにより、 耐蝕性の改善を図り、再生不良のない光学式情報記録媒
体を提供しようとするものである。
光記録方式は、非接触で記録・再生ができ、取り扱いが
容易であること、傷や汚れ等に強いこと、等の特徴を有
し、さらには磁気記録方式等に比べて記憶容量が数十倍
から数百倍大きいという利点を有することから、音声信
号や画像信号を記録する所謂コンパクトディスクやビデ
オディスクとして実用化されるとともに、コード情報や
イメージ情報等の大容量ファイルへの活用が期待されて
いる。
容易であること、傷や汚れ等に強いこと、等の特徴を有
し、さらには磁気記録方式等に比べて記憶容量が数十倍
から数百倍大きいという利点を有することから、音声信
号や画像信号を記録する所謂コンパクトディスクやビデ
オディスクとして実用化されるとともに、コード情報や
イメージ情報等の大容量ファイルへの活用が期待されて
いる。
この光記録方式の情報記録媒体としては、前述のコンパ
クトディスクのような再生専用のものの他、追記型光デ
ィスクや光磁気ディスク等、各種方式の媒体があるが、
何れにしてもポリカーボネ−ト樹脂等よりなる透明基板
上に情報記録層を形成することによって構成されている
。
クトディスクのような再生専用のものの他、追記型光デ
ィスクや光磁気ディスク等、各種方式の媒体があるが、
何れにしてもポリカーボネ−ト樹脂等よりなる透明基板
上に情報記録層を形成することによって構成されている
。
ポリカーボネート樹脂は、溶融成形時に耐熱性を有し成
形しやすいこと、ディスク成形後に変形。
形しやすいこと、ディスク成形後に変形。
変質が少ないこと、機械的特性が優れていること、等の
特徴を有し、上述の光学式情報記録媒体の基板材料とし
て有用なものである。
特徴を有し、上述の光学式情報記録媒体の基板材料とし
て有用なものである。
一方、情報記録層の記録材料としては、光磁気ディスク
における希土類元素−遷移金属非晶質合金膜に代表され
るように、金属系の記録材料の開発が進められており、
例えばＴｂＰｅＣｏ、 ＴｂＦｅ、 ＧｄＦｅ等の材料
は感度、読み出し性能等の点で良好な特性が得られるこ
とが報告されている。
における希土類元素−遷移金属非晶質合金膜に代表され
るように、金属系の記録材料の開発が進められており、
例えばＴｂＰｅＣｏ、 ＴｂＦｅ、 ＧｄＦｅ等の材料
は感度、読み出し性能等の点で良好な特性が得られるこ
とが報告されている。
ところで、上述の金属系記録材料により情報記録層が形
成されてなる光学式情報記録媒体においては、その実用
化にあたって耐蝕性の改善が大きな課題となる。
成されてなる光学式情報記録媒体においては、その実用
化にあたって耐蝕性の改善が大きな課題となる。
実際、ポリカーボネート樹脂成形体を基板とする光学式
情報記録媒体（例えばコンパクトディスクや光磁気ディ
スク）を高温高温下で保存すると、記録膜や反射膜等に
腐食が発生する。この腐食の発止は、再生不良等をもた
らし、信幀性を保証しなければならない光学式情報記録
媒体において大きな問題となる。
情報記録媒体（例えばコンパクトディスクや光磁気ディ
スク）を高温高温下で保存すると、記録膜や反射膜等に
腐食が発生する。この腐食の発止は、再生不良等をもた
らし、信幀性を保証しなければならない光学式情報記録
媒体において大きな問題となる。
そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、ポリカーボネート樹脂成形体を基板とす
る光学式情報記録媒体における腐食の発生を抑制するこ
とを目的とし、再生不良の発生が少なく信幀性の高い光
学式情報記録媒体を提供することを目的とする。
ものであって、ポリカーボネート樹脂成形体を基板とす
る光学式情報記録媒体における腐食の発生を抑制するこ
とを目的とし、再生不良の発生が少なく信幀性の高い光
学式情報記録媒体を提供することを目的とする。
本発明者等は、ポリカーボネート樹脂を基板材料とする
光学式情報記録媒体における腐食発生のメカニズムを究
明すべく長期に亘り鋭意検討を重ねた結果、基板に残存
する残留塩素が深く関わっているとの知見を得るに至っ
た。
光学式情報記録媒体における腐食発生のメカニズムを究
明すべく長期に亘り鋭意検討を重ねた結果、基板に残存
する残留塩素が深く関わっているとの知見を得るに至っ
た。
本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものであっ
て、ポリカーボネート樹脂よりなる基体上に光学的に信
号が読み取られる情報記録層を設けてなる光学式情報記
録媒体において、上記基板は残留塩素量がｔ、ｏｐｐ−
