JPS6388514A - カメラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の利用分野） 本発明は、焦点検出機能とスポット測光機能どを右する
カメラの改良に関するものである。

（発明の背景） 従来より焦点検出機能を備えたカメラにおいては、一般
的に撮影Ｉ／ンズの光軸上もしくは若干ずれた位置に焦
点検出光学系を配置した構成となっているが、これに加
えて該カメラにスポット測光機能をも付加しようとした
場合、以下の様な問題点があった。つまり、スポット測
光光学系も前記フ、１．九点検出光学系とほぼ同様の位
置に、すなわち撮影レンズの光軸近傍に配置する必要が
ある為、ハーフミラ−等でその光路を分割するなどの１
夫を要）７、その結果構成が複雑になると共に、光ｒｊ
的にも不利なものであった。

また、ファインダーの近傍にスポット４１１光センサ等
を配置したカメラも既にあるが、この様なものにおいて
は焦点板の中央のスプリット位置を通過した光束を測光
する方式である為、正藉なａｌｌｌ光を行うことができ
なかった。又前述と同様ハーフミラ−等でその光路を分
割する必要がある為、構成的にも光量的にも不利なもの
であった。さらに、焦点検出用センサとスポット測光用
センサを共用するといったカメラも提案されているが、
測光エリアが非常に小さなものとなって１−５ようとい
った！１９や、時系列に測光と測距とを行わなければな
らないことから撮影に時間を要するといった問題があっ
た。

（発明の［１的） 本発明の目的は、上述した問題を解決し、複雑な構成に
することなく、焦点検出機能及びスポラ）　７Ｎ＋１１
光機能の夫々の性能を最大限に引き出すことのできるカ
メラを提供することである。

（発明の特徴） −Ｆ二記目的を達成するために、本発明は、視野マスク
の開口領域を被写体の二次像がラインセンサの両側まで
導かれるように設定し、且つ測光重心がほぼ前記ライン
センサ上に位置するように前記ラインセンサの両側で且
つ前記二次像の照射領域にスポット測光用センサを配置
し、以て、センサをスポットＮｌｌ光用センサと焦点検
出用のラインセンサとを別々に設けながら、撮影視野の
中心を測光エリア及び測距エリアの中心を一致させるよ
うにしたことを特徴とする。

（発明の実施例） 以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。

第１〜３図は本発明の一実施例を示すものであり、：５
１図はストロボが装着された状態での断面図である。第
１図において、ｌはカメラボディ、２は撮影レンズ３を
光軸４の方向に移動可能に保持するレンズ鏡筒、５はサ
ブミラー６と共に前記撮影レンズ３を透過した被写体光
をファインダー系とＡＦ・測光系に分離する主ミラー、
７はペンタプリズム８及び接眼レンズ９と共にファイン
ダー系を構成するピントグラス、１０は、フィルードレ
ンズｌｌ、二次結像レンズ１２．ＡＦ用テラインセンサ
ＡＥ用センサとが配置（詳細は後述）されるセンサ！″
［！１３ａ等を有するＡＦ・ＡＥ川用ンサ１３．センサ
部１４ａ等を有するＴＴＬストロボ調光用センサ１４と
を有するＡＦ・測光系（ここではＴＴＬストロボ調光系
とＡＥ系の両方の系を測光系と称している）を成すＡＦ
φ測光ユニット、１５はシャッタ、１６はストロボ、１
７は閃光発光部、１８はＡ、　Ｆ用近赤外線補助光発光
部である。

第２．３図は第１図にて示したＡＦ−測光ユニット１０
の主要部のみの詳細図であり、第２図はその断面図であ
り、第３図はその展開斜視図である。

本体ブロック１９の上面側には、視野マスク２０、透過
率の異なる領域２１ａ、２１ｂを有する赤外カットフィ
ルタ２１、フィールドレンズ１１の順番でそれぞれが取
り付けられ、また下面側には、絞り２２、二次結像レン
ズ１２、押えばね２３、センサブロック２４、センサホ
ルダ２５、ＡＦ−ＡＥ用センサ１３の順番でそれぞれが
取り付けられる。更に本体ブロック１９には、フィルム
面よりの反射光を前記フィールドレンズ１１を介して受
光する事のできる位置にＴＴＬストロボ調光川セ用サ１
４が取り付けられる。

