JPS638529B2 - - Google Patents
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- JPS638529B2 JPS638529B2 JP54080567A JP8056779A JPS638529B2 JP S638529 B2 JPS638529 B2 JP S638529B2 JP 54080567 A JP54080567 A JP 54080567A JP 8056779 A JP8056779 A JP 8056779A JP S638529 B2 JPS638529 B2 JP S638529B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
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-
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-
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- G11B5/3935—Flux closure films not being part of the track flux guides
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ヘツド、特に磁界に応じて電気
抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を利用した再生
用磁気ヘツドに係わる。
抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を利用した再生
用磁気ヘツドに係わる。
この種、磁気抵抗効果型再生用磁気ヘツドは、
通常一般の電磁誘導型再生用磁気ヘツドに比し、
狭トラツク再生、短波長再生、超低速再生におい
て高い感度が得られるという利点がある。
通常一般の電磁誘導型再生用磁気ヘツドに比し、
狭トラツク再生、短波長再生、超低速再生におい
て高い感度が得られるという利点がある。
この磁気抵抗効果型再生磁気ヘツドは、その磁
気抵抗効果素子の配置態様、バイアス態様等によ
つて種々の型のものが考えられている。第１図は
磁気媒体、例えば磁気テープ(1)の記録磁化による
磁性層の面方向と垂直をなす方向の磁界成分によ
つてその記録を読み出すようにしたいわゆる垂直
型の磁気抵抗効果型再生用磁気ヘツドの基本的構
成を示すものである。この場合、薄膜状の磁気抵
抗効果素子（magnetoresistance effect素子）(2)
（以下MRE素子を略称する）が、磁気テープ１の
幅方向に沿い、且つその膜面が磁気テープ１の面
と垂直をなすように配置されている。そして、
MRE素子２の両端より端子３ａ及び３ｂが導出
され、両端子３ａ及び３ｂ間に、例えば直流電源
Ｓと、抵抗Ｒとが接続され、MRE素子２に電流
ｉを通ずるようになされ、抵抗Ｒの両端より出力
端子ｔが導出されるようになされている。磁気テ
ープ１は、MRE素子２に対して相対的に矢印ａ
に示すように、その長手方向に移行し、磁気テー
プ１上に記録された記録（信号）磁界の、特に垂
直成分磁界に応じて生ずるMRE素子２の抵抗変
化を抵抗Ｒの両端電圧の変化して検出する、即ち
再生する。
気抵抗効果素子の配置態様、バイアス態様等によ
つて種々の型のものが考えられている。第１図は
磁気媒体、例えば磁気テープ(1)の記録磁化による
磁性層の面方向と垂直をなす方向の磁界成分によ
つてその記録を読み出すようにしたいわゆる垂直
型の磁気抵抗効果型再生用磁気ヘツドの基本的構
成を示すものである。この場合、薄膜状の磁気抵
抗効果素子（magnetoresistance effect素子）(2)
（以下MRE素子を略称する）が、磁気テープ１の
幅方向に沿い、且つその膜面が磁気テープ１の面
と垂直をなすように配置されている。そして、