以下とされたことを特徴とするものである。
て、ポリカーボネート樹脂よりなる基体上に光学的に信
号が読み取られる情報記録層を設けてなる光学式情報記
録媒体において、上記基板は残留塩素量がｔ、ｏｐｐ−
以下とされたことを特徴とするものである。
本発明の光学式情報記録媒体において、基板材料として
使用されるポリカーボネート樹脂は、二価フェノール系
化合物（例えばビスフェノールＡ）を酸結合剤（例えば
水酸化ナトリウム等のアルカリ）及び溶剤（塩化メチレ
ン）の存在下、ホスゲンと反応させることにより合成す
るホスゲン法によって製造されるものであって、通常の
ポリカーボネート樹脂の他、分岐化剤としてフェノール
往水＃１基を有する三官能以上の多官能性有機化合物を
用いた分岐化ポリカーボネート樹脂、末端停止剤として
長鎖アルキル酸クロライド若しくは長鎖アルキルエステ
ル置換フェノール等の一官能性有機化合物を用いた末端
長鎖アルキルポリカーボネート樹脂、前述の分岐化剤及
び末端停止剤の両者を用いた末端長鎖アルキル分岐ポリ
カーボネート樹脂、さらにはこれらの混合物等が使用さ
れる。
使用されるポリカーボネート樹脂は、二価フェノール系
化合物（例えばビスフェノールＡ）を酸結合剤（例えば
水酸化ナトリウム等のアルカリ）及び溶剤（塩化メチレ
ン）の存在下、ホスゲンと反応させることにより合成す
るホスゲン法によって製造されるものであって、通常の
ポリカーボネート樹脂の他、分岐化剤としてフェノール
往水＃１基を有する三官能以上の多官能性有機化合物を
用いた分岐化ポリカーボネート樹脂、末端停止剤として
長鎖アルキル酸クロライド若しくは長鎖アルキルエステ
ル置換フェノール等の一官能性有機化合物を用いた末端
長鎖アルキルポリカーボネート樹脂、前述の分岐化剤及
び末端停止剤の両者を用いた末端長鎖アルキル分岐ポリ
カーボネート樹脂、さらにはこれらの混合物等が使用さ
れる。
そして、これらポリカーボネート樹脂は、ペレット状態
で射出成形機に投入し、ヒータにより流動化した後、金
型中に押し出すことにより基板に成形されるが、本発明
では、この射出成形により得られた成形体の状態で基板
中に残存する残留塩素の暖を１．０ｐｐｍ以下とする０
本発明者等の実験によれば、上記残留塩素量が１． Ｏ
ｐｐｍを越えると、エラーレートの増加が見られた。
で射出成形機に投入し、ヒータにより流動化した後、金
型中に押し出すことにより基板に成形されるが、本発明
では、この射出成形により得られた成形体の状態で基板
中に残存する残留塩素の暖を１．０ｐｐｍ以下とする０
本発明者等の実験によれば、上記残留塩素量が１． Ｏ
ｐｐｍを越えると、エラーレートの増加が見られた。
上記残留塩素を低減するには、ホスゲン法で製造される
ポリカーボネート樹脂の精製を充分なものとすればよく
、例えばホスゲン法により生成した重合体溶液から不純
物である塩類、アルカリ等の電解質物質を除去するため
の水洗工程を繰り返し行いこれらを完全に除去すること
、溶剤である塩化メチレンをポリカーボネート樹脂中か
ら徹底的に追い出すこと、等によりポリカーボネート樹
脂に含まれる塩素の量を抑えることができ、その結果基
板成形時の残留塩素量を低減することができる。
ポリカーボネート樹脂の精製を充分なものとすればよく
、例えばホスゲン法により生成した重合体溶液から不純
物である塩類、アルカリ等の電解質物質を除去するため
の水洗工程を繰り返し行いこれらを完全に除去すること
、溶剤である塩化メチレンをポリカーボネート樹脂中か
ら徹底的に追い出すこと、等によりポリカーボネート樹
脂に含まれる塩素の量を抑えることができ、その結果基
板成形時の残留塩素量を低減することができる。
−・般に、市販のポリカーボネート樹脂にはかなりの塩
素が残存しており、基板に成形した時点で残留塩素量は
１．３〜１．６ ｐｐｍ程度にもなる。
素が残存しており、基板に成形した時点で残留塩素量は
１．３〜１．６ ｐｐｍ程度にもなる。
この残留塩素は、例えばポリカーボネート樹脂重合体中
に残存する電解質（塩化ナトリウム）や溶剤である塩化
メチレン、さらには重合体の末端に結合する塩素等に由
来するもので、光学式情報記録媒体の耐蝕性に対して著
しく悪影響を及ぼす。
に残存する電解質（塩化ナトリウム）や溶剤である塩化
メチレン、さらには重合体の末端に結合する塩素等に由
来するもので、光学式情報記録媒体の耐蝕性に対して著
しく悪影響を及ぼす。
この残留塩素による影響を抑える方法としては、例えば
基板を洗浄する方法が考えられるが、応急的な処置にす
ぎず、根本的な解決にはならない。