前記絞り２２は第３図に示す様に直交して設けられた対
のｉ川口Ｍ２２ａ、２２ｂと２２ｃ　、２２ｄを、イ１
すると共に、これら開口部の中心Ａと一致した点を半径
とする弧を持つ位置決め部２２ｅ。

２２ｆ及びばね部２２ｇ、ｉ穴２２ｈとを有している。

レンズ部１２ａ〜１２ｄを有する二次結像レンズ１２は
前述の様な各部を有する絞り２２を本体ブロック１９と
の間に挟み込んだ状態でビン１２ｅ　、１２ｆによって
位置決めされ、押えばね２３によって固定される（第２
図参照）、この様な状態において、前記二次結像レンズ
１２のレンズ部１２ａ−１２ｄは前記開口部２２ａ　〜
２２ｄと対応した位置関係にあり（詳細は後述）、また
前記位置決め部２２ｅ　、２２ｆには二次結像レンズ１
２のビン１２ｇ、１２ｈが、ばね部２２ｇにはビン１２
ｉが、それぞれ挿入される。前記ばね部２２ｇにビン１
２ｉが挿入されることにより、ｌｉｋばね部２２ｇは第
２図の様に変形し、絞り２２を位置決め部２２ｅ　、２
２ｆの方向に付勢する力を生じる。したがって、偏心ビ
ン２６を絞り２２の長穴２２ｈを介して本体ブロック１
９の穴に差し込み、これを回転させることによって絞り
２２の各間［１部の中心Ａを軸とした該絞り２２の微小
角回転（第２図矢印Ｂ方向）がＯｒ能となる。

前記二次結像レンズ１２の下部には前述した様にセンサ
ブロック２４．センサホルダ２５が配置されるが、これ
らは取付はビス２７．ワッシャ２８、偏心ビン２９と共
にさらにその下部に配置されるＡＦ・ＡＥ用センサ１３
の傾きｙ４整機構を成している。前記ＡＦ−ＡＥ用セン
サ１３はセンサホルダ２５の取付は面２５ａに接着され
、このセンサホルダ２５は取付は穴２４ａ、２４ｂを有
するセンサブロック２４の円弧状取付は面２４ｃに前記
取付は穴２４ａを介して取付はビス２７゜ワッシャ２８
によって固定される。

ここで、前記円弧状取付は面２゛４ＣのＲ中心は第２図
に想定して描いた軸Ｃであり、またセンサブロック２４
の取付は穴２４ａは長穴になっている為、第２図矢印り
方向の傾斜調整が可能である。さらにセンサホルダ２５
は前記取付は穴２４ａと同様長穴となっている取付は穴
２４ｂを介して偏心ビン２９によってもセンサブロック
２４に固定され、又センサホルダ２５の屈曲部２５ｂの
肉厚を十分に薄くして可撓性を持たせである為。

前記偏心ビン２９を回転さぜることによって第２図に惹
！定して描いた軸Ｅをほぼ中心として第２図矢印Ｆ方向
の傾斜調整が可能である。

以−Ｌの様な構成より成るＡＦ−測光ユニット１０にお
いて、以ＦにＴＴＬストロボ調光調光量Ｆ系、ＡＥ系の
それぞれについて説明する。

まずＴＴＬストロボ調光調光量下の実施例においては調
光系と略記する）について述べる。調光系は、ストロボ
撮影時のフィルム面の反射光をフィールドレンズ１１に
より調光用センサ１４のセンサ部１４ａに取り込み、七
の受光量によってストロボ１６の発光を停止させる為の
ものである。つまり、主ミラー５．サブミラー６が−に
昇し、シャッタ１５の先幕が走行しフィルムが露出した
状態でストロボ１６が発光すると、被写体像がフィルム
上に結像し、その反射光が生じる。その一部の反射光が
第２図に示したＡＦφ測光ユニット１０の視野マスク２
０．赤外カットフィルタ２１及びフィールドレンズ１１
を通過して調光用センサ１４のセンサ部１４ａに入射し
、例えば受光される受光量が後述するスポット測光を行
うＡＥ用センサによって予め求められている測光量に達
したことが後述するマイクロコンピュータによって検知
されると、ストロボ１６側へ発光停止信号が出力され、
発光が停止する。