MRE素子２の両端より端子３ａ及び３ｂが導出
され、両端子３ａ及び３ｂ間に、例えば直流電源
Ｓと、抵抗Ｒとが接続され、MRE素子２に電流
ｉを通ずるようになされ、抵抗Ｒの両端より出力
端子ｔが導出されるようになされている。磁気テ
ープ１は、MRE素子２に対して相対的に矢印ａ
に示すように、その長手方向に移行し、磁気テー
プ１上に記録された記録（信号）磁界の、特に垂
直成分磁界に応じて生ずるMRE素子２の抵抗変
化を抵抗Ｒの両端電圧の変化して検出する、即ち
再生する。
更にMRE素子２にバイアス磁界を与える構成
とすこともでき、例えば第２図に示すように
MRE素子２に沿つて導電体６を配置してこれに
電流ibを通じバイアス磁界を発生させる電流バイ
アス型構成とすることもできるし、第３図に示す
ようにMRE素子２に対向して着磁された永久磁
石７を配置してバイアス磁界を与える構成とする
こともできる。
とすこともでき、例えば第２図に示すように
MRE素子２に沿つて導電体６を配置してこれに
電流ibを通じバイアス磁界を発生させる電流バイ
アス型構成とすることもできるし、第３図に示す
ようにMRE素子２に対向して着磁された永久磁
石７を配置してバイアス磁界を与える構成とする
こともできる。
本発明は、この種磁気ヘツドにおいて、感度の
向上と、構造の簡潔化、製造の簡易化をはかるこ
とのできる磁気ヘツドを提供するものである。
向上と、構造の簡潔化、製造の簡易化をはかるこ
とのできる磁気ヘツドを提供するものである。
第４図及び第５図を参照して本発明による磁気
ヘツドの一例を説明する。第４図はその拡大上面
図で、第５図は第４図のＡ―Ａ線上の断面図を示
す。１０は本発明による磁気ヘツドを全体として
示す。
ヘツドの一例を説明する。第４図はその拡大上面
図で、第５図は第４図のＡ―Ａ線上の断面図を示
す。１０は本発明による磁気ヘツドを全体として
示す。
本発明においては、基体１１上に、薄膜MRE
素子１２を設け、このMRE素子１２を磁路の一
部とする閉磁路１３を構成し、この磁路１３を通
じてMRE素子１２に、これの長手方向、すなわ
ちこれに通ずる電流ｉの方向に沿う方向に第１の
磁界を与える。一方、これとは別に、他の磁界発
生手段１４を設け、これによつて、MRE素子１
２に第２の磁界を与える。
素子１２を設け、このMRE素子１２を磁路の一
部とする閉磁路１３を構成し、この磁路１３を通
じてMRE素子１２に、これの長手方向、すなわ
ちこれに通ずる電流ｉの方向に沿う方向に第１の
磁界を与える。一方、これとは別に、他の磁界発
生手段１４を設け、これによつて、MRE素子１
２に第２の磁界を与える。
例えば基体１１としてサフアイア基体を用い、
これの上に、例えばコ字状パターンに導電層を蒸
着、スパツタ、印刷等の適当方法によつて被着
し、これに電流ib2を通ずることによつて磁界Hb2
が生ずる磁界発生手段１４を構成する。そして、
この磁界発生手段としての導電層１４の表面を覆
つてSiO2等の絶縁膜１５を蒸着、スパツタ等に
よつて被着し、この絶縁膜１５を介して導電層１
４上に、磁気抵抗効果を有する磁性合金、例えば
Ni―Co合金、パーマロイ（Ni―Fe系合金）薄膜
を、蒸着、スパツタ等によつて被着してMRE素
子１２を構成する。このMRE素子１２の両端に
は、図示の例のように、これ自体を延長すること
につて、或いは他の導電層を連結延長して、端子
部１２ａ及び１２ｂを導出する。そして、この
MRE素子１２の両端に磁気的に連結して例えば
コ字状パターンに高透磁率の磁性層１６を被着
し、この磁性層１６と、MRE素子１２とによつ
て閉磁路１３を構成する。そして、この閉磁路１
３の磁性層１６に巻線１７を施す。この巻線１７
は、例えば磁性層１６を横切つて第１の導電層１
７ａを被着し、この導電層１７ａの一端と連接し
て、第２の導電層１７ｂを磁性層１６上を横切つ
て被着することによつて成し得る。磁性層１６
は、電気抵抗の高いフエライト、例えばNi―Zn
フエライトや、Mn―Znフエライトによつて構成