基板を洗浄する方法が考えられるが、応急的な処置にす
ぎず、根本的な解決にはならない。
また、保護膜を設けることも考えられているが、わずか
のクランクを生ずると腐食が始まり、やはりこれも根本
的な解決策とは言い難い。
のクランクを生ずると腐食が始まり、やはりこれも根本
的な解決策とは言い難い。
本発明では、ポリカーボネート樹脂の精製工程を見直し
、基板原料のポリカーボネート樹脂中に含まれる含塩素
成分を徹底的に除去し、基板状態での残留塩素量を１．
Ｏｐｐｍ以下とすることにより、光学式情報記録媒体
の情報記！ｉ層に発生する腐食を抑制する。
、基板原料のポリカーボネート樹脂中に含まれる含塩素
成分を徹底的に除去し、基板状態での残留塩素量を１．
Ｏｐｐｍ以下とすることにより、光学式情報記録媒体
の情報記！ｉ層に発生する腐食を抑制する。
以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて説明する。
先ず、塩素除去プロセスの程度の異なるポリカーボネー
ト樹脂ペレットを用意し、これを射出成形機に投入し、
ヒータ温度３２０〜３６０℃、金型温度８０〜１１５℃
で射出成形を行い、厚さ１．２鰭のディスク状の基板を
成形した。これを基板Ａ−基板りとする。
ト樹脂ペレットを用意し、これを射出成形機に投入し、
ヒータ温度３２０〜３６０℃、金型温度８０〜１１５℃
で射出成形を行い、厚さ１．２鰭のディスク状の基板を
成形した。これを基板Ａ−基板りとする。
次に、これら基板Ａ〜基板りに残存する残留塩素量を定
量した。定量は電位差滴定法によった。
量した。定量は電位差滴定法によった。
すなわち、各基板より試料を５ｇ切り取り、これを精秤
してメチレンクロライド１５０−に溶解し、これにアセ
トンを加えて直ちに０．００５Ｍ硝酸銀／アセトン溶液
で自動滴定装置を用いて電位差滴定により塩素を定量し
濃度を求めた。なお、使用した自動滴定装置は平沼レボ
ーティングタイトレータ−ＣＯＭＴＩＴＥ−７型である
。
してメチレンクロライド１５０−に溶解し、これにアセ
トンを加えて直ちに０．００５Ｍ硝酸銀／アセトン溶液
で自動滴定装置を用いて電位差滴定により塩素を定量し
濃度を求めた。なお、使用した自動滴定装置は平沼レボ
ーティングタイトレータ−ＣＯＭＴＩＴＥ−７型である
。
その結果、基板Ａの残留塩素量は０．９ｐｐｍ、基板Ｂ
の残留塩素量は１．２ｐｐｍ、基板Ｃの残留塩素量はｌ
’、 ３ ｐｐｍ 、基板りの残留塩素量は１．９ ｐ
ｐ−であった。
の残留塩素量は１．２ｐｐｍ、基板Ｃの残留塩素量はｌ
’、 ３ ｐｐｍ 、基板りの残留塩素量は１．９ ｐ
ｐ−であった。
そこで次に、第１図に示すように、これら基板（１）〔
基ＦｉＡ〜基板Ｄ〕上り膜厚５００人の５ｉＪａ膜（２
）、膜厚８００人のＴｂＦｅＣｏ膜（３）〔このＴｈＰ
ｅＣ。
基ＦｉＡ〜基板Ｄ〕上り膜厚５００人の５ｉＪａ膜（２
）、膜厚８００人のＴｂＦｅＣｏ膜（３）〔このＴｈＰ
ｅＣ。
膜（３）は記録層としての役割を果たす、〕及び厚さ５
μｍの紫外線硬化樹脂層（４）を順次被着形成し、光磁
気ディスクを作製した。
μｍの紫外線硬化樹脂層（４）を順次被着形成し、光磁
気ディスクを作製した。
得られた各光磁気ディスクについて、エラーレートの増
加を評価した。評価方法としては、９０℃。
加を評価した。評価方法としては、９０℃。
相対融度８５％の条件下で各光磁気ディスクを保存し、
経時によるエラーレートの増加を初期のエラーレートに
対する比で表した。結果を第２図に示す、なお、図中曲
線Ａは基ＭＡを用いた光磁気ディスクを、曲ＭＢは基Ｆ
ｉＢを用いた光Ｍ１気ディスクを、曲線Ｃは基ｖｉＣを
用いた光磁気ディスクを、曲線りは基板りを用いた光Ｉ
ｆｆ気ディスクをそれぞれ表す。
経時によるエラーレートの増加を初期のエラーレートに
対する比で表した。結果を第２図に示す、なお、図中曲
線Ａは基ＭＡを用いた光磁気ディスクを、曲ＭＢは基Ｆ
ｉＢを用いた光Ｍ１気ディスクを、曲線Ｃは基ｖｉＣを
用いた光磁気ディスクを、曲線りは基板りを用いた光Ｉ
ｆｆ気ディスクをそれぞれ表す。
この第２図より、基板（１）に残存する残留塩素の鼠が
１．０ ｐｐｍ以下のもの〔基板へを使用した光磁気デ
ィスク〕では、エラーレートの増加はほとんど見られず
、良好な耐蝕性を示すことがわかる。
１．０ ｐｐｍ以下のもの〔基板へを使用した光磁気デ
ィスク〕では、エラーレートの増加はほとんど見られず
、良好な耐蝕性を示すことがわかる。
これに対して、基板の残留塩素量が１． ＯＩＩＧＩＩ
Ｉを越えると、腐食の発生に伴うエラーレートの増加が
見られ、この傾向は残留塩素量が多いほど顕著であるこ