尚前述からもわかる様に、ＡＦ系、ＡＥ系に使用される
フィールドレンズ１１をＴＴＬ調光系に共用している為
、カメラのコンパクト化、低コスト化を実現した状態で
測光感度分布を良好なものにすることができる。

次にＡＦ系について述べる。第４図及び第５図はＡＦ系
の光路展開図である。二次結像レンズ１２には第３図に
示した様に直交して配置された対のレンズ部１２ａ、１
２ｂと１２ｃ、１２ｄを有しており、このうちのレンズ
部１２ａ、１２ｂの光軸を含む断面を表したものが第４
図であり、レンズ部１２ｃ、１２ｄの光軸を含む断面を
表したものが第５図である。尚ここでは図の簡略化の為
に絞り２２の各開口部の開口中心を通過する一次結像面
での物品がＯの光電のみを描いでおり、図中矢印Ｇの位
置が一次結像面、矢印ＨがＡＦ−ＡＦ用センサ１３のセ
ンサ面である。二次結像レンズ１２のレンズ部１２ａ〜
１２ｄには前述した様に絞り２２の開口部２２ａ〜２２
ｄがそれぞれ対応しており、これによりセンサ部１３ａ
上には４つの二次像が形成され、これらの二次像の境界
は視野マスク２０の開口像によって分離されている。絞
り２２の同一形状をした対となる開口部２２ａと２２ｂ
の間隔は開口部２２ｃと２２ｄの間隔よりも狭くなって
おり、これらの開口部はフィールドレンズ１１によって
撮影レンズ３の篩上に投彩されている。この様子を示し
たのが第６図である０図中３０は撮影レンズ３の射出瞳
。

３１ａ〜３１ｄはそれぞれ絞り２２の開［１部２２ａ〜
２２ｄに対応する瞳面ｔｚでの領域である。

一般的なカメラ用撮影レンズの場合にはＭ、Ｎの領域を
それぞれＦ４　、Ｆ８程度に選べばよい。

ＡＦ−ＡＥ用センサ１３のセンサ部１３ａ上での二次像
の様子を示したのが第７図である。センサ１３ａ上には
縦方向測距と横方向測距を行うＡＦ用のラインセンサＳ
ＡＡ　、ＳＡＢとＳＡＣ、ＳＡＤと、前記ラインセンサ
ＳＡＡ　、ＳＡＢに隣接（Ｎ１１１距エリアを挟む様に
）して２つのＡＥ用のセンサＳＡＥ　、ＳＡＦが配こさ
れ、このにに二次像３２ａ〜３２ｄが二次結像レンズ１
２によって投影される。前記二次像３２ａ、３２ｂは撮
影レンズ３の瞳−１−に領域３１ａ、３１ｂを通過した
光束による被写体像であり、二次像３２ｃ、３２ｄはは
領域３１ｃ、３１ｄを通過した光束による被写体像であ
る。尚破線部３２ｅ　、３２ｆはサブミラー６によって
欠られてしまう像領域である。またセンサ部１３ａ上に
配置されている３３ａ〜３３ｄは前記ラインセンサ５Ａ
Ａ−ＳＡＢのセンナ駆動回路で、この部分への光の入射
がセンサ出力に対して影響しないように遮光用アルミ層
がこのＬに形成されている。

第８図はデフォーカス量演算の説明図であり、ラインセ
ンサ５ＡＡ−３ＡＤの各出力をそれぞれＡ像〜Ｄ像とし
て表している。第６図で説明した様に、Ａ、Ｂ像は膝上
の領域３１ａ、３１ｂを通過した光束によって形成され
、一方Ｃ，Ｄ像はより外側の領域３１ｃ、３１ｄを通過
した光束によって形成されている為、撮影レンズ３のデ
フォーカスに対する像ずれ驕はＣ，Ｄ像の方がＡ、Ｂ像
よりも大きい、つまりｆｊＳｇ図において。

位相差ｘ１よりもｘ２の方が大きい、この位相差Ｘ、、
Ｘ２情ｆシが前記センサ駆動回路３３ａ〜３３ｄを介し
て後述するマイクロコンピュータへ伝達され、ここでデ
フォーカス量の演算が行われて撮影レンズ３の焦点制御
が実行されるわけであるが、ラインセンサＳＡＡ　、Ｓ
ＡＢとＳＡＣ、ＳＡＤの両方にて測距を行う場合におい
ては、Ｃ，Ｄ像からの演算結果の方が像ずれ量が大きい
為、こちらの結果を使用した方が焦点検出精度が高いも
のとなる。