することもできるし、パーマロイ、センダスト等
の金属磁性材によつて構成することもできる。こ
の磁性層１６を電気伝導性を有する金属磁性材に
よつて構成する場合は、この磁性層１６と導電層
１７ａ及び１７ｂとの間には絶縁層を介存させる
必要があることはさることながらこの磁性層１６
と、MRE素子１２とによる閉磁路１３に電気的
ループが生じないように、例えば磁性層１６の一
部に磁気空隙を形成し、これによつて、磁気的に
はループを形成し、電気的には一部不連続部が生
ずるようにする。これがためには、例えば、第６
図にその上面図を示し、第７図にそのＢ―Ｂ線上
の断面図を示すように、磁性層１６を２部分の層
１６ａ及び１６ｂによつて構成し、両層１６ａ及
び１６ｂの一端部がSiO2膜のような絶縁膜１８
を介して積層するようにし、これら端部間に、磁
気空隙を形成し、これによつて磁気的には連結す
るも電気的には分離された部分を形成する。そし
て、このように磁性層１６を導電性を有する磁性
材によつて構成する場合、MRE素子１２に電流
ｉを通ずるための電気的通路の一部を構成するよ
うにこの導電性磁性層が例えばMRE素子１２と
その端子部１２ａ，１２ｂとの間に平面的に介存
される構造にすることもできる。第６図及び第７
図において、第４図及び第５図と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。
これの上に、例えばコ字状パターンに導電層を蒸
着、スパツタ、印刷等の適当方法によつて被着
し、これに電流ib2を通ずることによつて磁界Hb2
が生ずる磁界発生手段１４を構成する。そして、
この磁界発生手段としての導電層１４の表面を覆
つてSiO2等の絶縁膜１５を蒸着、スパツタ等に
よつて被着し、この絶縁膜１５を介して導電層１
４上に、磁気抵抗効果を有する磁性合金、例えば
Ni―Co合金、パーマロイ（Ni―Fe系合金）薄膜
を、蒸着、スパツタ等によつて被着してMRE素
子１２を構成する。このMRE素子１２の両端に
は、図示の例のように、これ自体を延長すること
につて、或いは他の導電層を連結延長して、端子
部１２ａ及び１２ｂを導出する。そして、この
MRE素子１２の両端に磁気的に連結して例えば
コ字状パターンに高透磁率の磁性層１６を被着
し、この磁性層１６と、MRE素子１２とによつ
て閉磁路１３を構成する。そして、この閉磁路１
３の磁性層１６に巻線１７を施す。この巻線１７
は、例えば磁性層１６を横切つて第１の導電層１
７ａを被着し、この導電層１７ａの一端と連接し
て、第２の導電層１７ｂを磁性層１６上を横切つ
て被着することによつて成し得る。磁性層１６
は、電気抵抗の高いフエライト、例えばNi―Zn
フエライトや、Mn―Znフエライトによつて構成
することもできるし、パーマロイ、センダスト等
の金属磁性材によつて構成することもできる。こ
の磁性層１６を電気伝導性を有する金属磁性材に
よつて構成する場合は、この磁性層１６と導電層
１７ａ及び１７ｂとの間には絶縁層を介存させる
必要があることはさることながらこの磁性層１６
と、MRE素子１２とによる閉磁路１３に電気的
ループが生じないように、例えば磁性層１６の一
部に磁気空隙を形成し、これによつて、磁気的に
はループを形成し、電気的には一部不連続部が生
ずるようにする。これがためには、例えば、第６
図にその上面図を示し、第７図にそのＢ―Ｂ線上
の断面図を示すように、磁性層１６を２部分の層
１６ａ及び１６ｂによつて構成し、両層１６ａ及
び１６ｂの一端部がSiO2膜のような絶縁膜１８
を介して積層するようにし、これら端部間に、磁
気空隙を形成し、これによつて磁気的には連結す
るも電気的には分離された部分を形成する。そし
て、このように磁性層１６を導電性を有する磁性
材によつて構成する場合、MRE素子１２に電流
ｉを通ずるための電気的通路の一部を構成するよ
うにこの導電性磁性層が例えばMRE素子１２と
その端子部１２ａ，１２ｂとの間に平面的に介存
される構造にすることもできる。第６図及び第７
図において、第４図及び第５図と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。
尚、第４図ないし第７図において、１９は
MRE素子１２が臨み、研摩仕上された磁気媒体
との対接面を示す。
MRE素子１２が臨み、研摩仕上された磁気媒体
との対接面を示す。
上述の構成において、磁路１３上の巻線部１７
に、電流ib1を通じ、これによつて磁路１３、し
たがつてMRE素子１２に第１の磁界Hb1を与え
るようにする、また一方、前述したように、他の
磁界発生手段としての導電層１４に、電流ib2を
通ずることにつてMRE素子１２に第２の磁界
Hb2が与えられるようにする。
に、電流ib1を通じ、これによつて磁路１３、し
たがつてMRE素子１２に第１の磁界Hb1を与え
るようにする、また一方、前述したように、他の
磁界発生手段としての導電層１４に、電流ib2を
通ずることにつてMRE素子１２に第２の磁界
Hb2が与えられるようにする。
上述の本発明による磁気ヘツド１０は、その磁
気媒体との対接面１９において、その薄膜MRE
素子１２の厚さ方向、即ち第４図及び第６図にお
いて紙面と直交する方向に磁気媒体が相対的に対
接移行するようになされる。
気媒体との対接面１９において、その薄膜MRE
素子１２の厚さ方向、即ち第４図及び第６図にお
いて紙面と直交する方向に磁気媒体が相対的に対
接移行するようになされる。
上述の磁気ヘツド１０において、MRE素子１
２に、その端子部１２ａ及び１２ｂを通じて、電
流ｉを通じ、磁気媒体上に記録された信号磁界に
応じて生ずるMRE素子１２の抵抗変化による電
気信号として再生を行うものであるが、特に本発
明においては、巻線１７に電流ib1を通じ、電磁
誘導によつて閉磁路１３に磁束を発生させ、
MRE素子１２に、これに通ずる電流ｉに沿う方
向の第１の磁界Hb1を与えて第８図に示すよう
に、MRE素子１２に磁化I1を得、更に、前述し
たように、他の磁界発生手段としての導電層１４
に電流ib2を通じてMRE素子１２に対し、例えば
第１の磁界Hb1とほぼ直交する方向の第２の磁界
Hb2を与えて、これによつてMRE素子１２に結
果的に所要の方向の磁化Ｉが得られるようにす
る。
２に、その端子部１２ａ及び１２ｂを通じて、電
流ｉを通じ、磁気媒体上に記録された信号磁界に
応じて生ずるMRE素子１２の抵抗変化による電
気信号として再生を行うものであるが、特に本発
明においては、巻線１７に電流ib1を通じ、電磁
誘導によつて閉磁路１３に磁束を発生させ、
MRE素子１２に、これに通ずる電流ｉに沿う方
向の第１の磁界Hb1を与えて第８図に示すよう
に、MRE素子１２に磁化I1を得、更に、前述し
たように、他の磁界発生手段としての導電層１４
に電流ib2を通じてMRE素子１２に対し、例えば
第１の磁界Hb1とほぼ直交する方向の第２の磁界
Hb2を与えて、これによつてMRE素子１２に結
果的に所要の方向の磁化Ｉが得られるようにす
る。
尚、上述した例では、MRE素子１２に与える
第１及び第２の磁界いずれも、電磁誘導によつて
得た場合であるが、第２の磁界Hb2を永久磁石に
よつて構成することもできる。
第１及び第２の磁界いずれも、電磁誘導によつて
得た場合であるが、第２の磁界Hb2を永久磁石に
よつて構成することもできる。
上述の本発明による磁気ヘツド１０によれば、
磁気媒体上の記録磁化による抵抗変化によつてそ
の読み出しを行うものがあるが、特にMRE素子
１２に所要の向きの磁化Ｉを得るバイアス磁界を
与えることによつて直線性と感度の向上をはかる
ことができるものである。
磁気媒体上の記録磁化による抵抗変化によつてそ
の読み出しを行うものがあるが、特にMRE素子
１２に所要の向きの磁化Ｉを得るバイアス磁界を
与えることによつて直線性と感度の向上をはかる
ことができるものである。
すなわち、MRE素子１２における飽和磁化Ｉ
と、素子１２に通ずる電流ｉとのなす角θと、素
子１２の抵抗ρ（θ）との関係はViogt―
Thomsonの式としてよく知られているように、
下記(1)式及び第９図で表わされる。
と、素子１２に通ずる電流ｉとのなす角θと、素
子１２の抵抗ρ（θ）との関係はViogt―
Thomsonの式としてよく知られているように、
下記(1)式及び第９図で表わされる。
ρ（θ）＝ρ0#｛１＋α*／２
・cos2θ（ｙ，ｚ）｝△ｚ／ｔ△ｙ……(1
) 但し、ここに、ρ0#はMRE素子の消磁状態で
の固有抵抗、α*はMRE素子の感度指数（≡△
ρ／ρ0）ｔはMRE素子の膜厚、ｚはそのトラツ
ク幅方向の位置、△ｚはトラツク幅方向の微小
長、△ｙはMRE素子の面方向に沿い、△ｚと直
交する方向の微小長である。この関係より飽和磁
化の方向、即ち素子１２に与えられる磁界が電流
ｉに対しπ／４±nπ／２（但しｎは０又は正の整数以 下同様）を中心としてπ／２の範囲で変動するとき、 最も大きな抵抗変化△ρが得られるとがわかる。
したがつて、バイアス磁界（前述の第１及び第２
の磁界）によつて飽和磁化Ｉの方向を電流ｉに対
し、π／４±ｎ／２π〔ラジアン〕，例えば±π／４〔
ラジ アン〕となるように選定すれば、これに磁気記録
媒体上の記録による信号磁界が与えられるとき、
θは±π／４を中心として第８図に矢印＋ａ及び− ａで示す方向に抵抗ρが変化することになつて対
称性及び直線性にすぐれた大きな抵抗変化を生じ
させることができることになる。尚、この場合、
異方性磁界HKの考慮も必要とするが、この異方
性磁界の存在によつてもほぼ±π／４〔ラジアン〕 にバイアス磁界の向きを設定することにさほどの
支障は来たさない。
) 但し、ここに、ρ0#はMRE素子の消磁状態で
の固有抵抗、α*はMRE素子の感度指数（≡△
ρ／ρ0）ｔはMRE素子の膜厚、ｚはそのトラツ
ク幅方向の位置、△ｚはトラツク幅方向の微小
長、△ｙはMRE素子の面方向に沿い、△ｚと直
交する方向の微小長である。この関係より飽和磁
化の方向、即ち素子１２に与えられる磁界が電流
ｉに対しπ／４±nπ／２（但しｎは０又は正の整数以 下同様）を中心としてπ／２の範囲で変動するとき、 最も大きな抵抗変化△ρが得られるとがわかる。
したがつて、バイアス磁界（前述の第１及び第２
の磁界）によつて飽和磁化Ｉの方向を電流ｉに対
し、π／４±ｎ／２π〔ラジアン〕，例えば±π／４〔
ラジ アン〕となるように選定すれば、これに磁気記録
媒体上の記録による信号磁界が与えられるとき、
θは±π／４を中心として第８図に矢印＋ａ及び− ａで示す方向に抵抗ρが変化することになつて対
称性及び直線性にすぐれた大きな抵抗変化を生じ
させることができることになる。尚、この場合、
異方性磁界HKの考慮も必要とするが、この異方
性磁界の存在によつてもほぼ±π／４〔ラジアン〕 にバイアス磁界の向きを設定することにさほどの
支障は来たさない。
上述したように本発明によれば、第１及び第２
の磁界によるバイアス磁界を与えるものであり、
その第１の磁界を電磁誘導によつて得るものであ
り、しかもこの第１の磁界は、MRE素子１２を
含んだ閉磁路を形成し、これに励磁用の巻線部１
７を設けることによつて得るようにしたので効果
的に且つ確実にMRE素子１２に対して、その磁
界の強さを適当に選定できるので、MRE素子１
２の磁化の向きを容易に最適状態に選定ることが
できて、対称性及び直線性にすぐれた磁気ヘツド
を構成することができるものである。
の磁界によるバイアス磁界を与えるものであり、
その第１の磁界を電磁誘導によつて得るものであ
り、しかもこの第１の磁界は、MRE素子１２を
含んだ閉磁路を形成し、これに励磁用の巻線部１
７を設けることによつて得るようにしたので効果
的に且つ確実にMRE素子１２に対して、その磁
界の強さを適当に選定できるので、MRE素子１
２の磁化の向きを容易に最適状態に選定ることが
できて、対称性及び直線性にすぐれた磁気ヘツド
を構成することができるものである。
また、このように本発明による磁気ヘツドにお
いてはMRE素子１２にバイアス磁界を与えるよ
うになすものであるがこのようなバイアス磁界を
与える手段を設けるにも拘わらず全体を薄膜技術
によつて製造することができるのでその製造を量
産的に行うことができる。
いてはMRE素子１２にバイアス磁界を与えるよ
うになすものであるがこのようなバイアス磁界を
与える手段を設けるにも拘わらず全体を薄膜技術
によつて製造することができるのでその製造を量
産的に行うことができる。
尚、基体１１を、例えばサフアイア単結晶体に
よつて構成するときは、これの上に上述した本発
明による磁気ヘツドを構成すると共に、その後方
の基体１１上に磁気ヘツドに付随する各種回路を
集積化して一体構成とすることができる。図示の
例では、単一の磁気ヘツド構成とした場合である
が多トラツク、すなわち多素子磁気ヘツドを共通
の基体１１上に形成することができ、この場合特
にこれらに付する回路部を基体１１上に集積回路
化して形成することは多くの利益を招来する。す
なわち並列多トラツク記録方式に用いる磁気抵抗
効果型再生用磁気ヘツドを基体１１上に形成する
と共に、これよりの信号を原信号に復元する周辺
回路部分、例えば、増幅、波形整形、一時記憶、
直並列変換、時間軸変換、Ａ―Ｄ変換、Ｄ―Ａ変
換等の各種回路を、例えばサフアイア基体１１上
にエピタキシヤル成長したシリコン半導体層に周
知の集積回路技術によつて形成する。この場合多
トラツク磁気ヘツドからの並列出力を同一基体に
おいてその一部または全部に関して原信号に復元
後出力することにより多トラツクヘツドの難点で
ある磁気ヘツドよりのリード線の引き出しの煩雑
さの解消、外部雑音及びトラツク間クロストーク
の低減化、信号の信頼性の向上、装置の小型化、
低廉化を図ることができ、長寿命、高信頼性で、
周波数特性にすぐれ、高感度、高Ｓ／Ｎ特性磁気
ヘツドを得ることができる。
よつて構成するときは、これの上に上述した本発
明による磁気ヘツドを構成すると共に、その後方
の基体１１上に磁気ヘツドに付随する各種回路を
集積化して一体構成とすることができる。図示の
例では、単一の磁気ヘツド構成とした場合である
が多トラツク、すなわち多素子磁気ヘツドを共通
の基体１１上に形成することができ、この場合特
にこれらに付する回路部を基体１１上に集積回路
化して形成することは多くの利益を招来する。す
なわち並列多トラツク記録方式に用いる磁気抵抗
効果型再生用磁気ヘツドを基体１１上に形成する
と共に、これよりの信号を原信号に復元する周辺
回路部分、例えば、増幅、波形整形、一時記憶、
直並列変換、時間軸変換、Ａ―Ｄ変換、Ｄ―Ａ変
換等の各種回路を、例えばサフアイア基体１１上
にエピタキシヤル成長したシリコン半導体層に周
知の集積回路技術によつて形成する。この場合多
トラツク磁気ヘツドからの並列出力を同一基体に
おいてその一部または全部に関して原信号に復元
後出力することにより多トラツクヘツドの難点で
ある磁気ヘツドよりのリード線の引き出しの煩雑
さの解消、外部雑音及びトラツク間クロストーク
の低減化、信号の信頼性の向上、装置の小型化、
低廉化を図ることができ、長寿命、高信頼性で、
周波数特性にすぐれ、高感度、高Ｓ／Ｎ特性磁気
ヘツドを得ることができる。
また、上述したように基体１１をサフアイアに
よつて構成する場合は、これが高硬度、耐摩耗性
を有し、更に高い熱伝導度を有するので磁気媒体
との対接面１９に臨んでその一部を構成する場
合、その耐摩耗性によつて長期に亘つて磁気媒体
とのいわゆる“当り”を良好に保持でき、また、
その良熱伝導性によつて、すぐれた放熱効果を得
ることができ熱雑音の低減化をはかることができ
る利益がある。
よつて構成する場合は、これが高硬度、耐摩耗性
を有し、更に高い熱伝導度を有するので磁気媒体
との対接面１９に臨んでその一部を構成する場
合、その耐摩耗性によつて長期に亘つて磁気媒体
とのいわゆる“当り”を良好に保持でき、また、
その良熱伝導性によつて、すぐれた放熱効果を得
ることができ熱雑音の低減化をはかることができ
