JPS6395158A - 炭化珪素および炭素よりなる成形体の製造方法 - Google Patents
炭化珪素および炭素よりなる成形体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、耐熱材、耐摩耗材あるいは耐薬品材として各
種の産業分野において利用できる炭化珪素および炭素よ
りなる成形体の製造方法に関するものである。
種の産業分野において利用できる炭化珪素および炭素よ
りなる成形体の製造方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、炭化珪素と炭素とからなる複合体を得るために種
々の方法が提案されているが、このうち先ず、耐酸化性
、耐摩耗性等の改善を目的として、炭素基材の表面に炭
化珪素の被膜を形成する方法には、次のようなものがあ
る。すなわち、気体珪素化合物の基材表面での分解、反
応による炭化珪素被膜の形成、あるいは気体珪素化合物
、気体炭素源の基材表面での反応付着による炭化珪素被
膜の形成方法などである。
々の方法が提案されているが、このうち先ず、耐酸化性
、耐摩耗性等の改善を目的として、炭素基材の表面に炭
化珪素の被膜を形成する方法には、次のようなものがあ
る。すなわち、気体珪素化合物の基材表面での分解、反
応による炭化珪素被膜の形成、あるいは気体珪素化合物
、気体炭素源の基材表面での反応付着による炭化珪素被
膜の形成方法などである。
また一方、炭素成形体の内部まで炭化珪素化する方法に
は、上記の気相反応を利用したものの他、炭素成形体に
対する溶融シリコン等の浸透反応を利用した方法が試み
られているが、この方法によると、通常炭素成形体の表
面から数ｍ１１程度の深さまでしか炭化珪素化できない
のが実情である。
は、上記の気相反応を利用したものの他、炭素成形体に
対する溶融シリコン等の浸透反応を利用した方法が試み
られているが、この方法によると、通常炭素成形体の表
面から数ｍ１１程度の深さまでしか炭化珪素化できない
のが実情である。
そこで、本発明者等はさらに厚い部材の内部まで一様に
炭化珪素化することを企図して、先に特願昭５９−１０
８８１０号で、炭素成形体を予め４００〜６００℃で酸
化処理して軽量多孔化してから金属シリコン等の含珪素
材を浸透反応させる方法を提案している。そして、この
方法によれば、炭化珪素化率が高く、シかも１ｃｍ以上
の深さまで一様に炭化珪素化した複合成形体を造ること
が可能とされている。
炭化珪素化することを企図して、先に特願昭５９−１０
８８１０号で、炭素成形体を予め４００〜６００℃で酸
化処理して軽量多孔化してから金属シリコン等の含珪素
材を浸透反応させる方法を提案している。そして、この
方法によれば、炭化珪素化率が高く、シかも１ｃｍ以上
の深さまで一様に炭化珪素化した複合成形体を造ること
が可能とされている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、その後更に実験研究を重ねた結果、この既出願
の製造方法に係る多孔化処理を施した炭素材料を用いた
場合にあっても、炭化珪素化が均質に進行せず、反応が
表面にのみとどまってしまうものがあることが知見され
ている。
の製造方法に係る多孔化処理を施した炭素材料を用いた
場合にあっても、炭化珪素化が均質に進行せず、反応が
表面にのみとどまってしまうものがあることが知見され
ている。
本発明は、このような問題点に着目し、炭素基材の結晶
性と密度を選択することにより、炭素基材の成形体に含
珪素材°を浸透反応きせるだけで、その表面に簡単でか
つより一層確実に深い厚さの一様な炭化珪素層を形成す
ることができる新たな炭化珪素および炭素よりなる成形
体の製造方法を提供しようとしている。
性と密度を選択することにより、炭素基材の成形体に含
珪素材°を浸透反応きせるだけで、その表面に簡単でか
つより一層確実に深い厚さの一様な炭化珪素層を形成す
ることができる新たな炭化珪素および炭素よりなる成形
体の製造方法を提供しようとしている。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、このような目的を達成すべく、格子定ａＣが
８．９λ以下でかつ密度が１．７ｇ／ｃ−以下の炭素材
料を所望の形状に成形し、この炭素成形体に含珪素材を
゛浸透反応させて、該炭素成形体と略同形状の炭化珪素
および炭素よりなる成形体を得ることを特徴としている
ものである。
８．９λ以下でかつ密度が１．７ｇ／ｃ−以下の炭素材
料を所望の形状に成形し、この炭素成形体に含珪素材を
゛浸透反応させて、該炭素成形体と略同形状の炭化珪素
および炭素よりなる成形体を得ることを特徴としている
ものである。
すなわち、本発明がその問題解決のために基本とする考
え方は、その炭素成形体を構成する炭素材料の化学的反
応性と密度に着目し、これらを選択することによって、
均一で深い厚さの炭化珪素層を有する炭化珪素−炭素複
合成形体を製造できるようにすることである。
え方は、その炭素成形体を構成する炭素材料の化学的反
応性と密度に着目し、これらを選択することによって、
均一で深い厚さの炭化珪素層を有する炭化珪素−炭素複
合成形体を製造できるようにすることである。
しかして、本発明者はかかる技術的見地に基づいて、格
子定数Ｃ（結晶性）および密度の異なる種々の炭素材料
についてその表面から含珪素材の浸透反応を行なわせて
比較したところ、格子定数Ｃが６．９λ以下でかつ密度
が１．７ｇ／ｃｍ３以下の炭素材料を用いた場合は、い
ずれも均質な炭化珪素化が進行することが確認された。
子定数Ｃ（結晶性）および密度の異なる種々の炭素材料
についてその表面から含珪素材の浸透反応を行なわせて
比較したところ、格子定数Ｃが６．９λ以下でかつ密度
が１．７ｇ／ｃｍ３以下の炭素材料を用いた場合は、い
ずれも均質な炭化珪素化が進行することが確認された。
一般に炭素には、カーボンブラックのように殆ど結晶化
しないものから、天然黒鉛のようにほぼ完全に結晶化し
たものまで、種々の結晶化度の材料がある。天然物を除
くと、その結晶化度は、炭素材料製造時の黒鉛化あ理温
度によって決まる。
しないものから、天然黒鉛のようにほぼ完全に結晶化し
たものまで、種々の結晶化度の材料がある。天然物を除
くと、その結晶化度は、炭素材料製造時の黒鉛化あ理温
度によって決まる。
黒鉛化処理温度が高い程、黒鉛化が進んでおり、それと
同時に後の実施例１に示すようにその格子定数Ｃも減少
して、天然黒鉛のｃ ＝８．７０８λに近づいて行く、
従って、炭素材料の格子定数Ｃｔ−求めることによって
その結晶化（黒鉛化）度を推定することができる。そし
て、一般に同一物質においては、非晶質状態のものの方
が結晶状態のものより活性が高く、反応性が高いことが
知られている１以上の二とより、炭素材料の格子定数Ｃ
をＸ線回折法などによって求めることにより、その反応
性を推測することができると考えられる。
同時に後の実施例１に示すようにその格子定数Ｃも減少
して、天然黒鉛のｃ ＝８．７０８λに近づいて行く、
従って、炭素材料の格子定数Ｃｔ−求めることによって
その結晶化（黒鉛化）度を推定することができる。そし
て、一般に同一物質においては、非晶質状態のものの方
が結晶状態のものより活性が高く、反応性が高いことが
知られている１以上の二とより、炭素材料の格子定数Ｃ
をＸ線回折法などによって求めることにより、その反応
性を推測することができると考えられる。
また、炭素材料の密度はその空隙率に大きく影！を与え
、本発明のような溶融シリコン等の炭素中への侵透反応
には非常に大きな影響を与えると考えられる。事実、後
の実施例２と３を比較すれば、格子定数Ｃが６．９λ以
下の炭素材料においても、密度が１．７ｇ／ｃｍ３を超
えるものは、充分な浸透反応を示さなかった。
、本発明のような溶融シリコン等の炭素中への侵透反応
には非常に大きな影響を与えると考えられる。事実、後
の実施例２と３を比較すれば、格子定数Ｃが６．９λ以
下の炭素材料においても、密度が１．７ｇ／ｃｍ３を超
えるものは、充分な浸透反応を示さなかった。
本発明は、このような考察、知見結果をもとにして、格
子定数Ｃが６．９Å以下でかつ密度が１．７ｇ／ｃｍ３
以下の炭素材料を成形して、これに含珪素材を浸透反応
せしめることにより、元の炭素成形体と略同形状で、し
かもこの種従来の方法で得られるものよりも内部まで深
く一様に炭化珪素化できる製造方法を提供するものであ
る。
子定数Ｃが６．９Å以下でかつ密度が１．７ｇ／ｃｍ３
以下の炭素材料を成形して、これに含珪素材を浸透反応
せしめることにより、元の炭素成形体と略同形状で、し
かもこの種従来の方法で得られるものよりも内部まで深
く一様に炭化珪素化できる製造方法を提供するものであ
る。
［作用］
このように、格子定数Ｃが６．９Å以下でかつ密度が１
．７ｇ／ｃ＋ｓ３以下の炭素材料が均質に表面から深く
炭化珪素化できる理由は、以下のような作用に基づくも
のと推測される。
．７ｇ／ｃ＋ｓ３以下の炭素材料が均質に表面から深く
炭化珪素化できる理由は、以下のような作用に基づくも
のと推測される。
まず、本発明の炭化珪素化反応は、溶融シリコン等が炭
素材料の空隙中に浸透しながら反応して炭化珪素を生成
するものである。また、この炭化珪素化が約２．４倍の
体ａｍ張を伴なうため空隙が塞がれて行く、そのため炭
素材料には溶融シリコン等が浸透できる空隙が必要とな
る。これが炭素材料の密度を１．７ｇ／ｃｍ３以下とし
た理由である。しかし、後の実施例３に示すように密度
が１．５ｇ／Ｃｍ’の炭素材料でも、黒鉛化処理温度が
低く結晶化度の低いものは、表面からの浸透反応深さが
浅い。
素材料の空隙中に浸透しながら反応して炭化珪素を生成
するものである。また、この炭化珪素化が約２．４倍の
体ａｍ張を伴なうため空隙が塞がれて行く、そのため炭
素材料には溶融シリコン等が浸透できる空隙が必要とな
る。これが炭素材料の密度を１．７ｇ／ｃｍ３以下とし
た理由である。しかし、後の実施例３に示すように密度
が１．５ｇ／Ｃｍ’の炭素材料でも、黒鉛化処理温度が
低く結晶化度の低いものは、表面からの浸透反応深さが
浅い。
これには炭化珪素化反応を構成する下記の２種類の現象
が進行する速さが影響していると考えられる。つまり、 （ｉ）溶融シリコン等が毛管現象によって炭素の空隙中
に浸透する速さ、 （ｉｉ）溶融シリコン等が空隙表面の炭素と反応して炭
化珪素を生成し、その約２．４倍の体積膨張によって空
隙を埋めて行く速さ、 とである。
が進行する速さが影響していると考えられる。つまり、 （ｉ）溶融シリコン等が毛管現象によって炭素の空隙中
に浸透する速さ、 （ｉｉ）溶融シリコン等が空隙表面の炭素と反応して炭
化珪素を生成し、その約２．４倍の体積膨張によって空
隙を埋めて行く速さ、 とである。
そして、前項で述べたように、結晶化度の低い炭素は結
晶化度の高い炭素よりも活性で、溶融シリコン等との反
応も速やかに進行すると考えられる。そのため前記（ｉ
ｉ）の反応が前記（ｉ）の浸透より速く進行して表面付
近の空隙を埋めてしまい、それ以降珪素が内部まで浸透
することができなくなり１表面付近しか炭化珪素化でき
ないものと考えられる。
晶化度の高い炭素よりも活性で、溶融シリコン等との反
応も速やかに進行すると考えられる。そのため前記（ｉ
ｉ）の反応が前記（ｉ）の浸透より速く進行して表面付
近の空隙を埋めてしまい、それ以降珪素が内部まで浸透
することができなくなり１表面付近しか炭化珪素化でき
ないものと考えられる。
これに対し、結晶化が格子定数Ｃで８．９λ以下まで進
行した炭素では、前記（ｉｉ）の反応が緩やかになり、
まず前記（ｉ）の浸透が炭素の内部まで進行し、その後
（ｉｉ）の反応が進行して深くまで炭化珪素化できるも
のと考えられる。
行した炭素では、前記（ｉｉ）の反応が緩やかになり、
まず前記（ｉ）の浸透が炭素の内部まで進行し、その後
（ｉｉ）の反応が進行して深くまで炭化珪素化できるも
のと考えられる。
［実施例］
以下に実施例を挙げて説明する。
〈実施例１〉
黒鉛化処理温度が各々既知の８８０．１０００．１５５
０、１８００．２０７０．２３０Ｇ、２６００および２
９００℃の各炭素材料にそれぞれ１７重量％のケイ素を
加え、粉砕・混合した後、Ｘ線回折（Ｃｕ Ｋａ、 ３
５ＫＶ−１５ｍＡ）を測定した。ケイ素は格子定数決定
の際の内部標準である。００２の回折線のｄ値（面間隔
）より求めた各炭素材料の格子定数Ｃを黒鉛化処理温度
に対してプロットして添付図に示す、処理温度が８８０
と１０００℃の炭素は非常に幅の広い００２の回折線を
グ・え、殆ど結晶化していないことを示した。また、ａ
Ｏａより求めた格子定数Ｃは約７．０λであった。一方
、処理温度が１５５０℃以上の炭素材料は、温度の上昇
とともに鋭い回折線を与え、結晶化が進んでいることを
示した。同時に、図示するように、格子定数Ｃも小さく
なり、天然黒鉛の８．７０８人に近づいて行った。この
ように黒鉛化処理温度によって、炭素の結晶化度（黒鉛
化度）はほぼ決定されることが判る。
０、１８００．２０７０．２３０Ｇ、２６００および２
９００℃の各炭素材料にそれぞれ１７重量％のケイ素を
加え、粉砕・混合した後、Ｘ線回折（Ｃｕ Ｋａ、 ３
５ＫＶ−１５ｍＡ）を測定した。ケイ素は格子定数決定
の際の内部標準である。００２の回折線のｄ値（面間隔
）より求めた各炭素材料の格子定数Ｃを黒鉛化処理温度
に対してプロットして添付図に示す、処理温度が８８０
と１０００℃の炭素は非常に幅の広い００２の回折線を
グ・え、殆ど結晶化していないことを示した。また、ａ