第９図はカメラのファインダ視野内の測距エリアを示す
図である０図中３４はカメラのファインダ視野、３５は
前記ファインダ視野３４内における測距エリアを想定し
て描いたものであり、横方向の測距エリアがラインセン
サＳＡＡ　、５ＡＢ（７）逆投影像、縦方向の測距エリ
アがラインセンサＳＡＣ、ＳＡＤの逆投影像に一致して
いる。

第１０図は二次結像レンズ１２に製造誤差を生じている
場合におけるＡＦ−ＡＥ用センサ１３のセンサ１３ａ上
での様子を示したものである。つまり第１１図（ａ）に
示す様に理想とする二次結像レンズ１２内の各レンズ部
の位置関係が、第１１図（ｂ）の様に誤差（絞り２２の
各開口部２２ａ〜２２ｄに対して）を生じている場合を
想定している。この様にし７ズ部１２ａ、１２ｂと１２
ｃ。

１２ｄの直角度が出ていない時は第１０図のようニ二次
像３２ａ、３２ｂと３２ｃ、３２ｄの直角度も、９くな
る。したがって、二次像３２ａ、３２ｂに対してライン
センサＳＡＡ　、ＳＡＢの位８を合わせると、一方で二
次像３２ｃ　、３２ｄに対するラインセンサＳＡＣ、Ｓ
ＡＤの位置合わせは不可能となる。その結果、ラインセ
ンサＳＡＣ、５ＡＤｉ−へは被写体の異なる部分が投影
されることになり、該測距エリアに対して第１２図に示
す様に斜め線をもつ輝度パターンの被写体像が入射１゜
た時には合焦エラーを生じ、このままでは不都合である
。そこで、この様な場合には絞り２２を第３図矢印Ｂ方
向に回転し、ラインセンサＳＡＣ。

ＳＡＤに対する二次像３２ｃ　、３２ｄの位置合わせを
行う。

第１３図は先の説明（位置合わせ）を助ける為の図で、
核間は第５図において二次結像レンズ１２を矢印１方向
から見たものである０図中Ｊはレンズ部１２ｃ、１２ｄ
の二次結像面であり、この様にレンズ部１２ｃ、１２ｄ
の結像面はＡＦφＡＥ用センサ１３のセンサ面Ｈより後
方に位置し、センサ面上上にはデフォーカスした像が投
影される。一方レンズ部１２ａ、１２ｂの結像面はセン
サ面Ｈと一致し、ピントの合った像がラインセンサＳＡ
Ａ　、ＳＡＢに投影される。換言すれば、二次結像レン
ズ１２の製造誤差に伴う補正を行える様に、レンズ部１
２ａ、１２ｂの結像面はセンサ面Ｈに一致させ、レンズ
部１２ｃ、１２ｄの結像面は後方（前方であってもよい
）に位置、すなわちセンサ面上上にはデフォーカスした
像が投影されるように構成している。尚核間において、
Ｋはレンズ部１２ａとレンズ部１２ｂによって決定され
た軸、Ｌはレンズ部１２ｃの軸、Ｕは絞り２２の位置か
らセンサ面Ｈまでの距離、Ｖはセンサ面Ｈから二次結像
面Ｊまでの距離である。

ここでレンズ部１２ｅの軸りがδだけ偏心している詩、
二次結像面Ｊ−Ｆでの像位置のずれがεだけ生じたとす
ると、二次結像倍率をβとしてε＝δ（１＋β）（１） なる関係が成る立つ、この時、センサ面上上での像位置
のずれはα（＝　ｅ　ｅｕ／　（ｕ＋ｖ））である、こ
のずれαは像がデフォーカスしている為、絞り２２の開
口部２２ｅ　、２２ｄの位置を移動することで変化させ
ることができる。よって、二次結像面Ｊで（だけ位置ず
れを生じた像をセンサ面Ｈ，Ｊ−で軸にと交差するよう
に調整すれば、第１２図で示した斜め線をもつ被写体像
が入射したとしても合焦エラーはなくなるわけで、その
為には絞り２２の開口部２２ｃｌｃだけ移動すればよく
。