とが確認された。
Ｉを越えると、腐食の発生に伴うエラーレートの増加が
見られ、この傾向は残留塩素量が多いほど顕著であるこ
とが確認された。
さらに、低残留塩素量の基板（基板Ａ）を用い、第３図
に示すようにこの基板（１）上に膜厚１５００人のＡ１
膜よりなる記録層（５）及び厚さ１０μｍの紫外線硬化
樹脂層（６）を被着形成し、コンパクトディスクを作製
したところ、腐食の発生がなく保存性の良好なものであ
った。
に示すようにこの基板（１）上に膜厚１５００人のＡ１
膜よりなる記録層（５）及び厚さ１０μｍの紫外線硬化
樹脂層（６）を被着形成し、コンパクトディスクを作製
したところ、腐食の発生がなく保存性の良好なものであ
った。
以上、本発明を具体的な実験結果により説明したが、本
発明の適用範囲が上述の光磁気ディスクやコンパクトデ
ィスクに限定されるものではなく、追記型光ディスク等
あらゆる種類の光学式情報記録媒体に通用可能であって
、また媒体の構造も何ら限定されるものではない。
発明の適用範囲が上述の光磁気ディスクやコンパクトデ
ィスクに限定されるものではなく、追記型光ディスク等
あらゆる種類の光学式情報記録媒体に通用可能であって
、また媒体の構造も何ら限定されるものではない。
以上の説明からも明らかなように、本発明の光学式情報
記録媒体においては、ポリカーボネート樹脂基板に残存
する残留塩素量を０．１ ｐｌ）ＩＩ以下としているの
で、情報記録層の腐食が大幅に抑えられ、再生不良が少
なく長期信幀性に優れた光学式情報記録媒体を提供する
ことが可能である。
記録媒体においては、ポリカーボネート樹脂基板に残存
する残留塩素量を０．１ ｐｌ）ＩＩ以下としているの
で、情報記録層の腐食が大幅に抑えられ、再生不良が少
なく長期信幀性に優れた光学式情報記録媒体を提供する
ことが可能である。
第１図は光磁気ディスクの構成例を示す要部概略断面図
であり、第２図は基板に残存する残留塩素量を変化させ
たときの各光磁気ディスクのエラーレートの経時変化を
示す特性図である。 第３図はコンパクトディスクの構成例を示す要部概略断
面図である。 ｌ・・・基板 ３・・・ＴｂＦｅＣｏ１Ｉ！！（情報記録層）５・・・
記録層
であり、第２図は基板に残存する残留塩素量を変化させ
たときの各光磁気ディスクのエラーレートの経時変化を
示す特性図である。 第３図はコンパクトディスクの構成例を示す要部概略断
面図である。 ｌ・・・基板 ３・・・ＴｂＦｅＣｏ１Ｉ！！（情報記録層）５・・・
記録層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ポリカーボネート樹脂よりなる基体上に光学的に信号が
読み取られる情報記録層を設けてなる光学式情報記録媒
体において、 上記基板は残留塩素量が１．０ｐｐｍ以下とされたこと
を特徴とする光学式情報記録媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242136A JP2528838B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学式情報記録媒体 |
| DE3734681A DE3734681C2 (de) | 1986-10-14 | 1987-10-13 | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium |
| US07/107,342 US4798767A (en) | 1986-10-14 | 1987-10-13 | Optical information record medium |
| GB8723978A GB2198278B (en) | 1986-10-14 | 1987-10-13 | Optical information record media |
| KR1019870011363A KR960010331B1 (ko) | 1986-10-14 | 1987-10-14 | 광학식 정보 기록 매체 |
| FR878714220A FR2605134B1 (fr) | 1986-10-14 | 1987-10-14 | Milieu d'enregistrement d'information optique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242136A JP2528838B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学式情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6397627A true JPS6397627A (ja) | 1988-04-28 |