Ｏａより求めた格子定数Ｃは約７．０λであった。一方
、処理温度が１５５０℃以上の炭素材料は、温度の上昇
とともに鋭い回折線を与え、結晶化が進んでいることを
示した。同時に、図示するように、格子定数Ｃも小さく
なり、天然黒鉛の８．７０８人に近づいて行った。この
ように黒鉛化処理温度によって、炭素の結晶化度（黒鉛
化度）はほぼ決定されることが判る。
〈実施例２〉
第１表に示すように黒鉛化温度の異なる種々の炭素材料
を各基材として成形した炭素成形体に。
を各基材として成形した炭素成形体に。
それぞれ炭素に対して重量比で０．０５の溶融シリコン
を浸透反応させ、その浸透深さを調べた。但し、反応は
アルゴンガス雰囲気下１８００℃で１時間行ったもので
ある。
を浸透反応させ、その浸透深さを調べた。但し、反応は
アルゴンガス雰囲気下１８００℃で１時間行ったもので
ある。
得られた反応生成物をそれぞれ目視観察すると、格子定
ＩａＣが６．９λ以下（黒鉛化処理温度が１５５０℃以
上）の炭素では、珪素の残留は認められなかった。一方
、格子定数Ｃが８．９人を超える（黒鉛化処理温度が８
８０およびｔｏｏｏ℃の）炭素では１表面に溶融珪素が
固まった残留物が認められた。各反応生成物を粉砕して
Ｘ線回折を測定すると、格子定数Ｃが６．９λ以下の炭
素、から得られた生成物は、β−炭化珪素、炭素と微量
の珪素から構成されており、また反応前後の重量より求
めた反応率は８８〜１００％であった０次に１反応生成
物の破断面をＸ線マイクロアナライザで観察し、表面か
らどの程度珪素が浸透して炭化珪素化しているかを調べ
た。結果を第１表に示す。
ＩａＣが６．９λ以下（黒鉛化処理温度が１５５０℃以
上）の炭素では、珪素の残留は認められなかった。一方
、格子定数Ｃが８．９人を超える（黒鉛化処理温度が８
８０およびｔｏｏｏ℃の）炭素では１表面に溶融珪素が
固まった残留物が認められた。各反応生成物を粉砕して
Ｘ線回折を測定すると、格子定数Ｃが６．９λ以下の炭
素、から得られた生成物は、β−炭化珪素、炭素と微量
の珪素から構成されており、また反応前後の重量より求
めた反応率は８８〜１００％であった０次に１反応生成
物の破断面をＸ線マイクロアナライザで観察し、表面か
らどの程度珪素が浸透して炭化珪素化しているかを調べ
た。結果を第１表に示す。
第１゛表
上表に示す通り、格子定数Ｃが８．８人を超える炭素で
は充分な炭化珪素化反応は進行せず、珪素の浸透深さも
ほぼ零であった。一方、８．９λ以下の炭素では反応は
良好で、表面から０．５〜１．５ｍｍの深さまで炭化珪
素化された。
は充分な炭化珪素化反応は進行せず、珪素の浸透深さも
ほぼ零であった。一方、８．９λ以下の炭素では反応は
良好で、表面から０．５〜１．５ｍｍの深さまで炭化珪
素化された。
〈実施例３〉
実施例２では１反応の良好であった格子定数Ｃが６．９
Ａ以下の材料間にも、珪素の浸透深さのバラツキが認め
られた。このバラツキは密度がすべてｆ、７ｇ／ｃａ３
を超えており、しかも密度の異なる炭素材料を使用した
ために生じたものと考えられる。そこで、炭素材料の密
度を１．５ｇ／ｃｍ３に揃えて各処理温度の炭素材料に
珪素を浸透反応させた。
Ａ以下の材料間にも、珪素の浸透深さのバラツキが認め
られた。このバラツキは密度がすべてｆ、７ｇ／ｃａ３
を超えており、しかも密度の異なる炭素材料を使用した
ために生じたものと考えられる。そこで、炭素材料の密
度を１．５ｇ／ｃｍ３に揃えて各処理温度の炭素材料に
珪素を浸透反応させた。
この結果を、第２表に示す、但し、浸透反応は各炭素成
形体の表面に金属シリコンを付着させ、高温加熱装置に
よりアルゴン気流中で１８００℃の温度に加熱して行な
わしめたものである。なお、各炭素成形体に反応させた
珪素は重量比でＳ ｉ ／ Ｃ＝０．４〜０．７であっ
た。
形体の表面に金属シリコンを付着させ、高温加熱装置に
よりアルゴン気流中で１８００℃の温度に加熱して行な
わしめたものである。なお、各炭素成形体に反応させた
珪素は重量比でＳ ｉ ／ Ｃ＝０．４〜０．７であっ
た。
この表に示すように、炭素材料の密度を揃えて浸透反応
を実施すれば１反応Ｓ ｉ ／ Ｃ比を０．０５か第２
表 ら０．４〜０．７に上げることができ、格子定数Ｃが８
．９λ以下の炭素材料を用いたものではすべて反応が良
好で、珪素が表面から１．４ｍｍ以上と深く均質に反応
することが確かめられる。また、格子定数Ｃが８．９人
を超える炭素についても、密度を１．５ｇ／ｃｍ３にす
ることによって、珪素の浸透深さは改善された。しかし
、その値は！、２ｍｍ以下であり、生成物の表面には未