この移動量Ｃは以下なる式により求めることができる。

つまり、移動量ｃを前記距ａＵ　、　Ｖ　、偏心ｙＩＸ
δ、二次ｈ〜像倍率βで表すど ＠　／　ｖ　＝　ｅ　／　ｕ Ｃ＝ｕ・ε／ｖ　　　　　　　　　　（２）前記（＋）
、（２）式より Ｃ＝ｕδ（１＋β）／ｖ　　　　　　（３）となる、前
記式より得られる移動量Ｃだけ絞り２２（開［］部２２
ｅ、２２ｄ）を移動させるのは。

第２．３図に示した偏心ビン２６を回転することによっ
て可能である。この時他方の二次像３２ａ、３２ｂにつ
いてはピントの合った像がセンサ面上上に形成されてい
る為、絞り２２の回転によって影響を与えることはない
、仮に、製造誤差によってＡＦ−ＡＥ用センサ１３の光
軸方向位置がずれていたとしても、二次像３２ａ、３２
ｂを形成する絞り２２の開口部２２ａ、２２ｂは内側に
位置している為（開口部２２ｃ　、２２ｄに対して）、
絞り２２の回転に伴う前記開口部の移動は比較的小さく
、それによる像位置のずれも微小量となる。

次にＡＥ系について述べる。ＡＥ用センサＳＡＥ、ＳＡ
Ｆは第７図により説明した様に、ラインセンサＳＡＡ　
、ＳＡＢに隣接した位置に配置され、絞り２２の開口部
２２ａ、２２ｂを通過した光束、すなわち第６図に示し
た射出瞳上の領域３１ａ、３１ｂを通過した光束によっ
て視野マスク２０の開口像（開口形状内を通過した被写
体像）が投影されている。したがって、ＡＥ用センサＳ
ＡＥ　、ＳＡＦの合成された測光エリアは第１４図に示
すスポット状、厳密に言うとファインダ視野３４内にお
いて、視野マスク２０の開口像からラインセンサＳＡＡ
　、ＳＡＢに対応する長方形状エリア３５ｃを除いたも
の（第１４図の３５ａ、３５ｂで示したエリア）となる
、前記長方形状エリア３５ｃの面積はかなり小さい為、
測光感度分布としてはほとんど視野マスク２０の開口形
状と見なすことができる。この様にラインセンサＳＡＡ
、ＳＡＢのセンサ駆動回路３２ａ、３２ｂとＡＥ用セン
サＳＡＥ　、ＳＡＦとをたすき状に配置することによっ
て、その合成感度分布（測光エリア）を測距エリアを囲
む画面中央部（撮影視野中心）とすることが可能である
。よってスポットｆｉ１１光撮影に際してはこの測光エ
リアにより測光された値に基づいて露出時間制御、つま
りは後述するマイクロコンピュータによりシャッタ１５
及び不図示の絞り制御が行われる。

第１５図は第７図に示したラインセンサＳＡＡ　、ＳＡ
Ｂによる測距エリアとＡＥ用センサＳＡＥ　、ＳＡＦに
よる測光エリアとの関係が同一となる他の実施例を示す
ものである。また、第１６図はラインセンサＳＡＣ、Ｓ
ＡＤのセンサ駆動回路３２ｃ　、３２ｄに対してたすき
状にＡＥ用センサＳＡＧ　、ＳＡＨとを新たに加えた別
の実施例を示すものであり、ＡＥ用センサＳＡＥ　、Ｓ
ＡＦ及びＳＡＧ　、ＳＡＨの合成された測光エリアは第
１７図に示すほぼスポット状となる。これらの各実施例
においても、その合成感度分布（測光エリア）を測距エ
リアを囲む画面中央部（撮影視野中心）とすることが可
能である。

ところで本実施例において、調光系、ＡＦ系。

ＡＥ系はその光路を共有しているが、それぞれのセンサ
に入射する光の波長域はそれらの糸筋に制限する必要が
ある。つまり、調光系とＡＥ系はその分光感度特性をフ
ィルムの分光感度特性に合致させることが望ましく、一
方ＡＦ系は低輝度被写体に対して例えば近赤外補助光が
用いられることから、近赤外光まで感度を有さなければ
ならない、なお近赤外補助光が用いられない場合であっ
ても、できるだけ多くの光は取り込みたい（Ｕ距精度を
高める）と言う理由から、近赤外光まで感度を有するこ
とが望ましい、一般にセンサは１０００　ｎ、　ｍ以」
二の波長の光に対しても感度がある為、赤外光は光学的
フィルタによってカットする必要がある。

第１８図は前記要求を達成することを可能とした赤外カ
ットフィルタ２１を示す図であり、核間に示した３８ａ
、３６ｂがＡＥ系における有効部、３７が調光系におけ
る有効部である。この赤外カットフィルタ２１は分光透
過率特性の異なる２つの領域２１ａ、２１ｂから成り、
領域２１ａは例えば第１９図の如き特性を有し、領域２
１ｂはｍ２０図の如き特性を有している。すなわち領域
２１ａの赤外線カット波長は７００ｎｍ、領域２１ｂの
赤外線カット波長は７４０ｎｍとなっている。第１８図
に示す様に調光系とＡＥ系の有効部は２つの領域にまた
がって位置しているが、いずれにおいても領域２１ａの
占る割合が領域２１ｂに対して小さい為、フィルムの分
光感度特性（４００〜７００ｎｍ）に近い特性で測光を
行うことが可能である。これに対し、ＡＦ系の有効部は
領域２１ａの形状からもわかるように該領域２１ａに完
全に含まれるように構成され、ラインセンサ面上での照
度むらのないように配慮されている。

第２１図は前記構成から成る一眼レフレックスカメラの
主要部の概略を示すブロック図である。

１０１はカメラの各種動作を制御する制御回路で、例え
ば内部にＣＰＵ（中央演算処理部）、ＲＡＭ、ＲＯＭ、
ＥＥＦＲＯＭ及び入出力ボート等が配置されたｌチップ
マイクロコンピュータであり、前記ＲＯＭ並びｉ、ｍＥ
ＥＰＲＯＭ内にはＡＦ−測光制御を含む一連の制御用ソ
フトウェア及びパラメータが格納されている。１０２は
データバス、１０３は前記制御１０１より制御信号１０
４が入力している間データバス１０２を介して入力する
データを受は付け、該データに基づいて前記シャッタ１
５の先幕及び後幕の走行制御を行うシャッタ制御回路、
１０５は制御信号１０６が入力している間データバス１
０２を介して入力するデータを受は付け、該データに基
づいて不図示の絞り機構を制御する絞り制御回路、１０
７は制御信号１０８が入力している間データバス１０２
を介して人力するデータを受は付け、該データに基づい
て前記撮影レンズ３の光軸４方向の位置制御を行うレン
ズ制御回路である。１０９は前記調光用センサ１４”９
から成るＴＴＬストロボ調光回路、又１１０は前記ＡＥ
用センサＳＡＥ　、ＳＡＦ等から成るＡＥ用の測光回路
であり、これらにて光電変換された測光信号は前記制御
回路１０１へ送られ、該回路にて前述のシャッタ制御回
路１０３及び絞り制御回路１０５並びにストロボ１６を
制御する為のデータとして用いられる。

また、３３は前記制御回路１０１より入力する各信号に
従ってＣＯＤから成る前記２組のラインセンサＳＡＡ　
、ＳＡＢとＳＡＣ、ＳＡＤを制御する、第７図にて説明
したセンサ駆動回路である。

次に一連の撮影動作について簡単に説明する。

不図示のレリーズ釦の第１ストロークが行われると、撮
影レンズ３．主ミラー５．サブミラー６゜フィールドレ
ンズ１１．二次結像レンズ１２等を通過した光束がＡＥ
用センサＳＡＥ　、ＳＡＦに入射し、測光回路１１Ｏか
ら光電変換された測光信号が、すなわち被Ｙ＃−輝度情
報が制御回路１０１へ送られる。