| JP2528838B2 JP2528838B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=17084845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61242136A Expired - Lifetime JP2528838B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学式情報記録媒体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4798767A (ja) |
| JP (1) | JP2528838B2 (ja) |
| KR (1) | KR960010331B1 (ja) |
| DE (1) | DE3734681C2 (ja) |
| FR (1) | FR2605134B1 (ja) |
| GB (1) | GB2198278B (ja) |
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| JP2002121375A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-23 | Teijin Chem Ltd | 光学用ポリカーボネート樹脂成形材料および該材料よりなる光ディスク基板 |
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| JPH0827978B2 (ja) * | 1989-01-25 | 1996-03-21 | 出光石油化学株式会社 | 光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体 |
| JP2662049B2 (ja) * | 1989-09-14 | 1997-10-08 | 出光石油化学株式会社 | 光学式ディスク基板及び光学式情報記録媒体 |
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-
1986
- 1986-10-14 JP JP61242136A patent/JP2528838B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-10-13 DE DE3734681A patent/DE3734681C2/de not_active Revoked
- 1987-10-13 GB GB8723978A patent/GB2198278B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-13 US US07/107,342 patent/US4798767A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-14 FR FR878714220A patent/FR2605134B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-14 KR KR1019870011363A patent/KR960010331B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960010331B1 (ko) | 1996-07-30 |
| GB8723978D0 (en) | 1987-11-18 |
| KR880005581A (ko) | 1988-06-29 |
| GB2198278A (en) | 1988-06-08 |
| US4798767A (en) | 1989-01-17 |
| GB2198278B (en) | 1990-04-11 |
| FR2605134A1 (fr) | 1988-04-15 |
| DE3734681C2 (de) | 1996-08-14 |
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| DE3734681A1 (de) | 1988-04-21 |
| FR2605134B1 (fr) | 1990-12-28 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |