JPS6392017A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6392017A JPS6392017A JP23745386A JP23745386A JPS6392017A JP S6392017 A JPS6392017 A JP S6392017A JP 23745386 A JP23745386 A JP 23745386A JP 23745386 A JP23745386 A JP 23745386A JP S6392017 A JPS6392017 A JP S6392017A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法の改良に関するもので
ある。
ある。
第２図は、この種の従来方法によ）形成された高信頼度
小信号ダイオードを示したものである。
小信号ダイオードを示したものである。
図において、（１）はＮ型半導体基板、（２）はＮ型半
導体基板（１）上に形成された酸化膜、（３）は酸化膜
（２）の選択拡散効果を利用して半導体基板（１）とは
反対の不純物を拡散して形成されたＰ散拡散層（４）は
チャンネルの発生や容量の低減を図るだめに形成したパ
ッシベーション層で一般には鉛ガラス層が使用される。
導体基板（１）上に形成された酸化膜、（３）は酸化膜
（２）の選択拡散効果を利用して半導体基板（１）とは
反対の不純物を拡散して形成されたＰ散拡散層（４）は
チャンネルの発生や容量の低減を図るだめに形成したパ
ッシベーション層で一般には鉛ガラス層が使用される。
（５）はパッシベーション（４）中に形成された第１の
コンタ、シト孔、＠Ｄはコンタクト孔（６）中に電極金
属とコンタクト孔（４）との接触抵抗を小さくするため
に形成された白金シリサイド、す、砿はパッシベーショ
ン層（４）中の鉛と白金とが反応して形成された白金と
鉛との化合物である。
コンタ、シト孔、＠Ｄはコンタクト孔（６）中に電極金
属とコンタクト孔（４）との接触抵抗を小さくするため
に形成された白金シリサイド、す、砿はパッシベーショ
ン層（４）中の鉛と白金とが反応して形成された白金と
鉛との化合物である。
従来の半導体装置の製造方法は、電σ金属として一般に
多層金電極を使用するが、［ｉ金属とコンタクト孔との
接触抵抗を下げるために、一般にヌパツタ法等によシ白
金を形成し白金シリサイド化するが、パッシベーション
膜として形成した鉛ガラス層の中の鉛と白金とが反応し
、パッシベーション膜上に導電性の凹凸の激しい鉛と白
金の化合物を形成し、リークの原因や、表面凹凸にょυ
、写真製版を続けることが不可能となるなどの問題があ
った。
多層金電極を使用するが、［ｉ金属とコンタクト孔との
接触抵抗を下げるために、一般にヌパツタ法等によシ白
金を形成し白金シリサイド化するが、パッシベーション
膜として形成した鉛ガラス層の中の鉛と白金とが反応し
、パッシベーション膜上に導電性の凹凸の激しい鉛と白
金の化合物を形成し、リークの原因や、表面凹凸にょυ
、写真製版を続けることが不可能となるなどの問題があ
った。
本発明は上記の様な問題点を解消するためになされたも
ので白金と鉛との化合物を形成することなく、白金シリ
サイド層を形成することができ、高信頼度の半導体装置
の製造方法を得ることを目的とする。
ので白金と鉛との化合物を形成することなく、白金シリ
サイド層を形成することができ、高信頼度の半導体装置
の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、第１のコンタクト孔の内
側に写真製版にて白金シリサイド層を形成するものであ
る。
側に写真製版にて白金シリサイド層を形成するものであ
る。
上記の様に本発明における半導体装置の製造方法は、パ
ッシベーション膜と白金とが触れることが防止され、パ
ッシベーション膜中の鉛と白金とが化合することなく白
金シリサイド層を形成できる。
ッシベーション膜と白金とが触れることが防止され、パ
ッシベーション膜中の鉛と白金とが化合することなく白
金シリサイド層を形成できる。
以下、本発明の実施例を高信頼度シリコン小信号ダイオ
ードについて説明する。第１図（ａ）において、（６）
は本発明によシミ極金属とコンタクト孔との接触抵抗を
小さくする為にヌパツタ写真製版後形成された白金シリ
サイド層、（７）は第１図（ｂ）のようにこの白金シリ
サイド層（６）とパッシベーションＷ （４） ヲｆｆ
うチタン・タングヌテンなどのバリアメタルで、一般に
電極金属として金を使用する場合、金を直接電極金属と
してシリコン上や酸化嘆上に形成すると、金とシリコン
（酸化膜）との密着力が弱いこと、金は低温で容易にシ
リコン中に拡散することなどからこれを防止するために
形成される。（８）はｗｔ極全金属部みにメッキ形成す
る為に電極金属以外の部分を破膜したフォトレジスト膜
で一般には膜厚が厚く高解像力のポジ形レジストが使用
される。（９）はメッキによ多形成された金電極である
。続いて第１図（Ｃ）において、金電極をメッキによ多
形成するため、に使用したフォトレジスト膜（８）を除
去すると共に、電極金属直下部以外のバリアメタル（７
）を除去する。
ードについて説明する。第１図（ａ）において、（６）
は本発明によシミ極金属とコンタクト孔との接触抵抗を
小さくする為にヌパツタ写真製版後形成された白金シリ
サイド層、（７）は第１図（ｂ）のようにこの白金シリ
サイド層（６）とパッシベーションＷ （４） ヲｆｆ
うチタン・タングヌテンなどのバリアメタルで、一般に
電極金属として金を使用する場合、金を直接電極金属と
してシリコン上や酸化嘆上に形成すると、金とシリコン