反応の珪素の残留が認められた。これらのことから、炭
素の均質な炭化珪素化には、炭素の密度を下げるだけで
は充分でなく、炭素の結晶化度と密度が密接に関係して
いると考えられる。そして、その理由については［作用
］で述べたように、炭素の結晶化度の違いによる反応プ
ロセスの違いによるものと考えられる。
を実施すれば１反応Ｓ ｉ ／ Ｃ比を０．０５か第２
表 ら０．４〜０．７に上げることができ、格子定数Ｃが８
．９λ以下の炭素材料を用いたものではすべて反応が良
好で、珪素が表面から１．４ｍｍ以上と深く均質に反応
することが確かめられる。また、格子定数Ｃが８．９人
を超える炭素についても、密度を１．５ｇ／ｃｍ３にす
ることによって、珪素の浸透深さは改善された。しかし
、その値は！、２ｍｍ以下であり、生成物の表面には未
反応の珪素の残留が認められた。これらのことから、炭
素の均質な炭化珪素化には、炭素の密度を下げるだけで
は充分でなく、炭素の結晶化度と密度が密接に関係して
いると考えられる。そして、その理由については［作用
］で述べたように、炭素の結晶化度の違いによる反応プ
ロセスの違いによるものと考えられる。
［発明の効果］
以上のように、本発明の方法によると、格子定数Ｃが８
．９Ａ以下でかつ密度が１．７ｇ／ｃＩ１３以下の炭素
材料より成形した炭素成形体に含珪素材を浸透反応させ
ることにより、その表面から深くて一様に炭化珪素化さ
れた成形体を得ることができ、所期の高密度、高強度の
炭化珪素および炭素よりなる成形体を簡単かつ確実に製
造することができるものとなる。
．９Ａ以下でかつ密度が１．７ｇ／ｃＩ１３以下の炭素
材料より成形した炭素成形体に含珪素材を浸透反応させ
ることにより、その表面から深くて一様に炭化珪素化さ
れた成形体を得ることができ、所期の高密度、高強度の
炭化珪素および炭素よりなる成形体を簡単かつ確実に製
造することができるものとなる。
図面は炭素の黒鉛化処理温度と格子定数Ｃとの関係を示
す図である。
す図である。
Claims (1)
- 格子定数ｃが６．９Å以下でかつ密度が１．７ｇ／ｃ
ｍ＾３以下の炭素材料を所望の形状に成形し、この炭素
成形体に含珪素材を浸透反応させて、該炭素成形体と略
同形状の炭化珪素および炭素よりなる成形体を得ること
を特徴とする炭化珪素および炭素よりなる成形体の製造
方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240857A JPS6395158A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 炭化珪素および炭素よりなる成形体の製造方法 |
| DE3850505T DE3850505T2 (de) | 1986-10-09 | 1988-04-08 | Verfahren zur herstellung eines giesslinges bestehend aus siliziumkarbid und kohlenstoff. |
| KR1019890702282A KR920003028B1 (ko) | 1986-10-09 | 1988-04-08 | 탄화규소 및 탄소로 이루어진 성형체의 제조방법 |
| EP88903360A EP0409983B1 (en) | 1986-10-09 | 1988-04-08 | Process for producing molding composed of silicon carbide and carbon |
| PCT/JP1988/000355 WO1989009753A1 (en) | 1986-10-09 | 1988-04-08 | Process for producing molding composed of silicon carbide and carbon |
| US08/333,366 US5540950A (en) | 1986-10-09 | 1994-11-02 | Composite of silicon carbide and carbon and method of making the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240857A JPS6395158A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 炭化珪素および炭素よりなる成形体の製造方法 |