またこれとほぼ同時に制御回路１０１はＡ像とＢ像、Ｄ
像とＤ像の位相差Ｘ　ｔ　　、　Ｘ　２を得る為に（尚
ここでは絞りとしてはＦ４以上が選択されている場合を
想定している）センサ駆動回路３３を介して、同様の光
路を通って被写体像が入射しているラインセンサＳＡを
駆動する。この昨の制御回路１０１．センサ駆゛動回路
３３、ラインセンサＳＡの各動作を説明すると、制御回
路１０１に蓄積開始信号ＳＴＲが発生すると、センサ駆
動回路３３はクリア信号ＣＬをラインセンサＳＡへ出力
し、ラインセンサＳＡＡ　、ＳＡＢ及びＳＡＣ、ＳＡＤ
の各光電変換部の電荷をクリアする。するどラインセン
サＳＡは前段に配置されている二次結像１／ンズ１２に
よって投影されている像の光電変換及び電荷蓄積動作を
開始する。前記動作が開始してから所定時間が経過する
と、センサ駆動回路３３は転送信号ＳＨをラインセンサ
ＳＡへ出力し、光電変換部に蓄積された電荷をＣＣＤ部
へ転送する。同時に前記センサ駆動回路３３は蓄積開始
信号ＥＮＤを制御回路１０１へ出力し、該制御回路１０
１よりＣＣＤ駆動クロックＣＫが入力するのを待つ、Ｃ
ＯＤ駆動駆動クロックＣ間力すると、センサ駆動回路３
３はＣＣＤ駆動信号φ１　。

φ２を生成し、該信号をラインセンサＳＡへ出力する。

ＣＣＤ駆動信号φｌ　、φ２が入力すると、ラインセン
サＳＡはこの信号に従ってアナログ像信号ＳＳＡを制御
回路ｌＯ１へ出力する。これ番こより制御回路ｌＯ１は
ＣＯＤ駆動駆動クロックＣ間期してアナログ像信号をＡ
／Ｄ変換し、像信号Ａ（り〜Ｄ　（ｉ）を得て公知の演
算方式により位相Ｘ′：Ｘ＋、Ｘｚを、すなわち焦点検
出信号を算出１２、レンズ制御回路１０７へ該データを
出力する。レンズ制御回路１０７はこれを受けて公知の
駆動方式により撮影レンズ３の制御を行う。

次にレリーズ釦の第２ストロークが行われると、主ミラ
ー５．サブミラー６が上昇し、シャッタ１５の先幕が走
行すると共にストロボ１６の発光が開始される。これに
よりストロボ光が被写体面で反射し、この反射光が撮影
レンズ３を透過してフィルムに入射し、該フィルムーヒ
への被写体像の写し込みが開始される。又この様にフィ
ルムに入射した光束の一部は該フィルム面で反射し、フ
ィールドレンズ１１を介して調光用センサ１４へ入射し
、ここで受光され光電変換された測光信号がＴＴＬスト
ロボ調光回路１θ９より制御回路１０１へ出力される。

すると前記制御回路１０１は先の測光回路１１０よりの
測光情報と前記ＴＴＬストロボ調光回路１０９よりの測
光情報とを比較し、一致したことを検知、すなわち適正
露光に達した事を検知するとシャッタ制御回路１０３を
介してシャッタ１５の後幕を走行させる。この後前記フ
ィルムの巻上げが行われ、一連の撮影動作が終了する。

本実施例によれば、ラインセンサＳＡＡ、５ＡＢ（又は
５ＡＡ−５ＡＤ）による測距エリアの両側に、ＡＥ用セ
ンサＳＡＥ　、ＳＡＦ　（又は５ＡＥ−３ＡＨ）を近接
かつその面積が略均等になる様に配ごし、これらの出力
の合成によってスポット測光を行うようにしたことによ
り、以下の効果がある。

１）光路をＡＦ系と共用している為、ハーフミラ−等で
光路を分割することなくスポット測光が可能であり、よ
って非常に簡単な構成となると共に、カメラ内レイアウ
トが容易で、しかも光量的にも有利である。さらにＡＦ
とＡＥをほぼ同時に行える為、撮影時間の短縮化を図る
ことができる。