る利益がある。
第１図ないし第３図は夫々従来の磁気抵抗効果
型磁気ヘツドの各例を示す図、第４図は本発明に
よる磁気ヘツドの一例を示す拡大平面図、第５図
はそのＡ―Ａ線上の拡大断面図、第６図は本発明
による磁気ヘツドの他の例を示す拡大平面図、第
７図はそのＢ―Ｂ線上の拡大断面図、第８図は
MRE素子の説明に供する図、第９図はMRE素子
の特性の説明図である。 １１は基体、１２はMRE素子、１３は閉磁路、
１４は磁界発生手段である。
型磁気ヘツドの各例を示す図、第４図は本発明に
よる磁気ヘツドの一例を示す拡大平面図、第５図
はそのＡ―Ａ線上の拡大断面図、第６図は本発明
による磁気ヘツドの他の例を示す拡大平面図、第
７図はそのＢ―Ｂ線上の拡大断面図、第８図は
MRE素子の説明に供する図、第９図はMRE素子
の特性の説明図である。 １１は基体、１２はMRE素子、１３は閉磁路、
１４は磁界発生手段である。
Claims (1)
- １ 基体上に薄膜磁気抵抗効果素子と、該薄膜磁
気抵抗効果素子を含む閉磁路と、該閉磁路自体に
巻装された励磁巻線部と、磁界発生手段とが設け
られ、上記磁気抵抗効果素子に上記巻線部によつ
て上記閉磁路に発生させた第１の磁界を与えると
共に、上記磁界発生手段によつて第２の磁界を与
えるようにして、上記磁気抵抗素子を所定の方向
に磁化し得るようにしたことを特徴とする磁気ヘ
ツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8056779A JPS567223A (en) | 1979-06-25 | 1979-06-25 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8056779A JPS567223A (en) | 1979-06-25 | 1979-06-25 | Magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS567223A JPS567223A (en) | 1981-01-24 |
| JPS638529B2 true JPS638529B2 (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=13721905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8056779A Granted JPS567223A (en) | 1979-06-25 | 1979-06-25 | Magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS567223A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5181115A (ja) * | 1975-01-13 | 1976-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS51112320A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A magnetic head |
-
1979
- 1979-06-25 JP JP8056779A patent/JPS567223A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5181115A (ja) * | 1975-01-13 | 1976-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS51112320A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS567223A (en) | 1981-01-24 |
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