| US08/333,366 US5540950A (en) | 1986-10-09 | 1994-11-02 | Composite of silicon carbide and carbon and method of making the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395158A true JPS6395158A (ja) | 1988-04-26 |
| JPH031266B2 JPH031266B2 (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=26534970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61240857A Granted JPS6395158A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 炭化珪素および炭素よりなる成形体の製造方法 |
Country Status (6)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0409983B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6395158A (ja) |
| KR (1) | KR920003028B1 (ja) |
| DE (1) | DE3850505T2 (ja) |
| WO (1) | WO1989009753A1 (ja) |
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Family Cites Families (17)
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|---|---|---|---|---|
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| US2691605A (en) * | 1950-09-15 | 1954-10-12 | Carborundum Co | Silicon carbide articles and method of manufacturing same |
| US2677627A (en) * | 1951-10-26 | 1954-05-04 | Norton Co | Process of coating carbonaceous material with silicon carbide |
| GB1394106A (en) * | 1972-08-12 | 1975-05-14 | Tarabanov A S | Method of preparing an antifriction material |
| US3925577A (en) * | 1972-11-24 | 1975-12-09 | Westinghouse Electric Corp | Silicon carbide coated graphite members and process for producing the same |
| DE2834315B2 (de) * | 1977-08-10 | 1980-09-25 | Valerij Ivanovitsch Kostikov | Verfahren zur Herstellung von Antifriktionserzeugnissen |
| US4294788A (en) * | 1979-12-05 | 1981-10-13 | General Electric Company | Method of making a shaped silicon carbide-silicon matrix composite and articles made thereby |
| DE3108266A1 (de) * | 1981-03-05 | 1982-09-16 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Verfahren zur herstellung eines poroesen siliziumkarbidkoerpers |
| US4900531A (en) * | 1982-06-22 | 1990-02-13 | Harry Levin | Converting a carbon preform object to a silicon carbide object |