（酸化膜）との密着力が弱いこと、金は低温で容易にシ
リコン中に拡散することなどからこれを防止するために
形成される。（８）はｗｔ極全金属部みにメッキ形成す
る為に電極金属以外の部分を破膜したフォトレジスト膜
で一般には膜厚が厚く高解像力のポジ形レジストが使用
される。（９）はメッキによ多形成された金電極である
。続いて第１図（Ｃ）において、金電極をメッキによ多
形成するため、に使用したフォトレジスト膜（８）を除
去すると共に、電極金属直下部以外のバリアメタル（７
）を除去する。
ところで、一般に半導体装置の故障モードはエレクトロ
マイグレーション等電極金属に関するものが多く信頼性
を向上させる為に、金などの化学的に安定な金属が使用
されている。本発明でも説明した様に電極金属として金
を使用する場合は、単独で金を使用するのではなく、シ
リコンや酸化膜との密着性を向上させるためにバリアメ
タル（７）を形成したり、第１のコンタクト孔（５）と
電極との接触抵抗を下げるためにコンタクト孔（５）に
白金シリサイド層（６）を形成するが、従来の方法では
ほとんどのものが白金とパッシベーション膜中の鉛とが
反応しパッシベーション膜上に黒色で凹凸の激しい導電
性の膜ができ以降の工程を進めることが不可能であった
。
マイグレーション等電極金属に関するものが多く信頼性
を向上させる為に、金などの化学的に安定な金属が使用
されている。本発明でも説明した様に電極金属として金
を使用する場合は、単独で金を使用するのではなく、シ
リコンや酸化膜との密着性を向上させるためにバリアメ
タル（７）を形成したり、第１のコンタクト孔（５）と
電極との接触抵抗を下げるためにコンタクト孔（５）に
白金シリサイド層（６）を形成するが、従来の方法では
ほとんどのものが白金とパッシベーション膜中の鉛とが
反応しパッシベーション膜上に黒色で凹凸の激しい導電
性の膜ができ以降の工程を進めることが不可能であった
。
本発明では、パッシベーション層（４）とスパッタ白金
とが接触しないため白金と鉛との反応が防止でき、容易
に高信頼度の半導体装置の製造が可能である。
とが接触しないため白金と鉛との反応が防止でき、容易
に高信頼度の半導体装置の製造が可能である。
本実施例では、高信頼度シリコン小信号ダイオードにつ
いて説明したがシリコントランジスタ、集積回路等全て
の半導体装置に応用できる。
いて説明したがシリコントランジスタ、集積回路等全て
の半導体装置に応用できる。
以上の様に本発明によれば、コンタクト孔に白金シリサ
イド層を形成する際にパッシベーション膜中の鉛と白金
との反応を防止するためにコンタクト孔内にスパッタ白
金を写真製版したもので、鉛と白金との反応を防止する
ことができ、高信頼度半導体装置の製造が可能となると
いう格別の効果がある。
イド層を形成する際にパッシベーション膜中の鉛と白金
との反応を防止するためにコンタクト孔内にスパッタ白
金を写真製版したもので、鉛と白金との反応を防止する
ことができ、高信頼度半導体装置の製造が可能となると
いう格別の効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例による半導体
装置の製造工程を示す断面図、第２図は従来の一実施例
による半導体装置の断面図である０図中、（１）はＮ型
半導体基板、（２）は酸化膜、（３）はＰ型拡散層、（
４）はパッシベーション膜、（５）は第１のコンタクト
孔、（６）は白金シリサイド層、（７）はバリアメタル
、（８）はフォトレジスト膜、（９）は金電極を示す。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
装置の製造工程を示す断面図、第２図は従来の一実施例
による半導体装置の断面図である０図中、（１）はＮ型
半導体基板、（２）は酸化膜、（３）はＰ型拡散層、（
４）はパッシベーション膜、（５）は第１のコンタクト
孔、（６）は白金シリサイド層、（７）はバリアメタル
、（８）はフォトレジスト膜、（９）は金電極を示す。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上にパッシベーション層として鉛ガラスを
形成する工程と、上記鉛ガラスに第１のコンタクトホー
ルを開孔する工程と、上記第１のコンタクトホール内に
鉛ガラスに接触しないように、白金を写真製版する工程
とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23745386A JPS6392017A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23745386A JPS6392017A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6392017A true JPS6392017A (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=17015568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23745386A Pending JPS6392017A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6392017A (ja) |
-
1986
- 1986-10-06 JP JP23745386A patent/JPS6392017A/ja active Pending
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