JPS6388826A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6388826A JPS6388826A JP23484786A JP23484786A JPS6388826A JP S6388826 A JPS6388826 A JP S6388826A JP 23484786 A JP23484786 A JP 23484786A JP 23484786 A JP23484786 A JP 23484786A JP S6388826 A JPS6388826 A JP S6388826A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法、特に半導体基板の薄
膜形成前の表面処理方法に関するものである。
膜形成前の表面処理方法に関するものである。
半導体装置の製造において、半導体基板上に種々の機能
を持った材料の薄膜形成が行なわれる。
を持った材料の薄膜形成が行なわれる。
ところが、通常の空気雰囲気にさらされた半導体膜が存
在し、これを除去することなしにこの基板上に薄膜を形
成すると、薄膜と基板との界面に自然酸化膜が残存し、
その界面の付着特性、電気特性、光学特性等に悪影響を
与える要因となる。
在し、これを除去することなしにこの基板上に薄膜を形
成すると、薄膜と基板との界面に自然酸化膜が残存し、
その界面の付着特性、電気特性、光学特性等に悪影響を
与える要因となる。
また、特に基板上に薄膜をエピタキシャル成長させるに
あたっては、この自然酸化膜の存在が薄膜の結晶性に著
しい悪影響を与えることが知られている。
あたっては、この自然酸化膜の存在が薄膜の結晶性に著
しい悪影響を与えることが知られている。
そこで、薄膜を基板上に堆積させる前に自然酸化膜を除
去することが高品質の薄膜を得る上で重要であるが従来
、低い基板温度で自然酸化膜を除く方法として電界加速
されたアルゴンイオンを照射して物理的なスパッタリン
グ現象によシ除去するという方法が行なわれていた。
去することが高品質の薄膜を得る上で重要であるが従来
、低い基板温度で自然酸化膜を除く方法として電界加速
されたアルゴンイオンを照射して物理的なスパッタリン
グ現象によシ除去するという方法が行なわれていた。
なお、このような半導体装置の製造方法は、例えば日本
応用物理学会誌(’L+LDonahue et。
応用物理学会誌(’L+LDonahue et。
mA :J、Appl、Phys、 57 (1985
) 2757)を山下義典他:月刊Sem1eondu
etorWorld 1986.3P42〜49などに
記載されている。
) 2757)を山下義典他:月刊Sem1eondu
etorWorld 1986.3P42〜49などに
記載されている。
第4図および第5図は従来の電界加速されたアルゴンイ
オンを照射する方法を説明するための図で、第4図はそ
の方法を実施するためのプラズマエンハンス)CVD装
置の構成の一例を示し、第5図(a) t (b) t
(e)はこの装置による工程の断面図である。まず、
第4図において、1は真空容器、2は真空排気系と接続
された排気パイプ、3は空気雰囲気にさらされて表面を
自然酸化膜でおおわれた半導体基板、4は表面処理用ガ
スであるアルゴンガスが充填されたガス容器、5はこの
処理が実施された直後に半導体基板3上に薄膜を堆積さ
せるための薄膜形成用ガスが充填されたガス容器、6は
表面処理用ガスおよび薄膜形成用ガスを真空容器1内に
導くためのガス導入パイプ、γはプラズマを発生させる
ための高周波コイル、8は高周波電源、9は半導体基板
3に負のバイアス電圧を与えるための直流電源である。
オンを照射する方法を説明するための図で、第4図はそ
の方法を実施するためのプラズマエンハンス)CVD装
置の構成の一例を示し、第5図(a) t (b) t
(e)はこの装置による工程の断面図である。まず、
第4図において、1は真空容器、2は真空排気系と接続
された排気パイプ、3は空気雰囲気にさらされて表面を
自然酸化膜でおおわれた半導体基板、4は表面処理用ガ
スであるアルゴンガスが充填されたガス容器、5はこの
処理が実施された直後に半導体基板3上に薄膜を堆積さ
せるための薄膜形成用ガスが充填されたガス容器、6は
表面処理用ガスおよび薄膜形成用ガスを真空容器1内に
導くためのガス導入パイプ、γはプラズマを発生させる
ための高周波コイル、8は高周波電源、9は半導体基板
3に負のバイアス電圧を与えるための直流電源である。
次に第4図を用いて自然酸化膜の除去方法について説明
する。ここでは半導体基板としてSi基板を用いた場合
について説明する。まず、第4図に示すように真空容器
1内に第5図(、)に示すようなバルク部3aの表面に
自然酸化膜3bで覆われたSi基板3を挿入し、排気パ
イプ2′!f−通して真空排気した後ガス容器4に充填
された表面処理用ガスであるアルゴンをガス導入バイブ
ロを通して真空容器1内の圧力が10−”〜1 ’I’
orr程度になるように導入し、高周波電源8を動作さ
せると、真空容器1内にプラズマが発生する。この時S
i基板3に直流電源9を用いて負のバイアス電圧を印加
すると、第5図価)に示すようにプラズマ中に存在する
アルゴンイオン20がその電圧により加速されてSi基
板3の表面を衝撃するいわゆるスパッタエツチング現象
が生じてSi基板3の表面をおおう自然酸化膜3bを除
去することができる(第5図(c) ) oこの処理の
直後にアルゴンガスにかわって薄膜形成用ガスをガス容
器5から真空容器1に導入してSi基板上に薄膜を形成
させる。
する。ここでは半導体基板としてSi基板を用いた場合
について説明する。まず、第4図に示すように真空容器
1内に第5図(、)に示すようなバルク部3aの表面に
自然酸化膜3bで覆われたSi基板3を挿入し、排気パ
イプ2′!f−通して真空排気した後ガス容器4に充填
された表面処理用ガスであるアルゴンをガス導入バイブ
ロを通して真空容器1内の圧力が10−”〜1 ’I’
orr程度になるように導入し、高周波電源8を動作さ
せると、真空容器1内にプラズマが発生する。この時S
i基板3に直流電源9を用いて負のバイアス電圧を印加
すると、第5図価)に示すようにプラズマ中に存在する
アルゴンイオン20がその電圧により加速されてSi基
板3の表面を衝撃するいわゆるスパッタエツチング現象
が生じてSi基板3の表面をおおう自然酸化膜3bを除
去することができる(第5図(c) ) oこの処理の
直後にアルゴンガスにかわって薄膜形成用ガスをガス容
器5から真空容器1に導入してSi基板上に薄膜を形成
させる。
従来の電界加速されたアルゴンイオンを照射する方法は
、第5図(c)に示すように半導体基板3の表面の結晶
性が損なわれ非晶質化された層3Cによシ表面がおおわ
れてしまい、その上に堆積された薄膜との界面の電気特
性や光学特性および堆積された薄膜の品質に悪影響を与
えるという問題があった。
、第5図(c)に示すように半導体基板3の表面の結晶
性が損なわれ非晶質化された層3Cによシ表面がおおわ
れてしまい、その上に堆積された薄膜との界面の電気特
性や光学特性および堆積された薄膜の品質に悪影響を与
えるという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、薄膜形成装置の真空容器の中に置かれた半導
体基板の表面の自然酸化膜を、基板表面の結晶性を損な
うことなしに約500℃以下の低温で除去することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
0 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置の製造方法は、薄膜形成装置
の真空容器の中に置かれた半導体基板の表面に、電界加
速されたアルゴンイオンを照射し、引き続き活性化され
た水素ガスないしは塩素ガスを照射するものである。
たもので、薄膜形成装置の真空容器の中に置かれた半導
体基板の表面の自然酸化膜を、基板表面の結晶性を損な
うことなしに約500℃以下の低温で除去することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
0 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置の製造方法は、薄膜形成装置
の真空容器の中に置かれた半導体基板の表面に、電界加
速されたアルゴンイオンを照射し、引き続き活性化され
た水素ガスないしは塩素ガスを照射するものである。
この発明における半導体装置の製造方法は、電界加速さ
れたアルゴンイオンを照射する工程において、半導体基
板の表面の自然酸化膜を物理的なスパッタエツチング作
用によシ除去し、次に活性化された水素ガスないしは塩
素ガスを照射する工程において、先の工程で基板表面に
生じた結晶性を損ない非晶質化した層が化学的なエツチ
ング作用によシ除去される。
れたアルゴンイオンを照射する工程において、半導体基
板の表面の自然酸化膜を物理的なスパッタエツチング作
用によシ除去し、次に活性化された水素ガスないしは塩
素ガスを照射する工程において、先の工程で基板表面に
生じた結晶性を損ない非晶質化した層が化学的なエツチ
ング作用によシ除去される。
以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する0
第1図および第2図はこの発明による半導体装置の製造
方法の一実施例を説明するための図で、第1図はその方
法を実施するだめのプラズマエンハンス)CVD装置の
構成図、第2図(、)〜(d)はその工程の断面図であ
シ、前述の図と同一または相当する部分には同一符号を
付しである。
方法の一実施例を説明するための図で、第1図はその方
法を実施するだめのプラズマエンハンス)CVD装置の
構成図、第2図(、)〜(d)はその工程の断面図であ
シ、前述の図と同一または相当する部分には同一符号を
付しである。
まず、第1図において、ガス導入パイプ6には、表面処
理用ガスである水素ガスないしは塩素ガスが充填された
ガス容器10が結合されている。
理用ガスである水素ガスないしは塩素ガスが充填された
ガス容器10が結合されている。
次に第1図に示すCVD装置を用いてその方法を説明す
る。
る。
第1図に示すCVD装置において、真空容器1内に第2
図(、)に示すようにバルク部3mの表面に自然酸化膜
3bが形成された半導体基板3を挿入し、内部を排気パ
イプ2を通して真空排気した後、まず、第1の工程とし
て、ガス容器4に充填された表面処理用ガスであるアル
ゴンをガス導入バイブロよシ真空容器1内の圧力がlO
″″2〜ITorr程度になるように導入する。次に高
周波電源8を動作させて真空容器1内にアルゴンプラズ
マを作、り、St基板3に直流電源9を用いて負のバイ
アス電圧を印加することによシ、第2図(b)に示すよ
うにそのプラズマ中のアルゴンイオン20を加速してS
i基板3上の自然酸化膜3b上に照射させる。この第1
の工程によシS1基板3の表面をおおう自然酸化膜3b
はスパッタエツチングされて除去される。しかし、第2
図(c)に示すように第1の工程後のSi基板30表面
は結晶性が損なわれ非晶質化されたSlの層3cでおお
われている。
図(、)に示すようにバルク部3mの表面に自然酸化膜
3bが形成された半導体基板3を挿入し、内部を排気パ
イプ2を通して真空排気した後、まず、第1の工程とし
て、ガス容器4に充填された表面処理用ガスであるアル
ゴンをガス導入バイブロよシ真空容器1内の圧力がlO
″″2〜ITorr程度になるように導入する。次に高
周波電源8を動作させて真空容器1内にアルゴンプラズ
マを作、り、St基板3に直流電源9を用いて負のバイ
アス電圧を印加することによシ、第2図(b)に示すよ
うにそのプラズマ中のアルゴンイオン20を加速してS
i基板3上の自然酸化膜3b上に照射させる。この第1
の工程によシS1基板3の表面をおおう自然酸化膜3b
はスパッタエツチングされて除去される。しかし、第2
図(c)に示すように第1の工程後のSi基板30表面
は結晶性が損なわれ非晶質化されたSlの層3cでおお
われている。
次に第2の工程として第1図に示すガス容器10内に充
填された表面処理用ガスである水素ないしは塩素を第1
の工程で用いたアルゴンにかわってガス導入バイブロよ
シ真空容器1内に導入し、高周波電源9を動作させてプ
ラズマを発生させる。
填された表面処理用ガスである水素ないしは塩素を第1
の工程で用いたアルゴンにかわってガス導入バイブロよ
シ真空容器1内に導入し、高周波電源9を動作させてプ
ラズマを発生させる。
この時水垢ガスを用いる場合は必要に応じて負のバイア
ス電圧を加えても良いが、塩素ガスの場合は加えないこ
とが望ましい。この第2の工程において、第2図(c)
に示すように活性化された水素ガスないしは塩素ガス2
1がSt基板3の表面に形成された非晶質化された層3
cを照射することによシ、表面の非晶質化された層3c
は水素化物ないしは塩化物となって順次基板3の表面が
ら脱離する。これによって非晶質化したN3cは基板3
の表面から除去される(第2図(d))。この第1の工
程および第2の工程の終了直後に表面処理用ガスにかわ
って薄膜形成用ガスをガス容器5から真空容器1内に導
入し、所定の方法によシSl基板3上に薄膜を形成させ
る。
ス電圧を加えても良いが、塩素ガスの場合は加えないこ
とが望ましい。この第2の工程において、第2図(c)
に示すように活性化された水素ガスないしは塩素ガス2
1がSt基板3の表面に形成された非晶質化された層3
cを照射することによシ、表面の非晶質化された層3c
は水素化物ないしは塩化物となって順次基板3の表面が
ら脱離する。これによって非晶質化したN3cは基板3
の表面から除去される(第2図(d))。この第1の工
程および第2の工程の終了直後に表面処理用ガスにかわ
って薄膜形成用ガスをガス容器5から真空容器1内に導
入し、所定の方法によシSl基板3上に薄膜を形成させ
る。
なお上記実施例では、第1図に示すプラズマエンハンス
) CVD装置を用いて実施した場合について説明した
が、第3図に示すCVD装置を用いても同様に有効であ
る。ただし第3図において、真空容器1.排気パイプ2
.半導体基板3.アルゴンガス容器4.ガス導入バイブ
ロ、水素ガスないしii塩素ガスが充填されたガス容器
10は第1囚の構成と同じないしは相当部分であシ、1
1は励起ガス生成源で電界加速されたガスイオンないし
は活性化されたガスを生成するもので、12はこの発明
の処理工程の後に薄膜を堆積させるための蒸着源である
。この装置構成では、励起ガス生成源11を用いて第1
の工程の電界加速されたアルゴンイオン20の照射およ
び第2の工程の活性化された水素ガスないしは塩素ガス
21の照射が行なわれる。
) CVD装置を用いて実施した場合について説明した
が、第3図に示すCVD装置を用いても同様に有効であ
る。ただし第3図において、真空容器1.排気パイプ2
.半導体基板3.アルゴンガス容器4.ガス導入バイブ
ロ、水素ガスないしii塩素ガスが充填されたガス容器
10は第1囚の構成と同じないしは相当部分であシ、1
1は励起ガス生成源で電界加速されたガスイオンないし
は活性化されたガスを生成するもので、12はこの発明
の処理工程の後に薄膜を堆積させるための蒸着源である
。この装置構成では、励起ガス生成源11を用いて第1
の工程の電界加速されたアルゴンイオン20の照射およ
び第2の工程の活性化された水素ガスないしは塩素ガス
21の照射が行なわれる。
また、上記実施例では、半導体基板としてSt基板を用
いた場合について説明したが、Geや化合物半導体であ
るGaAs 、InP等に対しても同様に有効である。
いた場合について説明したが、Geや化合物半導体であ
るGaAs 、InP等に対しても同様に有効である。
以上説明したようにこの発明によれば、薄膜形成装置の
真空容器の中に置かれた半導体基板の薄膜形成前の表面
処理を、その基板表面に電界加速されたアルゴンイオン
を照射する第1の工程と活性化された水素ガスないしは
塩素ガスを照射する第2の工程とを用いて引き続き行な
ったので、基板表面の自然酸化膜を表面の結晶性を損な
うことなしに約500℃以下の低温で除去できるという
極めて優れた効果が得られる。
真空容器の中に置かれた半導体基板の薄膜形成前の表面
処理を、その基板表面に電界加速されたアルゴンイオン
を照射する第1の工程と活性化された水素ガスないしは
塩素ガスを照射する第2の工程とを用いて引き続き行な
ったので、基板表面の自然酸化膜を表面の結晶性を損な
うことなしに約500℃以下の低温で除去できるという
極めて優れた効果が得られる。
第1図は本発明による半導体装置の製造方法を説明する
ためのCVD装置の構成図、第2図(、)〜(d)は本
発明による半導体装置の製造方法の一実施例を説明する
工程の断面図、第3図は本発明の他の実施例を説明する
ためのCVD装置の構成図、第4図は従来の半導体装置
の製造方法を説明するためのCVD装置の構成図、第5
図(a)〜(c)は従来の半導体装置の製造方法を説明
する工程の断面図である。 1・・・・真空容器、2・・・・排気パイプ、3・・・
・半導体基板、3纂 ・・・・バ・ルク部、3b・・・
・自然酸化膜、3c・会・・非晶質化された層、4・・
・・アルゴンガスが充填されたガス容器、7・・・・高
周波コイル、8・・・・高周波電源、9・・・・直流電
源、10・・・・水素ガスないしは塩素ガスが充填され
たガス容器、11−・・会励起ガス生成源。。
ためのCVD装置の構成図、第2図(、)〜(d)は本
発明による半導体装置の製造方法の一実施例を説明する
工程の断面図、第3図は本発明の他の実施例を説明する
ためのCVD装置の構成図、第4図は従来の半導体装置
の製造方法を説明するためのCVD装置の構成図、第5
図(a)〜(c)は従来の半導体装置の製造方法を説明
する工程の断面図である。 1・・・・真空容器、2・・・・排気パイプ、3・・・
・半導体基板、3纂 ・・・・バ・ルク部、3b・・・
・自然酸化膜、3c・会・・非晶質化された層、4・・
・・アルゴンガスが充填されたガス容器、7・・・・高
周波コイル、8・・・・高周波電源、9・・・・直流電
源、10・・・・水素ガスないしは塩素ガスが充填され
たガス容器、11−・・会励起ガス生成源。。
Claims (1)
- 表面に酸化膜が形成された半導体基板の表面に電界加速
されたアルゴンイオンを照射した後、引き続き活性化さ
れた水素ガスまたは塩素ガスを照射して前記半導体基板
の薄膜形成前の表面処理を行なうことを特徴とした半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23484786A JPS6388826A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23484786A JPS6388826A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6388826A true JPS6388826A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16977292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23484786A Pending JPS6388826A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6388826A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6566754B2 (en) | 1998-11-19 | 2003-05-20 | Fujitsu Limited | Polycrystalline semiconductor device and its manufacture method |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP23484786A patent/JPS6388826A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6566754B2 (en) | 1998-11-19 | 2003-05-20 | Fujitsu Limited | Polycrystalline semiconductor device and its manufacture method |
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