２）スポット測光用の光学系（ＡＥ用センサを除く）は
特に必要なく、すべてＡＦ系との共用であることからコ
スト的に有利である。

３）ＡＥ用ラうンセンサＳＡＡ〜５ＡＡＤとＡＥ用セン
サＳＡＥ　、ＳＡＦを一つの基板りに形成することが可
能な為、この面からもコスト的に右利である。

４）スポット測光エリアの境界がはっきりしている。

５）ミラーボックス内に露出するレンズが１つである為
、内面反射を最小域に押さえることができる。

６）ＡＦ系とＡＥ系とをユニット化できる。

（発明の効果） 以り説明したように、本発明によれば、視野マスクの開
口領域を被写体の二次像がラインセンサの両側まで導か
れるように設定し、且つ測光重心がほぼ前記ラインセン
サーヒに位置するように前記ラインセンサの両側で且つ
前記二次像の照射領域にスポット測光用センサを配訝し
、以て、センサをスボッ）　１１光用センサと焦点検出
用のラインセンサとを別々に設けながら、撮影視野の中
心を測光エリア及び測距エリアの中心を一致させるよう
にしたから、複雑な構成にすることなく、焦点検出機能
及びスポット測光機能の夫々の性能を最大限に引き出す
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図図示のＡＦ−測光ユニットの断面図。 第３図は同じ＜ＡＦ−測光ユニッ゛トの構造を説明する
展開斜視図、第４図は同じ＜ＡＦ−測光ユニット内にお
けるＡＦ系の一方の光路展開図、第５図は同じく他方の
光路展開図、第６図は瞳領域分割の説明図、第７図は第
１図図示のＡＦ−ＡＥ用センサと二次像との関係を説明
する図、第８図はデフォーカス量演算時に使用される像
信号を説明する図、第９図はファインダ視野内における
測距エリアを示す図、第１０図は第１図図示の二次結像
レンズに製造ｌｌ差がある場合のＡＦΦＡＥ川センサ用
二次像との関係を説明する図、第１１図（ａ）は製造２
ｊ差のない理想的な二次結像レンズを示すモ面図、第１
１図（ｂ）は製造誤差のある二次結像レンズを示す平面
図、第１２図は第１１図（ｂ）の二次結像レンズを使用
した時の不得手な被写体像を説明する図、第１３図は第
１１図（ｂ）の二次結像レンズが使用された場合におけ
る二次像とラインセンサとの位置調整量を説明する図、
第１４図はファインダ視野内における測光エリアを示す
図、第１５図はＡＦ用テラインセンサＡＥ用センサとの
配置関係の他の例を示す図、第１６図は同ｃ＜ｐ、Ｆ用
ラインセンサとＡＥ用センサとの配置関係の別の例を示
す図、第１７図は第１６図図示例におけるファインダ視
野内における測光エリアを示す図、第１８図は第２図図
示の赤外カットフィルタの各領域を示すＬ面図、第１９
図及び第２０図は赤外カットフィルタの各領域での分光
透過特性図、第２１図は本発明の一実施例の概略を示す
ブロック図である。 ３・・・・・・カメラ、５・・・・・・主ミラー、６・
・・・・・サブミラー、１０・・・・・・ＡＦψＭｌ　
光−ｆｆ−ニット、ｌｌ・・・・・・フィールドレンズ
、１２・・・・・・二次結像レンズ、１３・・・・・・
ＡＦ−ＡＥ用センサ、１４・・・・・・ＴＴＬストロボ
調光用センサ、３３・・・・・・センサ駆動回路、１０
１・・・・・・制御回路、１０９・・・・・・ＴＴＬス
トロボ調光回路、１１０・・・・・・測光回路、５ＡＡ
−３ＡＤ・・・・・・ラインセンサ、５ＡＥ−３Ａ）（
・・・・・・ＡＥ用センサ。 特許出願人　　キャノン株式会社 代　　理　　人　　　中　　　村　　　　　稔第２図 第１○図 第１１図 第１６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）撮影レンズを通過した被写体光を視野マスクにて
   通過領域を制限し、更に二次結像光学系により被写体の
   二次像を得て、該二次像をラインセンサで受光し、その
   光電変換出力に基づいて撮影レンズの結像状態を検出す
   る焦点検出装置を備えたカメラにおいて、前記視野マス
   クの開口領域を被写体の二次像が前記ラインセンサの両
   側まで導かれるように設定し、且つ測光重心がほぼ前記
   ラインセンサ上に位置するように前記ラインセンサの両
   側で且つ前記二次像の照射領域にスポット測光用センサ
   を配置したことを特徴とするカメラ。