| US4871587A (en) * | 1982-06-22 | 1989-10-03 | Harry Levin | Process for coating an object with silicon carbide |
| JPS59152268A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-30 | 大阪セメント株式会社 | 炭化珪素成形体の製造方法 |
| US4618591A (en) * | 1983-11-09 | 1986-10-21 | Sony Corporation | Silicon carbide-carbon composite molded product and process for manufacturing the same |
| JPS60251175A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-11 | 大阪セメント株式会社 | 炭化ケイ素および炭素よりなる成形体の製造方法 |
| US4626516A (en) * | 1985-07-31 | 1986-12-02 | General Electric Company | Infiltration of Mo-containing material with silicon |
| US5250324A (en) * | 1990-06-25 | 1993-10-05 | Lanxide Technology Company, L.P. | Method for forming a surface coating using powdered solid oxidants and parent metals |
| JP2642573B2 (ja) * | 1991-12-27 | 1997-08-20 | 日本碍子株式会社 | ＳｉＣ質焼結体 |
| US5322824A (en) * | 1993-05-27 | 1994-06-21 | Chia Kai Y | Electrically conductive high strength dense ceramic |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61240857A patent/JPS6395158A/ja active Granted
-
1988
- 1988-04-08 WO PCT/JP1988/000355 patent/WO1989009753A1/ja active IP Right Grant
- 1988-04-08 EP EP88903360A patent/EP0409983B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-08 KR KR1019890702282A patent/KR920003028B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-04-08 DE DE3850505T patent/DE3850505T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-02 US US08/333,366 patent/US5540950A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1989009753A1 (en) | 1989-10-19 |
| EP0409983A1 (en) | 1991-01-30 |
| EP0409983A4 (en) | 1991-04-10 |
| EP0409983B1 (en) | 1994-06-29 |
| US5540950A (en) | 1996-07-30 |
| DE3850505D1 (de) | 1994-08-04 |
| DE3850505T2 (de) | 1994-10-27 |
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| KR900700411A (ko) | 1990-08-13 |
| KR920003028B1 (ko) | 1992-04-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |